銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】一種銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me1-xIn2F8：xEu3+；其中，Me1-xIn2F8是基質(zhì)，且0.01≤x≤0.05，Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。該銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜（EL）中，在580nm波長(zhǎng)區(qū)有很強(qiáng)的發(fā)光峰，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。本發(fā)明還提供該銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法及其應(yīng)用。
【專利說明】銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光材料領(lǐng)域，尤其涉及一種銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜電致發(fā)光顯示器(界此!))由于其主動(dòng)發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色1？此0，開發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。但是，可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，仍未見報(bào)道。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要提供一種可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、使用該銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004]一種銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為；
[0005]其中，此&匕巧是基質(zhì)，且0.01彡X彡0.05，10為&1、％、&'或此。
[0006]在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為3011111?25011111。
[0007]—種銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0008]根據(jù)16』！^:述一各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取16？2，111？3和仙？3粉體并混合均勻在9001?13001下燒結(jié)制成靶材，其中，0.01彡X彡0.05，16為211、％、(?、&'或；
[0009]將襯底及所述靶材裝入脈沖激光沉積設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為 1.0 X 10? ?1.0 X 10—5？3 ；及
[0010]調(diào)整所述靶材與所述襯底的間距為45臟?95臟，所述襯底的溫度為2501?7 50 I，激光的能量為8 0?300“，在所述襯底上沉積得到銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為其中，
0.01 ? X ? 0.05，16 為 211、1邑、或 8已。
[0011〕 在優(yōu)選的實(shí)施例中，燒結(jié)制成靶材的操作中，燒結(jié)的溫度為12501，制成的靶材的直徑為50111111，厚度為2111111。
[0012]在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述靶材與所述襯底的間距為所述襯底的溫度為5001，所述激光的能量為150111了。
[0013]在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述襯底為110襯底。
[0014]在優(yōu)選的實(shí)施例中，沉積的操作中，通過控制沉積的時(shí)間為10111111?30111111，得到厚度為3011111?25011111的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜。
[0015]一種薄膜電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層，所述發(fā)光層為銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為 MehlnA:xEu3+ ；
[0016]其中，Mei_xIn2F8是基質(zhì)，且 0.01 彡 x 彡 0.05，Me 為 Zn、Mg、Ca、Sr 或 Ba。
[0017]一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0018]提供襯底，所述襯底包括層疊的基底和陽(yáng)極層；
[0019]在所述陽(yáng)極層上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層為銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Mei_xIn2F8:xEu3+，其中，Mei_xIn2F8是基質(zhì)，且 0.01 彡 X 彡 0.05，Me 為 Zn、Mg、Ca、Sr 或 Ba ;
[0020]在所述發(fā)光層上形成陰極層。
[0021]在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述發(fā)光層的制備包括以下步驟:
[0022]根據(jù)Mei_xIn2F8:xEu3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取MeF2，InF3和EuF3粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材，其中，0.01彡x彡0.05，Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba ；
[0023]將所述襯底及所述靶材裝入脈沖激光沉積設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為1.ο X l(T3Pa?1.0 X l(T5Pa ;及
[0024]調(diào)整所述靶材與所述襯底的間距為45mm?95mm，所述襯底的溫度為250°C?7 50 °C，激光的能量為8 0?3 0 OmJ，在所述襯底上沉積得到銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Mei_xIn2F8:xEu3+，其中，
0.01 < X < 0.05, Me 為 Zn、Mg、Ca、Sr 或 Ba。
[0025]上述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜(Mei_xIn2F8:xEu3+), Mei_xIn2F8是基質(zhì)，Eu3+是激活元素，在薄膜中充當(dāng)主要的發(fā)光中心，銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜(EL)中，在580nm波長(zhǎng)區(qū)有很強(qiáng)的發(fā)光峰，這種銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為一實(shí)施方式的薄膜電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為實(shí)施例1得到薄膜電致發(fā)光器件的EL光譜圖；
[0028]圖3為實(shí)施例1得到銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的XRD圖。

【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0030]一實(shí)施方式的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，該銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Mei_xIn2F8:xEu3+。
[0031]其中，Mei_xIn2F8是基質(zhì)，且 0.01 彡 x 彡 0.05，Me 為 Zn、Mg、Ca、Sr 或 Ba。
[0032]銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜中，Eu是摻雜元素，Eu是發(fā)光體系中的激活元素。
[0033]優(yōu)選的，X為 0.02。
[0034]優(yōu)選的，銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為30nm?250nm。
[0035]上述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜(Mei_xIn2F8:xEu3+)的電致發(fā)光光譜(EL)中，在580=0波長(zhǎng)區(qū)有很強(qiáng)的發(fā)光峰，這種銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件。
[0036]上述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，包括如下步驟:
[0037]311、根據(jù)16』！^ 各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取16？2，1必3和仙？3粉體并混合均勻在9001?13001下燒結(jié)制成靶材。
[0038]其中，0.01 彡 X 彡 0.05，16 為 211、、&'或 83。優(yōu)選的，X 為 0.02。
[0039]當(dāng)然，也可以按照摩爾比IX:2 ^稱取16？2，111？3和仙？3粉體。
[0040]優(yōu)選的，將16？2，111？3和仙？3粉體混合均勻在12501下燒結(jié)制成靶材。
[0041]優(yōu)選的，制成的祀材為圓柱形，直徑為50111111，厚度為2111111。
[0042]312、將靶材與襯底裝入脈沖激光沉積設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整真空腔體的真空度為 1.0 X 10? ?1.0 X 10—5？已。
[0043]優(yōu)選的，襯底為氧化銦錫(110)玻璃，玻璃層作為基層，110層作為導(dǎo)電層。
[0044]優(yōu)選的，襯底在使用前先進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理的操作為:用丙酮、無水乙醇和去離子水依次超聲清洗襯底，接著對(duì)襯底進(jìn)行氧等離子處理。
[0045]優(yōu)選的，真空腔體的真空度為5.0父10—4？3。
[0046]優(yōu)選的，依次使用機(jī)械泵和分子泵將真空腔體的真空度抽至1.0X10—?
