制造用于euv光刻的反射光學(xué)元件的方法
【專利摘要】為了減少存在活性氫時多層系統(tǒng)的最上層中的起泡和分裂以及碎裂的趨勢，提出了一種制造用于EUV光刻的反射光學(xué)元件(50)的方法，該元件在位于5nm至20nm范圍內(nèi)的工作波長下具有最大反射率，該方法包括以下步驟：將多層系統(tǒng)(51)施加至基板(52)，該多層系統(tǒng)由一個布置在另一個上方的三十個至六十個層堆(53)構(gòu)成，其中各個層堆具有厚度為dMLs的、由在工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層(54)和厚度為dMLa的、由在工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層(55)，其中厚度比為dMLa/(dMLa+dMLs)=ΓML；將一個、兩個、三個、四個或五個另外的層堆(56)施加至多層系統(tǒng)，所述至少一個另外的層堆具有厚度為ds的、由在工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層(54)和厚度為da的、由在工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層(55)，其中厚度比為da/(da+ds)=Γ且其中Γ≠ΓML。
【專利說明】制造用于EUV光刻的反射光學(xué)元件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種制造用于EUV光刻的反射光學(xué)元件的方法，該元件在位于5nm至20nm范圍內(nèi)的工作波長下具有最大反射率。
【背景技術(shù)】 [0002]在EUV光刻設(shè)備中，用于極紫外(EUV)波長范圍(即，波長在大約5nm和20nm之間)的反射光學(xué)元件(例如光掩模或基于多層系統(tǒng)的反射鏡)用于半導(dǎo)體部件的光刻。因?yàn)镋UV光刻設(shè)備通常具有多個反射光學(xué)元件，所以多個反射光學(xué)元件必須具有盡可能高的反射率，從而確保足夠高的總反射率。反射光學(xué)元件的反射率和壽命會因反射光學(xué)元件的光學(xué)使用反射表面的污染而減小，該污染因短波輻射與工作環(huán)境中的殘留氣體而產(chǎn)生。因?yàn)槎鄠€反射光學(xué)元件在EUV光刻設(shè)備中通常布置成一個在另一個后面，所以即使位于各個單獨(dú)反射光學(xué)元件上的相對少的污染也會在相對大的程度上影響總反射率。
[0003]污染物可因例如潮濕的殘留物而出現(xiàn)。在該情況中，水分子由EUV輻射離解，產(chǎn)生的氧原子團(tuán)使反射光學(xué)元件的光學(xué)作用表面氧化。污染物的另一來源是聚合物，聚合物源自例如EUV光刻設(shè)備中使用的真空泵的，或者源自在待圖案化的半導(dǎo)體基板上使用的光刻膠殘留物，并在工作輻射的影響下導(dǎo)致反射光學(xué)元件上的碳污染物。雖然氧化污染物是不可逆的，但是通過采用活性氫的處理，借助活性氫與含碳?xì)埩粑锓磻?yīng)以形成揮發(fā)性化合物，尤其可去除碳污染物等?；钚詺淇蔀闅湓訄F(tuán)或者為離子化的氫原子或分子。
[0004]然而，已經(jīng)觀察到，在用于清潔或可因EUV輻射與殘留氣氛中存在的氫的相互作用而出現(xiàn)的活性氫的影響下，可發(fā)生尤其是接近多層系統(tǒng)表面的單獨(dú)層的起泡以及甚至是脫離。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明的目的是提供一種制造甚至在存在活性氫時也可用于EUV光刻的反射光學(xué)兀件的方法。
[0006]利用一種制造用于EUV光刻的反射光學(xué)元件的方法來實(shí)現(xiàn)該目的，該元件在位于5nm至20nm范圍內(nèi)的工作波長下具有最大反射率,所述方法包含以下步驟:
