導(dǎo)電性膜及其制造方法以及用于該制造方法的濺射靶的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種導(dǎo)電性膜及其制造方法以及用于該制造方法的濺射靶，該導(dǎo)電性膜具備低電阻且高反射率的特性，并且表面粗糙度較小，且兼?zhèn)漭^高的耐硫化性及耐熱性。本發(fā)明的導(dǎo)電性膜由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成：該銀合金含有0.1～1.5原子%的In及Sn中的至少任一種，還含有0.1～3.5原子%的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。該導(dǎo)電性膜適合用作在表面層疊有有機(jī)EL元件的透明導(dǎo)電膜，并且進(jìn)一步在該透明導(dǎo)電膜上層疊有含有機(jī)EL層的電致發(fā)光層的有機(jī)EL元件用的反射電極膜。
【專利說明】導(dǎo)電性膜及其制造方法以及用于該制造方法的濺射靶
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種適用于有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件和發(fā)光二極管(LED)的反射電極膜或觸控面板的配線膜等的導(dǎo)電性膜及其制造方法以及用于該制造方法的濺射靶。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，在有機(jī)EL顯示裝置中，設(shè)為如下結(jié)構(gòu)，即在配置有開關(guān)元件即TFT (薄膜晶體管)的TFT有源矩陣基板上，包含有機(jī)EL層的電致發(fā)光層的兩側(cè)配置有陽極(anode )和陰極(cathode)的有機(jī)EL元件形成于各像素區(qū)域。
[0003]在有機(jī)EL元件的光的提取方式中，存在從透明基板側(cè)提取光的底部發(fā)光方式和從基板的相反側(cè)提取光的頂部發(fā)光方式，且開口率較高的頂部發(fā)光方式有利于高亮度化。以往，在頂部發(fā)光方式的有機(jī)EL元件中，作為陽極的金屬膜使用Al或Al合金、Ag或Ag合金的反射電極膜，在該反射電極膜與電致發(fā)光層之間，設(shè)置有ITO (Indium Tin Oxidejg錫氧化物)和AZO (Aluminum doped Zinc Oxide:招摻雜氧化鋅)等的透明導(dǎo)電膜(參考專利文獻(xiàn)I)。該透明導(dǎo)電膜因功函數(shù)較高的特性而為了將空穴注入有機(jī)EL層而設(shè)置。
[0004]其中，反射電極膜為了有效地反射在有機(jī)EL層發(fā)出的光，因此優(yōu)選為高反射率。并且，作為電極優(yōu)選為低電阻。作為這種材料，已知有Ag合金及Al合金，但為了得到更高亮度的有機(jī)EL元件，從可見光反射率較高的觀點(diǎn)考慮優(yōu)選Ag合金。其中，在對有機(jī)EL元件的反射電極膜的形成采用濺射法，而且使用銀合金濺射靶(參考專利文獻(xiàn)2)。
[0005]并且，除有機(jī)EL元件用反射電極膜之外，在觸控面板的引出配線等導(dǎo)電性膜中也對Ag合金膜進(jìn)行了研究。作為這種配線膜，若例如使用純Ag，則產(chǎn)生遷移而容易發(fā)生短路故障，因此對Ag合金膜的采用進(jìn)行了研究。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本專利公開2006-236839號公報
[0007]專利文獻(xiàn)2:國際公開第2002/077317號
[0008]然而，上述以往的技術(shù)中也留有以下課題。
[0009]對于作為有機(jī)EL元件的陽極的Ag合金膜，作為反射電極要求低電阻及高反射率的特性，并且為了確保在上層形成的透明導(dǎo)電膜的堅固性，要求表面粗糙度較小。即，若Ag合金膜的表面粗糙度較大，則由于Ag合金膜的凹凸，在上層的透明導(dǎo)電膜及在之后的工序中形成的包含有機(jī)EL層的電致發(fā)光層中產(chǎn)生缺陷。由此導(dǎo)致有機(jī)EL面板的生產(chǎn)成品率下降。并且，包含于工藝氣氛中的硫分將Ag合金膜硫化，且被硫化的區(qū)域成為缺陷，這也是導(dǎo)致成品率下降的原因。如此，在以往無法得到具備充分的低電阻和高反射率，且還具有較小的表面粗糙度及較高的耐硫化性的Ag合金膜。另外，將導(dǎo)電性膜使用于LED的反射膜和反射電極膜等時，還要求相對于LED的發(fā)熱能夠良好地維持反射率的耐熱性，但現(xiàn)有的Ag合金膜中，無法得到充分的耐熱性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供一種具備低電阻且高反射率的特性，并且表面粗糙度較小，且兼?zhèn)漭^高的耐硫化性及耐熱性的導(dǎo)電性膜及其制造方法以及用于該制造方法的濺射靶。
