襯托器的制造方法
【專利摘要】襯托器包括第一本體和第二本體，所述第一本體包括多個(gè)第一孔，所述第二本體包括多個(gè)第二孔。根據(jù)一個(gè)布置，所述第二本體與所述第一本體隔開(kāi)以形成間隙，所述間隙允許氣體從所述第二孔流至所述第一孔。根據(jù)該布置或另一布置，所述第一本體可移除地或可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接至所述第二本體，或可移除地且可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接至所述第二本體。所述第二本體的第一量或在第一方向中的轉(zhuǎn)動(dòng)使得至少一個(gè)第一孔與至少一個(gè)第二孔對(duì)齊。并且，所述第二本體的第二量或在第二方向中的轉(zhuǎn)動(dòng)引起在這些孔之間錯(cuò)位。
【專利說(shuō)明】襯托器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)中描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及晶片制造。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體晶片利用各種技術(shù)而被形成。一種技術(shù)涉及用切割器將利用丘克拉斯基法生長(zhǎng)的圓柱晶錠切割成薄圓盤形狀以及隨后化學(xué)地且機(jī)械地研磨其表面。
[0003]形成在利用丘克拉斯基法生長(zhǎng)的單晶硅晶片的表面上晶體取向?qū)R的高純度晶層的工藝被稱為外延生長(zhǎng)法，或更簡(jiǎn)單地說(shuō)，被稱為外延法。利用該方法形成的層被稱為外延的層或外延層，并且包括外延層的晶片被稱為外延晶片。一種類型的外延法是通過(guò)反應(yīng)器來(lái)進(jìn)行的，該反應(yīng)器在高溫條件下運(yùn)行，并包括襯托器(susceptor)，晶片被放置在該襯托器上以生長(zhǎng)外延層。
[0004]外延法已被證明是具有缺點(diǎn)的。例如，η-型或P-型離子可能會(huì)在襯托器和經(jīng)拋光的晶片的上表面之間遷移。因此，晶片的邊緣可能被摻雜有不期望的高濃度的離子。這就是所謂的自摻雜。另一個(gè)缺點(diǎn)涉及清洗氣體無(wú)法從晶片完全移除自然氧化層。因此，反應(yīng)氣體可能會(huì)在外延沉積期間沉積在晶片的背表面上，這就是所謂暈圈(haloing)。
[0005]自摻雜和暈圈顯著地降低晶片的質(zhì)量以及由該晶片制成的相應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量。
[0006]另一個(gè)缺點(diǎn)涉及在芯片制造期間來(lái)自加熱源產(chǎn)生的熱量。該熱量在晶片上施加熱應(yīng)力，所述熱應(yīng)力又可能導(dǎo)致滑移位錯(cuò)并且增加晶片的背表面的表面粗糙度，而滑移位錯(cuò)和背表面的表面粗糙度均可能會(huì)降低晶片的納米質(zhì)量。此外，重度受應(yīng)力和受熱應(yīng)力的部位可能導(dǎo)致在器件加工中缺陷的發(fā)生。
[0007]襯托器的另一個(gè)缺點(diǎn)涉及在使用過(guò)程中的磨損。更具體地，由于在加熱過(guò)程期間晶片被放置在襯托器上，該襯托器可能通過(guò)摩擦被磨損。即使可能是形成在該襯托器上的碳化硅涂層的一小部分通過(guò)摩擦而被損壞，襯托器也應(yīng)當(dāng)更換成新的襯托器。否則，從襯托器上移除的材料(例如石墨)可能會(huì)引起外延反應(yīng)器發(fā)生故障。這增加了外延反應(yīng)器的運(yùn)行成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]技術(shù)問(wèn)題
[0009]實(shí)施例提供了改進(jìn)的襯托器。
[0010]解決問(wèn)題的方案
[0011]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，襯托器包括:包括多個(gè)第一孔的第一本體；以及包括多個(gè)第二孔的第二本體，其中:所述第二本體與所述第一本體隔開(kāi)以形成間隙，所述間隙允許氣體從所述第二孔流至所述第一孔，以及所述第二本體具有第一表面和第二表面，所述第二表面在所述第一表面和所述第一本體之間，其中，所述第二孔在所述第二本體的第一表面和所述第二本體的第二表面之間延伸。[0012]所述第一孔和所述第二孔可以是錯(cuò)位的，可以是基本對(duì)齊的，或第一數(shù)目的第一孔與第一數(shù)目的第二孔可以是基本對(duì)齊的，并且第二數(shù)目的第一孔與第二數(shù)目的第二孔可以是錯(cuò)位的。
[0013]所述第一本體可以具有第一表面和第二表面，所述第二表面在所述第二本體和所述第一本體的第一表面之間，并且，所述第一孔在所述第一本體的第一表面和所述第一本體的第二表面之間延伸。所述第一本體的第二表面和所述第二本體的第二表面可彼此相向，并且所述第一本體的第二表面和所述第二本體的第二表面可以具有不同的橫截面形狀。所述橫截面形狀可選自由線性的在凸方向上彎曲的形狀以及在凹方向上彎曲的形狀所組成的組。