[0007]-將多層系統(tǒng)施加至基板,該多層系統(tǒng)由一個布置在另一個上方的三十個至六十個層堆構(gòu)成，其中各個層堆具有厚度為das的、由在工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層以及厚度為daa的、由在工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層，其中厚度比為 dMLa/ (dj^+dj^) - J1l,
[0008]-將一個、兩個、三個、四個或五個另外的層堆施加至多層系統(tǒng)，所述至少一個另外的層堆具有厚度為ds的、由在工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層以及厚度為4的、由在工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層，其中厚度比Sda/(da+ds) = r且其中r關(guān)IV。
[0009]研究表明如果在針對位于5nm至20nm范圍中的特定工作波長的反射而優(yōu)化的多層系統(tǒng)上施加至少一個另外的層堆(其中，較高和較低折射率實(shí)部的厚度比是與下方的多層系統(tǒng)的情況不同的比率)，尤其是在氫存在于殘留氣體氣氛中時，多層系統(tǒng)的最上層的起泡和脫離可顯著減少。設(shè)想厚度比的針對性變化具有以下效果:較低的應(yīng)力出現(xiàn)在最上層的區(qū)域中且最上層起泡和脫離的趨勢因此減少。
[0010]注意到，與多層系統(tǒng)的任何層堆相比，一個或高達(dá)五個另外的層堆距離基板更遠(yuǎn)。
[0011]已證實(shí)，特別有利地，具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的兩個、三個、四個或五個另外的層堆施加至所述多層系統(tǒng)，所述多層系統(tǒng)基本上限定了反射光學(xué)元件的光學(xué)特性并有利地包含三十個至六十個層堆。因?yàn)榻?jīng)驗(yàn)表明氫僅穿透至最上層，所以在小數(shù)量的另外的層堆的情況下已經(jīng)能夠確保對起泡和脫離的有效防范。此外，對下方的多層系統(tǒng)的光學(xué)特性的可能損壞同時被限制為最小。考慮到活性氫(在EUV光刻工藝期間，制造的用于EUV光刻的反射光學(xué)元件暴露于活性氫中)的能量和濃度，還可確定另外的層堆的實(shí)際數(shù)量。
[0012]在優(yōu)選實(shí)施例中，至少一個另外的層堆的厚度比 小于多層系統(tǒng)的0.8* ρ特別優(yōu)選的是，至少一個另外的層堆的厚度比 大于多層系統(tǒng)中的厚度比的1.2倍。在提及的第二變型例中，特別地，產(chǎn)生的張應(yīng)力在光學(xué)元件的最上層中積聚，根據(jù)觀察，這對減少最上層起泡和脫離的趨勢具有特別積極的效應(yīng)。
[0013]應(yīng)指出的是，特別是在反射光學(xué)元件在用于反射工作波長的多層系統(tǒng)下方具有用于應(yīng)力補(bǔ)償?shù)牧硪欢鄬酉到y(tǒng)的情況下，在本文提出的制造方法的情況下，可減少應(yīng)力補(bǔ)償多層系統(tǒng)中的層數(shù)量，因?yàn)閼?yīng)力減少層還設(shè)置在光學(xué)作用多層系統(tǒng)上，位于朝向真空的過渡處。在選擇「〈「^的情況下，需要在應(yīng)力補(bǔ)償多層系統(tǒng)中設(shè)置數(shù)量增加的層。
[0014]在制造方法的特別優(yōu)選實(shí)施例中，利用電子束蒸發(fā)或離子束輔助涂覆(還稱為IBAD離子束輔助沉積)或采用熱粒子的磁控濺射(還稱為TPM熱粒子磁控濺射)施加至少一個另外的層堆的至少一個層。在離子束輔助涂覆的情況下，層在其施加期間暴露于具有小于IOOeV能量的離子束，這導(dǎo)致該層的致密化。離子束輔助涂覆優(yōu)選與電子束蒸發(fā)結(jié)合。在采用熱粒子的磁控濺射的情況下，目標(biāo)和基板之間的距離不只幾厘米(與常規(guī)磁控濺射的情況一樣)，而是為幾十厘米至約lm。該特殊的磁控濺射還可以離子束輔助方式實(shí)現(xiàn)。特別優(yōu)選的是以該方式施加由在工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的至少一個或多個層，因?yàn)橐延^察到這些層在暴露于活性氫后特別容易裂開。優(yōu)選地，純粹的電子束蒸發(fā)趨向用于旨在暴露于尤其具有較高能量(即，大于IOOeV的能量)活性氫的反射光學(xué)元件。
