基板清洗裝置及研磨裝置制造方法
【專利摘要】一種基板清洗裝置，具有：收容基板(W)的清洗槽(1)；配置在清洗槽(1)內(nèi)的基板保持部(2)；將藥液供給于由基板保持部(2)保持的基板(W)的藥液噴嘴(5)；以及將清洗液供給于清洗槽(1)內(nèi)表面(1a)的多個清洗液噴嘴(7)，對清洗槽(1)的內(nèi)表面(1a)實施粗糙化處理、親水性材料的涂層等的親水化處理。采用本發(fā)明，可用廉價材料構成清洗槽，同時可防止藥液對清洗槽的腐蝕。
【專利說明】基板清洗裝置及研磨裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種對晶片等基板進行清洗的基板清洗裝置，尤其涉及一種具有用于清洗基板的清洗槽的基板清洗裝置。另外，本發(fā)明涉及一種具有這種基板清洗裝置的研磨裝置。
【背景技術】
[0002]以CMP (化學機械研磨)為代表的研磨裝置，通過將研磨液(漿料)供給于研磨塊使晶片與研磨塊滑動接觸而對晶片表面進行研磨。在研磨后的晶片上，殘留有包含微粒的研磨液和研磨屑。因此，以往在研磨晶片后，要對晶片進行清洗。
[0003]發(fā)明所要解決的課題
[0004]有一種在清洗槽內(nèi)通過將藥液供給于晶片從而清洗晶片的裝置。這種類型的清洗裝置，通過將具有腐蝕作用的藥液供給到晶片表面，從而去除附著在晶片上的異物。最近，為了提高腐蝕作用，有時使用80°C左右高溫的藥液。通過使用這種腐蝕作用強的藥液，能去除以往的藥液不能去除的異物。
[0005]但是，若使用腐蝕作用強的藥液，則清洗裝置的清洗槽有時會被藥液腐蝕。雖然可以用耐腐蝕性高的材料構成清洗槽從而防止藥液所產(chǎn)生的腐蝕，但耐腐蝕性高的材料價格高，若使用這種材料，就會使清洗裝置整體變得昂貴。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明是鑒于上述以往問題而做成的，其目的在于，提供一種用廉價材料構成清洗槽，同時能防止藥液對清洗槽的腐蝕的基板清洗裝置。
[0007]另外，本發(fā)明的目的在于，提供一種具有這種基板清洗裝置的研磨裝置。
[0008]用于解決課題的手段
[0009]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第I形態(tài)是一種基板清洗裝置，其特點是，具有:收容基板的清洗槽；配置在所述清洗槽內(nèi)的基板保持部；將藥液供給于所述基板的藥液噴嘴，所述基板由所述基板保持部保持；以及將清洗液供給于所述清洗槽的內(nèi)表面的多個清洗液噴嘴，對所述清洗槽的內(nèi)表面實施親水化處理。
[0010]本發(fā)明的第2形態(tài)是一種基板清洗裝置，其特點是，具有:收容基板的清洗槽；配置在所述清洗槽內(nèi)的基板保持部；將藥液供給于所述基板的藥液噴嘴，所述基板由所述基板保持部保持；將清洗液供給于所述清洗槽的內(nèi)表面的多個清洗液噴嘴；以及使所述多個清洗液噴嘴擺動的擺動機構。
[0011]本發(fā)明的第3形態(tài)是一種研磨裝置，其特點是，具有:對基板進行研磨的研磨部；以及對研磨后的所述基板進行清洗的上述的基板清洗裝置。
[0012]發(fā)明的效果
[0013]采用本發(fā)明，可將清洗液供給于清洗槽內(nèi)表面上所希望的整個被清洗區(qū)域。因此，可防止藥液與清洗槽接觸，從而能夠保護清洗槽不受藥液影響。【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是表示本發(fā)明的基板清洗裝置的第I實施方式的模式圖。
[0015]圖2是表示清洗槽的立體圖。
[0016]圖3圖1所示的基板清洗裝置的俯視圖。
