用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件、沉積裝置和測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件、沉積裝置和測(cè)試方法。所述沉積裝置包括沉積源、沉積室、掩膜組件和傳送單元。所述掩膜組件包括支撐構(gòu)件、遮擋構(gòu)件和驅(qū)動(dòng)構(gòu)件。所述支撐構(gòu)件具有被構(gòu)造為在支撐基底基板的同時(shí)允許沉積材料經(jīng)過(guò)的第一開口，所經(jīng)過(guò)的沉積材料被沉積在所述基底基板上。所述遮擋構(gòu)件被容納在所述支撐構(gòu)件中，并且具有比所述第一開口小的第二開口。所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)來(lái)改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
【專利說(shuō)明】用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件、沉積裝置和測(cè)試方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年9月4日遞交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2012-0097799號(hào)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的各實(shí)施例的各方面涉及一種用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件、包括掩膜組件的沉積裝置和使用掩膜組件用于沉積過(guò)程的測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0004]通過(guò)在基底基板上沉積有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料可制造平板顯示器或半導(dǎo)體器件。為此目的，沉積過(guò)程可在沉積裝置中執(zhí)行。沉積裝置可包括真空室、在真空室中的至少一個(gè)沉積源、掩膜和傳送基底基板的傳送單元?？蓤?zhí)行沉積過(guò)程的測(cè)試，以便在執(zhí)行沉積過(guò)程來(lái)制造平板顯示器或半導(dǎo)體器件之前確定沉積過(guò)程(如在沉積裝置中執(zhí)行)是否適合。測(cè)試基板可被用于測(cè)試該沉積過(guò)程。例如，作為測(cè)試沉積過(guò)程的一部分，可測(cè)量在測(cè)試基板上沉積的材料的厚度和均勻度。為此目的，測(cè)量到的厚度和均勻度可與參考厚度和均勻度進(jìn)行比較。
[0005]當(dāng)測(cè)試用于具有多個(gè)沉積源的沉積裝置的沉積過(guò)程時(shí)，每個(gè)沉積源用于沉積不同的材料，可需要多個(gè)測(cè)試基板。例如，測(cè)試基板可被順序地裝載到沉積裝置中，并且不同的材料被分別沉積在不同的測(cè)試基板上?？呻S后測(cè)量沉積在相應(yīng)測(cè)試基板上的每種沉積材料厚度和均勻度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的各實(shí)施例提供一種能夠通過(guò)使用用于多個(gè)沉積源的一個(gè)測(cè)試基板進(jìn)行測(cè)試過(guò)程的掩膜組件。進(jìn)一步的實(shí)施例提供一種包括掩膜組件的沉積裝置，以及使用掩膜組件用于沉積過(guò)程的測(cè)試方法。
[0007]根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例，提供一種用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件。該掩膜組件包括:支撐構(gòu)件，具有被構(gòu)造為允許沉積材料經(jīng)過(guò)的第一開口，同時(shí)支撐基底基板，所經(jīng)過(guò)的沉積材料所述掩膜組件沿第一方向移動(dòng)的同被時(shí)沉積在所述基底基板上；遮擋構(gòu)件，被容納在所述支撐構(gòu)件中，并且具有比所述第一開口小的第二開口 ；和驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)來(lái)移動(dòng)所述遮擋構(gòu)件，以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
[0008]所述支撐構(gòu)件可包括:具有所述第一開口的底部部分，和從所述底部部分彎曲以便支撐所述基底基板的側(cè)壁。
[0009]所述遮擋構(gòu)件可被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)沿與所述第一方向相反的方向相對(duì)于所述基底基板移動(dòng)。
[0010]所述第二開口可沿與所述第一方向基本垂直的第二方向延伸。
[0011]所述遮擋構(gòu)件可具有比所述第一開口大的面積，并且可位于所述底部部分上。[0012]所述掩膜組件可進(jìn)一步包括:位于所述底部部分上的軌道單元；和聯(lián)接單元，被聯(lián)接到所述遮擋構(gòu)件并且被插入所述軌道單元中，以便允許所述遮擋構(gòu)件沿所述軌道單元移動(dòng)。
[0013]所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)而旋轉(zhuǎn)。所述遮擋構(gòu)件可被構(gòu)造為根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)。
[0014]所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可包括被構(gòu)造為因摩擦力而旋轉(zhuǎn)的第一小齒輪。
[0015]所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可進(jìn)一步包括第二小齒輪，該第二小齒輪被構(gòu)造為從所述第一小齒輪接收動(dòng)力并且接觸所述遮擋構(gòu)件的側(cè)表面。
[0016]所述遮擋構(gòu)件可包括鋸齒，該鋸齒在所述遮擋構(gòu)件的所述側(cè)表面上并且被構(gòu)造為嚙合所述第二小齒輪的鋸齒。
[0017]所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可包括交替設(shè)置的N極部分和S極部分，并且可被構(gòu)造為被因磁力而旋轉(zhuǎn)。
[0018]根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例，提供一種用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件。該掩膜組件包括支撐構(gòu)件，具有被構(gòu)造為允許沉積材料經(jīng)過(guò)的第一開口，同時(shí)支撐基底基板，所經(jīng)過(guò)的沉積材料在所述掩膜組件移動(dòng)的同時(shí)被沉積在所述基底基板上；遮擋構(gòu)件，被容納在所述支撐構(gòu)件中，并且包括具有比所述第一開口小的第二開口的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件；和驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)來(lái) 旋轉(zhuǎn)所述可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件，以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
[0019]所述支撐構(gòu)件可包括具有所述第一開口的底部部分和從所述底部部分彎曲以便支撐所述基底基板的側(cè)壁。
[0020]所述遮擋構(gòu)件可進(jìn)一步包括被聯(lián)接到所述可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件以便旋轉(zhuǎn)所述可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)軸。
[0021]所述第一開口可包括左第一開口和右第一開口。所述遮擋構(gòu)件可包括與所述左第一開口重疊的左遮擋構(gòu)件和與所述右第一開口重疊的右遮擋構(gòu)件。
[0022]所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可包括第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件和第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件被構(gòu)造為沿第一方向旋轉(zhuǎn)，所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件被構(gòu)造為根據(jù)所述支撐構(gòu)件的移動(dòng)沿與所述第一方向相反的第二方向旋轉(zhuǎn)。所述左遮擋構(gòu)件的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置可被構(gòu)造為因所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而改變。所述右遮擋構(gòu)件的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置可被構(gòu)造為因所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而改變。