[0015]已證實(shí)，特別有利地，在至少一個另外的層堆的至少一個層的情況下，可以免去采用離子束的用于使層表面光滑的另外的慣例拋光。這在包含利用電子束蒸發(fā)或采用熱粒子的磁控濺射(如果適合的話，為離子束輔助涂覆)而施加的層時是特別極有利的。然而，在通過常規(guī)磁控濺射施加的至少一個另外的層堆的層的情況下，還會觀察到對朝向起泡和脫離趨勢的積極效應(yīng)。替代地，如果由于表面粗糙度的要求而不能省略拋光，則可通過將用于拋光的離子束的能量設(shè)定為使得離子束穿透通過在拋光期間待拋光的整個層來實(shí)現(xiàn)積極效應(yīng)?？偟膩碚f，觀測結(jié)果呈現(xiàn)為指示應(yīng)根據(jù)盡可能均勻地施加的各個層來選擇單獨(dú)涂覆工藝。在利用具有 較高能量的用于離子束拋光的離子束的情況下，積極效應(yīng)還可大概歸因于以下事實(shí):被拋光的層與下方的層以較高的程度混合，并且由此形成的混合層抵制被拋光的層的碎裂。[0016]有利地，作為在工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料和/或作為在工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料，選擇用于多層系統(tǒng)的層堆的材料與分別選擇用于至少一個另外的層堆的那些材料一樣。優(yōu)選地，在工作波長下具有較低折射率實(shí)部和具有較高折射率實(shí)部的二者材料被選擇為與用于另外的層堆以及用于多層系統(tǒng)的層堆的材料一樣。在特別優(yōu)選的實(shí)施例中，在多層系統(tǒng)和在至少一個另外的層堆二者中，選擇硅作為在工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料，而選擇鑰作為在工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料。通過選擇同一材料組合用于多層系統(tǒng)和另外的層堆兩者，可更加簡單且更有成本效益地實(shí)施總的制造方法。硅和鑰的特定選擇提供以下優(yōu)點(diǎn):利用該材料組合可獲得在12.5nm和15nm之間的波長范圍中的特別高的反射率。此外，在使用這兩種材料涂覆方面存在很多經(jīng)驗(yàn)，使得在根據(jù)本文提出的方法制造多個反射光學(xué)元件期間可實(shí)現(xiàn)高再現(xiàn)性。應(yīng)指出的是，在光學(xué)多層系統(tǒng)和在至少一個另外的層堆中，當(dāng)然可使用不同的材料，并且除了硅和鑰之外，可使用所有其他的材料組合，關(guān)于其他的材料組合，已知它們可用于在位于5nm至20nm范圍中的工作波長處的高反射率
[0017]在其他的優(yōu)選實(shí)施例中，作為在工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料，以及作為在工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料，選擇用于多層系統(tǒng)的層堆的材料與選擇用于至少一個另外的層堆的材料不同，從而能夠?qū)⒌玫降姆瓷涔鈱W(xué)元件特別好地適配于計劃的使用條件，以及尤其能夠選擇層材料用于至少一個另外的層堆，該至少一個另外的層堆就其本身而言在存在活性氫時呈現(xiàn)特別少的朝向起泡的趨勢。
[0018]尤其對于光刻工藝中的用途，其中得到的光學(xué)元件遭受低能量氫原子團(tuán)和離子和/或在升高的溫度下實(shí)施暴露，已證實(shí)有利的是作為擴(kuò)散阻擋層的附加層施加至至少一個另外的層堆中、在工作波長下具有較低折射率實(shí)部的層和在工作波長下具有較高折射率實(shí)部的層之間，該附加層還可具有對反射光學(xué)元件在工作波長下的反射率的積極影響。