1.0X10—5？3。
[0047]313、調(diào)整靶材與襯底的間距為45臟?95臟，襯底的溫度為2501?7501，激光的能量為80?300111了，在襯底上沉積得到銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜。
[0048]銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為:述,。其中，
是基質(zhì)，且0.01彡X彡0.05，16為211、%、&'或此。仙是摻雜元素，是發(fā)光體系中的激活元素。
[0049]優(yōu)選的，沉積的操作中，靶材與襯底的間距為60！11111，襯底的溫度為5001，激光的能量為150“。
[0050]優(yōu)選的，通過控制沉積的時(shí)間為10111111?30111111，得到厚度為3011111?25011111的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜。
[0051]需要說明的是，還可以將銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜從襯底上剝離。
[0052]上述鈰鋱共摻雜硼磷酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法制備得到的鈰鋱共摻雜硼磷酸鹽發(fā)光薄膜可以應(yīng)用于多種發(fā)光器件，下面僅以其應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
[0053]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的薄膜電致發(fā)光器件100，該薄膜電致發(fā)光器件100包括依次層疊的基底10、陽(yáng)極層20、發(fā)光層30以及陰極層40。
[0054]基底10的材料為玻璃。陽(yáng)極層20的材質(zhì)為氧化銦錫(工扣)。這樣，基底10和陽(yáng)極層20形成110玻璃。
[0055]發(fā)光層30為銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜。銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為舊,。其中，16』??！^是基質(zhì)，￡11是摻雜元素，是發(fā)光體系中的激活元素，且0.01彡X彡0.05，16為211、％、&'或此。
[0056]優(yōu)選的，X為 0.02。
[0057]優(yōu)選的，發(fā)光層30的厚度為3011111?25011111。
[0058]陰極層40的材質(zhì)為銀(仏)。
[0059]上述薄膜電致發(fā)光器件100的制備方法，包括以下步驟:
[0060]步驟S21、提供襯底。
[0061]襯底包括層疊的基底10和陽(yáng)極層20。
[0062]襯底為ΙΤ0玻璃，玻璃層作為基底10，ΙΤ0層作為陽(yáng)極層20。
[0063]步驟S22、在陽(yáng)極層20上形成發(fā)光層30，發(fā)光層20為銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Mei_xIn2F8:xEu3+，其中，Mei_xIn2F8是基質(zhì)，Eu是摻雜元素，是發(fā)光體系中的激活元素，且0.01彡X彡0.05，Me為Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。
[0064]制備發(fā)光層30的步驟為:
[0065]根據(jù)Mei_xIn2F8:xEu3+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取MeF2，InF3和EuF3粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材；將靶材與襯底裝入脈沖激光沉積設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整真空腔體的真空度為1.0X 10_3Pa?1.0X 10_5Pa ;調(diào)整工靶材與襯底的間距為45mm?95mm，襯底的溫度為250°C?750°C，激光的能量為80?300mJ，在襯底的陽(yáng)極層20上沉積得到銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜。
[0066]其中，0.01 彡 X 彡 0.05，Me 為 Zn、Mg、Ca、Sr 或 Ba。優(yōu)選的，x 為 0.02。
[0067]優(yōu)選的，將MeF2，InF3和EuF3粉體混合均勻在1250°C下燒結(jié)制成靶材。
[0068]優(yōu)選的，制成的祀材的直徑為50mm,厚度為2mm。
[0069]優(yōu)選的，襯底在使用前先進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理的操作為:用丙酮、無水乙醇和去離子水依次超聲清洗襯底，接著對(duì)襯底進(jìn)行氧等離子處理。
[0070]優(yōu)選的，真空腔體的真空度為5.0X 10_4Pa。
[0071]優(yōu)選的，沉積的操作中，靶材與襯底的間距為60mm，襯底的溫度為500°C，激光的能量為150mJ。
[0072]優(yōu)選的，通過控制沉積的時(shí)間為lOmin?30min,得到厚度為30nm?250nm的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜。
[0073]通過對(duì)襯底進(jìn)行預(yù)處理，可以提高襯底的陽(yáng)極層20的功函數(shù)。
[0074]步驟S23、在發(fā)光層30上形成陰極層40。
[0075]本實(shí)施方式中，通過蒸鍍的方式，在發(fā)光層30上形成材料為銀的陰極層40，得到薄膜電致發(fā)光器件100。
[0076]下面為具體實(shí)施例。
[0077]實(shí)施例1
[0078]選用ZnF2，InF3和EuF3粉體，其摩爾比為0.98:2:0.02，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，襯底溫度為500°C，激光能量為150J，通過控制沉積的時(shí)間為20min，得到厚度為210nm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Z%98In2F8:0.02Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0079]請(qǐng)參閱圖2，圖2為本實(shí)施例得到的薄膜電致發(fā)光器件(玻璃/IT0/Zna98In2F8:
0.02Eu3+/Ag)的電致發(fā)光譜(EL)。由圖2可以看出，本實(shí)施例得到的器件在580nm波長(zhǎng)區(qū)有很強(qiáng)的發(fā)光峰。
[0080]請(qǐng)參閱圖3，圖3為實(shí)施1制備的銪摻雜堿土氟銦酸鹽材料的XRD圖譜，對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片，是堿土氟銦酸鹽的結(jié)晶峰，沒有出現(xiàn)摻雜元素以及其它雜質(zhì)的衍射峰，證明銪是進(jìn)入了堿土氟銦酸鹽的晶格，沒有出現(xiàn)分相。
[0081]實(shí)施例2
[0082]選用ZnF2，InFjPEuF3粉體，其摩爾比為0.99:2:0.01，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ΙΤ0的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.0X10_3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量為80J，通過控制沉積的時(shí)間為30min，得到厚度為240nm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Zna99In2F8:0.01Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0083]實(shí)施例3
