專利名稱：采用電磁加熱的cvd設備的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體生產設備的設計領域，尤其涉及采用電磁加熱的CVD設備。
背景技術：
化學氣相沉積(英文:Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、性能好的固態(tài)材料的化學技術。半導體產業(yè)使用此技術來成長薄膜。典型的CVD制程是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前驅物下，在基底表面發(fā)生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔中?；瘜W氣相沉積技術已在半導體鍍膜領域廣泛運用，由于半導體鍍膜的過程需要在隔離與外界空氣接觸的狀態(tài)或接近真空的狀態(tài)下進行?，F有技術中，半導體集成制造系統(tǒng)的每一工藝流程均需在密閉的環(huán)境下進行，當完成一工藝流程后，需將半導體半成本取出，以進行下一步的工藝處理，但其對取出后的空間真空度要求較高，因此造成半導體集成制造設備制造困難，廠房的規(guī)模巨大。廠家投資建廠一方面需承擔前期大量的資金投入，另一方面通常建設一半導體集成制造系統(tǒng)需要數年的時間，可見目前建設一半導體集成制造系統(tǒng)資金投入量大且時間久，且容易造成廠家資金周轉的困難。

實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術之缺陷，旨在提供采用電磁加熱的CVD設備以實現半導體生產設備中的CVD鍍膜設備實現模塊化和微型化設計，從而降低CVD鍍膜設備的制造成本。本實用新型是這樣實現的，采用電磁加熱的CVD設備，包括一殼體，所述殼體橫向兩側分別設有供放置待鍍材料的傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體內入口和出口處分別設有動態(tài)夾持所述傳輸帶并帶動其移動的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機；所述殼體上開設有供惰性氣體進入的進氣口和離開的排氣口，所述下腔內設有移動的電磁混合裝置，所述電磁混合裝置具有一朝向所述傳輸帶并噴射工作氣體的噴氣嘴。具體地，所述下腔內設有一轉動的絲桿，所述電磁混合裝置設有與所述絲桿適配的螺紋孔，所述電磁混合裝置由所述螺紋孔安裝于所述絲桿上。具體地，所述電磁混合裝置包括具有混合腔的混合倉、包覆所述混合倉的支撐框架，所述支撐框架上設有圍繞于所述混合倉周邊的電磁感應線圈，所述電磁感應線圈外接交流電源。具體地，所述混合倉包括位于底端的進氣部、與進氣部連接且位于頂端并形成所述混合腔的的混合部，所述進氣部容納于所述支撐框架內，所述進氣部內設有若干與所述混合部氣路連通的進氣腔道，所述噴氣嘴設于所述混合部。具體地，所述噴氣嘴呈長條形狹縫，所述混合部包括由所述噴氣嘴向兩側分別延伸出的兩斜向面及將所述斜向面與所述進氣部連接的水平面，所述混合部的橫向截面呈等腰三角形；所述進氣腔道為兩條，所述進氣部設有由其底部向所述混合部延伸的分隔壁，兩所述進氣腔道由所述分隔壁及所述進氣部側壁圍合而成。具體地，所述進氣部的底端開設兩個連通外部進氣設備的通孔，兩所述通孔分別與兩所述進氣腔道連接。具體地，所述混合部靠近所述進氣部具有突出于所述進氣部的突出部分。具體地，所述電磁混合裝置還包括設于所述殼體側壁并驅動所述絲桿轉動的第二伺服電機。具體地，各所述上滾筒和下滾筒的表面設有彈性層，各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互彈性按壓，各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙，且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間相互彈性按壓。