本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法、基板處理方法、基板處理裝置、氣化系統(tǒng)和噴霧過濾器，特別是涉及具有使用液體原料來處理半導(dǎo)體晶圓的工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法、基板處理方法以及合適用于這些方法的氣化系統(tǒng)和噴霧過濾器。

背景技術(shù)：
作為半導(dǎo)體裝置的制造工序的工序之一，專利文獻1公開有使用液體原料在基板上成膜的技術(shù)。專利文獻1：日本特開2010-28094號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：
在用液體原料進行成膜等基板處理時，用使液體原料氣化而成為氣體狀態(tài)的原料氣體。但是，用這樣的原料在半導(dǎo)體晶圓上進行成膜的情況下，有時由于氣化不良等，在晶圓上產(chǎn)生微粒。還有時使已氣化的原料氣體再液化，無法高效率地向處理室供給液體原料。本發(fā)明的主要目的在于，提供一種能夠抑制在使用液體原料時所產(chǎn)生的微粒的量、并且能夠高效率地氣化液體原料并向處理室供給的半導(dǎo)體裝置的制造方法、基板處理方法、基板處理裝置、氣化系統(tǒng)和噴霧過濾器。根據(jù)本發(fā)明的一技術(shù)方案，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：向處理室搬入基板的工序；通過使液體原料依次流過氣化器、組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成的噴霧過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中，對上述基板進行處理的工序；以及從上述處理室搬出基板的工序。根據(jù)本發(fā)明的另一技術(shù)方案，提供一種基板處理方法，包括：向處理室搬入基板的工序；通過使液體原料依次流過氣化器、組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成的噴霧過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理的工序；以及從上述處理室搬出基板的工序。根據(jù)本發(fā)明的另一技術(shù)方案，提供一種基板處理裝置，包括：容納基板的處理室；向上述處理室供給處理氣體的處理氣體供給系統(tǒng)；以及對上述處理室進行排氣的排氣系統(tǒng)，上述處理氣體供給系統(tǒng)具有：被供給液體原料的氣化器；以及配置于上述氣化器的下游的噴霧過濾器，上述噴霧過濾器通過組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的另一技術(shù)方案，提供一種氣化系統(tǒng)，包括：被供給液體原料的氣化器；以及配置在上述氣化器的下游的噴霧過濾器，上述噴霧過濾器通過組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的另一技術(shù)方案，提供一種噴霧過濾器，通過組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制在使用液體原料時所產(chǎn)生的微粒的量，并且能夠高效率地氣化液體原料并向處理室供給。附圖說明圖1是用于說明比較用的原料供給系統(tǒng)的簡圖。圖2是用于說明本發(fā)明優(yōu)選的實施方式的原料供給系統(tǒng)的簡圖。圖3是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中合適地使用的噴霧過濾器的立體簡圖。圖4是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中合適地使用的噴霧過濾器的分解立體簡圖。圖5是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中合適地使用的噴霧過濾器的分解立體簡圖。圖6是用于說明使用了比較用的原料供給系統(tǒng)的情況下的微粒的狀況的圖。圖7是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中合適地使用的噴霧過濾器內(nèi)的流速分布的剖視簡圖。圖8是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中合適地使用的噴霧過濾器內(nèi)的壓力分布的剖視簡圖。圖9是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中合適地使用的噴霧過濾器內(nèi)的溫度分布的剖視簡圖。圖10(A)、(B)、(C)是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中合適地使用的噴霧過濾器的變形例的剖視簡圖。圖11(A)、(B)、(C)是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中合適地使用的噴霧過濾器的變形例的剖視簡圖。圖12(A)、(B)是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中合適地使用的噴霧過濾器的變形例的剖視簡圖。圖13是用于說明本發(fā)明優(yōu)選的實施方式的基板處理裝置的縱剖視簡圖。圖14是圖13的AA線橫剖視簡圖。圖15是表示圖13所示的基板處理裝置具有的控制器的結(jié)構(gòu)的框圖。圖16是用于說明使用本發(fā)明優(yōu)選的實施方式的基板處理裝置而制作鋯氧化膜的工藝的流程圖。圖17是用于說明使用本發(fā)明優(yōu)選的實施方式的基板處理裝置而制作鋯氧化膜的工藝的時序圖。符號說明121控制器；150加熱器；200晶圓；201處理室；202處理爐；203反應(yīng)管；207加熱器；217晶舟；218石英蓋；219密封蓋；231排氣管；232a、232b氣體供給管；232c、232e非活性氣體供給管；232d、232g通氣管；241a、241b、241c、241e質(zhì)量流量控制器；243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g閥門；244APC閥門；245壓力傳感器；246真空泵；249a、249b噴嘴；263溫度傳感器；271a氣化器；272a氣體過濾器；300噴霧過濾器；310、340端部板；314、324、334燒結(jié)金屬；320、330板；322、332孔；313、323、333、343空間；328、338平板狀的板；329、339外周部；350噴霧過濾器主體；360加熱器；370氣體路徑；500臭氧發(fā)生器。具體實施方式接下來，說明本發(fā)明優(yōu)選的實施方式。首先，說明適合用于本發(fā)明優(yōu)選的實施方式的基板處理裝置中的原料供給系統(tǒng)。如上所述，在用液體原料進行成膜等基板處理時，用使液體原料氣化而成為氣體狀態(tài)的原料氣體。為了使液體原料氣化，重要在于(1)提高溫度、(2)降低壓力這兩方面。但是，在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，由于裝置結(jié)構(gòu)和工藝條件等存在各種制約，例如，過于提高溫度時有時沒有必要，或無法充分降低壓力，難以制作適當(dāng)?shù)臍饣芫€。