用于鋁電解電容器的電極材料及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于鋁電解電容器的電極材料，該電極材料不需要進(jìn)行蝕刻處理且其抗彎強(qiáng)度得到改善。具體而言，本發(fā)明提供一種用于鋁電解電容器的電極材料，其作為構(gòu)成要件包含鋁及鋁合金的至少一種粉末的燒結(jié)體以及支持所述燒結(jié)體的鋁箔基材，其特征在于，（1）所述粉末的平均粒徑D50為0.5-100μm；（2）所述燒結(jié)體形成于所述鋁箔基材的單面或雙面上，所述燒結(jié)體的總厚度為20-1000μm；（3）所述鋁箔基材的厚度為10-200μm，硅含量為10-3000ppm。
【專利說(shuō)明】用于鋁電解電容器的電極材料及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于鋁電解電容器的電極材料，尤其涉及用于鋁電解電容器的陽(yáng)極電極材料及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為鋁電解電容器的電極材料通常使用鋁箔。鋁箔可以通過(guò)進(jìn)行蝕刻處理來(lái)形成蝕刻坑，加大其表面積。另外，通過(guò)在表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理來(lái)形成氧化膜，該氧化膜作為電介質(zhì)發(fā)揮作用。因此，通過(guò)對(duì)鋁箔進(jìn)行蝕刻處理，以對(duì)應(yīng)于使用電壓的多種電壓來(lái)在其表面形成氧化膜，從而可以制造出與其用途相應(yīng)的各種用于電解電容器的鋁陽(yáng)極電極材料(箔)。
[0003]然而，蝕刻處理中，不得不使用鹽酸中含有硫酸、磷酸、硝酸等的鹽酸水溶液。gp，鹽酸對(duì)環(huán)境的負(fù)荷大，其處理在工序上或經(jīng)濟(jì)上也成為負(fù)擔(dān)。
[0004]因此，近年來(lái)期待不進(jìn)行蝕刻處理而加大鋁箔表面積的方法的研發(fā)。例如，引用文獻(xiàn)I中提出通過(guò)利用蒸鍍法將鋁的微細(xì)粉末附著于鋁箔表面并進(jìn)行燒結(jié)，從而加大表面積的方法。并且，引用文獻(xiàn)2中提出使鋁顆粒一邊保持空隙一邊進(jìn)行層壓燒結(jié)，從而加大表面積的方法，且確認(rèn)到依據(jù)該方法可得到比通過(guò)蝕刻處理得到的蝕刻坑面積更大的表面積。
[0005]然而，本申請(qǐng)
【發(fā)明者】們根據(jù)這些文獻(xiàn)所公開(kāi)的方法來(lái)試圖制造在鋁箔基材上形成燒結(jié)體的電極材料時(shí)了解到，與由蝕刻處理制得的現(xiàn)有電極材料相比，其抗彎強(qiáng)度下降。因此，將形成有燒結(jié)體的電極材料卷繞來(lái)形成電容器元件時(shí)，出現(xiàn)電極材料損壞的問(wèn)題。而且，上述問(wèn)題在為了提升容量而使用微細(xì)的鋁顆粒的情況下更為明顯。尤其是對(duì)進(jìn)行燒結(jié)體的陽(yáng)極氧化處理(化學(xué)轉(zhuǎn)化處理)后的彎曲而言，其抗彎強(qiáng)度顯著降低，也有彎曲實(shí)驗(yàn)中的彎曲次數(shù)(=耐斷裂的彎曲次數(shù))為O次的情況。若彎曲次數(shù)為O次，則不能通過(guò)實(shí)際機(jī)械化學(xué)轉(zhuǎn)化流程，電極材料的生產(chǎn)率下降。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:特開(kāi)平第2-267916號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:特開(kāi)第2008-98279號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010](一)本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0011]本發(fā)明為解決上述問(wèn)題而完成，其目的是提供一種不需要進(jìn)行蝕刻處理且抗彎強(qiáng)度得到改善的用于鋁電解電容器的電極材料。
[0012](二)技術(shù)方案