[0019]在優(yōu)選實(shí)施例中，已證實(shí)有利的是由具有低密度和低應(yīng)力的材料構(gòu)成的層施加在至少一個另外的層堆上。特別地，所述層可吸收氫，而不會顯著影響多層系統(tǒng)的光學(xué)特性且不會引起相對大的附加應(yīng)力。有利地，所述層由從包含硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、硼、碳化硼、氮化硼、鈹和碳的組中選擇的材料構(gòu)成。
[0020]在優(yōu)選實(shí)施例的一個變型例中，將由一材料構(gòu)成的層施加至至少一個另外的層堆，該材料還提供對例如為氧化污染物或含碳污染物的其他影響的防護(hù)，或可易于通過氫清潔而清除污染物。優(yōu)選的材料屬于包含釕、鈰、釔、硅化鑰、氧化釔、硫化鑰、鋯、鈮、碳化鑰、氧化鋯、銠和錸的組。碰撞的氫的大部分可在所述層中被吸收，使得氫不穿透到至少一個另外的層堆的或者甚至是多層系統(tǒng)的下方層中。
[0021]特別優(yōu)選地，尤其是當(dāng)?shù)玫降姆瓷涔鈱W(xué)元件主要暴露于具有較高能量的活性氫時，由具有低密度和低應(yīng)力構(gòu)成的層和由上述材料構(gòu)成的保護(hù)層二者都施加在至少一個另外的層堆上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]參考優(yōu)選的示例性實(shí)施例，將更詳細(xì)地說明本發(fā)明。在該方面:
[0023]圖la、b示出根據(jù)本文提出的方法制造的用于EUV光刻的反射光學(xué)元件的示意圖；[0024]圖2a、b示出本文提出的用于制造EUV光刻的反射光學(xué)元件的方法的示例性變型例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025] 圖la、b示意性地示出了根據(jù)本文提出的方法制造的示例性反射光學(xué)元件50的結(jié)構(gòu)。示出的示例包含基于多層系統(tǒng)51的反射光學(xué)元件。這包含交替施加的在工作波長(例如，在該工作波長下執(zhí)行光刻曝光)下具有較高折射率實(shí)部的材料層(還稱為間隔體54)和在工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料層(還稱為吸收體55)，其中，吸收體-間隔體對形成層堆53。這樣，晶格平面對應(yīng)于發(fā)生布拉格反射的吸收體層的晶體因此得以模擬。各個層堆53尤其由吸收體層厚度dML.a關(guān)于間隔體層厚度dML.s的層厚度比表征。特別地，可定義層厚度比gamma ML=dML.a/(dML.a+dML.s)。多層系統(tǒng)51施加在基板52上。優(yōu)選選擇具有低熱膨脹系數(shù)的材料作為基板材料。
[0026]在圖1a示出的示例中，以及在圖1b示出的示例中，兩個另外的層堆56施加在多層系統(tǒng)51上，并因此比光學(xué)作用多層系統(tǒng)50的層堆53更遠(yuǎn)離基板52。應(yīng)指出的是，在另外的示例性實(shí)施例中，可提供僅一個另外的層堆56或者還可提供三個、四個或五個另外的層堆56。在本文示出的兩個示例中，各個附加層堆56分別包含間隔體層54和吸收體層55。在本文示出的示例中，與用于下方多層系統(tǒng)51的材料相同的材料已被選擇作為吸收體和間隔體材料。在一個具體的、特別優(yōu)選的實(shí)施例中，吸收體材料為鑰，而間隔體材料為硅?；谶@種多層系統(tǒng)51的、用于EUV光刻的反射光學(xué)元件50可被優(yōu)化用于特別高的反射率，尤其用于在12.5nm和15nm之間范圍內(nèi)的工作波長。
[0027]取決于期望的工作波長的位置，以及取決于光學(xué)特性和壽命的要求，除了鑰和硅以外的其他吸收體和間隔體材料可被選擇用于多層系統(tǒng)51及用于另外的層堆56。特別地，還可選擇用于吸收體和間隔體層的不同材料一方面用于多層系統(tǒng)51，另一方面用于另外的層堆56。在選擇材料方面，以及在選擇另外的層堆56的數(shù)量方面，有利地考慮期望將反射光學(xué)元件暴露于多大的活性氫濃度、在光刻工藝期間暴露多長時間，以及所述氫平均具有多大的能量。此外，有利地考慮作為另外的層堆56的結(jié)果，能夠接受多大的反射率損失。