如上所述，在用使液體原料氣化而成為氣體狀態(tài)的原料氣體在半導(dǎo)體晶圓上進行成膜等處理的情況下，存在在晶圓上產(chǎn)生微粒這樣的問題、氣化氣體再液化這樣的問題等，本發(fā)明人仔細(xì)研究了該問題，結(jié)果得到了以下的見解。如圖1所示那樣的、在從使液體原料氣化的氣化器271a到處理室201的氣體供給管道232a中設(shè)有氣體過濾器272a的基板處理裝置中，氣體過濾器272a能夠捕集來自氣化器271a的氣化不良的液滴和微粒、來自氣體供給管道232a的微粒。另外，在從氣化器271a到處理室201的氣體供給管道232a中設(shè)有加熱器150而能夠進行加熱。但是，在使用了用氣化器271a難以氣化(蒸氣壓低)的液體原料的情況下或所要求的氣化流量多的情況下，由氣體過濾器272a無法完全地捕集微粒和氣化不良的液滴。若在該狀態(tài)下進行成膜，如圖6所示，在晶圓200上會增加微粒。另外，引起氣體過濾器272a產(chǎn)生堵塞，也成為微粒源。此外，若引起堵塞，則還會產(chǎn)生不得不更換氣體過濾器272a的過濾器這樣的問題。因此，如圖2所示，本發(fā)明人研究出在氣化器271a與氣體過濾器272a之間的氣體供給管道232a上設(shè)置噴霧過濾器(除霧器)300的方案。需要說明的是，通過在從氣化器271a到處理室201的氣體供給管道232a上設(shè)置加熱器150，能夠加熱通過氣體供給管道232a的原料氣體。參照圖3，噴霧過濾器300包括：噴霧過濾器主體350；以及設(shè)于噴霧過濾器主體350的外側(cè)并覆蓋噴霧過濾器主體350的加熱器360。參照圖4、圖5，噴霧過濾器300的噴霧過濾器主體350包括：兩端的端部板310、340；以及配置于端部板310、340間的2種板320、330。在上游側(cè)的端部板310安裝有接頭312。在下游側(cè)的端部板340安裝有接頭342。在端部板310和接頭312內(nèi)形成有氣體路徑311。在端部板340和接頭342內(nèi)形成有氣體路徑341。接頭312和接頭342(氣體路徑311和氣體路徑341)分別連接于氣體供給管道232a。2種板320、330分別設(shè)有多個，交替地配置于端部板310、340之間。板320包括平板狀的板(板部)328和設(shè)于板328的外周的外周部329。在板328上，僅在其外周附近設(shè)有多個孔322。板330包括平板狀的板(板部)338和設(shè)于板338的外周的外周部339。在板338上，僅在其中心附近(與在板328上形成孔322的位置不同的位置)設(shè)有多個孔332。噴霧過濾器300通過組合多個板320和板330而構(gòu)成。板320和板330，除了孔322、332的形成位置之外，形成為相同或大致相同形狀。平板狀的板328和板338俯視呈圓形，除了孔322、332的形成位置之外，形成為相同形狀或大致相同形狀。多個孔322在板328的外周側(cè)以描繪同心圓的方式形成。多個孔332在板338的中心側(cè)，以描繪同心圓的方式形成。在這里，由多個孔322所描繪的圓和由多個孔332所描繪的圓的半徑是不同的。具體而言，由多個孔322所描繪的圓的半徑比由多個孔332所描繪的圓的半徑大。換句話說，在板328上的形成孔322的區(qū)域和在板338上的形成孔332的區(qū)域不同。在各自的區(qū)域中交替地配置(層疊、重合)板320和板330時，在其層疊方向上被設(shè)定在交錯的位置。由此，通過交替地配置板320、330，從噴霧過濾器300的上游側(cè)朝向下游側(cè)，交錯地配置孔322和孔332。即，孔322和孔332從噴霧過濾器300的上游側(cè)朝向下游側(cè)，被配置成互相不重疊。板320、330的外周部329、339的厚度被設(shè)定得比板328、338的厚度大。通過使外周部329、339各自與相鄰的板的外周部329、339接觸，在各板328、338之間形成空間(后述)。此外，外周部329、339相對于板328、338形成在偏置的位置。更具體而言，對于外周部329、339而言，其一方的面(板320和板330的層疊方向上的一方的面)以從板328、338的平面突出的方式形成，另一方的面以位于板328、338的緣部上的方式形成。由此，在層疊板320和板330時，板320的外周部329嵌合于板330的板338的緣部，并且板330的外周部339嵌合于板320的板328的緣部，板320、330互相對齊。通過交替地配置這樣的板320、330，成為錯綜復(fù)雜的氣體路徑370，能夠提高因氣化不良或再液化產(chǎn)生的液滴與被加熱的壁面(板328、338)碰撞的概率。另外，孔322、332的大小取決于噴霧過濾器主體350內(nèi)的壓力，優(yōu)選直徑是1～3mm。下限值的根據(jù)是因為，若孔的大小太小，則會產(chǎn)生堵塞。此外，也可以在設(shè)于板330的孔332中，使設(shè)于中心的孔比其周邊小。液體原料由氣化器271a(參照圖2)氣化而成為氣體狀態(tài)的原料氣體和因氣化不良或再液化產(chǎn)生的液滴，從端部板310和接頭312內(nèi)的氣體路徑311被導(dǎo)入噴霧過濾器主體350內(nèi)，與第1個板320的平板狀的板328的中央部421(未形成孔322的部位)碰撞，之后，通過設(shè)于板328的外周附近的孔322，與第2個板330的平板狀的板338的外周部432(未形成孔332的部位)碰撞，之后，通過設(shè)于板338的中心附近的孔332，與第3個板320的平板狀的板328的中央部422(未形成孔322的部位)碰撞，之后，同樣地依次通過板330、320，通過端部板340和接頭342內(nèi)的氣體路徑341，從噴霧過濾器主體350被導(dǎo)出，向下游的氣體過濾器272a(參照圖2)輸送。噴霧過濾器主體350被加熱器360(參照圖3)從外側(cè)加熱。噴霧過濾器主體350包括多個板320和板330，板320包括平板狀的板328和設(shè)于板328的外周的外周部329，板330包括平板狀的板338和設(shè)于板338的外周的外周部339。板328和外周部329一體地構(gòu)成，板338和外周部339一體地構(gòu)成，所以在噴霧過濾器主體被加熱器360從外側(cè)加熱時，熱高效率地向平板狀的板328、338傳遞。另外，板328和外周部329即使不一體地構(gòu)成，只要是完全地接觸的狀態(tài)，此外，板338和外周部339即使不一體地構(gòu)成，只要是完全地接觸的狀態(tài)，就同樣地使來自加熱器360的熱充分高效率地向板328、338傳遞。在噴霧過濾器主體350，如上所述，因為由多個板320和板330構(gòu)成錯綜復(fù)雜的氣體路徑370，所以能夠不過分增加噴霧過濾器主體350內(nèi)的壓力損失地，提高經(jīng)氣化而成為氣體狀態(tài)的原料氣體以及因氣化不良或再液化產(chǎn)生的液滴的、向被加熱的平板狀的板328、338的碰撞概率。并且，因氣化不良或再液化產(chǎn)生的液滴在具有充分的熱量的噴霧過濾器主體350內(nèi)，一邊與被加熱的平板狀的板328、338碰撞一邊被再加熱、被氣化。噴霧過濾器主體350的材質(zhì)，優(yōu)選與在氣化器271a或管道232a中使用的材質(zhì)同等或比它們高的熱傳導(dǎo)率的材質(zhì)。