[0013]本發(fā)明人為了達(dá)成上述目的，反復(fù)進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)將鋁及鋁合金的至少一種粉末的燒結(jié)體形成于特定的鋁箔基材上的情況下，能夠達(dá)成上述目的，從而完成了本發(fā)明。[0014]本發(fā)明涉及下述用于鋁電解電容器的電極材料及其制造方法。
[0015]1.一種用于鋁電解電容器的電極材料，所述電極材料作為構(gòu)成要件包含鋁及鋁合 金的至少一種粉末的燒結(jié)體以及支持所述燒結(jié)體的鋁箔基材，其特征在于，
[0016](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5-100 u m ；
[0017](2)所述燒結(jié)體形成于所述鋁箔基材的單面或雙面上，所述燒結(jié)體的總厚度為 20-1000u m ；
[0018](3)所述鋁箔基材的厚度為10-200 iim，硅含量為10-3000ppm。
[0019]2.一種制造用于鋁電解電容器的電極材料的方法，其特征在于，所述制造方法包 括以下工序:
[0020]第一工序，將由包含鋁及鋁合金的至少一種粉末的組合物制成的被膜層壓于鋁箔 基材的單面或雙面上，其中，
[0021](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5-100 u m,
[0022](2)所述被膜形成于所述鋁箔基材的單面或雙面上，所述被膜的總厚度為 20-1000u m,
[0023](3)所述鋁箔基材的厚度為10-200 iim，硅含量為10-3000ppm ;以及
[0024]第二工序，進(jìn)行所述第一工序之后，在560-660°C的溫度下對(duì)所述被膜進(jìn)行燒結(jié)，
[0025]并且所述制造方法中不包括蝕刻工序。
[0026]3.如上述第2項(xiàng)所述的制造方法，所述制造方法進(jìn)一步包括第三工序，其對(duì)已燒 結(jié)的所述被膜進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理。
[0027](三)有益效果
[0028]依據(jù)本發(fā)明，可以提供一種用于鋁電解電容器的電極材料，所述電極材料作為構(gòu) 成要件包含鋁及鋁合金的至少一種粉末的燒結(jié)體以及支持所述燒結(jié)體的鋁箔基材。該電極 材料尤其是鋁箔基材的硅含量為10-3000ppm。由此，能夠與是否進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理無(wú)關(guān)地 提高電極材料的抗彎強(qiáng)度。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1是顯示實(shí)施例彎曲實(shí)驗(yàn)中彎曲次數(shù)的計(jì)數(shù)方法的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]1.用于鋁電解電容器的電極材料
[0031]本發(fā)明的用于鋁電解電容器的電極材料作為構(gòu)成要件包含鋁及鋁合金的至少一 種粉末的燒結(jié)體以及支持所述燒結(jié)體的鋁箔基材，其特征在于，
[0032](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5-100 u m ；
[0033](2)所述燒結(jié)體形成于所述鋁箔基材的單面或雙面上，所述燒結(jié)體的總厚度為 20-1000u m ；
[0034](3)所述鋁箔基材的厚度為10-200 u m，硅含量為10-3000ppm。
[0035]尤其，具有上述特征的本發(fā)明的電極材料中鋁箔基材的硅含量為10_3000ppm。由 此，能夠與是否進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理無(wú)關(guān)地提高電極材料的抗彎強(qiáng)度。
[0036]下面，對(duì)電極材料的各結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。[0037]作為原料鋁粉，優(yōu)選例如鋁純度為99.8重量％以上的鋁粉。并且，作為原料鋁合金粉，優(yōu)選例如包含硅(Si)、鐵(Fe)、銅(Cu)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鉛(Zn)、鈦(Ti)、釩(V)、鎵(Ga)、鎳(Ni)、硼(B)、鋯(Zr)等元素中的I種或2種以上的合金。鋁合金中這些元素的含量分別優(yōu)選為100重量ppm以下,尤其優(yōu)選50重量ppm以下。