[0011]本發(fā)明為解決上述課題而采用了以下結(jié)構(gòu)。即，第I發(fā)明的導(dǎo)電性膜由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成:該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種,還含有0.1?3.5原子％的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。該導(dǎo)電性膜中，由于由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成:該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種，還含有0.1?3.5原子％的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成，因此能夠具有低電阻且高反射率的特性，并且根據(jù)所含有的In及Sb能夠具有較小的表面粗糙度和較高的耐硫化性及耐熱性。
[0012]其中，之所以如上述限定本發(fā)明的導(dǎo)電性膜中的金屬成分元素的含有比例的理由如下。
[0013]In及Sn中的至少任一種:由于In、Sn具有降低表面粗糙度的同時提高耐硫化性及耐熱性的效果而添加，但若小于0.1原子％，則該效果不夠充分，另一方面，若含有超過
1.5原子％的In、Sn，則比電阻增大，導(dǎo)致反射率也降低，故不優(yōu)選。因此，將該發(fā)明的導(dǎo)電性膜中含有的所有金屬成分元素中所占的In、Sn的含有比例設(shè)為In及Sn中的至少任一種:0.1?1.5原子％。
[0014]Sb =Sb降低表面粗糙度的效果極大，另外降低反射率及比電阻的程度比In、Sn小。若Sb少于0.1原子％，則導(dǎo)致降低表面粗糙的效果變小，另一方面，若含有Sb超過3.5原子％，則比電阻增大，導(dǎo)致反射率也降低，故不優(yōu)選。因此，將該發(fā)明的導(dǎo)電性膜中含有的所有金屬成分元素中Sb所占的含有比例設(shè)為Sb:0.1?3.5原子％。
[0015]根據(jù)第I發(fā)明的導(dǎo)電性膜，第2發(fā)明的導(dǎo)電性膜為用于有機(jī)EL元件的反射電極膜，該導(dǎo)電性膜在表面層疊有有機(jī)EL元件的透明導(dǎo)電膜，進(jìn)一步在該透明導(dǎo)電膜上層疊有包含有機(jī)EL層的電致發(fā)光層。即，該導(dǎo)電性膜中，由于在表面層疊有有機(jī)EL元件的透明導(dǎo)電膜，因此能夠通過較小的表面粗糙度確保上層的透明導(dǎo)電膜的堅固性，并且能夠進(jìn)一步防止在透明導(dǎo)電膜上方的有機(jī)EL層中產(chǎn)生缺陷。并且，能夠抑制因反射電極膜的硫化而產(chǎn)生缺陷，并能夠防止成品率下降。
[0016]根據(jù)第I發(fā)明的導(dǎo)電性膜，第3發(fā)明的導(dǎo)電性膜為發(fā)光二極管用的反射電極膜。即，在該導(dǎo)電性膜中，由于具備較高的耐熱性，因此相對于LED的發(fā)熱能夠良好地維持反射率。
[0017]根據(jù)第I發(fā)明的導(dǎo)電性膜，第4發(fā)明的導(dǎo)電性膜為觸控面板的配線膜。S卩，在該導(dǎo)電性膜中，由于比電阻較低且表面粗糙度較小，并且是合金，因此難以產(chǎn)生遷移，且能夠防止在觸控面板的配線膜中構(gòu)成問題的短路故障。
[0018]第5發(fā)明的導(dǎo)電性膜的制造方法，其為制造第I至第4中任一發(fā)明的導(dǎo)電性膜的方法，其中，通過使用由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成的濺射靶進(jìn)行濺射而成膜，該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種，還含有0.1?3.5原子％的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。即，在該導(dǎo)電性膜的制造方法中，由于使用與上述發(fā)明的導(dǎo)電性膜相同成分組成的銀合金濺射靶進(jìn)行濺射，因此能夠穩(wěn)定地獲得具有較小的表面粗糙度和較高的耐硫化性及耐熱性的導(dǎo)電性膜。
