一種對沉積薄膜反應腔室的處理方法及沉積薄膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種對沉積薄膜反應腔室的處理方法及沉積薄膜的方法所述反應腔室的處理方法包括：對反應腔室進行預清洗；選用O2等離子體對所述反應腔室進行處理，以增加所述反應腔室頂部的面板與待沉積的材料之間的粘附力。所述改善半導體器件中掩埋顆粒缺陷的方法為在反應腔室處理完成之后在晶片上沉積低K介電材料。在本發(fā)明中在適應沉積處理之前選用O2等離子體對所述腔室進行處理，將所述反應腔室中面板上的鋁氧化為氧化鋁，形成凸起多孔的表面，增大了所述面板的摩擦力，增加了所述面板與待沉積的低K材料層之間的粘附力，避免了在薄膜沉積過程中形成掩埋顆粒缺陷和凸起缺陷，器件的良率得到很大程度的提高。
【專利說明】一種對沉積薄膜反應腔室的處理方法及沉積薄膜的方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體領域，具體地，本發(fā)明涉及一種對沉積薄膜反應腔室的處理方法及沉積薄膜的方法。

【背景技術】
[0002]隨著MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管)裝置尺寸的不斷減小，半導體制作工藝已經(jīng)進入深亞微米時代，且向超深亞微米發(fā)展，然而隨著集成電路密度不斷提高的結果，對半導體器件的性能以及穩(wěn)定性也提出了更高的要求。
[0003]現(xiàn)有技術中制備各種器件薄膜系統(tǒng)如圖3所示，其中，所述沉積系統(tǒng)包括用于提供反應氣體的氣體噴頭組件12、面板11、升舉針(lift pin) 15，晶片16位于所述升舉針(lift pin)15上，反應氣體通過所述氣體噴頭組件12將氣體通入進行反應，由于所述面板11與所述薄膜之間的粘附力較小，通過檢測發(fā)現(xiàn)在制備得到的薄膜的表面會出現(xiàn)各種掩埋顆粒缺陷(Buried particle defects),進一步，所述掩埋的顆粒缺陷(Buried particledefects)通常是在超低K材料層(ULK)沉積過程中形成的,但是所述爆米花狀的凸起缺陷(Popcorn defects)在多孔低K材料層(porous low k film)中并不會出現(xiàn)，因為多孔材料的表面具有很多凹凸不平的微孔，與所述反應腔室頂部的金屬面板具有較好的粘附力，在沉積過程中在面板上形成的多孔低K材料顆粒不會掉落到晶片16上，而在低K材料層(LK)和超低K材料層(ULK)沉積過程中則會出現(xiàn)所述爆米花狀的凸起，由此可以判斷所述低K材料層(LK)薄膜和金屬面板(metal face plate)之間的粘附力很差，在所述面板上形成低K材料層(LK)后在沉積過程中部分跌落到所述晶片16上，從而形成爆米花狀的凸起缺陷。
[0004]現(xiàn)有技術中為了解決上述問題，通常以遠程等離子體(Remoting plasma) 10來清潔所述反應腔室，然后進行干燥步驟，但效果不夠理想，由于所述金屬和超低K材料層之間粘附性仍然很差，還會出現(xiàn)掩埋顆粒缺陷(Buried particle defects),導致器件性能降低。如圖1-2所示，通過現(xiàn)有方法制備得到的薄膜中具有很多的顆粒缺陷，嚴重影響了器件的性能。
[0005]因此,要解決器件制備工藝中出現(xiàn)的掩埋顆粒缺陷(Buried particle defects),必須提高金屬和沉積薄膜層(超低K材料層)之間的粘附性，但現(xiàn)有技術中的各種技術手段都不能很好的解決該問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。
[0007]本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種對沉積薄膜反應腔室的處理方法，包括:
[0008]對反應腔室進行預清洗；
[0009]選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理，以增加所述反應腔室頂部的面板與待沉積的材料之間的粘附力。
[0010]作為優(yōu)選，所述待沉積的材料為低K介電材料。
[0011]作為優(yōu)選，在所述低K介電材料沉積之前，還包括在所述反應腔室內(nèi)進行適應沉積處理的步驟，以在所述晶片和所述面板表面形成預沉積薄膜。
[0012]作為優(yōu)選，所述方法還包括選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理的步驟，以增加所述預沉積薄膜與待沉積的所述低K介電材料之間的粘附力。
[0013]作為優(yōu)選，所述面板選用金屬招合金材料。
[0014]作為優(yōu)選，選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理，將所述金屬鋁合金中的鋁氧化為Al2O3O
[0015]作為優(yōu)選，所述選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理時的功率為100-200W。