[0023]所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件和所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件中的每個(gè)驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可包括被構(gòu)造為因摩擦力而旋轉(zhuǎn)的第一小齒輪。
[0024]所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件和所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件中的每個(gè)驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可進(jìn)一步包括第二小齒輪，該第二小齒輪被構(gòu)造為從所述第一小齒輪接收動(dòng)力并且接觸所述遮擋構(gòu)件的側(cè)表面。
[0025]所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件和所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件中的每個(gè)驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可包括鐵餅形的磁性構(gòu)件，該鐵餅形的磁性構(gòu)件包括交替設(shè)置的N極部分和S極部分。所述磁性構(gòu)件可被構(gòu)造為因磁力而旋轉(zhuǎn)。
[0026]根據(jù)本發(fā)明又一示例性實(shí)施例，提供一種沉積裝置。該沉積裝置包括:被構(gòu)造為使沉積材料沉積的多個(gè)沉積源；容納所述多個(gè)沉積源的沉積室；用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件，該掩膜組件被構(gòu)造為聯(lián)接到基底基板同時(shí)移動(dòng)通過(guò)所述沉積室，同時(shí)所述沉積源將所述沉積材料沉積在所述基底基板上；和傳送單元，被構(gòu)造為將所述掩膜組件移動(dòng)通過(guò)所述沉積室。所述掩膜組件包括:支撐構(gòu)件，具有被構(gòu)造為允許沉積材料經(jīng)過(guò)的第一開口，同時(shí)支撐基底基板，所經(jīng)過(guò)的沉積材料被沉積在所述基底基板上；遮擋構(gòu)件，被容納在所述支撐構(gòu)件中，并且具有比所述第一開口小的第二開口 ；和驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)來(lái)改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
[0027]所述傳送單元可包括被構(gòu)造為將所述掩膜組件移動(dòng)通過(guò)所述沉積室的多個(gè)輥?zhàn)印?br> [0028]所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)而旋轉(zhuǎn)。所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置可被構(gòu)造為因所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而改變。
[0029]所述沉積室可包括:裝載區(qū)，被構(gòu)造為將所述基底基板聯(lián)接到所述掩膜組件；沉積區(qū)，所述多個(gè)沉積源被容納在該沉積區(qū)中；和卸載區(qū)，被構(gòu)造為將所述基底基板與所述掩膜組件分離。
[0030]所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可包括多個(gè)小齒輪。所述多個(gè)小齒輪中的一個(gè)小齒輪可被構(gòu)造為接觸所述遮擋構(gòu)件的側(cè)表面，以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
[0031]所述沉積室可包括在所述沉積區(qū)域的側(cè)壁上的多個(gè)傳送架，以便對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)沉積源或者對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)沉積源之間的空間。
[0032]所述多個(gè)小齒輪中的另一個(gè)小齒輪可被構(gòu)造為接觸所述多個(gè)傳送架，以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
[0033]所述沉積裝置可進(jìn)一步包括:返回單元，該返回單元被構(gòu)造為將所述掩膜組件從所述卸載區(qū)返回到所述裝載區(qū)；和容納所述返回單元的返回室。
[0034]所述返回室可包括在`所述返回室的側(cè)壁上的返回架。
[0035]所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可包括鐵餅形磁性構(gòu)件，該鐵餅形磁性構(gòu)件包括交替設(shè)置的N極部分和S極部分。所述沉積室可包括在與所述多個(gè)沉積源對(duì)應(yīng)的所述沉積區(qū)的側(cè)壁上的多個(gè)磁性傳送構(gòu)件，每個(gè)磁性傳送構(gòu)件包括交替設(shè)置的N極部分和S極部分。
[0036]所述支撐構(gòu)件可包括具有所述第一開口的底部部分和從所述底部部分彎曲以便支撐所述基底基板的側(cè)壁。
[0037]所述遮擋構(gòu)件可被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)沿與所述掩膜組件移動(dòng)的方向相反的方向相對(duì)于所述基底基板移動(dòng)。
[0038]所述遮擋構(gòu)件可包括被構(gòu)造為因所述掩膜組件的移動(dòng)而旋轉(zhuǎn)的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件。
[0039]根據(jù)本發(fā)明再一示例性實(shí)施例，提供一種使用掩膜組件用于沉積過(guò)程的測(cè)試方法。所述測(cè)試方法包括:使所述掩膜組件進(jìn)入沉積室的容納多個(gè)沉積源的沉積區(qū)中，所述掩膜組件包括支撐基底基板的支撐構(gòu)件以及具有開口的遮擋構(gòu)件；將來(lái)自所述多個(gè)沉積源的相應(yīng)的多個(gè)沉積材料沉積在所述基底基板上；將所述掩膜組件移動(dòng)通過(guò)所述沉積區(qū)；并且根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)改變所述遮擋構(gòu)件的所述開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
[0040]所述測(cè)試方法可進(jìn)一步包括:使所述掩膜組件離開所述沉積區(qū)，以及將所述掩膜組件從所述沉積區(qū)的出口返回到所述沉積區(qū)的入口。
[0041]改變所述遮擋構(gòu)件的所述開口的位置可包括，相對(duì)于所述基底基板沿與所述掩膜組件移動(dòng)的方向相反的方向移動(dòng)所述遮擋構(gòu)件。
[0042]改變所述遮擋構(gòu)件的所述開口的所述位置可包括，根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)旋轉(zhuǎn)所述遮擋構(gòu)件。
[0043]所述多個(gè)沉積材料可包括對(duì)應(yīng)的多個(gè)不同的沉積材料。
[0044]根據(jù)上述和其它實(shí)施例，掩膜組件使用一個(gè)測(cè)試基板來(lái)測(cè)試沉積裝置的沉積過(guò)程，其中該沉積裝置具有供應(yīng)對(duì)應(yīng)的多個(gè)沉積材料的多個(gè)沉積源。掩膜組件在測(cè)試基板的不同區(qū)中接收相應(yīng)的沉積材料。由于測(cè)試沉積過(guò)程所需的測(cè)試基板的數(shù)量可被減少，因此可減少測(cè)試成本，并且可縮短測(cè)試沉積過(guò)程所需的時(shí)間。
[0045]根據(jù)上述和其它實(shí)施例，在沉積裝置中，遮擋構(gòu)件的第二開口相對(duì)于測(cè)試基板的位置根據(jù)掩膜組件的移動(dòng)被改變。第二開口的位置針對(duì)每個(gè)沉積源而改變。因此，沉積材料被沉積在測(cè)試基板的不同區(qū)中。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0046]結(jié)合附圖考慮并參照下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它方面和特征將變得易于明顯，附圖中:
[0047]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的沉積裝置的俯視圖；
[0048]圖2為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖1示出的沉積裝置的一部分的第一剖視圖；
[0049]圖3為示出圖1-2示出的沉積裝置的一部分的第二剖視圖；
[0050]圖4A為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件的透視圖；
[0051]圖4B為示出圖4A的掩膜組件的分解透視圖；
[0052]圖5A為示出根據(jù)本發(fā)明另`一示例性實(shí)施例的用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件的透視圖；
[0053]圖5B為示出圖5A的掩膜組件的分解透視圖；
[0054]圖6A為示出根據(jù)本發(fā)明又一示例性實(shí)施例的用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件的透視圖；
[0055]圖6B為示出圖6A的掩膜組件的分解透視圖；
[0056]圖7為示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的圖1示出的沉積裝置的一部分的第一首丨J視圖;
[0057]圖8為示出圖1和圖7示出的沉積裝置的一部分的第二剖視圖；
[0058]圖9為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖1和圖7-8的沉積裝置的一部分的透視圖；
[0059]圖10為示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的圖1和圖7-8的沉積裝置的一部分的透視圖；
[0060]圖11為示出圖10示出的沉積裝置的一部分的放大透視圖；
[0061]圖12為示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的沉積裝置的俯視圖；
[0062]圖13為示出圖12示出的沉積裝置的一部分的第一剖視圖；并且
[0063]圖14為示出圖12至圖13示出的沉積裝置的一部分的第二剖視圖。
【具體實(shí)施方式】[0064]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖惶峒盀樵诹硪辉驅(qū)印吧稀薄⒈弧斑B接到”或“聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接在該另一元件上、被直接連接到或聯(lián)接到該另一元件，或者可存在一個(gè)或多個(gè)中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被提及為“直接”在另一元件或?qū)印吧稀薄⒈弧爸苯舆B接到”或“直接聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)?。相似的附圖標(biāo)記始終指代相似的元件。如在此使用，用語(yǔ)“和/或”包括關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任意組合和所有組合。
[0065]將理解的是，盡管用語(yǔ)第一、第二等可能在此用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段不應(yīng)限于這些用語(yǔ)。這些用語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段與另一元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段區(qū)分開來(lái)。因此，下面論述的第一元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段可以稱作第二元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段，而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0066]為了易于描述，諸如“之下”、“下方”、“下”、“之上”、“上”等空間相對(duì)用語(yǔ)在這里可被用于描述圖中例示的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了圖中所示的方位之外，空間相對(duì)用語(yǔ)旨在包括使用或操作中的設(shè)備的不同方位。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件則將被定向在該其它元件或特征的“上方”。因此，示例性用語(yǔ)“下方”能夠包括上、下的方位。該設(shè)備可以以其他方式被定位(被旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，并且這里使用的空間相對(duì)描述符被相應(yīng)地解釋。
[0067]這里使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述具體實(shí)施例的目的，并非意在限制本發(fā)明。如這里所使用的那樣，單數(shù)形式的“一”和“該”意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有清楚指明。將進(jìn)一步理解的是，當(dāng)在該說(shuō)明書中使用時(shí)，用語(yǔ)“包括”、“由…組成”和/或“包含”說(shuō)明存在規(guī)定的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或添加一個(gè)或更多其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。
[0068]除非特別定義，這里使用的所有用語(yǔ)(包括技術(shù)用語(yǔ)和科學(xué)用語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員通常理解相同的含義。將進(jìn)一步理解的是，諸如在常用字典中定義的用語(yǔ)應(yīng)被解釋為具有的含義與它們`在相關(guān)領(lǐng)域上下文中的含義一致，并且不應(yīng)在理想化或過(guò)于正式化的意義上進(jìn)行解釋，除非這里特別加以定義。下文中，將參照附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明。
[0069]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的沉積裝置的俯視圖。圖2為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖1示出的沉積裝置的一部分的第一剖視圖。圖3為示出圖1-2示出的沉積裝置的一部分的第二剖視圖。
[0070]參照?qǐng)D1至圖3，沉積裝置包括沉積室CB、多個(gè)沉積源SI至S4、用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件MA和傳送單元TP。圖1至圖3示出四個(gè)沉積源SI至S4作為示例。
[0071]沉積室CB具有沿執(zhí)行沉積過(guò)程的第一方向Dl為細(xì)長(zhǎng)的形狀。沉積室CB包括第一側(cè)壁SWl、在與第一方向Dl基本垂直的第二方向D2上面對(duì)第一側(cè)壁SWl的第二側(cè)壁SW2、連接在第一側(cè)壁SWl和第二側(cè)壁SW2之間的底部部分BP和頂部部分CP。底部部分BP在與第一方向Dl和第二方向D2基本垂直的第三方向D3上面對(duì)頂部部分CP。
[0072]沉積室CB根據(jù)功能被劃分成多個(gè)區(qū)。沉積室CB包括裝載區(qū)100、沉積區(qū)200和卸載區(qū)300。[0073]基底基板SUB在裝載區(qū)100中被裝載到掩膜組件MA或聯(lián)接到掩膜組件MA。基底基板SUB可為測(cè)試基板，用于在使用沉積過(guò)程制造顯示面板或半導(dǎo)體器件之前測(cè)試沉積過(guò)程是否適合于制造顯示面板或其它半導(dǎo)體器件。用于制造顯示面板或半導(dǎo)體器件的基板可用作基底基板SUB。例如，基板可用于下述顯示面板:可用于但不限于有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板?；谆錝UB可包括例如玻璃、硅、金屬或塑料。
[0074]沉積源SI至S4被布置(例如容納)在沉積區(qū)200中。沉積源SI至S4沿第一方向Dl彼此分開。在其它實(shí)施例中，沉積源的數(shù)量和設(shè)置可與圖1-3中示出的那些數(shù)量和設(shè)置不同。
[0075]沉積源SI至S4可分別提供不同的沉積材料Ml至M4。沉積源SI至S4例如可提供有機(jī)材料和/或無(wú)機(jī)材料。沉積源SI至S4中的每個(gè)可包括用于容納相應(yīng)沉積材料Ml至M4的容器以及用于蒸發(fā)沉積材料Ml至M4的加熱單元。