[0017]圖4是表示本發(fā)明的基板清洗裝置的第2實施方式的示圖。
[0018]圖5是圖4所示的基板清洗裝置的俯視圖。
[0019]圖6是表示圖5所示的基板清洗裝置的變形例的俯視圖。
[0020]圖7是表不圖5所不的基板清洗裝置的另一變形例的俯視圖。
[0021]圖8是表示具有基板清洗裝置的研磨裝置的示圖。
[0022]圖9是模式表示圖8所示的研磨裝置的立體圖。
[0023]符號說明
[0024]I 清洗槽
[0025]2 基板保持部
[0026]3 閘門
[0027]5 藥液噴嘴
[0028]7 清洗液噴嘴
[0029]8 連結配管
[0030]10旋轉(zhuǎn)式接頭
[0031]12、12A?12D 連桿機構
[0032]14 電動機
[0033]15偏心軸
[0034]16AU6B 中間連桿
[0035]20 氣缸
[0036]21活塞桿
[0037]23電磁閥
[0038]102前裝載部
[0039]131A、131B、131C、131D 研磨單元
[0040]132A、132B、132C、132D 研磨臺
[0041]133A、133B、133C、133D 上環(huán)
[0042]134A、134B、134C、134D 研磨液供給噴嘴
[0043]135AU35BU35CU35D 砂輪修整工具
[0044]136A、136B、136C、136D 噴霧器
[0045]137A、137B、137C、137D 上環(huán)旋轉(zhuǎn)軸
[0046]140清洗部
[0047]141?143清洗單元
[0048]144基板清洗裝置
[0049]145干燥單元【具體實施方式】
[0050]下面，參照說明書附圖來說明本發(fā)明的基板清洗裝置的實施方式。圖1是表示本發(fā)明的基板清洗裝置的第I實施方式的模式圖。圖1畫出了晶片作為基板。如圖1所示，基板清洗裝置具有:收容晶片W的清洗槽I ;基板保持部2，所述基板保持部2配置在清洗槽I內(nèi)，并保持晶片W ;配置在晶片W上方的藥液噴嘴5，該晶片W由該基板保持部2保持；以及將清洗液供給于清洗槽I內(nèi)表面Ia的多個清洗液噴嘴7?；灞３植?構成為，通過真空吸附而將晶片W保持成水平，同時使晶片W在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
[0051]藥液噴嘴5通過將藥液供給于旋轉(zhuǎn)的晶片W的上表面，從而腐蝕晶片W。作為所使用的藥液的例子，可以列舉:硫酸等的酸性溶液、氨等的堿性溶液等。為了促進腐蝕作用，有時也使用高溫藥液。例如，也可使用從常溫至100°c的藥液。
[0052]圖2是表示清洗槽I的立體圖。清洗槽I是由PVC(聚氯乙烯)等廉價合成樹脂所構成的密閉容器。在清洗槽I的底部，設有用于排出藥液以及清洗液的排出口(未圖示)。清洗槽I形成有用于使晶片W出入的開口部lb。該開口部Ib形成為在于清洗槽I的三個側(cè)面形成有水平延伸的缺口部。開口部Ib通過閘門3閉合。晶片W通過輸送機械手的手(未圖示)而以水平狀態(tài)通過開口部Ib被輸送到清洗槽I內(nèi)，放置在基板保持部2上。然后，在清洗槽I內(nèi)通過藥液進行晶片W的腐蝕處理。藥液處理中，開口部Ib通過閘門3閉合。在藥液處理結束后，晶片W通過所述輸送機械手的手以水平狀態(tài)經(jīng)由開口部Ib從清洗槽I輸送出來。
[0053]在藥液處理中，晶片W通過基板保持部2進行旋轉(zhuǎn)。因此，藥液由于離心力從晶片W向周圍飛散。當藥液附著在清洗槽I的內(nèi)表面Ia上時，存在腐蝕清洗槽I的擔憂。因此，為了保護清洗槽不受藥液影響，在藥液供給于晶片W的期間，清洗液從噴嘴7被供給于清洗槽I的內(nèi)表面Ia從而在內(nèi)表面Ia形成清洗液的膜。清洗液噴嘴7配置在晶片W的上方，所述晶片被基板保持部2保持。