[0016]作為優(yōu)選，所述選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理時的流量為300_4000sccmo
[0017]作為優(yōu)選，所述選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理時的壓力為l_7t0rr。
[0018]作為優(yōu)選，所述選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理時的功率為
100-200wo
[0019]作為優(yōu)選，所述選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理時的流量為300_4000sccmo
[0020]作為優(yōu)選，所述選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理時的壓力為l_7t0rr。
[0021]作為優(yōu)選，所述預沉積薄膜為低K介電材料。
[0022]作為優(yōu)選，所述適應沉積處理中選用二乙氧基甲基矽烷和O2作為反應氣體。
[0023]作為優(yōu)選，所述二乙氧基甲基矽烷和O2的流量為0.1:10-1:0.5。
[0024]作為優(yōu)選,所述預清洗步驟中選用NF3。
[0025]本發(fā)明還提供了一種沉積薄膜的方法，包括上述的對沉積薄膜反應腔室的處理方法，所述沉積薄膜的方法還包括:在晶片上沉積待沉積的材料。
[0026]在本發(fā)明中在適應沉積處理之前選用氧等離子體對所述腔室進行處理，將所述反應腔室中面板上的鋁氧化為氧化鋁，形成凸起多孔的表面，增大了所述面板的摩擦力，增加了所述面板與待沉積的低K材料層之間的粘附力，在進行適應沉積處理之后進一步對該步驟中形成的薄膜和腔室進行氧等離子體處理，增強了所述薄膜的氧化性，增強了適應沉積處理中形成的薄膜和待沉積薄膜之間的粘附力，避免了在低K材料沉積過程中形成掩埋顆粒缺陷(Buried particle defects)和凸起缺陷(Popcorn defects)。通過對比圖1-2和圖4-5可以看出，相對于現(xiàn)有技術方法制備得到的器件，本發(fā)明所述方法制備得到的器件的缺陷幾乎可以忽略，器件的良率得到很大程度的提高，具有非常明顯的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0028]圖1-2為現(xiàn)有技術中制備得到的薄膜中缺陷示意圖；
[0029]圖3為薄膜沉積系統(tǒng)的結構示意圖；
[0030]圖4-5制備得到的薄膜中缺陷示意圖；
[0031]圖6所述制備薄膜的方法的流程示意圖。

【具體實施方式】
[0032]在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。
[0033]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的描述，以說明本發(fā)明所述改善薄膜沉積時顆粒缺陷的方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限于半導體領域的技術人員所熟習的特殊細節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0034]應予以注意的是，這里所使用的術語僅是為了描述具體實施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復數(shù)形式。此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0035]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。然而，這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性實施例的構思充分傳達給本領域普通技術人員。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標記表示相同的元件，因而將省略對它們的描述。
[0036]本發(fā)明提供了一種改善薄膜沉積中掩埋顆粒缺陷(Buried particle defects)的方法，具體地，首先請參照圖3，圖3為本發(fā)明的一【具體實施方式】所述沉積薄膜的系統(tǒng)，在本發(fā)明的一【具體實施方式】中所述沉積系統(tǒng)可以為CVD (化學氣相沉積)、PECVD (等離子體輔助化學氣相沉積)，但并不局限于所述沉積系統(tǒng)，在所述沉積系統(tǒng)中包含用于沉積各種薄膜的腔室，所述腔室包括側壁和底壁，以界定出處理區(qū)域，在腔室的頂部設置有面板11，在所述面板11上設有多個穿過所述面板11的多個氣體噴頭組件12，用于將反應氣體、清洗氣體和載氣輸送至所述處理區(qū)域，在所述反應腔室的底部設置有抽氣系統(tǒng)14，在所述反應腔室內(nèi)設置有升舉針(lift pin) 15，晶片16位于所述升舉針(lift pin) 15上，并且所述升舉針15和所述晶片16之間還設有加熱器座(圖中未示出)，反應氣體通過所述氣體噴頭組件12將氣體通入進行反應，以在所述晶片16上形成各種薄膜。