[0038]另外，以往認(rèn)為為了改善電極材料的抗彎強(qiáng)度，鋁粉的硅含量?jī)?yōu)選為IOOppm以上，但是如果鋁粉的硅含量多，則會(huì)存在導(dǎo)致過(guò)度進(jìn)行燒結(jié)而不能確保足夠的靜電容量的情況。對(duì)于這種現(xiàn)有問(wèn)題，本發(fā)明通過(guò)將鋁基材的硅含量設(shè)定為10-3000ppm，由此即使鋁粉的硅含量小于IOOppm也能夠確保電極材料的抗彎強(qiáng)度。也就是說(shuō)，本發(fā)明的有利之處在于，能夠確保足夠的靜電容量和抗彎強(qiáng)度?？紤]到良好的燒結(jié)性能，鋁粉的硅含量下限值優(yōu)選0.1ppm左右。
[0039]作為所述粉末，使用燒結(jié)前平均粒徑D5tl為0.5-100 μ m的粉末。尤其在所述粉末的平均粒徑D5tl為1-15 μ m的情況下，可適宜用作中高容量的鋁電解電容器的電極材料。
[0040]另外，本說(shuō)明書(shū)中的平均粒徑D5tl是通過(guò)激光衍射法求出粒徑和其粒徑所對(duì)應(yīng)的顆粒數(shù)而得到的粒度分布曲線中，對(duì)應(yīng)總顆粒數(shù)50%的顆粒的粒徑。并且，燒結(jié)后的所述粉末的平均粒徑D5tl通過(guò)利用掃描式電子顯微鏡觀察所述燒結(jié)體的截面來(lái)測(cè)量。例如，燒結(jié)后的所述粉末一部分呈熔融或粉末彼此相連的狀態(tài)，呈大致圓形的部分可近似地看作粒子。即，求出這些粒徑和該粒徑所對(duì)應(yīng)的顆粒數(shù)而得到的粒度分布曲線中，把對(duì)應(yīng)總粒子數(shù)50%的顆粒的粒徑作為燒結(jié)后的粉末的平均粒徑D5tl。另外，上述中所求得的燒結(jié)前平均粒徑Dki和燒結(jié)后平均粒徑D5tl基本相同。
[0041]對(duì)所述粉末的形狀沒(méi)有特別的限制，可適宜使用球狀、無(wú)定形狀、鱗片狀、纖維狀
坐寸ο
[0042]所述粉末可通過(guò)已知的方法制造。例如，可例舉霧化法、熔融紡絲法、轉(zhuǎn)盤法、旋轉(zhuǎn)電極法和驟冷固化法等，但從工業(yè)生產(chǎn)方面考慮，則優(yōu)選霧化法，特別優(yōu)選氣霧法。即，優(yōu)選使用通過(guò)對(duì)熔融金屬進(jìn)行霧化獲得的粉末。
[0043]用于鋁電解電容器的電極材料，優(yōu)選其抗彎強(qiáng)度至少為10次以上?？箯潖?qiáng)度小于10次的情況下，存在制造用于鋁電解電容器的電極材料或鋁電解電容器時(shí)，燒結(jié)體損壞的可能性。更優(yōu)選彎曲次數(shù)為20次以上。
[0044]燒結(jié)體優(yōu)選所述粉末之間互相保持空隙地進(jìn)行燒結(jié)。具體而言，優(yōu)選各粉末之間保持空隙地進(jìn)行燒結(jié)來(lái)相連，并且具有三維網(wǎng)眼結(jié)構(gòu)。通過(guò)這樣形成多孔燒結(jié)體，即使不進(jìn)行蝕刻處理，也能夠得到所希望的靜電容量。
[0045]通常可在30%以上的范圍內(nèi)對(duì)應(yīng)所希望的靜電容量等來(lái)適宜地設(shè)定燒結(jié)體的氣孔率。并且，氣孔率還能夠根據(jù)例如作為原始材料的鋁或鋁合金的粉末粒徑，包含其粉末的糊狀組合物的組成(樹(shù)脂粘合劑)等來(lái)控制。
[0046]燒結(jié)體形成于鋁箔基材的單面或雙面上。在形成于雙面上的情況下，優(yōu)選使燒結(jié)體夾著基材對(duì)稱地配置。各燒結(jié)體的平均厚度優(yōu)選為10-250 μ m。雖然這些數(shù)值對(duì)形成于基材的單面或雙面上的兩種情況都適合，但形成于雙面上的情況下，優(yōu)選單面的燒結(jié)體的厚度為總厚度(還包括鋁箔基材的厚度)的三分之一以上。