此外，也優(yōu)選具有耐腐蝕性。作為一般的材質(zhì)，例舉有不銹鋼材(SUS)。接著，使用數(shù)值流體力學(xué)分析軟件(CFdesign)，說明對噴霧過濾器主體350進行分析的結(jié)果。分析對象噴霧過濾器主體350的尺寸為，外徑40mm，全長127mm。參照圖7，一邊對噴霧過濾器主體350以20slm供給30℃的氮(N2)氣，一邊在使噴霧過濾器主體350的出口側(cè)的壓力成為13300Pa這樣的條件下進行了分析。壓力損失是1500Pa(參照圖8)，30℃的N2氣體在第4個板(第1個板320、第2個板330、第3個板320，然后第4個板330)達到150℃(參照圖9)。在分析中，雖然與實機的條件不同，但是以滿足比實際不利的條件的方式進行。若在氣化器271a與氣體過濾器272a之間的氣體供給管道232a上設(shè)置噴霧過濾器300(參照圖2)，則在難以氣化的液體原料或氣化流量多的情況下，因氣化不良產(chǎn)生的液滴在充分地具有熱量的噴霧過濾器300內(nèi)一邊與板320的壁面(板328)和板330的壁面(板338)碰撞一邊被再加熱、氣化。并且，利用處理室201近前的氣體過濾器272a，捕集稍微殘留的氣化不良的液滴和在氣化器271a、噴霧過濾器300內(nèi)部產(chǎn)生的微粒。噴霧過濾器300發(fā)揮氣化輔助的作用，能夠向處理室291內(nèi)供給無因氣化不良產(chǎn)生的液滴和微粒的反應(yīng)氣體，能夠進行優(yōu)質(zhì)的成膜等處理。此外，噴霧過濾器300還發(fā)揮氣體過濾器272a的輔助的作用，通過能夠抑制氣體過濾器272a的過濾器堵塞，能夠無需維護氣體過濾器272a，或能夠延長氣體過濾器272a的過濾器更換周期。如上所述，板320包括平板狀的板328和設(shè)于板328的外周的外周部329，板330包括平板狀的板338和設(shè)于板338的外周的外周部339(參照圖4、5)。此外，端部板310也包括平板狀的板318和設(shè)于板318的外周的外周部319，端部板340也包括平板狀的板348和設(shè)于板348的外周的外周部349(參照圖4、5)。并且，在這些外周部329、339、319、349的內(nèi)側(cè)，分別形成有空間323、333、313、343(參照圖4、5、圖10(A))。另外，對于端部板310、端部板340、板320和板330，各自的外周部319、349、329、339彼此例如通過焊接被接合，而氣密地連接。此外，在上述的噴霧過濾器300中，構(gòu)成為具有板320和板330，但是也可以具有孔的形成位置不同的3種以上的板。在上述的實施方式中，在空間313、323、333、343中什么都沒設(shè)置(參照圖10(A))。但是，只要是噴霧過濾器主體350整體的壓力損失允許的范圍，也可以在空間313、323、333、343中填充燒結(jié)金屬等。填充的燒結(jié)金屬是能夠?qū)膰婌F過濾器主體350的外部加熱了的熱高效率地傳導(dǎo)的材質(zhì)，只要能夠填充于空間313、323、333、343中即可，形狀可以是球狀、粒狀、非線形等，一切形狀都適合。以下，說明上述的實施方式的變形例。例如，如圖10(B)所示，也可以形成為將金屬的球等球狀的燒結(jié)金屬314、324、334填充到空間313、323、333(343)中的結(jié)構(gòu)。由于球的大小與壓力損失具有相關(guān)關(guān)系，所以選擇適合目的的大小。此外，如圖10(C)所示，也可以形成為將粒狀的燒結(jié)金屬315、325、335填充到空間313、323、333(343)中的結(jié)構(gòu)。就粒狀而言，是填充有比球狀細(xì)小的大小的燒結(jié)金屬的結(jié)構(gòu)。此外，如圖11(A)所示，也可以形成為將氣體過濾器等所使用的燒結(jié)金屬316，326，336填充到空間313、323、333(343)中的結(jié)構(gòu)。此外，如圖11(B)所示，也可以形成為如下結(jié)構(gòu)：將氣體過濾器等所使用的燒結(jié)金屬326僅填充到空間323中、在空間313、333、343什么都不填充的結(jié)構(gòu)。就氣體過濾器所使用的燒結(jié)金屬而言，由其捕集的微粒的尺寸決定燒結(jié)前的金屬粒徑、纖維形狀。能夠捕集更加細(xì)小的微粒的形狀是細(xì)微的，壓力損失也變大。由此，也有時并非填充到所有的空間313、323、333、343，而是有選擇性地填充到空間313、323、333、343中的一部分的空間在效果上是好的。此外，如圖11(C)所示，在板320的平板狀的板328上僅在板328的外周的一側(cè)(外周側(cè)的一部分的部位)設(shè)置孔322，并在板330的平板狀的板338上僅在板338的外周的另一側(cè)(外周側(cè)的一部分的部位且與孔322不重疊的位置)設(shè)置孔332，由此能夠與在板328的外周附近設(shè)置孔322并在板338的中心附近設(shè)置孔332的上述實施方式相比，延長氣體路徑370。另外，在本實施方式中，板320和板330也可以使用相同的板，以孔不重疊的方式層疊。此外，如圖12(A)所示，噴霧過濾器主體350包括圓筒狀的外側(cè)容器380、內(nèi)側(cè)構(gòu)件385、和被填充到形成于外側(cè)容器380與內(nèi)側(cè)構(gòu)件385之間的氣體路徑382內(nèi)的燒結(jié)金屬等填充構(gòu)件386。通過由燒結(jié)金屬等填充構(gòu)件386填充形成于外側(cè)容器380與內(nèi)側(cè)構(gòu)件385之間的氣體路徑382，能夠使噴霧過濾器主體350整體為一體的形狀，使熱有效地傳導(dǎo)到內(nèi)側(cè)構(gòu)件385。外側(cè)容器380和內(nèi)側(cè)構(gòu)件385優(yōu)選使用金屬構(gòu)件，更加優(yōu)選使用不銹鋼材(SUS)。此外，如圖12(B)所示，噴霧過濾器主體350包括圓筒狀的外側(cè)容器380、內(nèi)側(cè)構(gòu)件385、和被填充到形成于外側(cè)容器380與內(nèi)側(cè)構(gòu)件385之間的氣體路徑382內(nèi)的燒結(jié)金屬等填充構(gòu)件386。圖12(A)所示的構(gòu)造是由燒結(jié)金屬等填充構(gòu)件386填充了形成于外側(cè)容器380與內(nèi)側(cè)構(gòu)件385之間的氣體路徑382整體，而圖12(B)所示的構(gòu)造是由填充構(gòu)件386填充形成于外側(cè)容器380與內(nèi)側(cè)構(gòu)件385之間的氣體路徑382中的、圓筒狀的外側(cè)容器380的側(cè)面389與內(nèi)側(cè)構(gòu)件385之間，但是圓筒狀的外側(cè)容器380的上表面、下表面和內(nèi)側(cè)構(gòu)件385之間，未由填充構(gòu)件386填充。在該情況下，也能夠使噴霧過濾器主體350整體為一體的形狀，使熱有效地傳導(dǎo)到內(nèi)側(cè)構(gòu)件385。外側(cè)容器380和內(nèi)側(cè)構(gòu)件385優(yōu)選使用金屬構(gòu)件，更加優(yōu)選使用不銹鋼材(SUS)。在上述的實施方式的變形例中，作為填充于空間313、323、333、343或氣體路徑382中的燒結(jié)金屬，優(yōu)選使用不銹鋼材(SUS)。