一種在鈉鈣基基片使用磁控濺射制備透明導(dǎo)電膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種在鈉鈣基基片上使用磁控濺射制備透明導(dǎo)電膜的方法，該方法通過磁控濺射的方法，在真空室內(nèi)根據(jù)電阻值的不同，沉積不同厚度的氧化銦錫薄膜，所制備的氧化銦錫膜具有電阻均勻性好、電阻率低、高透光率、較好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點。具有較好的使用價值和較高的經(jīng)濟價值。
【專利說明】一種在鈉鈣基基片使用磁控濺射制備透明導(dǎo)電膜的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種在鈉鈣基基片上使用真空磁控濺射制備透明導(dǎo)電膜的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在平板顯示器件上通常利用磁控濺射技術(shù)對基片表面制備氧化銦錫透明導(dǎo)電膜?，F(xiàn)有的連續(xù)式真空磁控濺射鍍膜工藝是針對玻璃基片進行鍍膜，由于鈉鈣基材料的特性，依舊使用原制備的氧化銦錫膜工藝制備，其電阻率、透過率和化學(xué)穩(wěn)定性等參數(shù)均不能滿足生產(chǎn)要求。因此，需要研發(fā)出專門用于鈉鈣基基片制備透明導(dǎo)電膜的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是實現(xiàn)一種針對鈉鈣基基片制備高質(zhì)量透明導(dǎo)電膜的方法。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種在鈉鈣基基片上使用磁控濺射制備透明導(dǎo)電膜的方法，該方法具體步驟包括:
[0005]1將鈉鈣基基片放入磁控濺射設(shè)備的裝載室，密封后進行抽真空；
[0006]以將鈉鈣基基片運送至加熱室，將基片加熱至150?2501 ；
[0007]0、將加熱后的鈉鈣基基片運送至濺射室，采用磁控濺射方式進行氧化銦錫膜沉積，依氧化銦錫面電阻值的不同，濺射室內(nèi)陰極直流電源輸入功率為0.6^?6“ ；；
[0008]么將鍍膜完畢的基片運送至冷卻室進行冷卻；
[0009]6、將冷卻后的基片放入卸載室，卸片。
[0010]所述的步驟6完成后，還設(shè)有檢驗步驟，評價鈉鈣基基片的電阻、透過率的理化參數(shù)。
[0011]利用注入氣體流量，將裝載室中壓力控制在5即；將加熱室中壓力控制在6.0X10^8 ；將濺射室中壓力控制在0.15-0.85？3。
[0012]所述的步驟(1冷卻時間為10?30分鐘。
[0013]所述的鈉鈣基基板是由一層玻璃基板和一層鈉鈣基層組成，所述的玻璃基板厚度為1.1111111,所述的鈉.丐基層厚度為1?5 4 III ；
[0014]本發(fā)明的優(yōu)點在于該工藝方法可以在鈉鈣基基片上利用連續(xù)垂直式磁控濺射制備低電阻率、高質(zhì)量的氧化銦錫膜，且所制備的透明導(dǎo)電膜具有電阻均勻性好、電阻率低、高透過率、較好的化學(xué)穩(wěn)定性等性能。

【具體實施方式】
[0015]鈉鈣基基片制備氧化銦錫膜是在在線垂直式、連續(xù)運行的真空磁控濺射鍍膜設(shè)備上操作，該設(shè)備主要包括裝載室、加熱室、濺射室、冷卻室、卸載室，以及機械泵、低溫泵、分子泵和相關(guān)的輔助部件等構(gòu)成一個完善的真空系統(tǒng)，并采用直流電源。
[0016]鈉鈣基基片制備氧化銦錫膜，采用的鈉鈣基基板是由一層玻璃基板和一層鈉鈣基層組成，其玻璃基板厚度為1.1皿，鈉鈣基層厚度為1?511111。生產(chǎn)流程如下:鈉鈣基基片檢查 ? 清洗 ? 烘干 ? 檢查〉裝片〉送入裝載室 ? 加熱 ? 濺射鍍膜 ? 冷卻〉出片〉檢驗〉包裝。
[0017]具體的說工藝步驟如下:
[0018]對鈉鈣基基片進行外觀檢查，沒有質(zhì)量問題的基片放入超純水清洗機進行清洗、烘干；