[0028]應(yīng)指出的是，另外的層堆可具有與吸收體層和間隔體層54、55分開的另外層。特別優(yōu)選地，作為擴(kuò)散阻擋層的附加層施加在間隔體層和吸收體層之間或吸收體層和間隔體層之間的界面處。當(dāng)使用硅作為間隔體材料，使用鑰作為吸收體材料時，例如碳化硼已被證實(shí)有利地用作擴(kuò)散阻擋層的材料。如果反射光學(xué)元件50主要暴露于低能量氫原子和能量小于1OOeV的原子團(tuán)，則在另外的層堆56中提供擴(kuò)散阻擋層具有特別的優(yōu)點(diǎn)。此外，當(dāng)反射光學(xué)元件在明顯高于室溫的溫度下工作時，擴(kuò)散阻擋層是有利的。
[0029]非常重要的是，厚度比gamma=da/(da+ds)與多層系統(tǒng)51中的相應(yīng)的厚度比gamma ML不同，其中，da是另外的層堆56中的吸收體層55的厚度，而ds是另外的層堆56中的間隔體層54的厚度。如果gamma ML在多層系統(tǒng)中變化且因此在其單獨(dú)層堆53中變化和/或如果厚度比gamma在單獨(dú)另外的層堆56范圍內(nèi)變化，則重要的是，所有的gamma都不同于所有的gamma ML。吣優(yōu)選地，gamma和gamma ML明顯不同，gamma優(yōu)選大于1.2* gamma ML -或小于0.8* gamma ML在本文示出的示例中，多層系統(tǒng)51為常規(guī)的鑰-硅系統(tǒng)，包含都具有0.4的gamma ML且層堆厚度為7.2nm的五十個層堆53。與之相比，兩個另外的層堆56具有0.6的gamma且層堆厚度同樣為7.2nm。這導(dǎo)致在兩個另外的層堆56上產(chǎn)生200MPa的應(yīng)力，這補(bǔ)償了在下方多層系統(tǒng)51中的應(yīng)力。特別地，該應(yīng)力在多層系統(tǒng)51的最上層堆53的區(qū)域中得到補(bǔ)償。這是在活性氫的作用下觀察到單獨(dú)層，尤其是硅層的起泡和脫離顯著減少的原因。應(yīng)指出的是，在其他情況下，對于在整個反射光學(xué)元件上的應(yīng)力減少，應(yīng)力減少層還可布置在基板52和多層系統(tǒng)51之間。
[0030]圖1b示出的示例性實(shí)施例與圖1a示出的示例性實(shí)施例的不同之處大致在于，兩個另外的附加層57和58還施加在兩個另外的層堆56上。位于與真空的界面處的附加層58是用于防止污染的常規(guī)保護(hù)層，其理想上還對氫清潔是惰性的，此外用作防御活性氫的緩沖層，從而抑制活性氫穿透至多層系統(tǒng)。適合的材料為釕、鈰、釔、硅化鑰、氧化釔、硫化鑰、錯、銀、碳化鑰、氧化錯、錯或錸。在本文示出的示例中，選擇釕作為保護(hù)層58的材料。 [0031]下方的層57為由具有低密度的低應(yīng)力材料構(gòu)成的層，其可吸收氫。如本文示出的示例，所述層可布置在保護(hù)層58下方，在其他變型例中，所述層還可布置在保護(hù)層58上方。適合的材料例如為硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、硼、碳化硼、氮化硼、鈹或碳。在本文示出的實(shí)施例中，選擇氮化硅作為層57的層材料。通過相應(yīng)選擇附加層57、58的厚度，不僅可增加反射光學(xué)元件50對單獨(dú)最上層的起泡和脫離的抵抗，而且可優(yōu)化反射光學(xué)元件50至以下效應(yīng):由于層堆56和位于多層系統(tǒng)51上的層57、58導(dǎo)致的反射率損失不會變得非常高。提供附加層57和/或58尤其在也具有較高能量的活性氫的較高流速情況下增加了相應(yīng)反射光學(xué)元件50的壽命。注意到，在另外的實(shí)施例中，僅低密度、低應(yīng)力層57或僅保護(hù)層58可設(shè)置在一個或高達(dá)五個另外的層堆56上。