[0019]第6發(fā)明的濺射靶，其為在制造第5發(fā)明所涉及的導(dǎo)電性膜的制造方法中使用的濺射靶，其中，由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成:該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種,還含有0.1?3.5原子％的Sb,且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。即，在該濺射靶中，由于具有與上述發(fā)明的導(dǎo)電性膜相同的成分組成，因此能夠穩(wěn)定地獲得具有較小的表面粗糙度和較高的耐硫化性及耐熱性的導(dǎo)電性膜。
[0020]根據(jù)第6發(fā)明的濺射靶，第7發(fā)明的濺射靶通過對銀合金的熔煉鑄錠進(jìn)行塑性加工而制作。即，該濺射靶中，具有通過塑性加工控制的適當(dāng)?shù)慕M織，因此能夠通過穩(wěn)定的濺射獲得優(yōu)異的導(dǎo)電性膜。
[0021 ] 根據(jù)第7發(fā)明的濺射靶，第8發(fā)明的濺射靶進(jìn)行所述塑性加工之后，進(jìn)一步進(jìn)行熱處理而制作。即，在該濺射靶中，由于具有通過熱處理制作的適當(dāng)?shù)慕M織，因此能夠通過穩(wěn)定地濺射獲得優(yōu)異的導(dǎo)電性膜。
[0022]根據(jù)本發(fā)明得到以下效果。根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電性膜及其制造方法，由于由含有上述含量范圍的In及Sn中的至少任一種和Sb,且剩余部分由Ag及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的成分組成的銀合金構(gòu)成，因此能夠具有低電阻且高反射率的特性，并且兼?zhèn)漭^小的表面粗糙度和較高的耐硫化性以及耐熱性。因此，通過采用本發(fā)明的導(dǎo)電性膜來作為有機(jī)EL元件的反射電極膜，能夠抑制因凹凸而在透明導(dǎo)電膜及有機(jī)EL層產(chǎn)生缺陷和因硫化而產(chǎn)生的缺陷的發(fā)生，且能夠提高有機(jī)EL面板的成品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是在本發(fā)明所涉及的導(dǎo)電性膜及其制造方法以及用于該制造方法的濺射靶的一實施方式中，表示有機(jī)EL元件的層結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
【具體實施方式】
[0024]以下，參考圖1對本發(fā)明所涉及的導(dǎo)電性膜及其制造方法以及用于該制造方法的濺射靶的一實施方式進(jìn)行說明。
[0025]本實施方式的導(dǎo)電性膜，由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成:該銀合金含有
0.1?1.5原子％的In及Sn的至少任一種，還含有0.1?3.5原子％的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。例如如圖1所示，該導(dǎo)電性膜I為用于有機(jī)EL元件的反射電極膜，該導(dǎo)電性膜I在表面層疊有有機(jī)EL元件10的透明導(dǎo)電膜2，進(jìn)一步在該透明導(dǎo)電膜上層疊有包含有機(jī)EL層3b的電致發(fā)光層3。
[0026]S卩，具備該導(dǎo)電性膜I的有機(jī)EL元件10為具備在成膜基板4上形成的陽極5、包含在該陽極5上形成的有機(jī)EL層3b的電致發(fā)光層3、及在該電致發(fā)光層3上形成的陰極6的有機(jī)EL元件，其中，陽極5具有在上述導(dǎo)電性膜I及在該導(dǎo)電性膜I與電致發(fā)光層3之間形成的透明導(dǎo)電膜2。
[0027]例如在TFT基板上形成有機(jī)EL用元件時，上述成膜基板4可以使用在上部層疊有SiN膜和成為柵極絕緣膜的SiO2膜等多個絕緣膜的玻璃基板和耐熱性樹脂基板等絕緣性基板。上述各層及膜的厚度例如電致發(fā)光層3為100?200nm、透明導(dǎo)電膜2為10?20nm、導(dǎo)電性膜I為lOOnm。上述電致發(fā)光層3具有在陽極5上依次層疊有孔(空穴)傳輸層3a、有機(jī)EL層3b、及電子傳輸層3c的三層結(jié)構(gòu)。