具體地，上述CVD設備包括控制系統(tǒng)，還包括包括控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)包括膜厚監(jiān)控系統(tǒng)、測溫裝置、壓力測控系統(tǒng)、視頻監(jiān)控裝置。本實用新型的有益效果:本實用新型提供的采用電磁加熱的CVD設備通過采用在所述殼體與所述傳輸帶之間設置所述滾筒組，利用所述滾筒組與殼體和所述傳輸帶的密封連接關系，達到所述殼體與所述傳輸帶之間的動態(tài)密封設計；通過在所述殼體上開設有供惰性氣體進入的進氣口和離開的排氣口，在進CVD鍍膜時，先使惰性氣體通過所述進氣口進入所述殼體內部，同時使所述殼體內的氣體由所述排氣口排出，如此可在所述殼體內形成高濃度的惰性 氣體，使得鍍膜過程中，避免放置于所述傳輸帶上的待鍍膜材料與空氣發(fā)生化學反應；同時，本實用新型的CVD設備采用移動的電磁混合裝置，用移動的替代固定的電磁混合裝置，可以使得整個電磁混合裝置微型化。

圖1是本實用新型一優(yōu)選實施例的外部結構示意圖；圖2是圖1去除殼體一側壁后的結構示意圖；圖3是圖1去除殼體后的結構示意圖；圖4是圖3另一角度的結構示意圖；圖5是電磁混合裝置的結構示意圖；圖6是圖5的剖視圖；圖7是混合倉的結構示意圖；圖8是圖7橫截面的剖視圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。請參照附圖f 8，采用電磁加熱的CVD設備，包括一殼體1，所述殼體I橫向兩側分別設有供放置待鍍材料8的傳輸帶2通過的入口 11和出口 12，且所述傳輸帶2將所述殼體I分隔成上腔13與下腔14，所述殼體I內入口 11和出口 12處分別設有動態(tài)夾持所述傳輸帶2并帶動其移動的滾筒組3，各所述滾筒組3包括貼設于傳輸帶2上側的上滾筒31和貼設于傳輸帶2下側的下滾筒32，所述殼體I上還設有驅動所述滾筒組3運轉的第一伺服電機4。通過采用在所述殼體I與所述傳輸帶2之間設置所述滾筒組3，利用所述滾筒組3與所述殼體I和所述傳輸帶2的密封連接關系，達到所述殼體I與所述傳輸帶2之間的動態(tài)密封設計。如此，可便于本實用新型的CVD設備與半導體集成制造系統(tǒng)的其余工藝模塊可通過所述傳輸帶2實現良好的密封銜接。所述殼體I上開設有供惰性氣體進入的進氣口 15和離開的排氣口 16，如此，本實用新型的CVD設備在鍍膜之前，可通過所述進氣口 15將惰性氣體充滿所述殼體I內部，同時使所述殼體I內部原有的氣體通過所述排氣口 16排出，最終使得所述殼體I內形成高濃度的惰性氣體，使得鍍膜過程中，避免放置于所述傳輸帶2上的待鍍膜材料與空氣發(fā)生化學反應。進一步地，所述進氣口 15與排氣口 16分別配備有進氣口閥門與排氣閥門，通過控制所述進氣閥門與排氣閥門的開閉狀態(tài)，進而控制惰性氣體的進氣量與排氣量。所述下腔14內設有移動的電磁混合裝置5，所述電磁混合裝置5具有一朝向所述傳輸帶2并噴射工作氣體的噴氣嘴51。在現有技術中，電磁混合裝置通常是采用固定式的設置方式，如此為使噴氣范圍較大，設計出來的噴氣嘴51的開口也較大，這樣造成電磁混合裝置的體積也較大，其制造成本因之變高。本實用新型采用移動式的電磁混合裝置5，其中，所述電磁 混合裝置5的移動方式可以是直線往復式的移動，亦可采用XY平面式的往復式移動，在此對其移動方式不作具體限定。如此，通過采用移動的電磁混合裝置5，用移動的替代固定的電磁混合裝置，可以使得整個電磁混合裝置微型化。在本實施例中，所述下腔14內設有一轉動的絲桿52，所述電磁混合裝置5設有與所述絲桿52適配的螺紋孔53，所述電磁混合裝置5由所述螺紋孔53安裝于所述絲桿52上。其中，所述絲桿52與水平面平行，如此，可通過轉動所述絲桿52來改變所述電磁混合裝置5在水平方向上位置。