[0037]此外，所述沉積系統(tǒng)還進一步包含驅(qū)動系統(tǒng)，所述驅(qū)動系統(tǒng)用于帶動所述升舉針15 (lift pin),實現(xiàn)所述升舉針15 (lift pin)、加熱器座以及晶片16的上下移動。
[0038]現(xiàn)有技術中所述面板11大都選用金屬鋁合金材料，所述金屬鋁合金材料和超低K材料層之間的粘附力較小，因而不可避免的會發(fā)生類似爆米花的凸起缺陷(Popcorndefects)。
[0039]本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種對沉積薄膜反應腔室的處理方法，包括:
[0040]對反應腔室進行預清洗；
[0041]選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理，以增加所述反應腔室頂部的面板與待沉積的材料之間的粘附力。
[0042]需要說明的是，所述反應腔室的處理方法與所要沉積的材料沒有關系，沉積任何材料均可以加入對所述反應腔室進行預處理的步驟，以提高沉積材料的表面性能，但是由于低K材料與所述反應腔室頂部的面板粘附力較差，因此在沉積所述低K材料時進行反應腔室處理后效果更加明顯，器件良率更高。為此，在下面的描述中均以沉積低K材料或者超低K材料為例，說明本發(fā)明腔室處理方法以及改善掩埋顆粒缺陷的方法。
[0043]為改善掩埋顆粒缺陷，可以對反應腔室進行預清洗；然后選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理，以增加所述反應腔室頂部的面板11與待沉積的低K介電材料之間的粘附力；最后在晶片16上沉積所述低K介電材料。
[0044]本發(fā)明的一【具體實施方式】所述薄膜制備方法中，首先對所述反應腔室進行預清洗處理，所述腔室的預清洗處理可以是周期性的或者閑置期間進行，以降低所述沉積系統(tǒng)中微粒的污染，所述腔室的預清洗可以選用遠程等離子體源所產(chǎn)生的遠程等離子體(Remoting plasma)進行預清洗。所述等離子體通過等離子體源產(chǎn)生,所述遠程等離子體源可以設置于所述反應腔室附近，遠程等離子體源產(chǎn)生遠程等離子體后通過所述氣體噴頭組件12進入所述反應腔室，并進入處理區(qū)域，對所述腔室進行清洗處理?；蛘咚鲞h程等離子體源與所述反應腔室通過氣體噴頭組件12以外的氣體通道相連通，遠程等離子體源產(chǎn)生遠程等離子體后通入到所述反應腔室內(nèi)，對所述反應腔室進行預清洗。
[0045]其中，為了得到更好的效果，在本發(fā)明的一【具體實施方式】中通過選用載氣將所述等離子體輸入到所述腔室中，所述載氣可以為氦氣、氮氣、氬氣等惰性氣體，還可以為氫氣、氧氣等，所述遠程等離子體可以選用氯、氟或其化合物，例如NF3、CF4、SF6、C2F6、CC14等，優(yōu)選為NF3遠程等離子體對所述腔室進行清洗。作為優(yōu)選，盡量縮短所述等離子體源和所述腔室的距離，以提高所述等離子體的存活時間，提高所述等離子體的清洗效果。
[0046]在腔室預清洗的步驟中，還可以對所述腔室進行加熱，以提高清洗效果，選用遠程等離子體進行預清洗的條件為:在l_5t0rr的壓力下，在所述腔室溫度為200-400°C下進行5_40s,所述等離子體的流速為300_900sccm。
[0047]在對所述反應腔室進行預清洗之后，可以將所述遠程等離子體保留在所述腔室內(nèi)或者通過所述抽氣系統(tǒng)14抽出，然后通過氧等離子體對所述反應腔室進行處理，特別是所述反應腔室中的面板11進行處理，以使所述面板11中的Al變?yōu)锳l2O3,以增加所述面板11和待沉積薄膜，特別是超低K材料薄膜(ULK)之間的粘附力。
[0048]具體地，所述氧等離子體的產(chǎn)生方法可以選用本領域常用的方法，例如在本發(fā)明的一實施例中選用空氣或者含有氧氣的氣體作為工作氣體，然后在所述等離子體源中進行等離子化，選用氧等離子體處理所述腔室時所述氧等離子體處理的壓力為l_7torr，優(yōu)選為2-5torr，所述O2的流速為300-4000sccm，優(yōu)選為500_800sccm，所述功率為100_2000w，例如將所述高頻射頻功率設置為10w以上，產(chǎn)生等離子體以對所述腔室進行處理。
[0049]作為優(yōu)選，為了獲得更好的處理效果，在本發(fā)明的一【具體實施方式】中可以對所述腔室進行加熱，以提高氧等離子體的處理溫度，在一【具體實施方式】中所述氧等離子體的處理溫度為500C _550°C之間，優(yōu)選為50-100°C，處理時間為0.5-5小時，優(yōu)選為0.5-1小時，所述參數(shù)均為本發(fā)明的一【具體實施方式】的優(yōu)選實施方式，并不局限于該數(shù)值范圍，本領域技術人員可以根據(jù)實際需要進行選擇，同樣可以實現(xiàn)本發(fā)明的目的。