[0076]沉積區(qū)200被劃分成多個(gè)單獨(dú)的沉積區(qū)210至240。沉積源SI至S4被分別容納在單獨(dú)的沉積區(qū)210至240中。單獨(dú)的沉積區(qū)210至240由多個(gè)分隔壁BI至B3分隔開。
[0077]基底基板SUB在卸載區(qū)300中從掩膜組件MA卸載或與掩膜組件MA分離。在裝載區(qū)100與沉積區(qū)200之間(例如，在沉積區(qū)的入口處)以及在沉積區(qū)200與卸載區(qū)300之間(例如，在沉積區(qū)域的出口處)可安裝門。另外，在裝載區(qū)100、沉積區(qū)200和卸載區(qū)300中的壓力可彼此不同。根據(jù)沉積過(guò)程，沉積區(qū)200可能需要維持在真空狀態(tài)。
[0078]其中裝載或聯(lián)接有基底基板SUB的掩膜組件MA經(jīng)過(guò)包括沉積區(qū)200的沉積室CB。掩膜組件MA由傳送單元TP傳送(例如，從沉積區(qū)200的一端移動(dòng)到另一端)。掩膜組件MA包括支撐構(gòu)件10、遮擋構(gòu)件20和驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30。支撐構(gòu)件10包括第一開口 OPl并且支撐基板SUB，來(lái)自沉積源SI至S4的沉積材料Ml至M4通過(guò)第一開口 OPl進(jìn)入或經(jīng)過(guò)第一開口OPl。`
[0079]遮擋構(gòu)件20被容納在支撐構(gòu)件10中。遮擋構(gòu)件20包括小于第一開口 OPl的第二開口 0P2。經(jīng)過(guò)第一開口 OPl的沉積材料Ml至M4在經(jīng)過(guò)第二開口 0P2之后被沉積在基底基板SUB上。
[0080]驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30根據(jù)掩膜組件MA的移動(dòng)來(lái)改變第二開口 0P2相對(duì)于基底基板SUB的位置。例如，第二開口 0P2在掩膜組件MA在第一沉積源SI上方時(shí)相對(duì)于基底基板SUB的位置可不同于第二開口 0P2在掩膜組件MA在第四沉積源S4上方時(shí)相對(duì)于基底基板SUB的位置。
[0081]傳送單元TP包括多個(gè)輥?zhàn)?。輥?zhàn)颖话惭b在第一側(cè)壁SWl和第二側(cè)壁SW2上。輥?zhàn)咏佑|支撐構(gòu)件10。支撐構(gòu)件10根據(jù)輥?zhàn)拥男D(zhuǎn)在第一方向Dl上移動(dòng)。輥?zhàn)涌赏ㄟ^(guò)布置在沉積室CB外部的電機(jī)而操作。通過(guò)打開和關(guān)閉電機(jī)可控制輥?zhàn)拥牟僮?。傳送單元TP不限于輥?zhàn)踊蜉佔(zhàn)拥倪@種實(shí)施方式。在其它實(shí)施例中，傳送單元TP可包括不同的傳送設(shè)備，例如傳送帶，而不是輥?zhàn)印?br> [0082]圖4A為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件MA的透視圖。圖4B為示出圖4A的掩膜組件MA的分解透視圖。
[0083]參照?qǐng)D4A和圖4B，支撐構(gòu)件10包括底部部分10-BP和側(cè)壁10-SW。第一開口 OPl形成為穿過(guò)底部部分10-BP。側(cè)壁10-SW從底部部分10-BP彎曲以便支撐基底基板SUB。底部部分10-BP當(dāng)在俯視圖中觀察時(shí)具有矩形形狀。側(cè)壁10-SW從具有矩形形狀的底部部分IO-BP的四側(cè)的每一側(cè)彎曲。側(cè)壁IO-SW包括連接到底部部分10-BP的四側(cè)的豎直部分和連接到豎直部分并且接觸基底基板SUB的水平部分。
[0084]遮擋構(gòu)件20被布置在底部部分10-BP上以與第一開口 OPl重疊。遮擋構(gòu)件20被側(cè)壁10-SW圍繞并且具有矩形形狀。遮擋構(gòu)件20具有比第一開口 OPl大的面積。
[0085]第二開口 0P2在與第一方向Dl基本垂直的第二方向D2上為細(xì)長(zhǎng)的。例如，第二開口 0P2可為槽隙,在第二方向D2上具有的長(zhǎng)度長(zhǎng)于在第一方向Dl上的寬度。
[0086]驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30 (參見圖3)可根據(jù)掩膜組件MA的移動(dòng)被旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30的旋轉(zhuǎn)力被傳遞到遮擋構(gòu)件20，并且遮擋構(gòu)件20因旋轉(zhuǎn)力而移動(dòng)。導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30旋轉(zhuǎn)的動(dòng)力源可以是但不限于與外部構(gòu)件(例如，摩擦力)等摩擦的機(jī)械構(gòu)件，例如，電機(jī)。
[0087]如圖4A和圖4B所示，驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30包括被構(gòu)造為沿相反方向旋轉(zhuǎn)的第一和第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，例如，第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R。第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R被布置在側(cè)壁10-SW的沿第二方向D2彼此面對(duì)的相對(duì)側(cè)壁上。本發(fā)明不限于此，并且在其它實(shí)施例中，第一或第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L或30-R中的一個(gè)可不存在。
[0088]第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R中的每個(gè)包括第一小齒輪30-P1、第二小齒輪30-P2、第三小齒輪30-P3、第一旋轉(zhuǎn)軸30-RA1和第二旋轉(zhuǎn)軸30-RA2。第一小齒輪30-P1接收來(lái)自外部設(shè)備的動(dòng)力。
[0089]第一旋轉(zhuǎn)軸30-RA1將第一小齒輪30-P1連接到第二小齒輪30-P2，以便將動(dòng)力從第一小齒輪30-P1傳送到第二小齒輪30-P2。第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R的第一旋轉(zhuǎn)軸30-RA1被插入形成為穿過(guò) 沿第二方向D2面對(duì)彼此的側(cè)壁10-SW的通孔TH-L和TH-R中。
[0090]第三小齒輪30-P3被聯(lián)接到第二小齒輪30_P2(例如與第二小齒輪30-P2嚙合)，以便從第二小齒輪30-P2接收動(dòng)力。第三小齒輪30-P3利用來(lái)自第二小齒輪30-P2的動(dòng)力移動(dòng)遮擋構(gòu)件20。連接到第三小齒輪30-P3的第二旋轉(zhuǎn)軸30-RA2被固定到底部部分10-BP。
[0091]在其它實(shí)施例中，第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R中的每個(gè)的第一小齒輪30-P1、第二小齒輪30-P2和第三小齒輪30-P3可由不具有鋸齒圖案的鐵餅形旋轉(zhuǎn)構(gòu)件取代。根據(jù)另一實(shí)施例，第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R中的每個(gè)的第三小齒輪30-P3可被省去，并且第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R中的每個(gè)包括接觸遮擋構(gòu)件20的第二小齒輪30-P2。根據(jù)另一實(shí)施例，第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R中的每個(gè)的第一小齒輪30-P1可被省去，并且第一旋轉(zhuǎn)軸30-RA1可被諸如電機(jī)的機(jī)械構(gòu)件連接。另外，第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R可包括至少一個(gè)小齒輪。在其它實(shí)施例中，包括在第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R中的小齒輪的數(shù)量可改變。
[0092]遮擋構(gòu)件20包括多個(gè)側(cè)表面。在這些側(cè)表面中，面對(duì)第二方向D2和面對(duì)與第二方向D2相反的方向的兩個(gè)相反側(cè)表面分別接觸第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R的第三小齒輪30-P3。面對(duì)第二方向D2和面對(duì)與第二方向D2相反的方向的相反側(cè)表面可包括與第三小齒輪30-P3的鋸齒嚙合的鋸齒。
