技術總結
本發(fā)明屬于磁控濺射鍍膜技術領域，尤其涉及一種提高SiO2薄膜磁控濺射沉積速率方法。采用等離子體發(fā)射探測系統(tǒng)實時監(jiān)測中頻反應磁控濺射等離子體發(fā)射光譜，并根據(jù)檢測系統(tǒng)設定值將反應磁控濺射穩(wěn)定在過渡態(tài)任意工作點；氣體氛圍為：工藝氣體氬氣及反應氣體氧氣；工藝氣體置于孿生靶下方，反應氣體置于孿生靶上方；本發(fā)明等離子體光譜原位監(jiān)測不影響薄膜生長過程，有利于薄膜制備過程向智能化方向發(fā)展，光譜分析與計算機相結合。有效地提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

技術研發(fā)人員：李晨光
受保護的技術使用者：南昌歐菲光科技有限公司
文檔號碼：201310256923
技術研發(fā)日：2013.06.26
技術公布日：2017.07.04