[0028]另外,作為構(gòu)成空穴傳輸層3a的有機(jī)高分子材料(空穴注入/傳輸材料)，優(yōu)選具有傳輸空穴的能力，并具有來自陽極5的空穴注入效果、及對有機(jī)EL層3b或發(fā)光材料具有優(yōu)異的空穴注入效果，并防止在有機(jī)EL層3b產(chǎn)生的激子向電子傳輸層3c的移動，并且薄膜形成能力優(yōu)異的化合物。具體而言，可以舉出以如下為代表的導(dǎo)電性高分子等高分子材料:酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、卟啉衍生物、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、咪唑啉酮、咪唑硫酮、吡唑啉、吡唑啉酮、四氫咪唑、噁唑、噁二唑、腙、酰腙、聚芳烷、芪、丁二烯、聯(lián)苯胺型三苯胺、苯乙烯胺型三苯胺、二胺型三苯胺等及它們的衍生物，以及聚乙烯咔唑、聚硅烷等高分子、聚亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)等。
[0029]作為有機(jī)EL層3b中使用的發(fā)光材料，例如可以舉出以4，4’ - (2，2_ 二苯基乙烯基)聯(lián)苯等烯烴系發(fā)光材料；9，10-二(2-萘基)蒽、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽、9，10-雙(9,9-二甲基芴基)蒽、9，10- (4- (2，2-二苯基乙烯基)苯基)蒽、9，10’ -雙(2-聯(lián)苯基)-9，9’ -雙恩、9，10, 9’，10’ _四苯基-2，2’ -聯(lián)恩、1，4-雙(9-苯基-10-恩基)苯等恩系發(fā)光材料；2，7，2’，7’ -四(2，2- 二苯基乙烯基)螺雙芴等螺系發(fā)光材料；4，4’ - 二咔唑基聯(lián)苯、1，3- 二咔唑基苯等咔唑系發(fā)光材料；1，3，5-三芘基苯等芘系發(fā)光材料等為代表的低分子發(fā)光材料、及聚亞苯基乙烯類、聚芴類、聚乙烯咔唑類等為代表的高分子發(fā)光材料等。
[0030]有機(jī)EL層3b中可摻雜熒光色素，也可摻雜磷光色素。
[0031]作為使用于電子傳輸層3c的電子注入/傳輸材料，優(yōu)選具有傳輸電子的能力，且具有來自陰極6的電子注入效果、及對有機(jī)EL層3b和發(fā)光材料具有優(yōu)異的電子注入效果，并防止在有機(jī)EL層3b生成的激子向空穴注入層移動，并且薄膜形成能力優(yōu)異的化合物。具體而言，例如可以舉出芴酮、蒽醌二甲烷、二苯基醌、二氧化噻喃、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、茈四羧酸、亞芴基甲烷、蒽醌二甲烷、蒽酮等及它們的衍生物。上述透明導(dǎo)電膜2為ITO和AZO 等。
[0032]本實施方式的導(dǎo)電性膜I通過使用濺射靶進(jìn)行濺射而成膜，該濺射靶由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成:該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種,還含有0.1?3.5原子％的Sb,且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。例如，通過以下的工序制作導(dǎo)電性膜I。
[0033]首先，作為原料粉末，將純度為99.9質(zhì)量％以上的Ag、純度為99.9質(zhì)量％以上的In及Sn中的至少任一種及Sb以成為預(yù)定的組成的方式稱量。接著，將Ag在高真空或惰性氣體氣氛中進(jìn)行熔煉，并在所獲得的熔融金屬中添加預(yù)定含量的In及Sn中的至少任一種及Sb。之后，在真空或惰性氣體氣氛中進(jìn)行熔煉來制造由如下成分構(gòu)成的Ag合金的熔煉鑄錠:含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種，并且含有0.1?3.5原子％的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。
[0034]其中，從穩(wěn)定地獲得Ag與In、Sn、Sb的組成比率的觀點(diǎn)，關(guān)于Ag的熔煉優(yōu)選先將氣氛暫時設(shè)為真空之后，在以Ar取代的氣氛中進(jìn)行，熔煉后在Ar氣氛中在Ag的熔融金屬中添加In及Sn中的至少任一種及Sb。另外，In、Sn及Sb也可以以預(yù)先制作的AgIn、AgSn、AgSb、AgInSb、AgSnSb或AgInSnSb的母合金的形式添加。
[0035]對所獲得的錠進(jìn)行冷軋之后，在大氣中實施例如在600°C中保持2小時的熱處理，接著進(jìn)行機(jī)械加工，由此制作預(yù)定尺寸的濺射靶。即，該濺射靶通過對銀合金的熔煉鑄錠進(jìn)行塑性加工，并進(jìn)一步進(jìn)行熱處理來制作。
[0036]將該濺射靶焊接在無氧銅制的墊板上，并將其安裝于直流磁控濺射裝置中。[0037]接著，通過真空排氣裝置將直流磁控濺射裝置內(nèi)排氣至5X 10_5Pa以下為止之后，導(dǎo)入Ar氣體并設(shè)為預(yù)定的濺射氣壓，接著通過直流電源對靶施加例如250W的直流濺射功率。并且，使等離子體在成膜基板4與上述靶之間產(chǎn)生，由此在成膜基板4上成膜導(dǎo)電性膜I其中，所述成膜基板4配置成與上述靶對置且隔著預(yù)定間隔與上述靶平行。