[0050]在本發(fā)明的一【具體實施方式】中所述反應腔室中的金屬鋁面板經(jīng)過氧等離子體處理后，表面形態(tài)發(fā)生了變化，所述面板11中的鋁被氧化為氧化鋁，在面板11的表面生成了一層氧化鋁薄層，觀察其形態(tài)可以看出，所述面板11的表面形成了熔化凝固狀的凸起以及位于凸起之間的空洞，呈現(xiàn)粗糙多孔的狀態(tài)，從而使所述面板11表面更加粗糙，增加了所述面板11和適應沉積處理中形成的預沉積薄膜(例如ULK薄膜)之間的粘附力，以防止所述預沉積薄膜在低K材料沉積過程中掉落到所述晶片16上，進而防止在低K材料沉積時凸起缺陷的形成，提聞器件的良率。
[0051]接著對進行預清洗和氧等離子體處理后的腔室進行適應沉積處理(seasonstep)，首先將所述和氧等離子體通過抽氣系統(tǒng)14排出所述反應腔室，然后進行適應沉積處理，以在形成處理區(qū)域的腔室組件上沉積一層預沉積薄膜，包括所述面板11以及升舉針15等組件，從而將殘留的污染物密封其中，并降低污染水平。作為優(yōu)選，適應沉積處理通常包括將一預沉積薄膜涂覆于腔室中用于界定處理區(qū)域的內(nèi)表面上。
[0052]在適應沉積處理中，可以選用與適應沉積處理后在腔室內(nèi)進行沉積處理所使用的氣體化合物進行處理，將預沉積薄膜沉積在腔室的表面，在適應沉積處理中將反應氣體通入腔室內(nèi)，射頻提供射頻能量以激發(fā)前驅(qū)物并進行沉積。作為優(yōu)選，在本發(fā)明的一【具體實施方式】中選用二乙氧基甲基砂燒C5H14O2Si (Diethoxymethylsiliane, DEMS)和氧等離子體對所述腔室進行適應性沉積，以在所述腔室中形成超低K材料層。
[0053]作為優(yōu)選，在本發(fā)明的一【具體實施方式】中為了進一步提高適應沉積處理效果，改變現(xiàn)有技術中反應氣體的組成，提高反應氣體中氧等離子體的含量，以進一步避免腔室中雜質(zhì)離子的殘留，具體地，優(yōu)選所述二乙氧基甲基矽烷C5H14O2Si(Diethoxymethyl si liane, DEMS )和氧等離子體的流量為 0.1:10-1:0.5。
[0054]此外，在所述適應沉積處理中對所述反應氣體的流速進行調(diào)整，以維持與常規(guī)適應沉積處理相同的沉積速度，使得可在與常規(guī)適應沉積處理相同的時間內(nèi)形成所期望的預沉積薄膜，因而可以進一步避免微粒的產(chǎn)生，在本發(fā)明的一【具體實施方式】中可以對所述反應腔室進行15-45s的適應沉積處理，優(yōu)選20s，所述沉積速率為500-900埃/分鐘，優(yōu)選為800-900埃/分鐘。
[0055]執(zhí)行適應沉積處理后，為了進一步提高所述適應沉積處理中形成的預沉積薄膜(例如優(yōu)選的超低K材料)與待沉積超低K材料層之間的粘附力，選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理，以氧化所述預沉積薄膜(例如優(yōu)選的超低K材料)，提高所述預沉積薄膜的氧化性，同時對所述反應腔室再次進行氧等離子體處理，增加了所述預沉積薄膜和待沉積超低K材料層之間的粘附力，避免所述預沉積薄膜上沉積的超低K材料掉落到所述晶片16上，降低待沉積超低K材料層沉積時產(chǎn)生缺陷的可能性，提高器件的良率。
[0056]作為優(yōu)選，在該步驟中所述氧等離子體的產(chǎn)生方法可以選用本領域常用的方法，例如在本發(fā)明的一實施例中選用空氣或者含有氧氣的氣體作為工作氣體，然后在所述等離子體源中進行等離子化，所述氧等離子體處理的壓力為l_7torr，優(yōu)選為2-5torr，所述O2的流速為300-4000sccm，優(yōu)選為500-800sccm，所述功率為100_2000w，例如將所述高頻射頻功率設置為10w以上，產(chǎn)生等離子體，以對所述腔室和所述超低K材料層進行處理。
[0057]作為優(yōu)選，為了獲得更好的處理效果，在本發(fā)明的一【具體實施方式】中可以對所述腔室進行加熱，以提高氧等離子體的處理溫度，在一【具體實施方式】中所述氧等離子體的處理溫度為500C _550°C之間，優(yōu)選為50-100°C，處理時間為0.5-5小時，優(yōu)選為0.5-1小時，所述參數(shù)均為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，并不局限于該數(shù)值范圍，本領域技術人員可以根據(jù)實際需要進行選擇，同樣可以實現(xiàn)本發(fā)明的目的。
[0058]通過該步驟的處理，在適應性沉積過程中所形成的預沉積薄膜(超低K材料層)被所述氧等離子體氧化，提高了該預沉積薄膜(超低K材料層)的氧化性，增強了所述預沉積薄膜(超低K材料層)和要繼續(xù)沉積的超低K材料層之間的粘附力。
