模壓成型模具及其制造方法以及玻璃光學(xué)元件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供模壓成型模具、其制造方法及使用其的玻璃光學(xué)元件的制造方法。模壓成型模具的制造方法能夠成型出外觀缺陷少的透鏡，模壓成型模具具有包含由薄膜形成裝置成膜出的碳膜的離型膜。該制造方法為具有離型膜的模壓成型模具的制造方法，該離型膜包含碳膜，該碳膜通過下述方式成膜，即：利用真空電弧放電在碳陰極上生成碳等離子體，從碳等離子體中只取出離子化后的碳，將所述離子化后的碳照射到被成膜面上而成膜，該制造方法包括：在被成膜面上一邊施加第1偏置電壓V1（V）一邊成膜出厚度為d1（nm）的第1碳膜的工序；以及在第1碳膜上一邊施加第2偏置電壓V2（V）一邊成膜出形成最外層的厚度為d2（nm）的第2碳膜的工序，所述第1和第2偏置電壓V1、V2以及所述厚度d1、d2滿足V1>V2且d1>d2。
【專利說明】模壓成型模具及其制造方法以及玻璃光學(xué)元件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及在通過壓力成型制造透鏡等光學(xué)元件時(shí)使用的、具有離型膜的模壓成型模具的制造方法以及該模壓成型模具。詳細(xì)地，涉及如下所述的模壓成型模具的制造方法和該模壓成型模具，該模壓成型模具能夠成型出外觀缺陷少的透鏡，且具有包含碳膜的離型膜，該碳膜通過如下方式成膜:通過真空電弧放電在碳陰極上生成碳等離子體，從碳等離子體中只取出離子化后的碳，向被成膜面照射離子化后的碳即該碳等離子體，由此進(jìn)行成膜。
【背景技術(shù)】
[0002]精密壓力成型法也稱作光模成型法，是這樣的方法:通過將壓力成型模具的成型面精密地轉(zhuǎn)印到玻璃上，由此，通過壓力成型形成光學(xué)功能面，例如以透鏡為例，形成非球面透鏡的非球面或球面透鏡的球面等透鏡面。即，由于不需要為了做成光學(xué)功能面而進(jìn)行研削或研磨等機(jī)械加工，因此，能夠以高生產(chǎn)性制造光學(xué)元件，尤其是非球面透鏡。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，提出了如下方案:作為在這種方法中使用的成型模具的模具材料，使用了以SiC、超硬合金、不銹鋼等金屬以及陶瓷為代表的各種材料，為了改善成型模具與玻璃的離型性，在成型模具上設(shè)置了含碳膜、貴重金屬合金膜等離型膜。設(shè)置了在內(nèi)部還包含有鉆石狀碳膜、氫化非晶態(tài)碳膜(a-c:H膜)、硬質(zhì)碳膜、四面體非晶態(tài)碳膜(taC膜)等碳膜的離型膜的成型模具具有離型性好、難以與玻璃發(fā)生融接的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]然而，在反復(fù)進(jìn)行模壓成型操作的過程中，這樣的碳膜發(fā)生磨損，無法獲得足夠的成型性能，在耐久性方面存在問題。因此，為了改善離型膜的耐久性，提出了在成型時(shí)使用硬度不易下降的膜。
[0005]例如，在專利 文獻(xiàn)I (日本特開2012-12286號(hào)公報(bào))中公開了在光學(xué)元件成型用模具的型母材上，通過過濾陰極真空電弧法(Filtered Cathodic Vacuum Arc法，以下稱作FCVA法)成膜出taC膜的內(nèi)容。FCVA法是從碳電極的電弧放電中只取出能量一致的電荷粒子，在基板上形成均質(zhì)且高密度的薄膜的方式。根據(jù)該方法，能夠獲得通過接合不含氫的高強(qiáng)度的sp3而成的taC膜。
[0006]此外，專利文獻(xiàn)2 (日本特開2009-199637號(hào)公報(bào))中公開了通過過濾陰極電弧法(Filtered Cathodic Arc法，以下稱作FCA法),在磁記錄介質(zhì)上形成taC膜的內(nèi)容。在FCA法中，在陰極上使用純石墨祀，通過電弧放電在靶上產(chǎn)生電弧，生成碳等離子體，通過負(fù)偏置等向基體引入等離子體中的離子，形成碳膜。在通過這種方法成膜的碳膜中，由于相對(duì)于sp2成分，sp3成分的比率變高，因此，能夠獲得硬且堅(jiān)固的碳膜。