[0014]所述第一孔和所述第二孔可被定向在基本豎直的方向中，所述第一孔和所述第二孔以不同的角度可被定向，或所述第一孔或所述第二孔中的一個(gè)可被定向在基本豎直的方向中，并且所述第一孔或所述第二孔中的另一個(gè)以一個(gè)或多個(gè)傾斜的角度可被定向。
[0015]此外，第一數(shù)目的第一孔和第一數(shù)目的第二孔以大致第一角度可被定向；以及第二數(shù)目的第一孔和第二數(shù)目的第二孔以不同于所述第一角度的一個(gè)或多個(gè)第二角度可被定向。所述第一角度可以是豎直的(vertical)。
[0016]此外，所述第一數(shù)目的第一孔和所述第一數(shù)目的第二孔可以是基本對(duì)齊的，并且其中所述第二數(shù)目的第一孔和所述第二數(shù)目的第二孔是錯(cuò)位的。
[0017]此外，述第一本體可以相對(duì)于所述第二本體可移除地連接，并且所述第一本體可以相對(duì)于所述第二本體通過(guò)可移除的緊固件可移除地連接。所述緊固件位于相對(duì)所述第一本體具有重疊關(guān)系的所述第二本體的外圍邊緣。其可位于所述第二本體的至少一個(gè)第二孔中。
[0018]此外，所述第二本體可以相對(duì)于所述第一本體可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接。所述第一本體或所述第二本體中的一個(gè)相對(duì)于所述第一本體或所述第二本體中的另一個(gè)的第一量或第一方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)所述第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔基本對(duì)齊。并且，所述第一本體或所述第二本體中的一個(gè)相對(duì)于所述第一本體或所述第二本體中的另一個(gè)的第二量或第二方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起至少一個(gè)第一孔與所有的所述第二孔的錯(cuò)位。所述第一孔和所述第二孔可以具有不同的尺寸。
[0019]根據(jù)另一實(shí)施例，襯托器包括:具有以第一樣式布置的第一孔的第一本體；以及具有以第二樣式布置的第二孔的第二本體，其中:所述第二本體相對(duì)于所述第一本體轉(zhuǎn)動(dòng)，所述第二本體的第一量或第一方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔基本對(duì)齊；以及所述第二本體的第二量或第二方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔的錯(cuò)位。所述第一樣式與所述第二樣式可以是不同的。
[0020]所述第一樣式可以具有在所述第一孔的相鄰孔之間的第一間隔，并且所述第二樣式可以具有在所述第二孔的相鄰孔之間的第二間隔，并且其中，所述第一間隔不同于所述第二間隔。所述第一樣式和所述第二樣式可以是具有所述第一間隔和所述第二間隔中不同間隔的徑向樣式。
[0021]所述第一本體的位置是固定的。此外，所述第二本體可以相對(duì)于所述第一本體可移除地連接。所述第二孔可以位于所述第一區(qū)域中，并且沒(méi)有所述第二孔位于所述第二本體的第二區(qū)域中。此外，所述第一區(qū)域可為所述第二本體的中央?yún)^(qū)域或邊緣區(qū)域中的一個(gè)，并且所述第二區(qū)域可為所述第二本體的中央?yún)^(qū)域或邊緣區(qū)域中的另一個(gè)。
[0022]根據(jù)另一實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體器件的至少一部分的方法，包括:提供包括襯托器的加工裝置；將晶片放置在所述襯托器上；以及將氣體引入至包括所述晶片和所述襯托器的加工裝置的位置。
[0023]所述襯托器包括:包括多個(gè)第一孔的第一本體；以及包括多個(gè)第二孔的第二本體，其中:所述第二本體與所述第一本體隔開(kāi)以形成間隙，所述間隙允許氣體從所述第二孔流至所述第一孔，以及所述第二本體具有第一表面和第二表面，所述第二表面在所述第一表面和所述第一本體之間，其中，所述第二孔在所述第二本體的第一表面和所述第二本體的第二表面之間延伸。所述半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)部分可包括晶片并且所述氣可為排出氣體或清潔氣體。
[0024]根據(jù)另一實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體器件的至少一部分的方法，包括:提供包括襯托器的加工裝置；將晶片放置在所述襯托器上；以及將氣體引入至包括所述晶片和所述襯托器的加工裝置的位置。