除此之外也優(yōu)選使用鎳(Ni)。此外，也能夠替換燒結(jié)金屬而使用特氟隆(注冊商標(biāo))類、陶瓷。此外，如圖2所示，在氣化器271a與噴霧過濾器300之間設(shè)置管道232a，將氣化器271a和噴霧過濾器300分離地設(shè)置。處理室201為減壓，噴霧過濾器300設(shè)于比氣化器271a靠處理室201側(cè)，所以噴霧過濾器300設(shè)于壓力比氣化器271a低的一側(cè)。由于氣體向壓力低的一側(cè)流動，所以通過分離氣化器271a和噴霧過濾器300分離，能夠從氣化器271a朝向噴霧過濾器300地保持氣體的助跑期間。其結(jié)果，在噴霧過濾器300內(nèi)，能夠使氣體以更大的流速與板320、板330碰撞。此外，如圖2所示，在氣化器271a的下游側(cè)設(shè)置噴霧過濾器300，在該噴霧過濾器300的下游側(cè)設(shè)置氣體過濾器272a，經(jīng)由管道232a，將氣體過濾器272a連接于處理室201。噴霧過濾器300和氣體過濾器272a優(yōu)選被設(shè)置在盡可能靠近處理室201的位置。其理由是因為，根據(jù)與從氣化器271a到處理室201的管道232a的壓力損失的關(guān)系，通過設(shè)置在靠近處理室201的位置，能夠進一步降低噴霧過濾器300內(nèi)的壓力。通過使噴霧過濾器300內(nèi)的壓力為更低的壓力，能夠容易氣化，能夠抑制氣化不良。以下，一邊參照附圖一邊說明本發(fā)明優(yōu)選的實施方式的基板處理裝置。該基板處理裝置，作為一個例子，以實施作為半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體器件)的IC(IntegratedCircuit)的制造方法中的作為基板處理工序的成膜工序的半導(dǎo)體制造裝置的形式構(gòu)成。另外，在以下的說明中，說明作為基板處理裝置，使用了對基板進行氧化、氮化、擴散處理和CVD處理等的批量式縱型裝置(以下，也有僅稱為處理裝置的情況)的情況。圖13是本實施方式的基板處理裝置的縱型處理爐的結(jié)構(gòu)簡圖，以縱截面表示處理爐202部分，圖14是本實施方式的基板處理裝置的縱型處理爐的結(jié)構(gòu)簡圖，以橫截面表示處理爐202部分。圖15表示圖13所示的基板處理裝置具有的控制器的結(jié)構(gòu)。如圖13所示，處理爐202具有作為加熱部件(加熱機構(gòu))的加熱器207。加熱器207是圓筒形狀，通過被支承于作為保持板的加熱器底座(未圖示)而被垂直地安裝。在加熱器207的內(nèi)側(cè)，與加熱器207同心圓狀地設(shè)有構(gòu)成反應(yīng)容器(處理容器)的反應(yīng)管203。在反應(yīng)管203的下方，設(shè)有作為爐口蓋體的密封蓋219，能夠氣密地閉塞反應(yīng)管203的下端開口。密封蓋219從垂直方向下側(cè)與反應(yīng)管203的下端抵接。密封蓋219例如由不銹鋼等金屬構(gòu)成，形成為圓盤狀。在密封蓋219的上表面，設(shè)有與反應(yīng)管203的下端抵接的作為密封構(gòu)件的O型密封圈220。在密封蓋219的與處理室201相反側(cè)，設(shè)有使晶舟旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)267。旋轉(zhuǎn)機構(gòu)267的旋轉(zhuǎn)軸255貫穿密封蓋，連接于后述的晶舟217，通過使晶舟217旋轉(zhuǎn)，使晶圓200旋轉(zhuǎn)。密封蓋219利用設(shè)于反應(yīng)管203的外部的作為升降機構(gòu)的晶舟升降機115沿垂直方向升降，由此，能夠?qū)⒕е?17相對于處理室201內(nèi)搬入搬出。在密封蓋219，經(jīng)由作為絕熱構(gòu)件的石英蓋218，立設(shè)作為基板保持部件(支承件)的晶舟217。石英蓋218例如由石英、碳化硅等耐熱性材料構(gòu)成，作為絕熱部而發(fā)揮作用，并且成為保持晶舟的保持體。晶舟217例如由石英、碳化硅等耐熱性材料構(gòu)成，將多個晶圓200以水平姿勢且中心互相對齊的狀態(tài)排列，沿管軸方向多層地支承。在處理室201內(nèi)且反應(yīng)管203的下部，噴嘴249a、噴嘴249b貫穿反應(yīng)管203地設(shè)置。氣體供給管232a、氣體供給管232b分別連接于噴嘴249a、噴嘴249b。這樣，在反應(yīng)管203上設(shè)有2根噴嘴249a、249b和2根氣體供給管232a、232b，能夠向處理室201內(nèi)供給多種氣體。此外，如后述那樣，非活性氣體供給管232c、232e等分別連接于氣體供給管232a、氣體供給管232b。在氣體供給管232a上，從上游方向起依次設(shè)有：作為氣化裝置(氣化部件)，氣化液體原料而生成作為原料氣體的氣化氣體的氣化器271a、噴霧過濾器300、氣體過濾器272a、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC)241a、和作為開閉閥的閥門243a。通過打開閥門243a，在氣化器271a內(nèi)生成的氣化氣體經(jīng)由噴嘴249a，向處理室201內(nèi)供給。在氣體供給管232a上的質(zhì)量流量控制器241a與閥門243a之間，連接有連接于后述的排氣管231的通氣管232d。在該通氣管232d上設(shè)有作為開閉閥的閥門243d，在不向處理室201供給后述的原料氣體的情況下，經(jīng)由閥門243d向通氣管232d供給原料氣體。通過關(guān)閉閥門243a且打開閥門243d，能夠在繼續(xù)生成氣化器271a中的氣化氣體的狀態(tài)下，停止向處理室201內(nèi)供給氣化氣體。為了穩(wěn)定地生成氣化氣體需要規(guī)定的時間，通過閥門243a與閥門243d的切換動作，能夠在極短時間內(nèi)切換氣化氣體向處理室201內(nèi)的供給或停止該供給。而且在氣體供給管232a的、閥門243a的下游側(cè)，連接有非活性氣體供給管232c。在該非活性氣體供給管232c上，從上游方向起依次設(shè)有作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器241c、和作為開閉閥的閥門243c。在氣體供給管232a、非活性氣體供給管232c、通氣管232d上安裝加熱器150，防止再液化。在氣體供給管232a的前端部連接有上述噴嘴249a。噴嘴249a在反應(yīng)管203的內(nèi)壁與晶圓200之間的圓弧狀的空間中，從反應(yīng)管203的內(nèi)壁的下部沿著上部，朝向晶圓200的裝載方向上方立起地設(shè)置。噴嘴249a構(gòu)成為L字型的長的噴嘴。在噴嘴249a的側(cè)面設(shè)有供給氣體的氣體供給孔250a。氣體供給孔250a朝向反應(yīng)管203的中心開口。該氣體供給孔250a從反應(yīng)管203的下部遍及到上部設(shè)有多個，分別具有相同的開口面積，而且以相同的開口間距設(shè)置。第1氣體供給系統(tǒng)主要由氣體供給管232a、通氣管232d、閥門243a、243d、質(zhì)量流量控制器241a、氣化器271a、噴霧過濾器300、氣體過濾器272a、噴嘴249a構(gòu)成。