[0007]此外，F(xiàn)CVA法和FCA法是以不同的名稱表示的相同的制法。雖然作為同樣的名稱，存在過濾真空電弧法(Filtered Vacuum Arc法，以下稱為FVA法)、過濾電弧沉積法(Filtered Arc Deposition法，以下稱作FAD法)等,不過,這些都是相同的制法。通過該制法來成膜的碳膜，sp3成分的比率變高，因此，獲得高硬度的碳膜。
[0008]【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】[0009]【專利文獻(xiàn)】
[0010]【專利文獻(xiàn)I】日本特開2012-12286號(hào)公報(bào)
[0011]【專利文獻(xiàn)2】日本特開2009-199637號(hào)公報(bào)
[0012]然而，在使用形成有通過前述的FCVA法等成膜的taC膜的成型模具，對(duì)被成型玻璃進(jìn)行壓力成型，從而成型出光學(xué)元件的情況下，存在這樣的問題:在成型后的光學(xué)元件上，產(chǎn)生發(fā)泡、瑕疵、白濁等外觀缺陷，產(chǎn)出率下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明正是為了解決具有通過FCVA法等形成的碳膜的成型模具所特有的上述問題而做出的，其目的在于，提供一種能夠成型出外觀缺陷少的透鏡的模壓成型模具的制造方法，該模壓成型模具具有包含碳膜的離型膜。
[0014]發(fā)現(xiàn)在基于下述方式的碳膜的成膜中，通過一邊施加特定的偏置電壓一邊成膜出至少由2層構(gòu)成的碳膜的制造方法，能夠獲得抑制發(fā)泡和瑕疵等外觀缺陷的離型膜，上述方式為:通過真空電弧放電在碳陰極上生成碳等離子體，從碳等離子體中只取出離子化后的碳，將離子化后的碳照射到被成膜面上。
[0015]即本發(fā)明體提供了一種制造方法，其為具有離型膜的模壓成型模具的制造方法，該離型膜包含碳膜，該碳膜通過下述方式成膜，即:利用真空電弧放電在碳陰極上生成碳等離子體，從碳等離子體中只取出離子化后的碳，將所述離子化后的碳照射到被成膜面上而成膜，其中，該制造方法包括:在被成膜面上一邊施加第I偏置電壓V1 (V) —邊成膜出厚度為Cl1 (nm)的第I碳膜的工序；以及在第I碳膜上一邊施加第2偏置電壓V2 (V) 一邊成膜出形成最外層的厚度為d 2(nm)的第2碳膜的工序，第I和第2偏置電壓以及厚度屯、d2 滿足 V1M2 且 Cl1M2。
[0016]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具有離型膜的模壓成型模具的制造方法，該離型膜包含碳膜，該模壓成型模具能夠成型出外觀缺陷少的透鏡。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是用于說明在基于FCVA法的成膜工序中使用的離型膜形成裝置100的儀器結(jié)構(gòu)的圖。
[0018]圖2是示出實(shí)施例1的離型膜的結(jié)構(gòu)的圖。
[0019]圖3是示出探討例I的離型膜的結(jié)構(gòu)的圖。
[0020]圖4是示出探討例2的離型膜的結(jié)構(gòu)的圖。
[0021]圖5是示出實(shí)施例7的離型膜的結(jié)構(gòu)的圖。
[0022]具體實(shí)施例方式
[0023]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。此外，對(duì)圖中相同或者相應(yīng)部分標(biāo)注同一符號(hào)，并不再重復(fù)對(duì)其的說明。
[0024]在本發(fā)明中，通過真空電弧放電在碳陰極上生成碳等離子體，從碳等離子體中只取出離子化后的碳，將離子化后的碳照射到被成膜面上，由此，成膜出碳膜。
