專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管晶圓，尤其涉及發(fā)光二極管晶圓的研磨裝置。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參閱圖1與圖2所示，發(fā)光二極管晶圓I在磊晶制造完成之后，必須使用研磨裝置進(jìn)行晶圓研磨作業(yè)，而研磨裝置主要包含一研磨墊2與設(shè)置于該研磨墊2的磨料齒3，其通過(guò)該磨料齒3研磨該發(fā)光二極管晶圓I上不需要的堆疊層，并減少厚度，而利于后續(xù)的晶圓切割、封裝等作業(yè)的進(jìn)行。已知為通過(guò)該磨料齒3直接研磨該發(fā)光二極管晶圓I表面不要的部分，因此在研磨的過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)數(shù)量的細(xì)屑，因此常常需要停機(jī)處理，其會(huì)影響產(chǎn)量。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3所示，已知該研磨墊2為裝設(shè)于一轉(zhuǎn)動(dòng)軸4上，而發(fā)光二極管晶圓I則集合多個(gè)，并分別利用固定臘(圖未示)黏著固定于一工作臺(tái)5上，固定臘的作用在于固定發(fā)光二極管晶圓1，以便利研磨作業(yè)的進(jìn)行，且已知發(fā)光二極管晶圓I在研磨作業(yè)時(shí)，為使該研磨墊2的磨料齒3與該發(fā)光二極管晶圓I重疊，并使該轉(zhuǎn)動(dòng)軸4與該工作臺(tái)5同向轉(zhuǎn)動(dòng)，以利用磨料齒3對(duì)發(fā)光二極管晶圓I進(jìn)行研磨。然而，已知磨料齒3與發(fā)光二極管晶圓I的相對(duì)位移方向，該磨料齒3研磨該發(fā)光二極管晶圓I的部位會(huì)集中于磨料齒3的側(cè)邊位置6，也即該磨料齒3與該發(fā)光二極管晶圓I的接觸面積不大，因此在研磨時(shí)，該磨料齒3會(huì)對(duì)該發(fā)光二極管晶圓I產(chǎn)生相當(dāng)?shù)臎_擊力道，而造成該發(fā)光二極管晶圓I可能會(huì)產(chǎn)生龜裂的問(wèn)題，而造成制造良率低落。

實(shí)用新型內(nèi)容于是，本實(shí)用新型的主要目的在于披露一種發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造，其用于研磨發(fā)光二極管晶圓時(shí)，可增加排屑效果，并降低發(fā)光二極管晶圓的受力，而增加產(chǎn)量與良率。基于上述目的，本實(shí)用新型為一種發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造，其包含一研磨板與多個(gè)磨料齒，其中該研磨板為圓板狀，且該多個(gè)磨料齒等距且以放射狀排列于該研磨板的邊緣區(qū)域，且該多個(gè)磨料齒呈渦旋狀。進(jìn)一步地，研磨板具有多個(gè)凹槽，而磨料齒鑲?cè)攵鄠€(gè)凹槽內(nèi)并浮凸于研磨板上。進(jìn)一步地,研磨板在多個(gè)磨料齒兩兩之間分別設(shè)置有一進(jìn)水孔。進(jìn)一步地，進(jìn)水孔遠(yuǎn)離研磨板的邊緣而設(shè)置。進(jìn)一步地，研磨板具有一中心開(kāi)口以及與環(huán)繞中心開(kāi)口設(shè)置的多個(gè)鎖固孔。據(jù)此，本實(shí)用新型用于研磨該發(fā)光二極管晶圓時(shí)，放射狀排列且渦旋狀的磨料齒在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生渦旋的流動(dòng)效果，可有效將細(xì)屑甩出，因而沒(méi)有停機(jī)排屑的問(wèn)題。又渦旋狀的磨料齒在轉(zhuǎn)動(dòng)研磨接觸該發(fā)光二極管晶圓的厚度時(shí)，可增加與該發(fā)光二極管晶圓的接觸面積，因而可以降低對(duì)該發(fā)光二極管晶圓的沖擊性并減少研磨時(shí)的沖擊力道。因此本實(shí)用新型可以節(jié)省排屑的停機(jī)時(shí)間，并避免該發(fā)光二極管晶圓于研磨時(shí)，因受力過(guò)大而產(chǎn)生龜裂，其可增加產(chǎn)量與良率，滿(mǎn)足使用上的需求。

圖1為已知發(fā)光二極管晶圓結(jié)構(gòu)圖。圖2為已知研磨板示意圖。圖3為已知研磨板使用示意圖。圖4為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)圖。圖5為本實(shí)用新型使用示意圖。
具體實(shí)施方式
有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就配合圖式說(shuō)明如下:請(qǐng)參閱圖4所示，本實(shí)用新型為一種發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造，其包含一研磨板10與多個(gè)磨料齒20，其中該研磨板10為圓板狀，該多個(gè)磨料齒20等距且呈放射狀的排列于該研磨板10的邊緣區(qū)域，且該多個(gè)磨料齒20呈渦旋狀。又該研磨板10可以具有多個(gè)凹槽11，而該磨料齒20鑲?cè)朐摱鄠€(gè)凹槽11并浮凸于該研磨板10上，且該研磨板10于該多個(gè)磨料齒20兩兩之間各設(shè)置一進(jìn)水孔12，且該進(jìn)水孔12可以遠(yuǎn)離該研磨板10的邊緣設(shè)置，該進(jìn)水孔12供導(dǎo)入研磨液，以幫助冷卻并增加排