此外，第1非活性氣體供給系統(tǒng)主要由非活性氣體供給管232c、質(zhì)量流量控制器241c、閥門243c構(gòu)成。在氣體供給管232b上，從上游方向起依次設(shè)有：作為生成臭氧(O3)氣體的裝置的臭氧發(fā)生器500、閥門243f、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC)241b和作為開閉閥的閥門243b。氣體供給管232b的上游側(cè)連接于供給氧(O2)氣的未圖示的氧氣供給源。供給到臭氧發(fā)生器500的O2氣體在臭氧發(fā)生器500中成為O3氣體，向處理室201內(nèi)供給。在氣體供給管232b的、臭氧發(fā)生器500與閥門243f之間，連接有連接于后述的排氣管231的通氣管232g。在該通氣管232g上設(shè)有作為開閉閥的閥門243g，在不向處理室201供給后述的O3氣體的情況下，經(jīng)由閥門243g，向通氣管232g供給原料氣體。通過關(guān)閉閥門243f且打開閥門243g，能夠在繼續(xù)由臭氧發(fā)生器500生成O3氣體的狀態(tài)下，停止向處理室201內(nèi)供給O3氣體。為了穩(wěn)定地精制O3氣體需要規(guī)定的時間，通過閥門243f、閥門243g的切換動作，能夠在極短時間內(nèi)切換O3氣體向處理室201內(nèi)的供給或停止該供給。而且在氣體供給管232b的、閥門243b的下游側(cè)，連接有非活性氣體供給管232e。在該非活性氣體供給管232e上，從上游方向起依次設(shè)有作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器241e、和作為開閉閥的閥門243e。在氣體供給管232b的前端部連接有上述噴嘴249b。噴嘴249b在反應(yīng)管203的內(nèi)壁與晶圓200之間的圓弧狀的空間中，從反應(yīng)管203的內(nèi)壁的下部沿著上部，朝向晶圓200的裝載方向上方立起地設(shè)置。噴嘴249b構(gòu)成為L字型的長的噴嘴。在噴嘴249b的側(cè)面設(shè)有供給氣體的氣體供給孔250b。氣體供給孔250b朝向反應(yīng)管203的中心地開口。該氣體供給孔250b從反應(yīng)管203的下部遍及到上部地設(shè)有多個，分別具有相同的開口面積，而且以相同的開口間距設(shè)置。第2氣體供給系統(tǒng)主要由氣體供給管232b、通氣管232g、臭氧發(fā)生器500、閥門243f、243g、243b、質(zhì)量流量控制器241b、噴嘴249b構(gòu)成。此外，第2非活性氣體供給系統(tǒng)主要由非活性氣體供給管232e、質(zhì)量流量控制器241e、閥門243e構(gòu)成。例如鋯原料氣體，即含有鋯(Zr)的氣體(含鋯氣體)作為第1原料氣體，從氣體供給管232a，經(jīng)由氣化器271a、噴霧過濾器300、氣體過濾器272a、質(zhì)量流量控制器241a、閥門243a、噴嘴249a，向處理室201內(nèi)供給。作為含鋯氣體，例如可使用四(乙基甲基氨基)鋯(TEMAZ)。四(乙基甲基氨基)鋯(TEMAZ)在常溫常壓下是液體。向氣體供給管232b供給含有氧(O)的氣體(含氧氣體)，例如O2氣體，在臭氧發(fā)生器500中成為O3氣體，作為氧化氣體(氧化劑)，經(jīng)由閥門243f、質(zhì)量流量控制器241b、閥門243b，向處理室201內(nèi)供給。此外，也可在臭氧發(fā)生器500中不生成O3氣體而將O2氣體作為氧化氣體向處理室201內(nèi)供給。例如氮(N2)氣體從非活性氣體供給管232c、232e，分別經(jīng)由質(zhì)量流量控制器241c、241e、閥門243c、243e、氣體供給管232a、232b、噴嘴249a、249b，向處理室201內(nèi)供給。在反應(yīng)管203上設(shè)有排出處理室201內(nèi)的氣氛的排氣管231。在排氣管231上，經(jīng)由作為檢測處理室201內(nèi)的壓力的壓力檢測器(壓力檢測部)的壓力傳感器245和作為壓力調(diào)節(jié)器(壓力調(diào)節(jié)部)的APC(自動壓力控制器，AutoPressureController)閥門244，連接有作為真空排氣裝置的真空泵，能夠真空排氣使處理室201內(nèi)的壓力為規(guī)定的壓力(真空度)。另外，APC閥門244是通過開閥、閉閥，能夠?qū)崿F(xiàn)處理室201內(nèi)的真空排氣·真空排氣停止，通過進一步調(diào)節(jié)閥開度，能夠調(diào)節(jié)壓力的開閉閥。排氣系統(tǒng)主要由排氣管231、APC閥門244、真空泵246、壓力傳感器245構(gòu)成。在反應(yīng)管203內(nèi)設(shè)置有作為溫度檢測器的溫度傳感器263，基于由溫度傳感器263檢測到的溫度信息，調(diào)整向加熱器207的通電狀況，由此使處理室201內(nèi)的溫度為希望的溫度分布。溫度傳感器263與噴嘴249a、249b相同地構(gòu)成為L字型，沿著反應(yīng)管203的內(nèi)壁設(shè)置。作為控制部(控制部件)的控制器121如圖15所示，構(gòu)成為包括CPU(CentralProcessingUnit)121a、RAM(RandomAccessMemory)121b、儲存裝置121c、I/O接口121d的計算機。RAM121b、儲存裝置121c、I/O接口121d形成能夠經(jīng)由內(nèi)部總線與CPU121a交換數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)。在控制器121上連接有例如構(gòu)成為觸摸面板等的輸入輸出裝置122。此外，在控制器121上能夠連接存儲有后述程序的外部存儲裝置(存儲介質(zhì))123。儲存裝置121c例如由閃存、HDD(HardDiskDrive)等構(gòu)成。在儲存裝置121c內(nèi)，能夠讀出地儲存有控制基板處理裝置的動作的控制程序、記載有后述的基板處理的順序和條件等的工藝配方(processrecipe)等。此外，通過使外部存儲裝置123存儲控制程序和工藝配方等，將該外部存儲裝置123連接于控制器121，能夠?qū)⒖刂瞥绦蚝凸に嚺浞降葍Υ嬗趦Υ嫜b置121c。另外，工藝配方使控制器121執(zhí)行后述的基板處理工序的各步驟，為了能得到規(guī)定的結(jié)果而組合，作為程序發(fā)揮作用。以下，也簡單地將該工藝配方和控制程序等統(tǒng)稱為程序。另外，在本說明書中使用程序這樣的詞語的情況下，有只包括單獨工藝配方的情況、只包括單獨控制程序的情況，或包含雙方的情況。此外，RAM121b以存儲區(qū)域(工作區(qū)域)的形式構(gòu)成，能夠暫時性保持由CPU121a讀出的程序和數(shù)據(jù)等。I/O接口121d連接于質(zhì)量流量控制器241a、241b、241c、241e、閥門243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g、氣化器271a、噴霧過濾器300、臭氧發(fā)生器500、壓力傳感器245、APC閥門244、真空泵246、加熱器150、207、溫度傳感器263、晶舟旋轉(zhuǎn)機構(gòu)267、晶舟升降機115等。