[0047]另外，上述燒結(jié)體的平均厚度是用千分尺測(cè)量7點(diǎn)，去掉將最大值和最小值后的5點(diǎn)的平均值。[0048]本發(fā)明中，將鋁箔基材用作支持所述燒結(jié)體的基材。而且，可在形成所述燒結(jié)體之 前，預(yù)先對(duì)鋁箔基材的表面進(jìn)行粗糙化處理。對(duì)粗糙化方法沒(méi)有特別限制，可利用清洗、蝕 亥Ij、噴砂等已知的技術(shù)。
[0049]作為鋁箔基材，使用硅含量為10-3000ppm者。本發(fā)明中，通過(guò)將硅含量設(shè)定為上 述范圍，能夠提高電極材料的抗彎強(qiáng)度。對(duì)硅以外的合金成分沒(méi)有特別限制，可例舉在必 要范圍內(nèi)添加或作為不可避免的雜質(zhì)包含鐵(Fe)、銅(Cu)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鋅 (Zn)、鈦(Ti)、釩(V)、鎵(Ga)、鎳(Ni)及硼(B)的至少一種合金元素。
[0050]鋁箔基材的厚度可為10?200 u m，優(yōu)選20?70 y m。
[0051]上述鋁箔基材可通過(guò)已知的方法制造。例如，制備具有上述規(guī)定組成的鋁合金的 熔融金屬，對(duì)鑄造該熔融金屬而成的鑄錠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行均質(zhì)處理。然后，對(duì)該鑄錠進(jìn)行熱軋和 冷軋，從而得到鋁箔基材。
[0052]另外，在上述冷軋工序過(guò)程中，可在50-500°C，優(yōu)選150_400°C的范圍內(nèi)進(jìn)行中間 退火處理。并且，在上述冷軋工序之后，可在150-650°C、優(yōu)選350-550°C的范圍內(nèi)進(jìn)行退火 處理而制成軟箔。
[0053]本發(fā)明的電極材料也可以用于低壓、中壓或高壓鋁電解電容器。尤其適合用于中 壓或高壓用的(中高電壓用)鋁電解電容器。
[0054]當(dāng)用作鋁電解電容器用電極時(shí)，可以無(wú)需進(jìn)行蝕刻處理而直接使用本發(fā)明的電極 材料。即，本發(fā)明的電極材料可以無(wú)需進(jìn)行時(shí)刻處理，直接或者進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理來(lái)用作電 極(電極箔)。
[0055]使用本發(fā)明的電極材料的陽(yáng)極箔和陰極箔可以與位于兩者之間的隔板一起被層 壓并卷繞而形成電容器元件，將該電容器元件浸泡在電解液中并將含有電解液的電容器元 件裝在殼體中，然后用密封材料密封殼體，從而獲得電解電容器。
[0056]2.制造用于鋁電解電容器的電極材料的方法
[0057]對(duì)制造本發(fā)明的用于鋁電解電容器的電極材料的方法雖然沒(méi)有限制，但可采用包 括以下工序的制造方法:
[0058]第一工序，將由包含鋁及鋁合金的至少一種粉末的組合物制成的被膜層壓于鋁箔 基材的單面或雙面上，其中，
[0059](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5-100 u m,
[0060](2)所述被膜形成于所述鋁箔基材的單面或雙面上，所述被膜的總厚度為 20-1000u m,
[0061](3)所述鋁箔基材的厚度為10-200 iim，硅含量為10-3000ppm ;以及
[0062]第二工序，進(jìn)行所述第一工序之后，在560-660°C的溫度下對(duì)所述被膜進(jìn)行燒結(jié)，
[0063]并且所述制造方法中不包括蝕刻步驟。
[0064]以下，舉例說(shuō)明上述制造方法。
[0065](第一工序)
[0066]在第一工序，將由包含鋁及鋁合金的至少一種粉末的組合物制成的被膜層壓于鋁 箔基材的單面或雙面上。其中，
[0067](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5-100 u m,
[0068](2)所述被膜形成于所述鋁箔基材的單面或雙面上，所述被膜的總厚度為20-1000 μ m,
[0069](3)所述鋁箔基材的厚度為10-200 μ m，硅含量為10-3000ppm。
[0070]作為鋁及鋁合金的組成(成分)，可利用前述中所提到的成分。作為所述粉末，優(yōu)選例如使用鋁純度為99.8重量％以上的純鋁粉。并且，作為鋁箔基材，可使用厚度為10-200 μ m、硅含量為10-3000ppm的鋁箔基材。