在本實施例中，所述電磁混合裝置5包括具有混合腔543的混合倉54、包覆所述混合倉54的支撐框架55,所述支撐框架55上設有圍繞于所述混合倉54周邊的電磁感應線圈(圖中未畫出)，所述電磁感應線圈外接交流電源。如此，本實用新型提供的CVD設備處于工作狀態(tài)時，所述電磁感應線圈接通交流電，可使所述混合倉54內形成交變的磁場渦流，從而使經過所述混合倉54的工作氣體受熱并激發(fā)。在本實施例中，所述混合倉54包括位于底端的進氣部541、與進氣部541連接且位于頂端并形成所述混合腔543的混合部542，所述進氣部541容納于所述支撐框架55內，所述進氣部541內設有若干與所述混合部542氣路連通的進氣腔道5411，所述噴氣嘴51設于所述混合部542。如此，工作氣體經由所述進氣部541進入所述混合倉54內，工作氣體在流經所述進氣部541的過程中，經由設置于所述支撐框架55上的電磁感應線圈加熱和激發(fā)，再進入所述混合部542，可在所述混合部542內充分的混合，以提高最終鍍膜的質量和減少氣體原料的使用。在本實施例中，所述噴氣嘴51呈長條形狹縫，所述混合部542包括由所述噴氣嘴51向兩側分別延伸出的兩斜向面5421及將所述斜向面5421與所述進氣部541連接的水平面5422，所述混合部542的橫向截面呈等腰三角形；所述進氣腔道5411為兩條，所述進氣部541設有由其底部向所述混合部542延伸的分隔壁5412，兩所述進氣腔道5411由所述分隔壁5412及所述進氣部541側壁圍合而成。如此，所述進氣部541的兩所述進氣腔道5411分別對應所述混合部542的兩所述斜向面5421，工作氣體經由所述進氣部541加熱與激發(fā)后進入所述混合部542內腔；在所述斜向面5421的導向作用下，能夠獲得更佳的混合效果，且經所述斜向面5421導向后，噴出的工作氣體更為均勻。在本實施例中，所述進氣部541的底端開設兩個連通外部進氣設備的通孔5413，兩所述通孔5413分別與兩所述進氣腔道5411連接。如此，工作氣體將由所述混合倉54底端的通孔5413直接流向頂端所述噴氣嘴51，可更加充分的利用整個混合倉54在結構上的整體布局，進入實現微型化的設計。在本實施例中，所述混合部542靠近所述進氣部541具有突出于所述進氣部541的突出部分5423。如此，當工作氣體經由所述進氣腔道5411進入所述混合部542時，先經由所述突出部分5423的緩和過度，可使混合效果更佳。在本實施例中，所述電磁混合裝置5還包括設于所述殼體I側壁并驅動所述絲桿52轉動的第二伺服電機6。在本實施例中，各所述上滾筒31和下滾筒32的表面設有彈性層(圖中未畫出)，各所述上滾筒31和下滾筒32的兩端部表面相互彈性按壓，各所述上滾筒31和下滾筒32之間具有供所述傳輸帶2通過的間隙，且各所述上滾筒31和下滾筒32與所述傳輸帶2之間相互彈性按壓。其中，所述彈性層采用硅橡膠制作而成。上述技術方案給了所述滾筒組3的具體密封方式，通過將所述上滾筒31、下滾筒32及基板2相互接觸部分設置成彈性接觸，如此，當所述基板2隨同所述滾筒組3運轉過程中，可時刻保持良好的密封效果，實現動態(tài)密封。另外，由于所述滾筒組3與所述傳輸帶2之間采用過盈配合的方式，因此，相互之間必然會因摩擦產生大量的熱量，為使所產生的熱量的熱量能夠及時散發(fā)，所述殼體I內還設有對所述滾筒組3進行 降溫的水冷系統(tǒng)7。在本實施例中，上述CVD設備包括控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)包括采用紅外反射原理制作而成的膜厚監(jiān)控系統(tǒng)、采用紅外測溫法制作而成的測溫裝置、監(jiān)控所述上腔和下腔內壓力的壓力測控系統(tǒng)、監(jiān)控所述上腔和下腔內部環(huán)境的視頻監(jiān)控裝置。鑒于所述膜厚監(jiān)控系統(tǒng)、測溫裝置、壓力測控系統(tǒng)及視頻監(jiān)控裝置均分別為現有技術，在此不作細述。