[0025]在本發(fā)明中，碳陰極優(yōu)選為石墨制，更優(yōu)選為純石墨制的陰極。
[0026]在本發(fā)明中，按照常規(guī)方法進(jìn)行真空電弧放電。[0027]進(jìn)一步地，在本發(fā)明中，在從碳等離子體只取出離子化后的碳的方法中，包含通過磁場(chǎng)過濾等，不過只要是能夠過濾在產(chǎn)生碳等離子體的同時(shí)產(chǎn)生的、使膜質(zhì)下降的熔滴的方法就可以，沒有特別地限定。
[0028]作為上述那樣的成膜方法,能夠列舉出過濾陰極真空電弧法(Filtered CathodicVacuum Arc法，以下稱作FCVA法)、過濾陰極電弧法(Filtered Cathodic Arc法，以下稱作FCA法)、過濾真空電弧法(Filtered Vacuum Arc法，以下稱為FVA法)以及過濾電弧沉積法(Filtered Arc Deposition 法，以下稱作 FAD 法)等。
[0029]例如，F(xiàn)CVA法是如下方法:將石墨制的陰極作為靶，通過真空電弧放電產(chǎn)生碳等離子體，通過電磁的空間過濾器只取出離子化后的碳，通過在基材上施加負(fù)的偏置電壓，將離子化后的碳引入到基材上，形成碳膜。
[0030]這里，電磁的空間過濾器是如下的過濾器:在無法直接看到陰極的位置配置有基材，即在陰極和基材不處于直線上的位置配置有基材，使從陰極產(chǎn)生的等離子體出現(xiàn)電磁彎曲或彎轉(zhuǎn)，由此，能夠過濾在等離子體的輸送中在產(chǎn)生碳等離子體的同時(shí)產(chǎn)生的、使膜質(zhì)降低的熔滴。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的方法，具有如下優(yōu)點(diǎn):能夠在室溫下成膜，獲得的碳膜不包含氫，氫是在加熱時(shí)膜的硬度下降的原因 ，獲得的碳膜具有可控制的高硬度，具有平滑的表面。
[0032]以下對(duì)本發(fā)明的碳膜的成膜工序的I方式進(jìn)行說明。
[0033]圖1是用于說明使用FCVA法的離型膜形成裝置100的儀器結(jié)構(gòu)的圖。參照?qǐng)D1，該形成裝置100在真空腔I內(nèi)具有支撐板10和作為被成膜物的成型模具20。這里，支撐板10由鋁合金等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。
[0034]用于通過FCVA法成膜出四面體非晶態(tài)碳膜(taC膜)的真空電弧電源2、電弧等離子體生成室3、等離子體輸送管4以及過濾器線圈5與真空腔I連接。
[0035]電弧等離子體生成室3包含真空電弧蒸發(fā)源，該真空電弧蒸發(fā)源通過真空電弧放電使陰極蒸發(fā)，生成包含陰極物質(zhì)的等離子體。等離子體輸送管4呈彎曲形狀，連接設(shè)置在電弧等離子體生成室3與真空腔I之間，在輸送管4的周圍纏繞有形成磁場(chǎng)的過濾器線圈5。
[0036]接著，對(duì)使用該裝置將taC膜成膜在成型模具20的成膜工序進(jìn)行以下說明。
[0037]在真空腔I內(nèi)，成型模具20配置為使被成膜面的法線方向與通過過濾器線圈5而產(chǎn)生偏向后的離子化后的碳7的行進(jìn)方向平行。通過真空泵(未圖示)進(jìn)行排氣，使得真空腔I內(nèi)的到達(dá)真空度達(dá)到IXlO-4Pa以下為止。接著，通過真空電弧電源2，在電弧等離子體生成室3中生成碳等離子體，進(jìn)行控制，使得過濾器線圈5上流過所期望的電流，只提取離子化后的碳7。進(jìn)一步地，進(jìn)行控制，使得過濾器線圈5上流過所期望的電流，對(duì)離子化后的碳7進(jìn)行掃描，在配置在支撐板10上的成型模具20的成型面(被成膜面)上形成一樣的taC薄膜。此外，通過向支撐板10和成型模具20施加偏置電壓，能夠使構(gòu)成taC膜的離子粒子的能量級(jí)變化。