[0025]所述襯托器包括:具有以第一樣式布置的第一孔的第一本體；以及具有以第二樣式布置的第二孔的第二本體，其中:所述第二本體相對(duì)于所述第一本體轉(zhuǎn)動(dòng)，所述第二本體的第一量或第一方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔基本對(duì)齊；以及所述第二本體的第二量或第二方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔的錯(cuò)位。所述半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)部分可包括晶片，并且所述氣體可為排出氣體或清潔氣體。
[0026]本發(fā)明的有益效果
[0027]根據(jù)實(shí)施例，滑移位錯(cuò)、邊緣應(yīng)力、MCLT、自摻雜和暈圈可被控制。此外，外延反應(yīng)器的操作成本可被降低。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1示出了外延反應(yīng)器的一個(gè)實(shí)施例；
[0029]圖2示出了圖1中的襯托器的橫截面圖；
[0030]圖3至圖6示出了如何在襯托器的本體之間形成間隙；
[0031]圖7示出了襯托器的孔的傾斜角的圖示；
[0032]圖8示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的第二本體；
[0033]圖9示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的第一本體；
[0034]圖10示出了具有第一布置的孔的襯托器；
[0035]圖11示出了具有第二布置的孔的襯托器；
[0036]圖12示出了具有在第二本體的邊緣部位中的孔的襯托器；
[0037]圖13示出了具有在第二本體的中央部分的孔的襯托器；
[0038]圖14示出了用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
【具體實(shí)施方式】
[0039]圖1示出了外延反應(yīng)器的第一實(shí)施例，該外延反應(yīng)器包括一個(gè)或多個(gè)升降銷1、升降銷支撐軸2以及葉片(blade) 5。葉片5被用于將晶片6裝載至反應(yīng)器和從反應(yīng)器卸載晶片6。當(dāng)葉片被取出時(shí)，升降銷支撐軸2向上推動(dòng)升降銷I從晶片的下表面支撐晶片。當(dāng)包括有多個(gè)升降銷時(shí)，升降銷I被彼此隔開(kāi)以提供晶片的支撐。
[0040]該反應(yīng)器還包括襯托器3。如圖所示，晶片6被放置在襯托器3上。當(dāng)運(yùn)行外延反應(yīng)器時(shí)，襯托器3加熱晶片6。襯托器支撐軸4在向上和向下的方向中移動(dòng)襯托器,并從襯托器3的下側(cè)支撐襯托器3。根據(jù)如圖2所示的一個(gè)實(shí)施例，襯托器3可包括兩個(gè)部分，SP，用作主框架的第一本體31和放置在第一本體31上或上方的第二本體32。
[0041]在運(yùn)行中，當(dāng)葉片5將晶片6裝載至外延反應(yīng)器時(shí)，升降銷I向上移動(dòng)以支撐晶片
6。然后，葉片5被移除。此后，升降銷I向下移動(dòng)并且晶片6被放置在被襯托器支撐軸4支撐的襯托器3上。隨后，進(jìn)行包括襯托器加熱過(guò)程的一系列的處理以生長(zhǎng)單晶層。
[0042]圖2示出了圖1中襯托器3的橫截面圖。如圖所示，晶片6被放置在第二本體32上方并且第一本體31從第二本體32的下側(cè)支撐第二本體32。襯托器3具有升降銷孔以允許升降銷I的豎直運(yùn)動(dòng)。第一本體31可設(shè)有向下凹陷的座部件38，并且第二本體32可相鄰該座部分設(shè)置。第一本體31和第二本體32包括孔33和孔34以允許氣體運(yùn)動(dòng)至其下偵U?？?3和孔3降低或抑制了自摻雜和暈圈。
[0043]固定元件可被提供用于相對(duì)于第一本體31將第二本體32固定在預(yù)定位置。固定元件可包括固定銷35。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該固定銷35被裝配在第二本體32的孔和第一本體31的凹部中以從而固定第一本體31和第二本體32之間的相對(duì)位置。根據(jù)相同的實(shí)施例或另一實(shí)施例，可設(shè)有兩個(gè)固定銷35。如圖2所示，固定銷35可以被布置在第二本體32的邊緣處，從而有利于襯托器3的安裝。
[0044]在運(yùn)行期間，氣體以各種方式可進(jìn)入第二本體32中的孔。例如，晶片6也可以是薄的而不是完全平坦的。在這種情況下，晶片的起伏可產(chǎn)生空間，這些空間可允許過(guò)程氣體(例如，排出氣體、清潔氣體等)在晶片下傳播以進(jìn)入在第二本體中的孔。
[0045]附加地或替代地，來(lái)自熱源的熱可引起晶片暫時(shí)變形，從而創(chuàng)造空間，該空間用于允許氣體進(jìn)入第二本體中的下面的孔。附加地或替代地，第二本體的上表面可以部分地彎曲或全部地彎曲。這將允許在晶片的底表面和第二本體的頂表面之間形成空間，該空間將允許氣體進(jìn)入第二本體的孔。
[0046]附加地或替代地，晶片6的寬度可以不與第二本體的寬度同等延伸。因此，沿第二本體的外圍邊緣的孔可以未被晶片覆蓋，從而允許氣體進(jìn)入第二本體的孔。