CPU121a以如下方式構(gòu)成：從儲存裝置121c讀出并執(zhí)行控制程序，并且根據(jù)來自輸入輸出裝置122的操作命令的輸入等，從儲存裝置121c讀出工藝配方。并且，CPU121a按照讀出的工藝配方，進行利用質(zhì)量流量控制器241a、241b、241c、241e對各種氣體的流量調(diào)整動作、閥門243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g的開閉動作、基于APC閥門244的開閉和壓力傳感器245的壓力調(diào)節(jié)動作、加熱器150的溫度調(diào)整動作、基于溫度傳感器263的加熱器207的溫度調(diào)整動作、氣化器271a、噴霧過濾器300(加熱器360)、臭氧發(fā)生器500的控制，真空泵246的起動、停止、晶舟旋轉(zhuǎn)機構(gòu)267的轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)動作、晶舟升降機115的升降動作等的控制等。接著，作為半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體器件)的制造工序的工序之一，參照圖16、圖17，說明使用上述的基板處理裝置的處理爐在基板上形成絕緣膜的順序(sequence)例。另外，在以下的說明中，構(gòu)成基板處理裝置的各部的動作由控制器121控制。通過CVD(ChemicalVaporDeposition)法，例如同時供給含有構(gòu)成要形成的膜的多種元素的多種氣體。此外，也有交替地供給含有構(gòu)成要形成的膜的多種元素的多種氣體的成膜方法。首先，多個晶圓200被裝填于晶舟217(晶圓裝載)時(參照圖16、步驟S101)，如圖13所示，支承多個晶圓200的晶舟217由晶舟升降機115舉起并被搬入處理室201內(nèi)(晶舟就位)(參照圖16、步驟S101)。在該狀態(tài)下，密封蓋219形成借助O型密封圈220密封反應(yīng)管203的下端的狀態(tài)。由真空泵246真空排氣，使得處理室201內(nèi)成為希望的壓力(真空度)。此時，處理室201內(nèi)的壓力由壓力傳感器245測量，基于該測量到的壓力，APC閥門244被反饋控制(壓力調(diào)節(jié))(參照圖16、步驟S103)。此外，由加熱器207加熱，使得處理室201內(nèi)成為希望的溫度。此時，基于溫度傳感器263檢測到的溫度信息，向加熱器207的通電狀況被反饋控制(溫度調(diào)整)，使得處理室201內(nèi)成為希望的溫度分布(參照圖16、步驟S103)。接著，利用旋轉(zhuǎn)機構(gòu)267使晶舟217旋轉(zhuǎn)，由此使晶圓200旋轉(zhuǎn)。接著，進行絕緣膜形成工序(參照圖16、步驟S104)，即，通過向處理室202內(nèi)供給TEMAZ氣體和O3氣體，形成作為絕緣膜的ZrO膜。在絕緣膜形成工序中，依次執(zhí)行以下的4個步驟。(絕緣膜形成工序)<步驟S105>在步驟S105(參照圖16、圖17、第1工序)中，首先流過TEMAZ氣體。通過打開氣體供給管232a的閥門243a且關(guān)閉通氣管232d的閥門243d，TEMAZ氣體經(jīng)由氣化器271a、噴霧過濾器300和氣體過濾器272a，流入氣體供給管232a內(nèi)。在氣體供給管232a內(nèi)流動的TEMAZ氣體由質(zhì)量流量控制器241a調(diào)整流量。流量被調(diào)整了的TEMAZ氣體一邊從噴嘴249a的氣體供給孔250a向處理室201內(nèi)供給，一邊從氣體排氣管231被排出。此時，同時打開閥門243c，向非活性氣體供給管232c內(nèi)流入N2氣體等非活性氣體。在非活性氣體供給管232g內(nèi)流動的N2氣體由質(zhì)量流量控制器241c調(diào)整流量。流量被調(diào)整了的N2氣體一邊與TEMAZ氣體一起向處理室201內(nèi)供給，一邊從氣體排氣管231被排出。通過向處理室201內(nèi)供給TEMAZ氣體，與晶圓200反應(yīng)，在晶圓200上形成含鋯層。另外，在步驟S105的執(zhí)行之前，噴霧過濾器300的加熱器360的動作被控制，噴霧過濾器主體350的溫度被維持在希望的溫度。此時，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整APC閥門244，使處理室201內(nèi)的壓力例如為50～400Pa的范圍內(nèi)的壓力。由質(zhì)量流量控制器241a控制的TEMAZ氣體的供給流量為例如0.1～0.5g/分鐘的范圍內(nèi)的流量。使TEMAZ氣體暴露于晶圓200的時間，即氣體供給時間(照射時間)在例如30～240秒的范圍內(nèi)。此時加熱器207的溫度被設(shè)定為，使晶圓200的溫度成為例如150～250℃的范圍內(nèi)的溫度這樣的溫度。<步驟S106>在步驟S106(參照圖16、圖17、第2工序)中，形成了含鋯層之后，關(guān)閉閥門243a，打開閥門243d，停止TEMAZ氣體向處理室201內(nèi)的供給，使TEMAZ氣體流向通氣管232d。此時，使氣體排氣管231的APC閥門244為打開的狀態(tài)，利用真空泵246對處理室201內(nèi)進行真空排氣，從處理室201內(nèi)排除殘留在處理室201內(nèi)的未反應(yīng)或?qū)π纬珊唽幼鞒鲐暙I后的TEMAZ氣體。另外，此時使閥門243c為打開的狀態(tài)，維持N2氣體向處理室201內(nèi)的供給。由此，提高從處理室201內(nèi)排除殘留在處理室201內(nèi)的未反應(yīng)或?qū)π纬珊唽幼鞒鲐暙I后的TEMAZ氣體的效果。作為非活性氣體，除了N2氣體之外，還可以使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等稀有氣體。<步驟S107>在步驟S107(參照圖16、圖17、第3工序)中，在去除了處理室201內(nèi)的殘留氣體之后，向氣體供給管232b內(nèi)流入O2氣體。在氣體供給管232b內(nèi)流動的O2氣體利用臭氧發(fā)生器500成為O3氣體。通過打開氣體供給管232b的閥門243f和閥門243b，并關(guān)閉通氣管232g的閥門243g，在氣體供給管232b內(nèi)流動的O3氣體由質(zhì)量流量控制器241b調(diào)整流量，一邊從噴嘴249b的氣體供給孔250b向處理室201內(nèi)供給一邊從氣體排氣管231被排出。此時同時打開閥門243e，向非活性氣體供給管232e內(nèi)流入N2氣體。N2氣體一邊與O3氣體一起向處理室201內(nèi)供給一邊從氣體排氣管231被排出。通過向處理室201內(nèi)供給O3氣體，形成在晶圓200上的含鋯層與O3氣體反應(yīng)，而形成ZrO層。在流過O3氣體時，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整APC閥門244，使處理室201內(nèi)的壓力為例如50～400Pa的范圍內(nèi)的壓力。由質(zhì)量流量控制器241b控制的O3氣體的供給流量為例如10～20slm的范圍內(nèi)的流量。使晶圓200暴露在O3氣體中的時間、即氣體供給時間(照射時間)在例如60～300秒的范圍內(nèi)。