[0093]由于第三小齒輪30-P3與遮擋構(gòu)件20的兩個(gè)側(cè)表面之間的嚙合，當(dāng)動(dòng)力應(yīng)用到第三小齒輪30-P3時(shí)，遮擋構(gòu)件20的位置相對(duì)于基底基板SUB被改變。根據(jù)遮擋構(gòu)件20的位置的變化，第二開口 0P2的位置相對(duì)于基底基板SUB被改變。在其它實(shí)施例中，面對(duì)第二方向D2和面對(duì)與第二方向D2相反的方向的側(cè)表面的鋸齒可省去。[0094]根據(jù)第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L和30-R的第一小齒輪30-P1的旋轉(zhuǎn)，遮擋構(gòu)件20的位置被改變。當(dāng)?shù)谝恍D(zhuǎn)構(gòu)件30-L的第一小齒輪30-P1沿逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)并且第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-R的第一小齒輪30-P1沿順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，遮擋構(gòu)件20沿與第一方向Dl相反的方向移動(dòng)。
[0095]圖5A為示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件MAlO的透視圖。圖5B為示出圖5A的掩膜組件MAlO的分解透視圖。圖5A和圖5B示出的掩膜組件MAlO具有與參照?qǐng)D4A和圖4B描述的掩膜組件MA的構(gòu)造相似的構(gòu)造，因此將不再重復(fù)相同構(gòu)造的詳細(xì)描述。
[0096]參照?qǐng)D5A和圖5B，掩膜組件MAlO進(jìn)一步包括彼此分開并且布置(例如，位于)在支撐構(gòu)件10的底部部分10-BP上的第一和第二軌道單元RP-L和RP-R。第一軌道單元RP-L和第二軌道單元RP-R沿第一方向Dl延伸。 [0097]另外，掩膜組件MAlO包括第一和第二聯(lián)接單元(例如，第一和第二聯(lián)接塊CM-L和CM-R),其分別聯(lián)接到第一和第二軌道單元RP-L和RP-R，從而第一和第二聯(lián)接塊CM-L和CM-R分別沿第一和第二軌道單元RP-L和RP-R移動(dòng)。圖5B示出兩個(gè)第一聯(lián)接塊CM-L和兩個(gè)第二聯(lián)接塊CM-R作為示例。第一和第二聯(lián)接單元被聯(lián)接到遮擋構(gòu)件20并且被插入第一和第二軌道單元RP-L和RP-R中，以便允許遮擋構(gòu)件20沿第一和第二軌道單元RP-L和RP-R移動(dòng)。
[0098]第一聯(lián)接塊CM-L和第二聯(lián)接塊CM-R被附接到遮擋構(gòu)件20的下表面。因此，遮擋構(gòu)件20因分別聯(lián)接到第一和第二軌道單元RP-L和RP-R的第一和第二聯(lián)接塊CM-L和CM-R而穩(wěn)定地移動(dòng)。結(jié)果是，遮擋構(gòu)件20可以更牢固地聯(lián)接到驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30或嚙合驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30。
[0099]圖6A為示出根據(jù)本發(fā)明又一示例性實(shí)施例的用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件MA20的透視圖。圖6B為示出圖6A的掩膜組件MA20的分解透視圖。圖6A和圖6B示出的掩膜組件MA20具有與參照?qǐng)D4A和圖4B描述的掩膜組件MA的構(gòu)造相似的構(gòu)造，因此將不再重復(fù)相同構(gòu)造的詳細(xì)描述。
[0100]參照?qǐng)D6A和圖6B，掩膜組件MA20包括支撐構(gòu)件10、至少一個(gè)左遮擋構(gòu)件20L和/或右遮擋構(gòu)件20R以及驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30 (參見圖3)。支撐構(gòu)件10包括形成為貫穿其中的至少一個(gè)第一開口 OPl。如圖6B所示，支撐構(gòu)件10包括四個(gè)第一開口 OPl，即，兩個(gè)左第一開
口和兩個(gè)右第一開口。
[0101]掩膜組件MA20包括多個(gè)左、右遮擋構(gòu)件20L和20R。例如，左、右遮擋構(gòu)件20L和20R的數(shù)量可與第一開口 OPl的數(shù)量相同。也就是，四個(gè)左、右遮擋構(gòu)件20L和20R可被布置(例如定位)為分別對(duì)應(yīng)于四個(gè)第一開口 0P1，如圖6B中所示。四個(gè)左、右遮擋構(gòu)件20L和20R包括兩個(gè)左遮擋構(gòu)件20L和兩個(gè)右遮擋構(gòu)件20R。兩個(gè)左遮擋構(gòu)件20L分別與兩個(gè)左第一開口 OPl重疊，兩個(gè)右遮擋構(gòu)件20R分別與兩個(gè)右第一開口 OPl重疊。
[0102]每個(gè)左遮擋構(gòu)件20L包括具有左第二開口 20-L0P的左可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20_L和左旋轉(zhuǎn)軸20-RAL。左旋轉(zhuǎn)軸20-RAL被聯(lián)接到左可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-L，以便旋轉(zhuǎn)左可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-L。
[0103]每個(gè)右遮擋構(gòu)件20R包括具有右第二開口 20-R0P的右可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-R和右旋轉(zhuǎn)軸20-RAR。右旋轉(zhuǎn)軸20-RAR被聯(lián)接到右可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-R，以便旋轉(zhuǎn)右可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-R。左旋轉(zhuǎn)軸20-RAL和右旋轉(zhuǎn)軸20-RAR被聯(lián)接到底部部分10-BP。
[0104]左可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-L和右可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-R根據(jù)掩膜組件MA20的移動(dòng)而旋轉(zhuǎn)。左可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-L和右可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-R沿彼此相反的方向旋轉(zhuǎn)。在其它實(shí)施例中，掩膜組件MA20可包括左遮擋構(gòu)件20L或者右遮擋構(gòu)件20R。
[0105]當(dāng)?shù)谝恍D(zhuǎn)構(gòu)件30-L的第一小齒輪30-P1沿逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，左可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-L沿逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。當(dāng)?shù)诙D(zhuǎn)構(gòu)件30-R的第一小齒輪30-P1沿順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，右可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-R沿順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。由于左可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-L的旋轉(zhuǎn)，左第二開口 20-L0P的位置相對(duì)于基底基板SUB被改變。另外，右第二開口 20-R0P的位置根據(jù)右可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-R的旋轉(zhuǎn)對(duì)于基底基板SUB被改變。
[0106]圖7為示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的圖1示出的沉積裝置的一部分的第一剖視圖。圖8為示出圖1和圖7示出的沉積裝置的一部分的第二剖視圖。圖9為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖1和圖7-8的沉積裝置的一部分的透視圖。
[0107]在圖7至圖9中，相同的附圖標(biāo)記指代與圖1至圖6B中相同的元件，因此將不再重復(fù)相同元件的詳細(xì)描述。另外，圖7至圖9示出以圖5A和圖5B所示的掩膜組件MAlO作為示例，并且傳送單元TP包括棍子。