[0038]通過向支撐板10和成型模具20施加的偏置電壓，能夠?qū)νㄟ^FCVA法形成的膜的硬度進(jìn)行調(diào)整，在約-100V的偏置電壓下顯示出最高的硬度，當(dāng)降低偏置電壓時(shí)，硬度下降。
[0039]在本發(fā)明中，采用如下結(jié)構(gòu):形成在偏置電壓的絕對(duì)值小的負(fù)偏置電壓下成膜的高硬度膜(第I碳膜)作為基礎(chǔ)層，在其上形成比基礎(chǔ)層薄的、在偏置電壓的絕對(duì)值大的負(fù)偏置電壓下成膜的低硬度膜(第2碳膜)作為最外層，通過采用該結(jié)構(gòu)，玻璃對(duì)離型膜的跟隨性發(fā)生變化，從玻璃內(nèi)部向外部釋放的氣體易于向模具外周部排放，抑制發(fā)泡等外觀缺陷的發(fā)生。
[0040]因此，本發(fā)明的成膜工序包括:在被成膜面上，一邊施加第I偏置電壓V1 (V)—邊成膜出厚度為cMnm)的第I碳膜的工序，以及在第I碳膜上，一邊施加第2偏置電壓V2(V)一邊成膜出形成最外層的、厚度為(12 (nm)的第2碳膜的工序。通過使施加的電壓變化，可以連續(xù)地進(jìn)行形成第I碳膜的工序和形成第2碳膜的工序。
[0041]在本發(fā)明中，第2偏置電壓V2 (V)比第I偏置電SV1 (V)低。
[0042]第I 偏置電SV1 (V)優(yōu)選為-400 ^ V1 ^ -10，更優(yōu)選為-150 ^ V1 ^ -10。
[0043]第2偏置電壓V2 (V)優(yōu)選為V2蘭-1100，更優(yōu)選為V2蘭-1200。此外，第2偏置電壓V2 (V)優(yōu)選為V2 ^ -4000，更優(yōu)選為V2 ^ -3000，進(jìn)一步優(yōu)選為V2 ^ -2500。
[0044]在上述優(yōu)選的范圍中，抑制了發(fā)泡、瑕疵、白濁等外觀缺陷的產(chǎn)生。
[0045]在本發(fā)明中，第I碳膜的厚度(I1 (nm)比第2碳膜的厚度d2 (nm)厚。
[0046]第I碳膜的厚度(I1 (nm)優(yōu)選為(I1 ^ 10,更優(yōu)選為(I1 ^ 20。此外,第I碳膜的厚度Cl1 (nm)優(yōu)選為Cl1含1000，更優(yōu)選為(I1含300。
[0047]第2碳膜的厚度d2 (nm)優(yōu)選為d2 ^ 7,更優(yōu)選為d2蘭10。此外,第2碳膜的厚度d2 (nm)優(yōu)選為d2含2 00，更優(yōu)選為d2含100。
[0048]在上述優(yōu)選的范圍中，抑制了發(fā)泡、瑕疵、白濁等外觀缺陷的產(chǎn)生。
[0049]為了確保成型模具20與離型膜之間的密接性，防止加壓時(shí)的離型膜的剝離，本發(fā)明的成型模具的制造方法可以包括在第I碳膜與成型模具20之間還形成粘結(jié)層的工序。可以根據(jù)與成型模具20的材料之間的關(guān)系適當(dāng)選擇粘結(jié)層，在成型模具20為SiC的情況下，能夠通過FCVA法，從被成膜面?zhèn)刃纬捎傻贗層和第2層這兩層構(gòu)成的粘結(jié)層，其中，第I層如下:偏置電壓為-1500~-1000V、膜厚為5~15nm ;第2層如下:偏置電壓為-1000~-300V、膜厚為10~30nm。例如，形成由第I層和第2層這兩層構(gòu)成的粘結(jié)層，其中，第I層如下:偏置電壓為-1200V、膜厚為IOnm;第2層如下:偏置電壓為-900V、膜厚為 20nm。
[0050]此外，在本發(fā)明中，粘結(jié)層不限定為2層，也可以為單層或3層以上，通過設(shè)置粘結(jié)層，來提高成型模具20與第I碳膜之間的密接強(qiáng)度。
[0051 ] 在本發(fā)明中，模壓成型模具優(yōu)選用于玻璃光學(xué)兀件成型。
[0052]本發(fā)明的模壓成型模具進(jìn)一步優(yōu)選為在通過光模成型法制造玻璃光學(xué)元件時(shí)使用。