以上所述僅為本實用新型較佳的實施例而已，其結構并不限于上述列舉的形狀，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.米用電磁加熱的CVD設備,包括一殼體,其特征在于:所述殼體橫向兩側分別設有供放置待鍍膜材料的傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體內入口和出口處分別設有動態(tài)夾持所述傳輸帶并帶動其移動的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機；所述殼體上開設有供惰性氣體進入的進氣口和排出的排氣口，所述下腔內設有移動的電磁混合裝置，所述電磁混合裝置具有一朝向所述傳輸帶并噴射工作氣體的噴氣嘴。
2.根據權利要求1所述的采用電磁加熱的CVD設備，其特征在于:所述下腔內設有一轉動的絲桿，所述電磁混合裝置設有與所述絲桿適配的螺紋孔，所述電磁混合裝置由所述螺紋孔安裝于所述絲桿上。
3.根據權利要求2所述的采用電磁加熱的CVD設備，其特征在于:所述電磁混合裝置包括具有混合腔的混合倉、包覆所述混合倉的支撐框架，所述支撐框架上設有圍繞于所述混合倉周邊的電磁感應線圈，所述電磁感應線圈外接交流電源。
4.根據權利要求3所述的采用電磁加熱的CVD設備，其特征在于:所述混合倉包括位于底端的進氣部、與進氣部連接且位于頂端并形成所述混合腔的的混合部，所述進氣部容納于所述支撐框架內，所述進氣部內設有若干與所述混合部氣路連通的進氣腔道，所述噴氣嘴設于所述混合部。
5.根據權利要求4所述的采用電磁加熱的CVD設備，其特征在于:所述噴氣嘴為長條形狹縫，所述混合部包括由所述噴氣嘴向兩側分別延伸出的兩斜向面及將所述斜向面與所述進氣部連接的水平面，所述混合部的橫向截面呈等腰三角形；所述進氣腔道為兩條，所述進氣部設有由其底部向所述混合部延伸的分隔壁面，兩所述進氣腔道由所述分隔壁面及所述進氣部側壁圍合而成。
6.根據權利要求5所述的采用電磁加熱的CVD設備，其特征在于:所述進氣部的底端開設兩個連通外部進氣設備的通孔，兩所述通孔分別與兩所述進氣腔道連接?！?br> 7.根據權利要求5所述的采用電磁加熱的CVD設備，其特征在于:所述混合部靠近所述進氣部具有突出于所述進氣部的突出部分。
8.根據權利要求2所述的采用電磁加熱的CVD設備，其特征在于:所述電磁混合裝置還包括設于所述殼體側壁并驅動所述絲桿轉動的第二伺服電機。
9.根據權利要求1所述的采用電磁加熱的CVD設備，其特征在于:各所述上滾筒和下滾筒的表面設有彈性層，各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互彈性按壓，各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙，且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間相互彈性按壓。
10.根據權利要求f9任一項所述的采用電磁加熱的CVD設備，其特征在于:包括控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)包括膜厚監(jiān)控系統(tǒng)、測溫裝置、壓力測控系統(tǒng)、視頻監(jiān)控裝置。
專利摘要本實用新型涉及半導體生產設備的設計領域，尤其涉及采用電磁加熱的CVD設備。本實用新型提供采用電磁加熱的CVD設備，通過設置與傳輸帶配合的滾筒組，達到殼體與傳輸帶之間動態(tài)的密封效果；通過設置供惰性氣體進入的進氣口和離開的排氣口達到避免放置于所述傳輸帶上的待鍍膜材料與空氣發(fā)生化學反應；通過采用移動的電磁混合裝置，使得整個電磁混合裝置的設計得以實現微型化。本實用新型具有占用空間小，成本低廉的特點。
文檔編號C23C16/448GK203128654SQ201220724439
公開日2013年8月14日 申請日期2012年12月25日 優(yōu)先權日2012年12月25日
發(fā)明者王奉瑾 申請人:王奉瑾