[0019]將鈉鈣基基片裝片、并送入磁控濺射設(shè)備的裝載室，密封后進行抽真空，運送基片的小車將基片送至加熱室；
[0020]在加熱室內(nèi)將基片加熱至150?2501 ；
[0021]將加熱后的基片再由小車送入濺射室進行鍍膜，采用磁控濺射方式進行氧化銦錫膜沉積，依氧化銦錫面電阻值的不同，濺射室內(nèi)陰極直流電源輸入功率為0.6“?6“
[0022]鍍膜完成后，將基片送入冷卻室進行冷卻，冷卻時間一般為10?30分鐘；
[0023]冷卻后的納韓基基片送入卸載室，進行卸片，將裝片玻璃卸載掉；
[0024]取出完成鍍膜的鈉鈣基基片，進行性能和表觀檢查，評價鈉鈣基基片的電阻、透過率以及相關(guān)的理化參數(shù)，剔除次品；
[0025]合格品包裝，出貨。
[0026]自基片放入裝載室后，經(jīng)裝載室、加熱室、派射室、冷卻室和卸載室，均為一條密封的流水線，由小車在上述加工艙室運送基片，小車在濺射室行車時間為基片濺射節(jié)拍，小車行走的速度決定了膜的厚薄，從而決定了氧化銦錫的面電阻值，本工藝要求濺射節(jié)拍為80-1208。利用注入氣體氧氣和氬氣流量，將裝載室中壓力控制在5？^將加熱室中壓力控制在6.0乂 10—3？3，將濺射室中壓力控制在0.15?0.85^^，氣體流量由流量計控制，依據(jù)所需工作壓力調(diào)整流量的大小。
[0027]按照上述工藝方法，制備出電阻率低于2504 1挪的氧化銦錫膜，滿足在線式連續(xù)大批量生產(chǎn)要求。
[0028]上述內(nèi)容本對發(fā)明進行了示例性描述，顯然本發(fā)明具體實現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進行的各種非實質(zhì)性的改進，或未經(jīng)改進將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的，均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種在鈉鈣基基片上使用磁控濺射制備透明導(dǎo)電膜的方法，其特征在于，該方法具體步驟包括: a、脂基片放入磁控濺射設(shè)備的裝載室，密封后進行抽真空； b、將鈉鈣基基片運送至加熱室，將基片加熱至150?250°C； C、將加熱后的鈉鈣基基片運送至濺射室，采用磁控濺射方式進行氧化銦錫膜沉積，依氧化銦錫面電阻值的不同，濺射室內(nèi)陰極直流電源輸入功率為0.6kw-6kw ； d、將鍍膜完畢的基片運送至冷卻室進行冷卻； e、將鍍膜完畢的基片放入卸載室，卸片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鈉鈣基基片上使用磁控濺射制備氧化銦錫膜的方法，其特征在于:所述的步驟e完成后，還設(shè)有檢驗步驟，評價鈉鈣基基片的電阻、透過率的理化參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鈉鈣基基片上使用磁控濺射制備氧化銦錫膜的方法，其特征在于:利用注入氣體流量，將裝載室中壓力控制在5Pa ;將加熱室中壓力控制在6.0X KT3Pa ;將濺射室中壓力控制在0.15-0.85Pa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鈉鈣基基片上使用磁控濺射制備氧化銦錫膜的方法，其特征在于:所述的步驟d冷卻時間為10?30分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鈉鈣基基片上使用磁控濺射制備氧化銦錫膜的方法，其特征在于:所述的鈉鈣基基板是由一層玻璃基板和一層鈉鈣基層組成，所述的玻璃基板厚度為L Imm,所述的鈉I丐基層厚度為I?5μηι。
【文檔編號】C23C14/08GK104451575SQ201310429338
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月17日
【發(fā)明者】袁萍 申請人:無錫慧明電子科技有限公司