[0053]光模成型法是這樣的方法:通過將壓力成型模具的成型面精密地轉(zhuǎn)印到玻璃上，由此，通過壓力成型形成光學(xué)功能面，例如以透鏡為例，形成非球面透鏡的非球面或球面透鏡的球面等透鏡面。即，由于不需要為了做成光學(xué)功能面而進(jìn)行研削或研磨等機(jī)械加工，因此，能夠以高生產(chǎn)性制造光學(xué)元件，尤其是非球面透鏡。
[0054]在本發(fā)明中，作為玻璃光學(xué)元件的種類，可以示例出球面透鏡、非球面透鏡等透鏡、棱鏡、衍射光柵等。作為透鏡的形狀，可以示出雙凸透鏡、平凸透鏡、雙凹透鏡、平凹透鏡，凸型凹凸透鏡，凹型凹凸透鏡等各個(gè)形狀。此外，關(guān)于透鏡的大小沒有特別限制，適合于從小口徑的透鏡到加工困難的中大口徑的透鏡的成型。
[0055]在本發(fā)明中，在模壓成型模具中，將包含通過上述成膜工序成膜的碳膜的離型膜設(shè)置在模具材料的成型面上。例如，在通過光模成型法制造玻璃光學(xué)元件時(shí)使用的模壓成型模具的情況下，將離型膜設(shè)置在與被成型玻璃相接的上模和下模的成型面上。此外，根據(jù)光學(xué)元件的形狀，除了采用上模、下模以外，還采用稱為套筒的筒來作為上下模的支撐件，不過，套筒內(nèi)壁的與被成型玻璃接觸的面上也設(shè)置有離型膜。
[0056]雖然作為本發(fā)明的模壓成型模具的模具材料，列舉了 SiC (碳化硅)，不過，并不限于此，也可以使用以WC (碳化鎢)等為主要成分的超硬合金、不銹鋼等金屬、各種陶瓷等。
[0057]本發(fā)明包含使用如上所述制造的模壓成型模具，對(duì)被成型玻璃進(jìn)行壓力成型，制造玻璃光學(xué)元件的玻璃光學(xué)元件的制造方法。
[0058]在對(duì)玻璃光學(xué)元件進(jìn)行壓力成型的情況下，可以采用公知的光模成型法。例如，將加熱到規(guī)定溫度的玻璃坯料供給到包含上模和下模的成型模具內(nèi)之后，或者，將常溫的玻璃坯料配置到成型模具內(nèi)，與成型模具一起將玻璃坯料加熱到規(guī)定溫度后，向成型模具施加負(fù)荷，開始玻璃坯料的壓力成型。不久，通過上模和下模，玻璃坯料變形為所期望的形狀后，進(jìn)行成型模具和玻璃坯料的冷卻。然后，在降溫到玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)或者玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)以下的溫度后，將已成型的玻璃光學(xué)元件從成型模具中取出，由此，能夠制造玻璃光學(xué)元件。
[0059]這里，對(duì)本發(fā)明的碳膜的硬度進(jìn)行說明。
[0060]在本發(fā)明中，第2碳膜的通過納米壓痕法測(cè)定的硬度(以下，稱為“納米壓痕硬度”)為30GPa以下，且第I碳膜的納米壓痕硬度比第2碳膜的納米壓痕硬度高。
[0061]在本發(fā)明中，使用了納米壓痕硬度裝置ENT-2100 (工U才二夕7 (EL10NIX)公司制造)來測(cè)定納米壓痕硬度 。由于本方式是將壓頭對(duì)試料的壓入深度換算為硬度的方式，因此，在試料的膜厚薄的情況下，硬度成為受基材影響的值。因此，在SiC基板上形成相對(duì)于壓入深度足夠厚的IOOnm的膜厚的碳單層膜作為試料。在測(cè)定中，作為壓頭，使用了末端棱間角為115°的三角錘型金剛石制壓頭(伯克維奇(Berkovich)壓頭)。使三角錘型金剛石制壓頭呈直角地接觸試料表面，在負(fù)荷為IOmgf、施加時(shí)間為10秒、保持時(shí)間為I秒、除去負(fù)荷時(shí)間為10秒的條件下逐漸地施加負(fù)荷，達(dá)到最大負(fù)荷后，將負(fù)荷逐漸恢復(fù)到O。計(jì)算出將此時(shí)的最大負(fù)荷P除以壓頭接觸部的接觸投影面積A后得到的值P/A作為納米壓痕硬度(H)。