[0038]如此成膜的本實施方式的導(dǎo)電性膜I中，由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成:該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種，還含有0.1?3.5原子％的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成，因此具有低電阻且高反射率的特性，并且通過所含的In及Sn中的至少任一種及Sb,能夠具有較小的表面粗糙度和較高的耐硫化性及耐熱性。
[0039]尤其，在表面層疊有機(jī)EL元件10的透明導(dǎo)電膜2，由此憑借導(dǎo)電性膜I的較小的表面粗糙度，上層的透明導(dǎo)電膜2的堅固性得以確保，并且還能夠防止在該透明導(dǎo)電膜上的有機(jī)EL層3b上產(chǎn)生缺陷。并且，能夠抑制因反射電極膜(導(dǎo)電性膜I)的硫化而產(chǎn)生缺陷，并防止成品率下降。
[0040]本實施方式的濺射靶中，由于具有與上述導(dǎo)電性膜相同的成分組成，因此能夠穩(wěn)定地獲得具有較小的表面粗糙度及較高的耐硫化性及耐熱性的導(dǎo)電性膜。并且，在該濺射靶中，由于具有通過塑性加工控制的適當(dāng)?shù)慕M織，因此能夠通過穩(wěn)定地濺射而獲得優(yōu)異的導(dǎo)電性膜。另外，該濺射靶中，由于具有通過熱處理控制的適當(dāng)?shù)慕M織，因此能夠通過穩(wěn)定地濺射而獲得優(yōu)異的導(dǎo)電性膜。
[0041]另外，上述實施方式中，在有機(jī)EL元件的透明電極膜中適用了本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜，但也可適用于例如發(fā)光二極管用的反射電極膜和觸控面板的配線膜。即，適用于LED用的反射電極膜時，本發(fā)明的導(dǎo)電性膜具備較高的耐熱性，因此對于LED的發(fā)熱能夠良好地維持反射率。并且，適用于觸控面板的配線膜時，本發(fā)明的導(dǎo)電性膜的比電阻較低，并且表面粗糙度較小，且由于是合金而不易發(fā)生遷移，并能夠防止在觸控面板的配線膜中構(gòu)成問題的短路故障。
[0042]實施例
[0043]以下對根據(jù)上述實施方式成膜的導(dǎo)電性膜的實施例進(jìn)行評價的結(jié)果進(jìn)行說明。首先，為了制作導(dǎo)電性膜用濺射靶，作為原料粉末將純度為99.9質(zhì)量％以上的Ag、純度為99.9質(zhì)量％以上的In及Sn中的至少任一種及Sb以成為預(yù)定的組成的方式稱量。接著，將Ag在高真空或惰性氣體氣氛中進(jìn)行熔煉，并在所獲得的熔融金屬中添加預(yù)定含量的In及Sn中的至少任一種及Sb。之后，在真空或惰性氣體氣氛中進(jìn)行熔煉來制造由如下成分構(gòu)成的Ag合金的熔煉鑄錠:該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種，并且含有0.1?3.5原子％的Sb，剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。
[0044]其中，關(guān)于Ag的熔煉，在將氣氛暫時設(shè)為真空之后以Ar取代的氣氛中進(jìn)行，熔煉后在Ar氣氛中在Ag的熔融金屬中添加In及Sn中的至少任一種及Sb。對所獲得的錠進(jìn)行冷軋之后，在大氣中實施例如在600°C中保持2小時的熱處理，接著進(jìn)行機(jī)械加工，由此制作具有直徑152.4mm、厚度6mm的尺寸的濺射靶。將該濺射靶焊接在無氧銅制的墊板上，并將此安裝于直流磁控濺射裝置中。
[0045]接著，通過真空排氣裝置將直流磁控濺射裝置內(nèi)排氣至5X 10_5Pa以下為止之后，導(dǎo)入Ar氣體并設(shè)為0.5Pa的濺射氣壓，接著通過直流電源在濺射靶上施加例如250W的直流濺射功率。并且，使等離子體在直徑4英寸(10.16cm)的帶氧化膜Si晶圓基板與上述靶之間產(chǎn)生，其中，帶氧化膜Si晶圓基板配置成與上述靶對置且隔著70mm的間隔與上述靶平行，由此將導(dǎo)電性膜形成在帶氧化膜Si晶圓基板上。