[0032]應(yīng)指出的是，在特別高的活性氫流速和/或特別高的活性氫能量的情況下，還可通過附加地將緩沖氣體引入EUV光刻設(shè)備(使用反射光學(xué)元件)內(nèi)部的殘留氣體氣氛中，以預(yù)先減少碰撞在反射光學(xué)元件上的粒子能量而稍微延長使用的反射光學(xué)元件的壽命。
[0033]例如，根據(jù)如圖2a所示的在此介紹的制造方法的變型，可制造圖1b示出的示例性實(shí)施例。為此，首先以任意常規(guī)方式將具有層厚度比-的多層系統(tǒng)施加至基板(步驟201)。然后，將在該示例中具有層厚度比r=1.5*ra的兩個另外的層堆56引入至多層系統(tǒng)51上，其中，在沒有離子束拋光的情況下，通過電子束蒸發(fā)施加間隔體層(步驟203)。在修改例中，在沒有離子束拋光的情況下，還可通過電子束蒸發(fā)施加吸收體層。然而，特別是在使用硅作為間隔體材料，使用鑰作為吸收體材料的情況下，在沒有離子束拋光的情況下，可可通過電子束蒸發(fā)來施加間隔體層而顯著減少起泡和脫離的減少，即使在具有較高能量的活性氫的流速較高時亦如此。因此，還可通過具有比電子束蒸發(fā)高的生長率的常規(guī)涂覆方法來施加吸收體層，以使制造方法整體上更高效。同樣觀察到的是，尤其是在鑰和硅的材料組合的情況中，吸收體層的離子束拋光對起泡和脫離行為的影響明顯小于在間隔體層情況下的離子束拋光。因此，在具有對表面粗糙度有高要求的反射光學(xué)元件的情況下(包括在另外的層堆56中的附加層的情況)，可利用離子束常規(guī)地拋光吸收體層。
[0034]然后，以常規(guī)方式將由具有低密度和應(yīng)力的材料構(gòu)成的層57(步驟205)和保護(hù)層(步驟207)施加至兩個下部層堆56。
[0035]例如，本文介紹的制造方法的另一變型可用于制造如圖1a所示的反射光學(xué)元件。這在圖2b的流程圖中示意性地示出。在將具有層厚度比的多層系統(tǒng)51施加至基板的第一步驟201之后，通過一程序?qū)⒃谠撌纠芯哂袑雍穸缺?1.5*rML的兩個另外的層堆56施加至多層系統(tǒng)51，特別地，在該程序中，在任何情況下均利用離子束輔助法施加間隔體層并隨后利用高能量離子束拋光間隔體層(步驟204)。離子束輔助應(yīng)用的生長率比電子束蒸發(fā)(其非常慢)略高，而導(dǎo)致與通過電子束蒸發(fā)所實(shí)現(xiàn)的幾乎正好一樣均勻的層。利用高能量離子束拋光，其中離子束的能量被設(shè)定為使得整個間隔體層被離子束穿透，并且間隔體層結(jié)構(gòu)的均勻性得以維持。此外，利用高能量離子束的拋光可具有以下效應(yīng):混合層形成在間隔體層和下方的吸收體層之間的邊界層處，正如間隔體層的最高可能均勻性，所述混合層抵消在存在活性氫時最上層的起泡和脫離。
[0036]應(yīng)指出的是，在根據(jù)圖2a所示示例的程序的情況下，以及在根據(jù)圖2b所示示例的程序的情況下，可通過利用熱粒子的磁控濺射，而不是電子束蒸發(fā)來施加另外的層堆的各層。還應(yīng)指出的是，例如為電子束蒸發(fā)、無離子束拋光、離子輔助應(yīng)用和利用高能量離子的拋光的措施可以任意期望的方式彼此組合。
[0037]此外，應(yīng)指出的是，暴露于活性氫的反射光學(xué)元件的溫度還可影響層的起泡和脫離的趨勢。特別是在遭受具有小于IOOeV能量的活性氫的情況下，在低于約50°C的溫度及在高于約250°C的溫度下觀察到層起泡和脫離的趨勢較小。
【權(quán)利要求】