[0108]掩膜組件MAlO通過(guò)布置在第一和第二側(cè)壁SWl和SW2上的輥?zhàn)覶P沿第一方向Dl移動(dòng)。例如，掩膜組件MAlO的支撐構(gòu)件10接觸輥?zhàn)覶P。因此，當(dāng)輥?zhàn)覶P停止其操作時(shí)，掩膜組件MAlO可停止移動(dòng)。
[0109]當(dāng)掩膜組件MAlO經(jīng)過(guò)沉積室CB時(shí)，掩膜組件MAlO可在單獨(dú)的沉積區(qū)210至240(參見圖1)中的每個(gè)沉積區(qū)處停止移動(dòng)。當(dāng)掩膜組件MAlO停止移動(dòng)時(shí)，沉積材料被沉積在基底基板SUB上。因此，當(dāng)掩膜組件MAlO經(jīng)過(guò)沉積室CB時(shí)，沉積材料Ml至M4被沉積在基底基板SUB的不同區(qū)中。
[0110]例如，掩膜組件MAlO可在第一沉積源SI處停止移動(dòng)。在此情況下，第二開口 0P2相對(duì)于基底基板SUB的位置被定`義為第一位置。從第一沉積源SI蒸發(fā)的第一沉積材料Ml穿過(guò)第一開口 OPl和第二開口 0P2被沉積在基底基板SUB的區(qū)域中。在第一沉積源SI處停止移動(dòng)持續(xù)沉積時(shí)間段(例如，預(yù)定時(shí)間段)的掩膜組件MAlO再次沿第一方向Dl移動(dòng)。在此情況下，遮擋構(gòu)件20沿與第一方向Dl相反的方向移動(dòng)。
[0111]掩膜組件MAlO在第二沉積源S2處停止移動(dòng)。第二開口 0P2相對(duì)于基底基板SUB的位置被定義為第二位置。第二位置不同于第一位置，這是因?yàn)閺牡诙_口 0P2位于第一位置開始，第二開口 0P2已經(jīng)沿與第一方向Dl相反的方向(B卩，遠(yuǎn)離第一方向)移動(dòng)。也就是，為了到達(dá)第二位置，第二開口 0P2不得不比移動(dòng)到達(dá)第一位置的第二開口 0P2沿與第一方向Dl相反的方向更進(jìn)一步地移動(dòng)。因此，從第二沉積源S2蒸發(fā)的第二沉積材料M2穿過(guò)第一開口 OPl和第二開口 0P2被沉積在基底基板SUB的區(qū)域中，該區(qū)域與第一沉積材料Ml所沉積的區(qū)域不同。
[0112]隨后，掩膜組件MAlO在第三和第四沉積源S3和S4的每個(gè)處停止移動(dòng)。當(dāng)掩膜組件MAlO完全經(jīng)過(guò)沉積室CB的沉積區(qū)200時(shí)，第一至第四沉積材料Ml至M4被沉積在基底基板SUB的不同區(qū)中。之后，沉積在基底基板SUB上的第一至第四沉積材料Ml至M4的每個(gè)的厚度和均勻度被測(cè)量。測(cè)量到的厚度和均勻度與參考厚度和均勻度值進(jìn)行比較。因此，沉積室CB的沉積過(guò)程被測(cè)試，以便根據(jù)比較結(jié)果看其是否適用于制造顯示裝置(或其它半導(dǎo)體器件)。
[0113]如圖7至圖9所示，根據(jù)本示例性實(shí)施例的沉積裝置包括布置在沉積室CB的第一和第二側(cè)壁SWl和SW2中的每個(gè)側(cè)壁上的多個(gè)傳送架TRl至TR4。傳送架TRl至TR4位于沉積區(qū)200中。
[0114]圖7至圖9示出布置在第一側(cè)壁SWl和第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L的第一小齒輪30-P1(參見圖5B)上的傳送架TRl至TR4。傳送架TRl至TR4彼此分開。傳送架TRl至TR4被布置為以一對(duì)一的對(duì)應(yīng)關(guān)系對(duì)應(yīng)于沉積源SI至S4。傳送架TRl至TR4被布置為在第一方向Dl上比沉積源SI至S4更靠近裝載區(qū)100。在本發(fā)明另一實(shí)施例中，傳送架以一對(duì)一的對(duì)應(yīng)關(guān)系對(duì)應(yīng)于分隔壁BI至B3 (或沉積源SI至S4之間的空間)。也就是，在第一沉積源SI之前沒有傳送架。
[0115]當(dāng)掩膜組件MAlO沿第一方向Dl移動(dòng)時(shí)，第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30_L的第一小齒輪30-P1順序地嚙合傳送架TRl至TR4。例如，當(dāng)?shù)谝恍↓X輪30-P1完成與第一傳送架TRl嚙合時(shí)，第二開口 0P2位于第一位置，并且當(dāng)?shù)谝恍↓X輪30-P1完成與第二傳送架TR2嚙合時(shí)，第二開口 0P2位于第二位置。如圖9所示，當(dāng)?shù)谝恍↓X輪30-P1與第二傳送架TR2嚙合時(shí)，遮擋構(gòu)件20沿與第一方向Dl相反的方向相對(duì)于基底基板SUB移動(dòng)一長(zhǎng)度,該長(zhǎng)度與第二傳送架TR2的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)。
[0116]在另一實(shí)施例中，圖6A和圖6B示出的掩膜組件MA20的左可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-L可因第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L的第一小齒輪30-P1與布置在第一側(cè)壁SWl上的傳送架TRl至TR4嚙合而沿逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。另外，右可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件20-R可因第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-R的第一小齒輪30-P1與布置在第二側(cè)壁SW2上的傳送架TRl至TR4嚙合而沿順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。
[0117]圖10為示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的圖1和圖7-8的沉積裝置的一部分與掩膜組件MA30的透視圖 。圖11為示出包括圖10中所示的掩膜組件MA30的一部分的沉積裝置的一部分的放大透視圖。在圖10和圖11中，相同的附圖標(biāo)記指代與圖1至圖9中相同的元件，因此將不再重復(fù)相同元件的詳細(xì)描述。
[0118]參照?qǐng)D10和圖11，沉積裝置包括布置在沉積室CB的側(cè)壁SWl和SW2上的多個(gè)磁性傳送構(gòu)件TMl至TM3。磁性傳送構(gòu)件TMl至TM3中的每個(gè)包括彼此交替設(shè)置的N極部分和S極部分。磁性傳送構(gòu)件TMl至TM3中的每個(gè)沿第一方向Dl延伸。磁性傳送構(gòu)件TMl至TM3替代圖9中所示的傳送架TRl至TR4而使用。
[0119]如圖10至圖11中所示，掩膜組件MA30的第一和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30_L和30-R中的每個(gè)包括鐵餅形磁性構(gòu)件30-M1。鐵餅形磁性構(gòu)件30-M1還包括沿其周界彼此交替設(shè)置的N極部分和S極部分。第一小齒輪30-P1 (參見圖4B)因此可由鐵餅形磁性構(gòu)件30-M1取代。
[0120]當(dāng)掩膜組件MA30沿第一方向Dl移動(dòng)時(shí)，鐵餅形磁性構(gòu)件30-M1移動(dòng)接近每個(gè)磁性傳送構(gòu)件TMl至TM3。鐵餅形磁性構(gòu)件30-M1可與磁性傳送構(gòu)件TMl至TM3分開。鐵餅形磁性構(gòu)件30-M1因鐵餅形磁性構(gòu)件30-M1與磁性傳送構(gòu)件TMl至TM3的N極部分和S極部分之間的磁力，例如，引力和/或斥力而旋轉(zhuǎn)。
[0121]例如，當(dāng)鐵餅形磁性構(gòu)件30-M1經(jīng)過(guò)第二磁性傳送構(gòu)件TM2時(shí)，遮擋構(gòu)件20沿與第一方向Dl相反的方向移動(dòng)一長(zhǎng)度,該長(zhǎng)度與第二磁性傳送構(gòu)件TM2的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)。根據(jù)本示例性實(shí)施例，由于在鐵餅形磁性構(gòu)件30-M1與磁性傳送構(gòu)件TMl至TM3之間不發(fā)生摩擦，因而在沉積區(qū)200中不會(huì)產(chǎn)生異物。在其它實(shí)施例中，第二小齒輪30-P2和第三小齒輪30-P3也可由鐵餅形磁性構(gòu)件取代。[0122]圖12為示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的沉積裝置的俯視圖。圖13為示出圖12示出的沉積裝置的一部分的第一剖視圖。圖14為示出圖12-13示出的沉積裝置的一部分的第二剖視圖。在圖12至圖14中，相同的附圖標(biāo)記指代與圖1至圖11中相同的元件，因此將不再重復(fù)相同元件的詳細(xì)描述。