[0071]所述組合物可根據(jù)需要包含樹(shù)脂粘合劑、溶劑、燒結(jié)助劑、表面活性劑等。所述成分均可使用已知或市售的產(chǎn)品。尤其在本發(fā)明中，優(yōu)選添加樹(shù)脂粘合劑及溶劑中的至少一種來(lái)用作糊狀組合物。從而能夠高效率形成被膜。
[0072]對(duì)樹(shù)脂粘合劑沒(méi)有限制，例如適當(dāng)使用包括羧基改性的聚烯烴樹(shù)脂、乙酸乙烯酯樹(shù)脂、氯乙烯樹(shù)脂、氯乙酸乙烯酯共聚物樹(shù)脂(塩酢H共重合樹(shù)脂)、乙烯醇樹(shù)脂、丁醛樹(shù)脂、聚氟乙烯樹(shù)脂、丙烯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、丙烯腈樹(shù)月旨、纖維素樹(shù)脂、石蠟、聚乙烯蠟等合成樹(shù)脂或蠟；焦油、膠、漆樹(shù)、松木樹(shù)脂、蜂蠟等天然樹(shù)脂或蠟。這些粘合劑根據(jù)分子量、樹(shù)脂的類型等分為在加熱時(shí)揮發(fā)的粘合劑，因熱解其殘?jiān)c鋁粉一起殘留的粘合劑。它們的使用可以取決于所需的靜電特性等。
[0073]此外，溶劑可使用已知的溶劑。例如，可以使用水，以及乙醇、甲苯、酮類和酯類等有機(jī)溶劑。
[0074]形成被膜的方法除了利用例如輥?zhàn)?、毛刷、噴射、浸潰等涂布方法將糊狀組合物形成為被膜的方法之外，還可通過(guò)絲網(wǎng)印刷等已知的印刷方法來(lái)形成被膜。
[0075]被膜形成于鋁箔基材的單面或雙面上。在形成于雙面上的情況下，優(yōu)選使被膜夾著基材對(duì)稱地配置。各被膜的平均厚度優(yōu)選10-100 μ m。雖然這些數(shù)值對(duì)形成于基材的單面或雙面上的兩種情況都適合，但形成于雙面上的情況下，優(yōu)選單面的被膜的厚度為總厚度(也包含鋁箔基材的厚度)的三分之一以上。
[0076]另外，上述被膜的平均厚度是用千分尺測(cè)量7點(diǎn)，去掉最大值和最小值后的5點(diǎn)的平均值。
[0077]根據(jù)需要，也可在20_300°C范圍內(nèi)的溫度下對(duì)被膜進(jìn)行干燥。
[0078](第二工序)
[0079]第二工序中，在560-660°C的溫度下燒結(jié)所述被膜。燒結(jié)溫度設(shè)為560-660°C，優(yōu)選570-650°C，更優(yōu)選580-620°C。燒結(jié)時(shí)間根據(jù)燒結(jié)溫度等而不同，但通常可以在5_24小時(shí)左右的范圍內(nèi)適宜地設(shè)定。對(duì)燒結(jié)氣氛沒(méi)有特別限制，例如可以為真空氣氛、惰性氣體氣氛、氧化氣體氣氛(空氣)、還原氣氛等中任意一種，尤其優(yōu)選真空氣氛或還原氣氛。并且，壓力條件也不受限制，可為常壓、減壓或加壓中任意一種。
[0080]另外，優(yōu)選在第一工序之后、第二工序之前預(yù)先在100-600°C的溫度范圍進(jìn)行保持時(shí)間為5小時(shí)以上的加熱處理(脫脂處理)。對(duì)加熱處理氣氛沒(méi)有特別限制，可為例如真空氣氛、惰性氣體氣氛或氧化氣體氣氛中任意一種。并且，壓力條件也不受限制，可為常壓、減壓或加壓中任意一種。
[0081](第三工序)
[0082]所述第二工序中可得到本發(fā)明的電極材料。該電極材料不需要進(jìn)行蝕刻處理，可直接用作用于鋁電解電容器的電極材料(電極箔)。另一方面，可根據(jù)需要，通過(guò)作為第三工序?qū)λ鲭姌O材料進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理來(lái)形成電介質(zhì)，并將其作為電極。[0083]對(duì)陽(yáng)極氧化條件沒(méi)有特別限制，通?？稍诖笥诘扔?.01摩爾且小于等于5摩爾的濃度和大于等于30°C且小于等于100°C的溫度的硼酸溶液中，外加5分鐘以上大于等于IOmA/cm2,400mA/cm2 左右的電流。
[0084]實(shí)施例
[0085]以下，示出實(shí)驗(yàn)例及比較實(shí)驗(yàn)例來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體說(shuō)明。
[0086]按照下述順序，示出實(shí)驗(yàn)例及比較實(shí)驗(yàn)例來(lái)說(shuō)明電極材料的性能。