[0047]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，在第一本體31和第二本體32之間可以存在一定的間隙。因此，排出到第二本體32的下側(cè)的氣體能夠在第一本體31和第二本體32之間流動(dòng)。第一本體31和第二本體32之間流動(dòng)的氣體可通過(guò)第一本體31被排出。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,第一本體31和第二本體32之間的間隙結(jié)構(gòu)可具有彎曲的表面。在其它實(shí)施例中，間隙結(jié)構(gòu)可以具有平坦的或不同形狀的表面。
[0048]圖3至圖6示出了用于保持襯托器的第一本體和第二本體之間的一定的間隙的各種結(jié)構(gòu)的橫截面圖。參照?qǐng)D3，第一本體41具有凸頂表面，第二本體42具有凸底表面。凸頂表面和凸底表面彼此相向。利用這樣的結(jié)構(gòu)，氣體能夠在第一本體41和第二本體42的曲表面之間的空間內(nèi)流動(dòng)。
[0049]參照?qǐng)D4,第一本體51具有凹頂表面,第二本體52具有凹底表面,該凹底表面面向第一本體的凹表面。利用該結(jié)構(gòu)，氣體能夠在第一本體51和第二本體52的表面之間的空間內(nèi)流動(dòng)。[0050]參照?qǐng)D5，第一本體61具有平坦的頂表面，第二本體62具有凸底表面，該凸底表面面向第一本體的平坦的頂表面。利用該結(jié)構(gòu)，氣體能夠在第一本體61和第二本體62的相對(duì)表面之間的空間內(nèi)流動(dòng)。
[0051]參照?qǐng)D6，第一本體71具有平坦的頂表面，第二本體72具有凹底表面，該凹底表面面向第一本體的平坦的頂表面。對(duì)于這種結(jié)構(gòu)，氣體能夠在第一本體71和第二本體72的相對(duì)表面之間的空間內(nèi)流動(dòng)。
[0052]根據(jù)另一實(shí)施例，第二本體可具有平坦的底表面，第一本體可具有凹頂表面或凸頂表面。此外，在該情況下，反應(yīng)氣體能夠第一本體和第二本體之間的空間內(nèi)有效地流動(dòng)，由此抑制自摻雜和暈圈，并減輕熱應(yīng)力。
[0053]根據(jù)任一個(gè)前述實(shí)施例，第一本體和第二本體中的孔33和孔34可以具有預(yù)定的尺寸。例如，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，孔33 (也稱為第一孔)可具有范圍為約0.3mm至約IOmm的尺寸，孔34 (也稱為第二孔)可具有范圍為約0.3mm至約1.5mm的尺寸。
[0054]如果孔34小于孔33，能夠降低或消除由熱應(yīng)力從孔34直接施加到晶片的損害(在該實(shí)施例中，孔34恰好被設(shè)置在晶片的底表面的下方)?？椎某叽绾蛽p害之間的關(guān)系可以成正比，即孔的尺寸降低，則來(lái)自熱應(yīng)力的損害降低。
[0055]為了防止自摻雜，孔33和孔34可被布置在預(yù)定的部位。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，預(yù)定的部位從襯托器3的一部分延伸至襯托器3的中央或中央部位，所述襯托器3的一部分從晶片的邊緣向內(nèi)間隔一定量(約2mm)。
[0056]現(xiàn)將更詳細(xì)地描述孔33和孔34被設(shè)置在其中的部位。第一本體中的孔33可從第一本體31的一部分開(kāi)始被布置，所述第一本體31的一部分從第一本體31的邊緣徑向向內(nèi)間隔約50mm。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第二本體中的孔34被布置在相應(yīng)于第二本體32的整個(gè)部位中。替代地，孔33可從在第一本體31的一部分開(kāi)始被布置，所述第一本體31的一部分從第一本體31的邊緣徑向向內(nèi)間隔約80mm，并且孔34可從第二本體32的一部分開(kāi)始被布置，所述第二本體32的一部分從第二本體32的邊緣徑向向內(nèi)間隔約20_。根據(jù)該配置，第一本體的孔布置在其中的部位和第二本體的孔布置在其中的部位不會(huì)降低氣體的釋能效率。
[0057]雖然在前述實(shí)施例中，第一本體和第二本體中的孔33和孔34被布置在第一本體31和第二本體32中,但是在其它實(shí)施例中,第一本體31和第二本體32均可以不具有孔。
[0058]此外，在任一前述實(shí)施例或無(wú)孔的實(shí)施例中，第一本體和第二本體可被形成以使得第二本體32可以用新的本體32進(jìn)行更換，而無(wú)需更換第一本體31。例如當(dāng)?shù)诙倔w在使用期間產(chǎn)生了磨損，但第一本體仍然處于良好狀態(tài)時(shí)，這可以證明是有益的。形成第一本體和第二本體，使得第二本體是可更換的，該方式減輕了必須更換整個(gè)襯托器的不便和成本。
[0059]在無(wú)孔的實(shí)施例中，當(dāng)無(wú)法實(shí)現(xiàn)在襯托器中通過(guò)孔排出的氣體的能力時(shí)，可證明僅僅獨(dú)立地更換襯托器的兩個(gè)本體中的一個(gè)的能力是有益的。例如，通過(guò)使用固定元件35可以實(shí)現(xiàn)相對(duì)于第一本體移除第二本體的能力，該固定元件35可以是可移除的以允許在襯托器中的第二本體的更換。