此時的加熱器207的溫度與步驟105相同，設(shè)定為使晶圓200的溫度成為150～250℃的范圍內(nèi)的溫度這樣的溫度。<步驟S108>在步驟S108(參照圖16、圖17、第4工序)中，通過關(guān)閉氣體供給管232b的閥門243b并打開閥門243g，停止O3氣體向處理室201內(nèi)的供給，使O3氣體流向通氣管232g。此時，使氣體排氣管231的APC閥門244為打開的狀態(tài)，利用真空泵246對處理室201內(nèi)進行真空排氣，從處理室201內(nèi)排除在處理室201內(nèi)殘留的未反應(yīng)或?qū)ρ趸鞒鲐暙I后的O3氣體。另外，此時使閥門243e為打開的狀態(tài)，維持N2氣體向處理室201內(nèi)的供給。由此，提高從處理室201內(nèi)排除在處理室201內(nèi)殘留的未反應(yīng)或?qū)ρ趸鞒鲐暙I后的O3氣體的效果。作為含氧氣體，除了O3氣體以外，還可以用O2氣體等。將上述的步驟S105～S108作為1個循環(huán)，通過進行至少1次以上該循環(huán)(步驟S109)，能夠在晶圓200上形成規(guī)定膜厚的含有鋯和氧的絕緣膜，即ZrO膜。另外，優(yōu)選多次重復(fù)上述的循環(huán)。由此，在晶圓200上形成ZrO膜的層疊膜。形成ZrO膜后，關(guān)閉氣體供給管232a的閥門243a，關(guān)閉氣體供給管232b的閥門243b，打開非活性氣體供給管232c的243c，打開非活性氣體供給管232e的243e，向處理室201內(nèi)流入N2氣體。N2氣體作為凈化氣體而起作用，由此，處理室201內(nèi)被非活性氣體凈化，在處理室201內(nèi)殘留的氣體從處理室201內(nèi)被去除(凈化，步驟S110)。之后，處理室201內(nèi)的氣氛被置換為非活性氣體，處理室201內(nèi)的壓力恢復(fù)為常壓(恢復(fù)為大氣壓，步驟S111)。之后，密封蓋219利用晶舟升降機115下降，連通器(manifold)209的下端被打開，并且處理完畢的晶圓200以被保持在晶舟217上的狀態(tài)從連通器209的下端向工藝管203的外部搬出(晶舟退出，步驟S112)。之后，處理結(jié)束的晶圓200自晶舟217被取出(晶圓卸載，步驟S112)。實施例1使用上述的實施方式的基板處理爐進行了ZrO膜的成膜。此外，為了比較，在不設(shè)置噴霧過濾器300的條件下進行了ZrO膜的成膜。在不設(shè)置噴霧過濾器300的結(jié)構(gòu)中，氣化原料TEMAZ為0.45g，供給時間為300秒，進行了75個循環(huán)。成膜的臺階覆蓋(StepCoverage)為81％。相對于此，在設(shè)有噴霧過濾器300的結(jié)構(gòu)中，能增加氣化流量，氣化原料TEMAZ為3g，供給時間為60秒，以75個循環(huán)進行了成膜后，臺階覆蓋為91％，具有改善臺階覆蓋的效果。此外，還能夠抑制微粒。以上，像詳細(xì)地說明那樣，在本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式中，在使用難以氣化的液體原料的情況下或需要增加氣化流量的情況下能夠抑制氣化不良。其結(jié)果，得到以下的效果。(1)能夠抑制氣體過濾器堵塞，無需維護或延長過濾器更換周期。(2)能夠進行無微粒或抑制了微粒的成膜。(3)改善圖案晶圓的臺階覆蓋。在上述的實施方式中，進行了ZrO膜的成膜，然而使用噴霧過濾器300的技術(shù)還能夠應(yīng)用于ZrO、HfO等High-k(高電容率)膜、使用氣化器(特別是容易引起氣化不良的氣體、或需要大流量的膜種)的膜種等、以及其他的膜種。特別是使用噴霧過濾器300的技術(shù)能夠合適地應(yīng)用于使用蒸氣壓低的液體原料的膜種。作為使用噴霧過濾器300的技術(shù)，在形成含有1種以上的例如鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈷(Co)、鎢(W)、鉬(Mo)、釕(Ru)、釔(Y)、鑭(La)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鎳(Ni)等金屬元素的金屬碳化膜、金屬氮化膜或在其中加入了硅(Si)的硅化物膜的情況下也能夠合適地應(yīng)用。此時，作為含Ti原料，可使用氯化鈦(TiCl4)、四(二甲氨基)鈦(TDMAT、Ti[N(CH3)2]4)、四(二乙基胺基)鈦(TDEAT、Ti[N(CH2CH3)2]4)等，作為含Ta原料，可使用氯化鉭(TaCl4)等，作為含Co原料，可使用Coamd[(tBu)NC(CH3)N(tBu)2Co]等，作為含W原料，可使用氟化鎢(WF6)等，作為含Mo原料，可使用氯化鉬(MoCl3或MoCl5)等，作為含Ru原料，可使用2，4-二甲基戊二烯基(乙基環(huán)戊二烯基)釕((Ru(EtCp)(C7H11))等，作為含Y原料，可使用三乙基環(huán)戊二烯基釔(Y(C2H5C5H4)3)等，作為含La原料，可使用三(異丙基環(huán)戊二烯基)鑭(La(i-C3H7C5H4)3)等，作為含Zr原料，可使用四(乙基甲基氨基)鋯(Zr(N(CH3(C2H5))4)等，作為含Hf原料，可使用四(乙基甲基氨基)鉿(Hf(N(CH3(C2H5))4)等，作為含Ni原料，可使用脒基鎳(NiAMD)、環(huán)戊二烯基烯丙基鎳(C5H5NiC3H5)、甲基環(huán)戊二烯基烯丙基鎳((CH3)C5H4NiC3H5)、乙基環(huán)戊二烯基烯丙基鎳((C2H5)C5H4NiC3H5)、Ni(PF3)4等，作為含Si原料，可使用四氯甲硅烷(SiCl4)、六氯乙硅烷(Si2Cl6)、二氯甲硅烷(SiH2Cl2)、三(二甲氨基)甲硅烷(SiH(N(CH3)2)3)、雙叔丁基氨基甲硅烷(H2Si(HNC(CH3)2)2)等。作為含有Ti的金屬碳化膜，可使用TiCN和TiAlC等。作為TiCN的原料，例如可使用TiCl4、Hf[C5H4(CH3)]2(CH3)2和NH3。此外，作為TiAlC的原料，例如可使用TiCl4和三甲基鋁(TMA、(CH3)3Al)。此外，作為TiAlC的原料，還可使用TiCl4、TMA和丙烯(C3H6)。此外，作為含有Ti的金屬氮化膜，可使用TiAlN等。作為TiAlN的原料，例如可使用TiCl4、TMA和NH3。(本發(fā)明優(yōu)選的方式)以下，附記本發(fā)明優(yōu)選的方式。(附記1)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：向處理室搬入基板的工序；通過使液體原料依次流過氣化器、組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成的噴霧過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理的工序；以及從上述處理室搬出基板的工序。(附記2)根據(jù)附記1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，上述噴霧過濾器形成為交替地配置有在外周附近設(shè)有多個孔的第1板和在中心附近設(shè)有多個孔的第2板的結(jié)構(gòu)，在處理上述基板的工序中，通過使通過了上述氣化器的原料交替地通過上述第1板的孔和上述第2板的孔，使該原料氣化。