專利名稱：提升pecvd鍍膜均勻性的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽能電池的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及提升一種PECVD鍍膜均勻性的裝置。
背景技術(shù)：
太陽能電池作為一種可以將太陽輻射能直接轉(zhuǎn)化為電能的器件，已經(jīng)得到人們的認(rèn)可和關(guān)注，并在世界范圍內(nèi)迅速推廣和應(yīng)用。在晶體硅太陽能電池的生產(chǎn)過程中，需要在電池表面制作能夠減少光在硅片表面反射率的減反射膜，可以顯著提高晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。目前的晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中制作減反射膜的設(shè)備一般采用管式PECVD鍍膜設(shè)備，在制作減反射膜的過程中，工藝氣體均采用沉積腔一端進(jìn)氣，另一端抽氣的輸送方式。這樣，當(dāng)工藝氣體由進(jìn)氣端運(yùn)動(dòng)到抽氣端時(shí)，成分發(fā)生變化，濃度也隨之下降，影響沉積效果。主要表現(xiàn)為:一、薄膜的厚度均勻性差；二、薄膜的折射率會(huì)隨氣流的方向呈遞減趨勢。這樣在一定程度上增加了電池不良品的產(chǎn)生幾率，同時(shí)增大了太陽電池的短路電流、開路電壓和電池效率的分布區(qū)間。目前，其改善方案是提供足夠多的反應(yīng)氣體以保證薄膜的性能，這樣勢必造成了氣體的浪費(fèi)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是針對上述存在的缺陷而提供一種提升PECVD鍍膜均勻性的裝置。本實(shí)用新型的進(jìn)氣方式由原來的沉積腔橫向進(jìn)氣改為縱向進(jìn)氣，出氣方式改為沉積腔體上設(shè)置一出氣口的出氣方式，通過對噴氣管的設(shè)計(jì)，既提升了薄膜的性能，還有效的提高了 PECVD薄膜制備過程中對工藝氣體的利用率。本實(shí)用新型的提升PECVD鍍膜均勻性的裝置技術(shù)方案為，包括沉積腔、射頻電極和進(jìn)氣系統(tǒng)，還包括設(shè)置于沉積腔下方的真空系統(tǒng)，沉積腔為管式真空腔體，進(jìn)氣系統(tǒng)采用縱向進(jìn)氣的方式，包括位于沉積腔一側(cè)的進(jìn)氣裝置和位于沉積腔內(nèi)部上方的噴氣管。噴氣管一端連接進(jìn)氣裝置，另一端為封閉端，噴氣管上設(shè)置有均勻分布的出氣孔。噴氣管設(shè)置有一個(gè)以上。出氣孔為1-5行，且每一行的數(shù)量為2個(gè)以上。所述的噴氣管為圓柱、半圓柱或者長方體。所述的出氣孔的形狀為圓形、橢圓形、方形等任意形狀。所述的出氣孔平行或者交叉排列。本實(shí)用新型的有益效果為:本實(shí)用新型的一種用于提升PECVD設(shè)備的進(jìn)氣方式由原來的沉積腔橫向進(jìn)氣改為縱向進(jìn)氣，出氣方式改為沉積腔體上設(shè)置一出氣口的出氣方式，噴氣管一端連接進(jìn)氣裝置，另一端為封閉端，噴氣管上設(shè)置有均勻分布的出氣孔。這樣對設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)，保證了沉積腔內(nèi)氣場的均勻性、穩(wěn)定性，不僅提升了薄膜厚度的均勻性，還有效的改善了薄膜折射率的一致性，使太陽電池的短路電流、開路電壓和電池效率的分布區(qū)間相對集中，同時(shí)減少了不良片的產(chǎn)生幾率；另外，本沉積方法有效的提高了 PECVD薄膜制備過程中對工藝氣體的利用率
:圖1所示為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3所示為本實(shí)用新型實(shí)施例1的進(jìn)氣管局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖4所示為本實(shí)用新型實(shí)施例2的進(jìn)氣管局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖5所示為本實(shí)用新型實(shí)施例3的進(jìn)氣管局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1.沉積腔，2.進(jìn)氣系統(tǒng)，3.真空系統(tǒng)，4.射頻電極，5.石墨舟，6.電源系統(tǒng)，7噴氣管，8.出氣孔。
具體實(shí)施方式
:為了更好地理解本實(shí)用新型，
以下結(jié)合附圖來詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但是本實(shí)用新型并不局限于此。本實(shí)用新型的提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，包括沉積腔1、射頻電極4和進(jìn)氣系統(tǒng)2，還包括設(shè)置于沉積腔I下方的真空系統(tǒng)3，沉積腔I為管式真空腔體，進(jìn)氣系統(tǒng)2采用縱向進(jìn)氣的方式，包括位于沉積腔I 一側(cè)的進(jìn)氣裝置和位于沉積腔I內(nèi)部上方的噴氣管7。沉積腔I內(nèi)設(shè)有石墨舟5，射頻電極4連接電源系統(tǒng)6。噴氣管7 —端連接進(jìn)氣裝置，另一端為封閉端，噴氣管7上設(shè)置有均勻分布的出氣孔8。