[0123]參照?qǐng)D12至圖14，沉積裝置包括沉積室CB、多個(gè)沉積源S1-S4、掩膜組件MA和傳送單元TP(參見圖2)。沉積裝置進(jìn)一步包括返回室RCB和返回單元RTP。返回單元RTP被布置在返回室RCB中，以便將掩膜組件MA從卸載區(qū)300返回到裝載區(qū)100。返回單元RTP如傳送單元TP那樣可被構(gòu)造為例如包括傳送帶或一組輥?zhàn)?或一些其它傳送設(shè)備)。返回單元RTP移動(dòng)與基底基板SUB (參見圖3)分開或分離的掩膜組件ΜΑ。
[0124]返回室RCB包括第一側(cè)壁RSW1、沿第二方向D2面對(duì)第一側(cè)壁RSWl的第二側(cè)壁RSW2、底部部分RBP和頂部部分RCP。返回單元RTP可被布置在第一側(cè)壁RSWl和第二側(cè)壁RSW2 上。
[0125]返回室RCB可進(jìn)一步包括布置在返回室RCB的第一側(cè)壁RSWl或第二側(cè)壁RSW2中的至少一個(gè)上的返回架RTR。返回架RTR還可被布置在第一側(cè)壁RSWl和第二側(cè)壁RSW2的
每一個(gè)上。
[0126]掩膜組件MA在掩膜組件MA進(jìn)入(例如，被聯(lián)接到傳送單元TP或受控于傳送單元TP而放置)至傳送單元TP (例如，對(duì)應(yīng)于裝載區(qū)100)的沉積室CB的相反端(例如，對(duì)應(yīng)于卸載區(qū)300)處進(jìn)入(例如，被聯(lián)接到返回單元RTP或受控于返回單元RTP而放置)返回單元RTP0為了將遮擋構(gòu)件20的位置返回到掩膜組件MA進(jìn)入傳送單元TP之前的位置，每個(gè)返回架RTR可具有與傳送架TRl至T R4的長(zhǎng)度之和相等的長(zhǎng)度。當(dāng)掩膜組件MA沿與第一方向Dl相反的方向移動(dòng)時(shí)，驅(qū)動(dòng)構(gòu)件30 (例如，第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-L或第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-R)的小齒輪30-Ρ1和30-Ρ2 (參見圖4Β)分別嚙合布置在第一側(cè)壁RSWl和第二側(cè)壁RSW2上的返回架RTR。
[0127]當(dāng)掩膜組件MA完全經(jīng)過(guò)返回架RTR時(shí)，遮擋構(gòu)件20沿第一方向Dl相對(duì)于掩膜組件MA移動(dòng)一長(zhǎng)度，該長(zhǎng)度與返回架RTR的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)。也就是，完全經(jīng)過(guò)返回架RTR的遮擋構(gòu)件20的位置返回至其在掩膜組件MA進(jìn)入傳送單元TP之前的初始位置。
[0128]根據(jù)另一實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝恍D(zhuǎn)構(gòu)件30-L和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件30-R中的每一個(gè)包括鐵餅形磁性構(gòu)件30-Μ1 (參見圖10和圖11)時(shí)，返回架RTR可由其中N極部分和S極部分彼此交替設(shè)置的磁性返回構(gòu)件取代。
[0129]盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，理解的是，本發(fā)明不應(yīng)限于這些示例性實(shí)施例，而是在由下文所附權(quán)利要求要求的本發(fā)明的精神和范圍及其等同物內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠做出各種改變和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件，包括: 支撐構(gòu)件，具有被構(gòu)造為允許沉積材料經(jīng)過(guò)的第一開口，同時(shí)支撐基底基板，所經(jīng)過(guò)的沉積材料在所述掩膜組件沿第一方向移動(dòng)的同時(shí)被沉積在所述基底基板上； 遮擋構(gòu)件，被容納在所述支撐構(gòu)件中，并且具有比所述第一開口小的第二開口 ；和驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)來(lái)移動(dòng)所述遮擋構(gòu)件，以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的掩膜組件，其中所述支撐構(gòu)件包括: 具有所述第一開口的底部部分；和 從所述底部部分彎曲以便支撐所述基底基板的側(cè)壁。
3.如權(quán)利要求2所述的掩膜組件，其中所述遮擋構(gòu)件被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)沿與所述第一方向相反的方向相對(duì)于所述基底基板移動(dòng)。
4.如權(quán)利要求3所述的掩膜組件，其中所述第二開口沿與所述第一方向基本垂直的第二方向延伸。
5.如權(quán)利要求2所述的掩膜組件，其中所述遮擋構(gòu)件具有比所述第一開口大的面積，并且位于所述底部部分上。
6.如權(quán)利要求2所述的掩膜組件，進(jìn)一步包括: 位于所述底部部分上的軌道單元；和 聯(lián)接單元，被聯(lián)接到所述遮擋構(gòu)件并且被插入所述軌道單元中，以便允許所述遮擋構(gòu)件沿所述軌道單元移動(dòng)。
7.如權(quán)利要求1所述的掩膜組件，其中 所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)而旋轉(zhuǎn)，并且 所述遮擋構(gòu)件被構(gòu)造為根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)。
8.如權(quán)利要求7所述的掩膜組件，其中所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件包括被構(gòu)造為因摩擦力而旋轉(zhuǎn)的第一小齒輪。
9.如權(quán)利要求8所述的掩膜組件，其中所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件進(jìn)一步包括第二小齒輪，該第二小齒輪被構(gòu)造為從所述第一小齒輪接收動(dòng)力并且接觸所述遮擋構(gòu)件的側(cè)表面。
10.如權(quán)利要求9所述的掩膜組件，其中所述遮擋構(gòu)件包括鋸齒，該鋸齒在所述遮擋構(gòu)件的所述側(cè)表面上并且被構(gòu)造為嚙合所述第二小齒輪的鋸齒。
11.如權(quán)利要求7所述的掩膜組件，其中所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件包括交替設(shè)置的N極部分和S極部分，并且被構(gòu)造為因磁力而旋轉(zhuǎn)。
12.一種用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件，包括: 支撐構(gòu)件，具有被構(gòu)造為允許沉積材料經(jīng)過(guò)的第一開口，同時(shí)支撐基底基板，所經(jīng)過(guò)的沉積材料在所述掩膜組件移動(dòng)的同時(shí)被沉積在所述基底基板上； 遮擋構(gòu)件，被容納在所述支撐構(gòu)件中，并且包括具有比所述第一開口小的第二開口的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件；和 驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)來(lái)旋轉(zhuǎn)所述可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件，以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
13.如權(quán)利要求12所述的掩膜組件，其中所述支撐構(gòu)件包括: 具有所述第一開口的底部部分；和從所述底部部分彎曲以便支撐所述基底基板的側(cè)壁。
14.如權(quán)利要求12所述的掩膜組件，其中所述遮擋構(gòu)件進(jìn)一步包括被聯(lián)接到所述可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件以便旋轉(zhuǎn)所述可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)軸。
15.如權(quán)利要求14所述的掩膜組件，其中 所述第一開口包括左第一開口和右第一開口，并且 所述遮擋構(gòu)件包括與所述左第一開口重疊的左遮擋構(gòu)件和與所述右第一開口重疊的右遮擋構(gòu)件。