[0062]詳細(xì)的原理記載在if ) i y r'y^ >法tc J: 3簿膜Q機(jī)械的特性評(píng)価(基于納米壓痕法的薄膜的機(jī)械特性評(píng)價(jià))》(R&D KOBE STEEL ENGINEERING REPORTS Vol.52N0.2)。
[0063]在本發(fā)明中，第2碳膜的動(dòng)摩擦系數(shù)為0.2以下，且第I碳膜的動(dòng)摩擦系數(shù)比第2碳膜的動(dòng)摩擦系數(shù)大。
[0064]采用往復(fù)式動(dòng)摩擦系數(shù)測(cè)定器評(píng)價(jià)動(dòng)摩擦系數(shù)。具體地,使用玻璃作為接觸頭,使施加到接觸頭的負(fù)荷為5mgf，使樣品的滑動(dòng)速度為0.15mm/秒,從而進(jìn)行測(cè)定。
【實(shí)施例】
[0065]在探討使用具有實(shí)施例1的離型膜的成型模具的壓力成型體的外觀評(píng)價(jià)前，首先說明對(duì)模壓成型模具形成離型膜的工序。[0066](使用FCVA方式的成膜工序)
[0067]將由SiC構(gòu)成的成型模具20洗浄后，設(shè)置到FCVA裝置(型號(hào)MTCS_7B，Nano FilmTechnologies International PTE.,LTD.(Singapore))內(nèi)，在以下的條件下，進(jìn)行了離子
束刻蝕。
[0068]
【權(quán)利要求】
1.一種具有離型膜的模壓成型模具的制造方法，該離型膜包含碳膜，該碳膜通過下述方式成膜，即:利用真空電弧放電在碳陰極上生成碳等離子體，從所述碳等離子體中只取出離子化后的碳，將所述離子化后的碳照射到被成膜面上而成膜，其中，該制造方法包括: 在被成膜面上一邊施加第I偏置電壓V1 —邊成膜出厚度為Cl1的第I碳膜的工序；以及 在所述第I碳膜上一邊施加第2偏置電壓V2 —邊成膜出形成最外層的厚度為d2的第2碳膜的工序， 所述第I偏置電壓V1和所述第2偏置電壓V2以及所述厚度Cl1、所述厚度d2滿足U且(I1)Cl2O
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，所述第2偏置電壓V2為-1100V以下，且所述厚度d2S7nm以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，所述第I偏置電壓V1為-1OV以下、-400V以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的制造方法，其中，該制造方法包括:還在所述第I碳膜與所述模壓成型模具之間形成粘結(jié)層的工序。
5.一種模壓成型模具，其中，該模壓成型模具是通過權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的制造方法來制造的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的模壓成型模具，其中，第2碳膜的通過納米壓痕法測(cè)定的硬度為30GPa以下，且第I碳膜的通過納米壓痕法測(cè)定的硬度比第2碳膜的通過納米壓痕法測(cè)定的硬度高。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的模壓成型模具，其中，所述第2碳膜的動(dòng)摩擦系數(shù)為0.2以下，且所述第I碳膜的動(dòng)摩擦系數(shù)比所述第2碳膜的動(dòng)摩擦系數(shù)大。
8.一種玻璃光學(xué)元件的制造方法，其中，使用權(quán)利要求5至7中的任意一項(xiàng)所述的模壓成型模具，對(duì)被成型玻璃進(jìn)行壓力成型而制造玻璃光學(xué)元件。
【文檔編號(hào)】C23C14/32GK103708708SQ201310445292
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月28日
【發(fā)明者】小林巧, 西村法一, 田中祐輔, 山本英明, 諸石圭二 申請(qǐng)人:Hoya株式會(huì)社