[0054]圖3是基板清洗裝置的俯視圖。如圖3所示，多個清洗液噴嘴7沿晶片W的全周方向排列。從晶片W上方看時，最好是清洗液噴嘴7沿晶片W的周向大致等間隔排列。各清洗液噴嘴7面對清洗槽I內(nèi)表面Ia地配置，將清洗液供給于清洗槽I的內(nèi)表面la。清洗槽I的內(nèi)表面Ia由正面、背面和兩個側(cè)面構成,各個面配置至少一個清洗液噴嘴7，最好是配置多個清洗液噴嘴7。在圖3所示的例子中，在正面、背面和兩個側(cè)面分別配置有兩個清洗液噴嘴7，但本發(fā)明并不限于此。例如，各個面也可設置三個以上的清洗液噴嘴7。
[0055]各個清洗液噴嘴7與環(huán)狀連結接配管8連接。清洗液噴嘴7進一步通過連結配管8連結于清洗液供給部(未圖示)，清洗液從該清洗液供給部被供給到各個清洗液噴嘴7。作為所使用的清洗液的例子，可以列舉純水。清洗液噴嘴7具有使清洗液向清洗槽I內(nèi)表面Ia散開的形狀，形成扇形的廣角的噴霧。因此，各清洗液噴嘴7可在清洗槽I內(nèi)表面Ia上的較寬闊的區(qū)域供給清洗液。
[0056]清洗液從清洗液噴嘴7扇形擴散到達清洗槽I的內(nèi)表面la。清洗液在清洗槽的內(nèi)表面Ia上流下，從而在內(nèi)表面Ia上形成液膜。若清洗槽I的內(nèi)表面I呈疏水性，則清洗液的膜有時形成裂縫，或剛形成的液膜有時產(chǎn)生損壞。這種情況下，露出的清洗槽I的內(nèi)表面Ia有可能因藥液而產(chǎn)生腐蝕。因此，為了形成均勻的液膜，對清洗槽I的內(nèi)表面Ia預先實施親水化處理。由于在親水性的內(nèi)表面Ia上能均勻形成無裂縫的清洗液的膜，因此，能保護清洗槽I不受藥液影響。
[0057]作為對清洗槽I內(nèi)表面Ia實施的親水化處理，可以列舉有:吹送將微?；旌嫌谝后w的漿料從而進行粗糙化的加濕噴砂處理；使用銼刀等進行的粗糙化處理；在由等離子處理形成的表面改性；涂敷玻璃纖維(被膜)系的涂層劑；使用等離子CVD法進行氧化鈦膜的成膜；粘附氧化鈦(TiO2)光觸媒薄膜等超親水性材料之后照射紫外線的處理；以及在使用SiC粒子等細粒通過噴砂形成的粗糙化處理之后形成親水性皮膜(例如SiO2或半導體層間絕緣膜材料)的處理等。作為上述半導體層間絕緣膜材料，可以列舉SOG(涂層玻璃:Spinon Glass)。上述親水性皮膜，可通過進行全氫聚硅氮烷(PHPS)系涂層劑的噴涂涂層使表面粗糙化，并使其干燥而形成。作為PHPS系涂層劑，適合采用例如NAX120-20 (AZ電子材料公司制)。
[0058]多個清洗液噴嘴7配置為從晶片W的上方看時，圍繞在晶片W全周。因此，從多個清洗液噴嘴7供給到親水性內(nèi)表面Ia上的清洗液，形成圍繞晶片W全周的膜，所述晶片W被保持在清洗槽I的基板保持部2上。通過該清洗液所構成的膜，可保護清洗槽I不受從晶片W上甩出或反彈的藥液的影響。
[0059]圖4是表示本發(fā)明的基板清洗裝置的第2實施方式，圖5是圖4所示的基板清洗裝置的俯視圖。對于與上述第I實施形態(tài)相同的要素，標上相同的符號，并省略其重復說明。
[0060]在第2實施形態(tài)中，不對清洗槽I的內(nèi)表面Ia實施親水化處理。取而代之，為了可靠地將清洗液供給到應清洗的區(qū)域，而將多個清洗液噴嘴7構成為分別可向水平方向擺動。更具體地說，各清洗液噴嘴7可旋轉(zhuǎn)地支撐在旋轉(zhuǎn)式接頭10上，旋轉(zhuǎn)式接頭10連接于連結配管8。清洗液噴嘴7還通過連桿機構12連結于電動機14的偏心軸15。作為該偏心軸15，也可采用曲軸。當電動機14的偏心軸15旋轉(zhuǎn)時，與其連結的連桿機構12產(chǎn)生擺動，此外，清洗液噴嘴7由于連桿機構12的擺動，以鉛垂軸為中心沿順時針和逆時針交替地以規(guī)定角度進行旋轉(zhuǎn)。如此，通過電動機14的偏心軸15的旋轉(zhuǎn)，多個清洗液噴嘴7同步地進行擺動(擺動或轉(zhuǎn)動)。