[0084]選用ZnF2，InF3和EuF3粉體，其摩爾比為0.95:2:0.05，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ΙΤ0的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.0X 10_5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量為300J，通過控制沉積的時(shí)間為15min，得到厚度為80nm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Zna95In2F8:0.05Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0085]實(shí)施例4
[0086]選用MgF2，InFjPEuF3粉體，其摩爾比為0.98:2:0.02，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ΙΤ0的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，襯底溫度為500°C，激光能量為150J，通過控制沉積的時(shí)間為lOmin，得到厚度為35nm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Mga98In2F8:0.02Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0087]實(shí)施例5
[0088]選用MgF2，InF3和EuF3粉體，其摩爾比為0.99:2:0.01，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.0X10_3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量為80J，通過控制沉積的時(shí)間為25min，得到厚度為220nm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Mga99In2F8:0.01Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0089]實(shí)施例6
[0090]選用MgF2，InFjPEuF3粉體，其摩爾比為0.95:2:0.05，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶1了0的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95皿。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.0父10—5？3，襯底溫度為7501，激光能量為300了，通過控制沉積的時(shí)間為20-11,得到厚度為15011111的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為:0.05211^0然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層^，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0091]實(shí)施例7
[0092]選用01？2，1必3和211？3粉體，其摩爾比為0.98:2:0.02，經(jīng)過均勻混合后，在12501下燒結(jié)成直徑為50臟，厚度為2臟的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶1了0的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60皿。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X10—4？3，襯底溫度為5001，激光能量為150了，通過控制沉積的時(shí)間為15-11,得到厚度為120=111的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為:0.022113\然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層^，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0093]實(shí)施例8
[0094]選用01？2，111？3和211？3粉體，其摩爾比為0.99:2:0.01，經(jīng)過均勻混合后，在900工下燒結(jié)成直徑為厚度為的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶1了0的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.，襯底溫度為2501，激光能量為80了，通過控制沉積的時(shí)間為10-11,得到厚度為3011111的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為:0.01211^0然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層八8，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0095]實(shí)施例9
[0096]選用挪2，1必3和211？3粉體，其摩爾比為0.95:2:0.05，經(jīng)過均勻混合后，在13001下燒結(jié)成直徑為50皿，厚度為2皿的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶1了0的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95皿。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.0父10—5？3，襯底溫度為7501，激光能量為300了，通過控制沉積的時(shí)間為30-11,得到厚度為25011111的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為:0.05211^0然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層^，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0097]實(shí)施例10
[0098]選用&'?2，1必3和211？3粉體，其摩爾比為0.98:2:0.02，經(jīng)過均勻混合后，在12501下燒結(jié)成直徑為50臟，厚度為2臟的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶1了0的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60皿。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
5.0父10—4？3，襯底溫度為5001，激光能量為150了，通過控制沉積的時(shí)間為15-11,得到厚度為10011111的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為&'。罾981112？8:0.022^0然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層^，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0099]實(shí)施例11
[0100]選用&'?2，1必3和211？3粉體，其摩爾比為0.99:2:0.01，經(jīng)過均勻混合后，在9001下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.0X10_3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量為80J，通過控制沉積的時(shí)間為15min，得到厚度為llOnm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Sra99In2F8:0.01Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag,作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0101]實(shí)施例12