噴氣管7設(shè)置有一個(gè)以上。出氣孔8為1-5行，且每一行的數(shù)量為2個(gè)以上。所述的噴氣管7為圓柱、半圓柱或者長方體。所述的出氣孔8的形狀為圓形、橢圓形、方形等任意形狀。所述的出氣孔8平行或者交叉排列。實(shí)施例1提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，包括沉積腔1、射頻電極4和進(jìn)氣系統(tǒng)2，還包括設(shè)置于沉積腔I下方的真空系統(tǒng)3，沉積腔I為管式真空腔體，進(jìn)氣系統(tǒng)2采用縱向進(jìn)氣的方式，包括位于沉積腔I 一側(cè)的進(jìn)氣裝置和位于沉積腔I內(nèi)部上方的噴氣管7。噴氣管7 —端連接進(jìn)氣裝置，另一端為封閉端，噴氣管7上設(shè)置有均勻分布的出氣孔8。如圖3，噴氣管7為半圓柱形體，噴氣管7上設(shè)置有出氣孔8的長度為160cm，并設(shè)置有5排排氣孔，排氣孔形狀為橢圓形，出氣孔8排與排之間平行。實(shí)施例2提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，包括沉積腔1、射頻電極4和進(jìn)氣系統(tǒng)2，還包括設(shè)置于沉積腔I下方的真空系統(tǒng)3，沉積腔I為管式真空腔體，進(jìn)氣系統(tǒng)2采用縱向進(jìn)氣的方式，包括位于沉積腔I 一側(cè)的進(jìn)氣裝置和位于沉積腔I內(nèi)部上方的噴氣管7。噴氣管7 —端連接進(jìn)氣裝置，另一端為封閉端，噴氣管7上設(shè)置有均勻分布的出氣孔8。如圖4，噴氣管7為方形體，噴氣管7上設(shè)置有出氣孔8的長度為120cm，并設(shè)置有3排出氣孔8，出氣孔8形狀為正方形，出氣孔8排與排之間交叉。[0038]實(shí)施例3提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，包括沉積腔1、射頻電極4和進(jìn)氣系統(tǒng)2，還包括設(shè)置于沉積腔I下方的真空系統(tǒng)3，沉積腔I為管式真空腔體，進(jìn)氣系統(tǒng)2采用縱向進(jìn)氣的方式，包括位于沉積腔I 一側(cè)的進(jìn)氣裝置和位于沉積腔I內(nèi)部上方的噴氣管7。噴氣管7 —端連接進(jìn)氣裝置，另一端為封閉端，噴氣管7上設(shè)置有均勻分布的出氣孔8。如圖5，噴氣管7為半圓柱形體，噴氣管7上設(shè)置有出氣孔2的長度為80cm，并設(shè)置有I排出氣孔8，出氣孔8形狀為圓形。
權(quán)利要求1.一種提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，包括沉積腔、射頻電極和進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，還包括設(shè)置于沉積腔下方的真空系統(tǒng)，沉積腔為管式真空腔體，進(jìn)氣系統(tǒng)采用縱向進(jìn)氣的方式，包括位于沉積腔一側(cè)的進(jìn)氣裝置和位于沉積腔內(nèi)部上方的噴氣管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，其特征在于，噴氣管一端連接進(jìn)氣裝置，另一端為封閉端，噴氣管上設(shè)置有均勻分布的出氣孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，其特征在于，噴氣管設(shè)置有一個(gè)以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，其特征在于，出氣孔為1-5行，且每一行的數(shù)量為2個(gè)以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，其特征在于，所述的噴氣管為圓柱、半圓柱或者長方體。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，其特征在于，所述的出氣孔的形狀為圓形、橢圓形、方形等任意形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，其特征在于，所述的出氣孔平行或者交叉排列。
專利摘要本實(shí)用新型涉及太陽電池的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提升PECVD鍍膜均勻性的裝置，包括沉積腔、射頻電極和進(jìn)氣系統(tǒng)，還包括設(shè)置于沉積腔下方的真空系統(tǒng)，沉積腔為管式真空腔體，進(jìn)氣系統(tǒng)采用縱向進(jìn)氣的方式，包括位于沉積腔一側(cè)的進(jìn)氣裝置和位于沉積腔內(nèi)部上方的噴氣管。本實(shí)用新型的進(jìn)氣方式由原來的沉積腔橫向進(jìn)氣改為縱向進(jìn)氣，出氣方式改為沉積腔體上設(shè)置一出氣口的出氣方式，通過對噴氣管的設(shè)計(jì)，既提升了薄膜的性能，還有效的提高了PECVD薄膜制備過程中對工藝氣體的利用率。
文檔編號(hào)C23C16/505GK203049035SQ20122066583
公開日2013年7月10日 申請日期2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月6日
發(fā)明者任現(xiàn)坤, 姜言森, 張春艷, 程亮, 賈河順, 徐振華 申請人:山東力諾太陽能電力股份有限公司