[0061]在本實施方式中，使清洗液噴嘴7擺動的擺動機構由四個連桿機構12及兩個電動機14構成。各清洗液噴嘴7連結四個連桿機構12中的某一個。四個連桿機構12中的兩個連結于一方的電動機14。另一方的兩個連桿機構12連結于另一方的電動機14。但是，本發(fā)明并不限于此。例如，也可由一個電動機14使四個連桿機構12擺動。另外，也可代替電動機14而使用氣缸，作為對連桿機構12進行驅(qū)動的促動器。
[0062]圖6是表示通過一個電動機使四個連桿機構擺動的結構例的俯視圖。如圖6所不，連桿機構12A的一端部連結于電動機14的偏心軸15,連桿機構12A的另一端部通過中間連桿16A連結于另一個連桿機構12B。同樣,連桿機構12C的一端部連結于電動機14的偏心軸15，連桿機構12C的另一端部通過中間連桿16B連結于另一連桿機構12D。在這種結構中，當電動機14的偏心軸15旋轉(zhuǎn)時，四個連桿機構12A?12D進行擺動，此外，連結于連桿機構12A?12D的清洗液噴嘴7同步地進行擺動(擺動或轉(zhuǎn)動)。
[0063]圖7是表示通過一個氣缸使四個連桿機構擺動的結構例的俯視圖。如圖7所示，連桿機構12A的一端連結于氣缸20的活塞桿21,連桿機構12A的另一端部通過中間連桿16A連結于另一連桿機構12B。同樣,連桿機構12C的一端部連結于氣缸20的活塞桿21,連桿機構12C的另一端部通過中間連桿16B連結于另一連桿機構12D。氣缸20連結有電磁閥23，氣體(通常是空氣)通過該電磁閥23交替地被供給到氣缸20內(nèi)的活塞(未圖示)的兩側(cè)的二個動作室(未圖示)。在這種結構中,通過切換電磁閥23，氣缸20的活塞桿21就如圖7箭頭所示那樣進行往復運動，連結于活塞桿21的四個連桿機構12A?12D進行擺動，進一步，連結于連桿機構12A?12D的清洗液噴嘴7同步地進行擺動(擺動或轉(zhuǎn)動)。
[0064]采用圖5至圖7所示的實施方式，清洗液從擺動的清洗液噴嘴7被供給到清洗槽I的內(nèi)表面la。因此，可將清洗液供給于清洗槽I內(nèi)表面Ia上的所希望的整個被清洗區(qū)域，從而可將藥液從清洗槽I上沖洗掉。
[0065]與上述第I實施方式相同，也可對清洗槽I的內(nèi)表面Ia實施親水化處理。通過親水性的內(nèi)表面Ia和清洗液噴嘴7的擺動，可更可靠地保護清洗槽I不受藥液影響。
[0066]圖8是表示具有上述基板清洗裝置的研磨裝置的示圖。如圖8所示,研磨裝置具有大致矩形的殼體100，殼體100的內(nèi)部由隔壁101a、101b、IOlc劃分有:裝載/卸載部102和研磨部130及清洗部140。
[0067]裝載/卸載部102具有兩個以上的放置晶片盒的(圖8中是三個)前裝載部120，所述鏡片盒存儲多個晶片。在前裝載部120上，可搭載開口盒、SMIF(標準制造接口:Standard Manufacturing Interface)盒或 FOUP (前開式標準晶片盒:Front OpeningUnified Pod)。這里，SMIF、F0UP是內(nèi)部收納有晶片盒、通過用隔壁覆蓋而可保持與外部空間獨立的環(huán)境的密閉容器。