屑效果。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D5所示，該研磨板10可以具有一中心開(kāi)口 13與環(huán)繞該中心開(kāi)口 13設(shè)置的多個(gè)鎖固孔14，該中心開(kāi)口 13與多個(gè)鎖固孔14為供與一轉(zhuǎn)動(dòng)軸30螺鎖固定使用，以讓該研磨板10固定于該轉(zhuǎn)動(dòng)軸30上。而發(fā)光二極管晶圓40則集合多個(gè)，并分別固定于一工作臺(tái)50，其可以如傳統(tǒng)一樣，使用臘黏著固定，或者是先黏著于一乘載片60上，再被吸附固定于該工作臺(tái)50上。又該工作臺(tái)50與該轉(zhuǎn)動(dòng)軸30于研磨時(shí)的相對(duì)位置為讓該發(fā)光二極管晶圓40與該磨料齒20重疊接觸，并該轉(zhuǎn)動(dòng)軸30與該工作臺(tái)50為順時(shí)針同向轉(zhuǎn)動(dòng)，因此在高速轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，該磨料齒20可滑過(guò)每一個(gè)發(fā)光二極管晶圓40，以進(jìn)行研磨。如上所述，本實(shí)用新型放射狀排列且渦旋狀的磨料齒在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生渦旋的流動(dòng)效果，因而可有效將細(xì)屑甩出，又渦旋狀的磨料齒在轉(zhuǎn)動(dòng)研磨接觸該發(fā)光二極管晶圓的厚度時(shí)，可增加與該發(fā)光二極管晶圓的接觸面積，因而可以有效降低對(duì)該發(fā)光二極管晶圓的沖擊性并減少研磨時(shí)的沖擊力道。故本實(shí)用新型可以節(jié)省排屑的停機(jī)時(shí)間，并避免該發(fā)光二極管晶圓于研磨時(shí)，因受力過(guò)大而產(chǎn)生龜裂，其可增加產(chǎn)量與良率，滿(mǎn)足使用上的需求。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造，其特征在于，所述發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造包含: 一研磨板，所述研磨板為圓板狀； 多個(gè)磨料齒，所述多個(gè)磨料齒等距且以放射狀排列于所述研磨板的邊緣區(qū)域，且所述多個(gè)磨料齒呈渦旋狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造，其特征在于，所述研磨板上具有多個(gè)凹槽，而所述磨料齒鑲?cè)胨龆鄠€(gè)凹槽內(nèi)并浮凸于所述研磨板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造，其特征在于，所述研磨板在所述多個(gè)磨料齒的兩兩之間分別設(shè)置有一進(jìn)水孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造，其特征在于，所述進(jìn)水孔遠(yuǎn)離所述研磨板的邊緣而設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造，其特征在于，所述研磨板具有一中心開(kāi)口以及環(huán)繞所述中心開(kāi)口設(shè)置的多個(gè)鎖固孔。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管晶圓的研磨構(gòu)造，供裝設(shè)于一轉(zhuǎn)動(dòng)軸上，用于研磨一發(fā)光二極管晶圓，其包含一研磨板，該研磨板為圓板狀，且設(shè)有多個(gè)磨料齒，其中該多個(gè)磨料齒等距且呈放射狀的排列于該研磨板的邊緣區(qū)域，且該多個(gè)磨料齒呈渦旋狀，據(jù)此本實(shí)用新型用于研磨該發(fā)光二極管晶圓時(shí)，可通過(guò)放射狀排列且渦旋狀的磨料齒來(lái)增加排屑效果，且渦旋狀的磨料齒在研磨該發(fā)光二極管晶圓的厚度時(shí)，可增加與該發(fā)光二極管晶圓的接觸面積，因而可以降低對(duì)該發(fā)光二極管晶圓的沖擊性并減少研磨時(shí)的沖擊力道，據(jù)此可以節(jié)省排屑的停機(jī)時(shí)間，并避免該發(fā)光二極管晶圓于研磨時(shí)產(chǎn)生龜裂，而增加產(chǎn)量與良率。
文檔編號(hào)B24B37/02GK203045495SQ201220716150
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月21日
發(fā)明者陳孟端 申請(qǐng)人:正恩科技有限公司