[0060]表I示出了不同的襯托器可產(chǎn)生的效果的實(shí)施例，特別是涉及到第二本體的配置。[0061]表1
[0062]
【權(quán)利要求】
1.一種襯托器，包括: 包括多個(gè)第一孔的第一本體；以及 包括多個(gè)第二孔的第二本體，其中: 所述第二本體與所述第一本體隔開(kāi)以形成間隙， 所述間隙允許氣體從所述第二孔流至所述第一孔，以及 所述第二本體具有第一表面和第二表面，所述第二表面在所述第一表面和所述第一本體之間，其中，所述第二孔在所述第二本體的第一表面和所述第二本體的第二表面之間延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第一孔和所述第二孔是錯(cuò)位的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第一孔和所述第二孔是基本對(duì)齊的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，第一數(shù)目的第一孔與第一數(shù)目的第二孔是基本對(duì)齊的，并且其中第二數(shù)目的第一孔與第二數(shù)目的第二孔是錯(cuò)位的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第一本體具有第一表面和第二表面，所述第二表面在所述第二本體和所述第一本體的第一表面之間，并且其中，所述第一孔在所述第一本體的第一表面和所述第一本體的第二表面之間延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯托器，其中: 所述第一本體的第二表面和所述第二本體的第二表面彼此相向，并且 所述第一本體的第二表面和所述第二本體的第二表面具有不同的橫截面形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯托器，其中，所述橫截面形狀選自由線性的在凸方向上彎曲的形狀以及在凹方向上彎曲的形狀所組成的組。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第一孔和所述第二孔被定向在基本豎直的方向中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第一孔和所述第二孔以不同的角度被定向。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第一孔或所述第二孔中的一個(gè)被定向在基本豎直的方向中，并且所述第一孔或所述第二孔中的另一個(gè)以一個(gè)或多個(gè)傾斜的角度被定向。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中: 第一數(shù)目的第一孔和第一數(shù)目的第二孔以大致第一角度被定向；以及第二數(shù)目的第一孔和第二數(shù)目的第二孔以不同于所述第一角度的一個(gè)或多個(gè)第二角度被定向。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯托器，其中，所述第一角度是豎直的。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯托器，其中，所述第一數(shù)目的第一孔和所述第一數(shù)目的第二孔是基本對(duì)齊的，并且其中所述第二數(shù)目的第一孔和所述第二數(shù)目的第二孔是錯(cuò)位的。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第一本體相對(duì)于所述第二本體可移除地連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的襯托器，其中，所述第一本體相對(duì)于所述第二本體通過(guò)可移除的緊固件可移除地連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的襯托器，其中，所述緊固件位于相對(duì)所述第一本體具有重疊關(guān)系的所述第二本體的外圍邊緣。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的襯托器，其中，所述緊固件位于所述第二本體的至少一個(gè)第二孔中。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第二本體相對(duì)于所述第一本體可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的襯托器，其中: 所述第一本體或所述第二本體中的一個(gè)相對(duì)于所述第一本體或所述第二本體中的另一個(gè)的第一量或第一方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)所述第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔基本對(duì)齊；以及 所述第一本體或所述第二本體中的一個(gè)相對(duì)于所述第一本體或所述第二本體中的另一個(gè)的第二量或第二方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起至少一個(gè)第一孔與所有的所述第二孔錯(cuò)位。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第一孔和所述第二孔具有不同的尺寸。