[0059]在本發(fā)明的一【具體實施方式】中在適應沉積處理之前選用氧等離子體對所述腔室進行處理，將所述反應腔室中面板11上的鋁氧化為氧化鋁，形成凸起多孔的表面，增大了所述面板11的摩擦力，增加了所述面板11與待沉積的低K材料層之間的粘附力，在進行適應沉積處理之后進一步對該步驟中形成的預沉積薄膜和腔室進行氧等離子體處理，增強了所述預沉積薄膜的氧化性，增強了適應沉積處理中形成的預沉積薄膜和待沉積薄膜之間的粘附力，避免了在低K材料沉積過程中形成掩埋顆粒缺陷(Buried particle defects)和類似爆米花的凸起缺陷(Popcorn defects)。通過對比圖1_2和圖4_5可以看出，相對于現(xiàn)有技術方法制備得到的器件，所述方法制備得到的器件的缺陷幾乎可以忽略，器件的良率得到很大程度的提高，具有非常明顯的效果。
[0060]參照圖6，其中示出了本發(fā)明中一【具體實施方式】的工藝流程圖，具體地包括以下步驟:
[0061]步驟201對反應腔室進行預清洗；
[0062]步驟202選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理，以增加所述反應腔室頂部的面板與待沉積的低K介電材料之間的粘附力；
[0063]步驟203在所述反應腔室內(nèi)進行適應沉積處理的步驟，以在所述晶片表面形成一預沉積薄膜；
[0064]步驟204選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理，以增加所述預沉積薄膜與待沉積的所述低K介電材料之間的粘附力；
[0065]步驟205在晶片上沉積所述低K介電材料。
[0066]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領域技術人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權利要求書及其等效范圍所界定。
【權利要求】
1.一種對沉積薄膜反應腔室的處理方法，包括: 對反應腔室進行預清洗； 選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理，以增加所述反應腔室頂部的面板與待沉積的材料之間的粘附力。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待沉積的材料為低K介電材料。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述低K介電材料沉積之前，還包括在所述反應腔室內(nèi)進行適應沉積處理的步驟，以在所述晶片和所述面板表面形成預沉積薄膜。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理的步驟，以增加所述預沉積薄膜與待沉積的所述低K介電材料之間的粘附力。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述面板選用金屬鋁合金材料。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理，將所述金屬鋁合金中的鋁氧化為ai2o3。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理時的功率為100-200w。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理時的流量為300-4000sccm。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述選用氧等離子體對所述反應腔室進行處理時的壓力為l_7torr。
10.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理時的功率為100-200w。
11.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理時的流量為300-4000sccm。
12.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述選用氧等離子體對所述預沉積薄膜進行處理時的壓力為l_7torr。
13.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述預沉積薄膜為低K介電材料。
14.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述適應沉積處理中選用二乙氧基甲基矽烷和O2作為反應氣體。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其特征在于，所述二乙氧基甲基矽烷和O2的流量為0.1:10-1:0.5。
16.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預清洗步驟中選用NF3。
17.—種沉積薄膜的方法，包括如權利要求1-16中任何一項所述的對沉積薄膜反應腔室的處理方法，所述沉積薄膜的方法還包括:在晶片上沉積待沉積的材料。
【文檔編號】C23C16/02GK104073775SQ201310100846
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年3月26日 優(yōu)先權日:2013年3月26日
【發(fā)明者】周鳴 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司