[0087]根據(jù)日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的MIT型自動(dòng)彎曲實(shí)驗(yàn)法(EIAJRC-2364A)測(cè)量電極材料(化學(xué)轉(zhuǎn)化處理前后)的抗彎強(qiáng)度。MIT型自動(dòng)彎曲實(shí)驗(yàn)裝置使用JIS P8115中所規(guī)定的裝置，彎曲次數(shù)設(shè)為各電極材料斷裂的彎曲次數(shù)，如圖1所示，其計(jì)數(shù)方法為，彎曲90°為I次,回到原位置為2次，向反方向彎曲90°為3次,回到原位置為4次，......。
[0088]另外，電極材料的靜電容量是在硼酸水溶液(50g/L)中對(duì)電極材料進(jìn)行250V的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理之后，在硼酸銨水溶液(3g/L)中進(jìn)行測(cè)量。此時(shí)，將測(cè)量投影面積設(shè)為10cm2。
[0089]實(shí)驗(yàn)例I (基材的硅含暈和彎曲次數(shù)之間的關(guān)系)
[0090]將平均粒徑D5tl為3 μ m的鋁粉(JIS A1080,由ToyoAluminium K.K.制造，產(chǎn)品編號(hào):AHUZ58FN、硅含量IOOppm) 60重量份與纖維素類粘合劑40重量份(7重量％為樹(shù)脂成分)相混合，得到固體含量為60重量％的涂布液。
[0091]利用逗號(hào)刮刀涂布機(jī)以50 μ m厚度將上述涂布液涂布在厚度為30 μ m的鋁箔基材(500_X 500_、娃含量為多種)的兩面以厚度,并進(jìn)行干燥。
[0092]然后，以400°C進(jìn)行脫脂，并在氬氣氣氛中以620°C的溫度燒結(jié)8小時(shí)，以此制作電極材料。燒結(jié)后的電極材料的厚度約為130 μ m。
[0093]基材的硅含量和彎曲次數(shù)之間的關(guān)系示于表I。并且，作為參考，同時(shí)示出以往的蝕刻箔的彎曲次數(shù)。
[0094][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種用于鋁電解電容器的電極材料，所述電極材料作為構(gòu)成要件包含鋁及鋁合金的至少一種粉末的燒結(jié)體以及支持所述燒結(jié)體的鋁箔基材，其特征在于， (1)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5-100 μ m ； (2)所述燒結(jié)體形成于所述鋁箔基材的單面或雙面上，所述燒結(jié)體的總厚度為20-1000 μ m ； (3)所述鋁箔基材的厚度為10-200μ m，硅含量為10-3000ppm。
2.一種制造用于鋁電解電容器的電極材料的方法，其特征在于，所述制造方法包括以下工序: 第一工序，將由包含鋁及鋁合金的至少一種粉末的組合物制成的被膜層壓于鋁箔基材的單面或雙面上，其中， (1)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5-100 μ m，(2)所述被膜形成于所述鋁箔基材的單面或雙面上，所述被膜的總厚度為20-1000μ m， (3)所述鋁箔基材的厚度為10-200μ m，硅含量為10-3000ppm ;以及 第二工序，在所述第一工序之后，在560-660°C的溫度下對(duì)所述被膜進(jìn)行燒結(jié)， 并且所述制造方法中不包括蝕刻工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，所述制造方法進(jìn)一步包括第三工序，其對(duì)已燒結(jié)的所述被膜進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理。
【文檔編號(hào)】C22C1/04GK103563028SQ201280025487
【公開(kāi)日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2012年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月26日
【發(fā)明者】平敏文, 目秦將志 申請(qǐng)人:東洋鋁株式會(huì)社