[0046]作為本發(fā)明的實施例，通過上述制法形成具有表I所示的成分組成的實施例1?24的導(dǎo)電性膜，各實施例均制作具有厚度IOOnm及厚度IOOOnm的2種試料。并且，作為比較例，將未含有In、Sn或Sb的成分組成的導(dǎo)電性膜(比較例I?3)和含有超過本發(fā)明的含量范圍的IruSn或Sb的成分組成的導(dǎo)電性膜(比較例4?6)，以其他條件與本發(fā)明的實施例相同地，以表I所示的成分組成進(jìn)行成膜。另外，關(guān)于各實施例及各比較例的成分組成，通過電子探針顯微分析儀(EPMA)對膜厚IOOOnm的試料測定其組成。
[0047]<導(dǎo)電性膜的評價>
[0048]對膜厚IOOnm的試料，通過四探針法測定各實施例及各比較例的導(dǎo)電性膜的比電阻。接著，通過原子力顯微鏡(AFM)測定各實施例及各比較例的導(dǎo)電性膜的表面粗糙度(Ra)。另外，關(guān)于Ra的測定在實施以下熱處理之后也進(jìn)行測定，即在氮?dú)鈿夥罩幸?50°C的溫度保持10分鐘、及在氮?dú)鈿夥罩幸?00°C的溫度保持I個小時。
[0049]并且，通過分光光度計測定各實施例及各比較例的導(dǎo)電性膜的在波長550nm的反射率。接著，將該試料在0.01wt%的Na2S水溶液中浸潰I小時之后，再次通過分光光度計測定各導(dǎo)電性膜的在波長550nm的反射率，將此設(shè)為耐硫化性指標(biāo)。另外，關(guān)于在該波長550nm的反射率的測定，實施在氮?dú)鈿夥罩幸?00°C的溫度保持I個小時的熱處理之后也進(jìn)行了測定。將它們的結(jié)果示于表I。
[0050]另外，作為判斷為良好的評價基準(zhǔn)，設(shè)為比電阻低于6μ Ω.cm、剛剛成膜之后的表面粗糙度Ra低于1.0nm、熱處理后的表面粗糙度Ra低于0.8nm、剛剛成膜之后及熱處理后的在波長550nm的反射率超過95%、及Na2S水溶液浸潰后的在波長550nm的反射率超過60%。
[0051][表 I]
[0052]
【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電性膜，其特征在于， 由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成:該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種，還含有0.1?3.5原子％的Sb,且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜，其特征在于， 所述導(dǎo)電性膜為用于有機(jī)EL兀件的反射電極膜,所述導(dǎo)電性膜在表面層疊有有機(jī)EL元件的透明導(dǎo)電膜，并且進(jìn)一步在該透明導(dǎo)電膜上層疊有含有機(jī)EL層的電致發(fā)光層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜，其特征在于， 所述導(dǎo)電性膜為發(fā)光二極管用的反射電極膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜，其特征在于， 所述導(dǎo)電性膜為觸控面板的配線膜。
5.一種導(dǎo)電性膜的制造方法，其特征在于，其為制造權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜的方法， 所述方法通過使用由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成的濺射靶進(jìn)行濺射而成膜，該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種，還含有0.1?3.5原子％的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。
6.一種濺射靶，其特征在于，其為在權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電性膜的制造方法中使用的濺射靶， 所述濺射靶由具有如下成分組成的銀合金構(gòu)成:該銀合金含有0.1?1.5原子％的In及Sn中的至少任一種,還含有0.1?3.5原子％的Sb,且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濺射靶，其特征在于， 所述濺射靶為通過對銀合金的熔煉鑄錠進(jìn)行塑性加工而制作。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濺射靶，其特征在于， 所述濺射靶在進(jìn)行所述塑性加工之后，進(jìn)一步進(jìn)行熱處理而制作。
【文檔編號】C22C5/06GK103548421SQ201280024915
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月24日
【發(fā)明者】野中莊平, 小見山昌三 申請人:三菱綜合材料株式會社