(附記3)根據(jù)附記1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在處理上述基板的工序中，通過使上述液體原料依次流過上述氣化器、上述噴霧過濾器、氣體過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理。(附記4)一種基板處理方法，包括：向處理室搬入基板的工序；通過使液體原料依次流過氣化器、組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成的噴霧過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理的工序；以及從上述處理室搬出基板的工序。(附記5)根據(jù)附記4所述的基板處理方法，其中，上述噴霧過濾器形成為交替地配置有在外周附近設(shè)有多個孔的第1板和在中心附近設(shè)有多個孔的第2板的結(jié)構(gòu)，在處理上述基板的工序中，通過使通過了上述氣化器的原料交替地通過上述第1板的孔和上述第2板的孔，使該原料氣化。(附記6)根據(jù)附記4或5所述的基板處理方法，其中，在處理上述基板的工序中，通過使上述液體原料依次流過上述氣化器、上述噴霧過濾器、氣體過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理。(附記7)一種程序，該程序使控制部執(zhí)行以下的步驟，即，向處理室搬入基板的步驟；通過使液體原料依次流過氣化器、組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成的噴霧過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理的步驟；以及從上述處理室搬出基板的步驟。(附記8)根據(jù)附記7所述的程序，其中，上述噴霧過濾器形成為交替地配置有在外周附近設(shè)有多個孔的第1板和在中心附近設(shè)有多個孔的第2板的結(jié)構(gòu)，處理上述基板的步驟是，通過使通過了上述氣化器的原料交替地流過上述第1板的孔和上述第2板的孔，使該原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理的步驟。(附記9)根據(jù)附記7所述的程序，其中，處理上述基板的步驟是，通過使上述液體原料依次流過上述氣化器、上述噴霧過濾器、氣體過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理的步驟。(附記10)一種記錄介質(zhì)，記錄有使控制部執(zhí)行以下的步驟的程序，即，向處理室搬入基板的步驟；通過使液體原料依次流過氣化器、組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成的噴霧過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理的步驟；以及從上述處理室搬出基板的步驟。(附記11)根據(jù)附記10所述的記錄介質(zhì)，其中，上述噴霧過濾器形成為交替地配置有在外周附近設(shè)有多個孔的第1板和在中心附近設(shè)有多個孔的第2板的結(jié)構(gòu)，處理上述基板的步驟是，通過使通過了上述氣化器的原料交替地流過上述第1板的孔和上述第2板的孔，使該原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理的步驟。(附記12)根據(jù)附記10所述的記錄介質(zhì)，其中，處理上述基板的步驟是，通過使上述液體原料依次流過上述氣化器、上述噴霧過濾器、氣體過濾器，使該液體原料氣化，將其供給至上述處理室中對上述基板進行處理的步驟。(附記13)一種基板處理裝置，包括：容納基板的處理室；向上述處理室供給處理氣體的處理氣體供給系統(tǒng)；以及對上述處理室進行排氣的排氣系統(tǒng)，上述處理氣體供給系統(tǒng)具有：被供給液體原料的氣化器；以及配置于上述氣化器的下游的噴霧過濾器，上述噴霧過濾器通過組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成。(附記14)根據(jù)附記13所述的基板處理裝置，其中，上述噴霧過濾器形成為交替地配置有在外周附近設(shè)有多個孔的第1板和在中心附近設(shè)有多個孔的第2板的結(jié)構(gòu)。(附記15)根據(jù)附記13或14所述的基板處理裝置，其中，上述處理氣體供給系統(tǒng)具有配置在上述噴霧過濾器的下游的氣體過濾器。(附記16)根據(jù)附記15所述的基板處理裝置，其中，上述氣化器、上述噴霧過濾器、上述氣體過濾器分別分離地構(gòu)成。(附記17)根據(jù)附記13～16中任一項所述的基板處理裝置，其中，上述噴霧過濾器具備加熱上述至少2種板的加熱器。(附記18)根據(jù)附記13～17中任一項所述的基板處理裝置，其中，上述至少2種板由金屬構(gòu)成。(附記19)根據(jù)附記13～18中任一項所述的基板處理裝置，其中，上述至少2種板，除了上述孔之外，構(gòu)成為相同或大致相同的形狀。(附記20)根據(jù)附記13～19中任一項所述的基板處理裝置，其中，上述至少2種板具有形成上述孔的板部和形成在上述板部的外周的外周部，上述外周部的厚度被設(shè)定為比上述板部的厚度大，通過上述外周部彼此相接，在上述至少2種板的板部間形成空間。(附記21)根據(jù)附記13～20中任一項所述的基板處理裝置，其中，上述外周部形成在上述板部的外周的、相對于上述板部偏置的位置。(附記22)根據(jù)附記13～21中任一項所述的基板處理裝置，其中，在上述至少2種板間填充燒結(jié)金屬。(附記23)根據(jù)附記13～22中任一項所述的基板處理裝置，其中，上述處理氣體是含鋯原料。(附記24)一種氣化系統(tǒng)，包括：被供給液體原料的氣化器；以及配置在上述氣化器的下游的噴霧過濾器，上述噴霧過濾器通過組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成。(附記25)根據(jù)附記24所述的氣化系統(tǒng)，其中，上述噴霧過濾器形成為交替地配置有在外周附近設(shè)有多個孔的第1板和在中心附近設(shè)有多個孔的第2板的結(jié)構(gòu)。(附記26)根據(jù)附記24或25所述的氣化系統(tǒng)，其中，該氣化系統(tǒng)還具有配置在上述噴霧過濾器的下游的氣體過濾器。(附記27)根據(jù)附記26所述的氣化系統(tǒng)，其中，上述氣化器、上述噴霧過濾器、上述氣體過濾器分別分離地構(gòu)成。(附記28)根據(jù)附記24～27中任一項所述的氣化系統(tǒng)，其中，上述噴霧過濾器具備加熱上述至少2種板的加熱器。(附記29)一種噴霧過濾器，通過組合多個在不同的位置具有孔的至少2種板而構(gòu)成。(附記30)根據(jù)附記29所述的噴霧過濾器，其中，上述噴霧過濾器形成為交替地配置有在外周附近設(shè)有多個孔的第1板和在中心附近設(shè)有多個孔的第2板的結(jié)構(gòu)。(附記31)根據(jù)附記29或30所述的噴霧過濾器，其中，上述噴霧過濾器還具備加熱上述至少2種板的加熱器。以上，說明了本發(fā)明的各種典型實施方式，但是本發(fā)明不限定于這些實施方式。因而，本發(fā)明的范圍僅由權(quán)利要求書限定。