[0102]選用SrF2，InFjPEuF3粉體，其摩爾比為0.95:2:0.05，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.0X 10_5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量為300J，通過控制沉積的時(shí)間為25min，得到厚度為230nm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Sra95In2F8:0.05Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0103]實(shí)施例13
[0104]選用BaF2，InF3和EuF3粉體，其摩爾比為0.98:2:0.02，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，襯底溫度為500°C，激光能量為150J，通過控制沉積的時(shí)間為25min，得到厚度為180nm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Baa98In2F8:0.02Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0105]實(shí)施例14
[0106]選用BaF2，InFjPEuF3粉體，其摩爾比為0.99:2:0.01，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.0X10_3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量為80J，通過控制沉積的時(shí)間為30min，得到厚度為250nm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Baa99In2F8:0.01Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0107]實(shí)施例15
[0108]選用BaF2，InF3和EuF3粉體，其摩爾比為0.95:2:0.05，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶IT0的玻璃襯底，并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到
1.0X 10_5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量為300J，通過控制沉積的時(shí)間為20min，得到厚度為200nm的發(fā)光薄膜，化學(xué)式為Baa95In2F8:0.05Eu3+。然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極，得到薄膜電致發(fā)光器件。
[0109]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為舊,； 其中，16?1112？8是基質(zhì)，且0.01彡X彡0.05，16為211、%、&'或此。
2.如權(quán)利要求1所述的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為3011111?25011111。
3.一種銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據(jù)16』！^:述一各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取16？2，111？3和仙？3粉體并混合均勻在900。。?13001下燒結(jié)制成靶材，其中，0.01彡X彡0.05,16為2打、啦、(?、&'或； 將襯底及所述靶材裝入脈沖激光沉積設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為 1.0 X 10? ?1.0 X 10—5？已；及 調(diào)整所述靶材與所述襯底的間距為45臟?95臟，所述襯底的溫度為2501?7501，激光的能量為80?300“，在所述襯底上沉積得到銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為其中，0.01彡X彡0.05,16為 211、％、08 ? 81-或 8&。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，燒結(jié)制成祀材的操作中，燒結(jié)的溫度為12501^，制成的祀材的直徑為50臟，厚度為2111111。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述靶材與所述襯底的間距為60111111，所述襯底的溫度為5001，所述激光的能量為1501111。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為110襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，沉積的操作中，通過控制沉積的時(shí)間為10111111?30111111，得到厚度為3011111?25011111的銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜。
8.一種薄膜電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層為銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為舊,； 其中，16?1112？8是基質(zhì)，且0.01彡X彡0.05，16為211、%、&'或此。
9.一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供襯底，所述襯底包括層疊的基底和陽(yáng)極層； 在所述陽(yáng)極層上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層為銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為:述113\其中，是基質(zhì)，且0.01 彡 X 彡 0.05，16 為 211、％、31'或 8? ； 在所述發(fā)光層上形成陰極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層的制備包括以下步驟: 根據(jù)16』！^:述一各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取16？2，111？3和仙？3粉體并混合均勻在900。。?13001下燒結(jié)制成靶材，其中，0.01彡X彡0.05,16為2打、啦、(?、&'或； 將所述襯底及所述靶材裝入脈沖激光沉積設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為 1.0 X 10? ?1.0 X 10—5？3 ；及 調(diào)整所述靶材與所述襯底的間距為45臟?95臟，所述襯底的溫度為2501?7501，激光的能量為80?300“，在所述襯底上沉積得到銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜，所述銪摻雜堿土氟銦酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為其中，0.01彡X彡0.05,16為 211、％、08 ? 81-或 8&。
【文檔編號(hào)】C23C14/06GK104449688SQ201310443170
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】周明杰, 陳吉星, 王平, 鐘鐵濤 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司