16.如權(quán)利要求15所述的掩膜組件，其中 所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件包括第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件和第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件被構(gòu)造為沿第一方向旋轉(zhuǎn)，所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件被構(gòu)造為根據(jù)所述支撐構(gòu)件的移動(dòng)沿與所述第一方向相反的第二方向旋轉(zhuǎn)， 所述左遮擋構(gòu)件的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置被構(gòu)造為因所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而改變，并且 所述右遮擋構(gòu)件的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置被構(gòu)造為因所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而改變。
17.如權(quán)利要求16所述的掩膜組件，其中所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件和所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件中的每個(gè)驅(qū)動(dòng)構(gòu)件包括被構(gòu)造為因摩擦力而旋轉(zhuǎn)的第一小齒輪。
18.如權(quán)利要求17所述的掩膜組件，其中所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件和所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件中的每個(gè)驅(qū)動(dòng)構(gòu)件進(jìn)一步包括第二小齒輪，該第二小齒輪被構(gòu)造為從所述第一小齒輪接收動(dòng)力并且接觸所述遮擋構(gòu)件的側(cè)表面。
19.如權(quán)利要求16所述的掩膜組件，其中 所述第一驅(qū)動(dòng)構(gòu)件和所述第二驅(qū)動(dòng)構(gòu)件中的每個(gè)驅(qū)動(dòng)構(gòu)件包括鐵餅形的磁性構(gòu)件，該鐵餅形的磁性構(gòu)件包括交替設(shè)置的N極部分和S極部分，并且所述磁性構(gòu)件被構(gòu)造為因磁力而旋轉(zhuǎn)。
20.—種沉積裝置,包括: 被構(gòu)造為使沉積材料沉積的多個(gè)沉積源； 容納所述多個(gè)沉積源的沉積室； 用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件，該掩膜組件被構(gòu)造為聯(lián)接到基底基板同時(shí)移動(dòng)通過(guò)所述沉積室，同時(shí)所述多個(gè)沉積源將所述沉積材料沉積在所述基底基板上；和傳送單元，被構(gòu)造為將所述掩膜組件移動(dòng)通過(guò)所述沉積室； 其中所述掩膜組件包括: 支撐構(gòu)件，具有被構(gòu)造為允許沉積材料經(jīng)過(guò)的第一開口，同時(shí)支撐基底基板，所經(jīng)過(guò)的沉積材料沉積在所述基底基板上； 遮擋構(gòu)件，被容納在所述支撐構(gòu)件中，并且具有比所述第一開口小的第二開口 ；和驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)來(lái)改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
21.如權(quán)利要求20所述的沉積裝置，其中所述傳送單元包括被構(gòu)造為將所述掩膜組件移動(dòng)通過(guò)所述沉積室的多個(gè)輥?zhàn)印?br> 22.如權(quán)利要求20所述的沉積裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)而旋轉(zhuǎn)，并且 所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置被構(gòu)造為因所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而改變。
23.如權(quán)利要求22所述的沉積裝置，其中所述沉積室包括: 裝載區(qū)，被構(gòu)造為將所述基底基板聯(lián)接到所述掩膜組件； 沉積區(qū)，所述多個(gè)沉積源被容納在該沉積區(qū)中；和 卸載區(qū)，被構(gòu)造為將所述基底基板與所述掩膜組件分離。
24.如權(quán)利要求23所述的沉積裝置，其中 所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件包括多個(gè)小齒輪，并且 所述多個(gè)小齒輪中的一個(gè)小齒輪被構(gòu)造為接觸所述遮擋構(gòu)件的側(cè)表面，以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
25.如權(quán)利要求24所述的沉積裝置，其中所述沉積室包括在所述沉積區(qū)的側(cè)壁上的多個(gè)傳送架，以便對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)沉積源或者對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)沉積源之間的空間。
26.如權(quán)利要求25所述的沉積裝置，其中所述多個(gè)小齒輪中的另一個(gè)小齒輪被構(gòu)造為接觸所述多個(gè)傳送架，以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
27.如權(quán)利要求26所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括: 返回單元，該返回單元被構(gòu)造為將所述掩膜組件從所述卸載區(qū)返回到所述裝載區(qū)；和 容納所述返回單元的返回室。
28.如權(quán)利要求27所述的沉積裝置，其中所述返回室包括在所述返回室的側(cè)壁上的返回架。
29.如權(quán)利要求23所述的沉積裝置，其中 所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件包括鐵餅形磁性構(gòu)件，該鐵餅形磁性構(gòu)件包括交替設(shè)置的N極部分和S極部分，并且 所述沉積室包括在與所述多個(gè)沉積源對(duì)應(yīng)的所述沉積區(qū)的側(cè)壁上的多個(gè)磁性傳送構(gòu)件，每個(gè)磁性傳送構(gòu)件包括交替設(shè)置的N極部分和S極部分。
30.如權(quán)利要求23所述的沉積裝置，其中所述支撐構(gòu)件包括: 具有所述第一開口的底部部分；和 從所述底部部分彎曲以便支撐所述基底基板的側(cè)壁。
31.如權(quán)利要求30所述的沉積裝置，其中所述遮擋構(gòu)件被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)沿與所述掩膜組件移動(dòng)的方向相反的方向相對(duì)于所述基底基板移動(dòng)。
32.如權(quán)利要求30所述的沉積裝置，其中所述遮擋構(gòu)件包括被構(gòu)造為因所述掩膜組件的移動(dòng)而旋轉(zhuǎn)的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件。
33.一種使用掩膜組件用于沉積過(guò)程的測(cè)試方法，所述測(cè)試方法包括: 使所述掩膜組件進(jìn)入沉積室的容納多個(gè)沉積源的沉積區(qū)中，所述掩膜組件包括支撐基底基板的支撐構(gòu)件以及具有開口的遮擋構(gòu)件； 將來(lái)自所述多個(gè)沉積源的相應(yīng)的多個(gè)沉積材料沉積在所述基底基板上； 將所述掩膜組件移動(dòng)通過(guò)所述沉積區(qū)；并且 根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)改變所述遮擋構(gòu)件的所述開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
34.如權(quán)利要求33所述的測(cè)試方法，進(jìn)一步包括: 使所述掩膜組件離開所述沉積區(qū)，以及將所述掩膜組件從所述沉積區(qū)的出口返回到所述沉積區(qū)的入口。
35.如權(quán)利要求33所述的測(cè)試方法，其中改變所述遮擋構(gòu)件的所述開口的位置包括，相對(duì)于所述基底基板沿與所述掩膜組件移動(dòng)的方向相反的方向移動(dòng)所述遮擋構(gòu)件。
36.如權(quán)利要求33所述的測(cè)試方法，其中改變所述遮擋構(gòu)件的所述開口的位置包括，根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)旋轉(zhuǎn)所述遮擋構(gòu)件。
37.如權(quán)利要求33所述的測(cè)試方法，其中所述多個(gè)沉積材料包括對(duì)應(yīng)的多個(gè)不同的沉積材料。`
【文檔編號(hào)】C23C14/00GK103668046SQ201310189944
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月4日
【發(fā)明者】金珉鎬, 車裕敏, 樸錫煥 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司