1.一種制造用于EUV光刻的反射光學(xué)元件的方法，所述反射光學(xué)元件在位于5nm至20nm范圍內(nèi)的工作波長下具有最大反射率，所述方法包含以下步驟: -將多層系統(tǒng)施加至基板，該多層系統(tǒng)由一個布置在另一個上方的三十個至六十個層堆構(gòu)成，其中每個層堆具有厚度為das的、由在所述工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層以及厚度為daa的、由在所述工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層，其中厚度比為 dMLa/ (dj^+dj^) - J1l, -將一個、兩個、三個、四個或五個另外的層堆施加至所述多層系統(tǒng)，所述至少一個另外的層堆具有厚度為ds的、由在所述工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層以及厚度為da的、由在所述工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料構(gòu)成的層，其中厚度比為da/(da+ds) = r 且其中 關(guān) rML。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，設(shè)定>1.2* ?或〈0.8*^
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，利用電子束蒸發(fā)或使用熱粒子的磁控濺射或離子束輔助涂覆施加所述至少一個另外的層堆的至少一個層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述至少一個另外的層堆的至少一個層未被離子束拋光，或者被能量設(shè)定為使得離子束穿透整個層的離子束拋光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，作為在所述工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料和/或作為在所述工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料，選擇用于所述多層系統(tǒng)的層堆的材料與分別選擇用于所述至少一個另外的層堆的材料相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其中，對于所述多層系統(tǒng)的層堆及所述至少一個另外的層堆，硅被選擇作為在所述工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料，以及其中，對于所述多層系統(tǒng)的層堆及所述至少一個另外的層堆，鑰被選擇作為在所述工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其中，作為在所述工作波長下具有較高折射率實(shí)部的材料和/或作為在所述工作波長下具有較低折射率實(shí)部的材料，選擇用于所述多層系統(tǒng)的層堆的材料與選擇用于所述至少一個另外的層堆的材料不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的方法，其中，將作為擴(kuò)散阻擋層的附加層施加在所述至少一個另外的層堆中、在所述工作波長下具有較低折射率的層和在所述工作波長下具有較高折射率的層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的方法，其中，將由具有低密度和低應(yīng)力的材料構(gòu)成的層施加在所述至少一個另外的層堆上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，施加由從包括硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、硼、碳化硼、氮化硼、鈹和碳的組中選擇的材料構(gòu)成的層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的方法，其中，將由從包括釕、鈰、釔、硅化鑰、氧化釔、硫化鑰、鋯、鈮、碳化鑰、氧化鋯、錸或銠的組中選擇的材料構(gòu)成的層施加在所述至少一個另外的層堆上。
【文檔編號】C23C14/54GK103635974SQ201280029959
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月22日
【發(fā)明者】A.庫茲尼佐夫, M.格里森, R.W.E.范德克魯杰斯, F.比杰科克 申請人:卡爾蔡司Smt有限責(zé)任公司