21.—種襯托器,包括: 具有以第一樣式布置的第一孔的第一本體；以及 具有以第二樣式布置的第二孔的第二本體，其中: 所述第二本體相對(duì)于所述第一本體轉(zhuǎn)動(dòng)， 所述第二本體的第一量或第一方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔基本對(duì)齊；以及 所述第二本體的第二量或第二方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔錯(cuò)位。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的襯托器，其中，所述第一樣式與所述第二樣式不同。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯托器，其中，所述第一樣式在所述第一孔的相鄰孔之間具有第一間隔，并且所述第二樣式在所述第二孔的相鄰孔之間具有第二間隔，并且其中，所述第一間隔不同于所述第二間隔。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的襯托器，其中，所述第一樣式和所述第二樣式是具有所述第一間隔和所述第二間隔中不同間隔的徑向樣式。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的襯托器，其中，所述第一本體的位置是固定的。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的襯托器，其中，所述第二本體相對(duì)于所述第一本體可移除地連接。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其中，所述第二孔位于所述第一區(qū)域中，并且沒(méi)有所述第二孔位于所述第二本體的第二區(qū)域中。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的襯托器，其中，所述第一區(qū)域?yàn)樗龅诙倔w的中央?yún)^(qū)域或邊緣區(qū)域中的一個(gè)，并且所述第二區(qū)域?yàn)樗龅诙倔w的中央?yún)^(qū)域或邊緣區(qū)域中的另一個(gè)。
29.一種制造半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)部分的方法，包括: 提供包括襯托器的加工裝置； 將晶片放置在所述襯托器上；以及 將氣體引入至包括所述晶片和所述襯托器的加工裝置的位置，其中，所述襯托器包括: 包括多個(gè)第一孔的第一本體；以及 包括多個(gè)第二孔的第二本體，其中: 所述第二本體與所述第一本體隔開(kāi)以形成間隙， 所述間隙允許氣體從所述第二孔流至所述第一孔，以及 所述第二本體具有第一表面和第二表面，所述第二表面在所述第一表面和所述第一本體之間，其中，所述第二孔在所述第二本體的第一表面和所述第二本體的第二表面之間延伸。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)部分包括晶片。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，所述氣體為排出氣體或清潔氣體。
32.—種制造半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)部分的方法，包括: 提供包括襯托器的加工裝置； 將晶片放置在所述襯托器上；以及 將氣體引入至包括所述晶片和所述襯托器的加工裝置的位置，其中，所述襯托器包括: 具有以第一樣式布置的第一孔的第一本體；以及 具有以第二樣式布置的第二孔的第二本體，其中: 所述第二本體相對(duì)于所述第一本體轉(zhuǎn)動(dòng)， 所述第二本體的第一量或第一方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔基本對(duì)齊；以及 所述第二本體的第二量或第二方向的轉(zhuǎn)動(dòng)引起一個(gè)或多個(gè)第一孔與一個(gè)或多個(gè)第二孔錯(cuò)位。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)部分包括晶片。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，所述氣體為排出氣體或清潔氣體。
【文檔編號(hào)】C23C16/458GK103765573SQ201280041809
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月26日
【發(fā)明者】姜侑振, 丘榮洙 申請(qǐng)人:Lg矽得榮株式會(huì)社