[0068]另外，在裝載/卸載部102上，沿前裝載部120并排敷設有行走機構121，在該行走機構121上設置有可沿前裝載部120排列方向移動的第I輸送機械手122。第I輸送機械手122通過在行走機構121上移動從而可對搭載在前裝載部120上的晶片盒進行存取。該第I輸送機械手122具有上下兩個手，例如，當將研磨后的晶片送回到晶片盒時使用上側(cè)的手，當輸送研磨前的晶片時使用下側(cè)的手，可分別使用上下的手。
[0069]研磨部130是對晶片進行研磨的區(qū)域，具有:第I研磨部130a和第2研磨部130b，所述第I研磨部130a具有第I研磨單元131A和第2研磨單元131B ;第2研磨部130b具有第3研磨單元131C和第4研磨單元131D。這些第I研磨單元131A、第2研磨單元131B、第3研磨單元131C和第4研磨單元131D如圖8所示，沿裝置的長度方向排列。
[0070]第I研磨單元131A具有:保持研磨塊的研磨臺132A ;上環(huán)133A，所述上環(huán)133A用于保持晶片并將晶片按壓到研磨臺132A上的研磨塊的研磨面；研磨液供給噴嘴134A，所述研磨液供給噴嘴134A用于向研磨塊的研磨面供給研磨液(例如漿料)或修整液(例如純水);砂輪修整工具135A，所述砂輪修整工具135A用于對研磨塊進行修整；以及噴霧器136A，所述噴霧器136A將液體(例如純水)與氣體(例如氮氣)的混合流體作成霧狀，并從噴嘴噴射到研磨面。
[0071]同樣，第2研磨單元131B具有:研磨臺132B ;上環(huán)133B ;研磨液供給噴嘴134B ;砂輪修整工具135B ；以及噴霧器136B，第3研磨單元131C具有:研磨臺132C ;上環(huán)133C ;研磨液供給噴嘴134C ;砂輪修整工具135C ；以及噴霧器136C，第4研磨單元131D具有:研磨臺132D ;上環(huán)133D ;研磨液供給噴嘴134D ;砂輪修整工具13? ;以及噴霧器136D。
[0072]在研磨臺132A上固定有研磨塊(未圖示)。研磨臺132A連結于配置在其下方的電動機(未圖示)，看繞軸心旋轉(zhuǎn)。如圖9所示,上環(huán)133A通過上環(huán)旋轉(zhuǎn)軸137A連結于電動機及升降缸(未圖示)。由此，上環(huán)133A就可升降并可繞上環(huán)旋轉(zhuǎn)軸137A旋轉(zhuǎn)。晶片利用真空吸附等被保持在該上環(huán)133A的下表面上。研磨塊的上表面構成與晶片滑動接觸的研磨面。
[0073]保持在上環(huán)133A下表面上的晶片一邊通過上環(huán)133A旋轉(zhuǎn)，一邊被按壓到旋轉(zhuǎn)的研磨臺132A上的研磨塊上。此時，研磨液從研磨液供給噴嘴134A被供給到研磨塊的研磨面(上表面)，在晶片與研磨塊之間存在有研磨液的狀態(tài)下研磨晶片。研磨臺132A及上環(huán)133A構成使晶片和研磨面相對移動的機構。由于第2研磨單元131B、第3研磨單元131C及第4研磨單元131D具有與第I研磨單元131A相同的結構，因此，省略其說明。
[0074]在第I研磨部130a上配置有第I線性傳送裝置150，該第I線性傳送裝置150在沿長度方向的四個輸送位置即第I輸送位置TP1、第2輸送位置TP2、第3輸送位置TP3、第4輸送位置TP4之間輸送晶片。在該第I線性傳送裝置150的第I輸送位置TPl的上方配置有翻轉(zhuǎn)從第I輸送機械手122接受的晶片的翻轉(zhuǎn)機151，并在其下方配置有可上下升降的升降機152。另外，在第2輸送位置TP2的下方配置有可上下升降的推桿153，在第3輸送位置TP3的下方配置有可上下升降的推桿154，在第4輸送位置TP4的下方配置有可上下升降的升降機155。
[0075]另外，在第2研磨部130b上配置有第2線性傳送裝置160，該第2線性傳送裝置160與第I線性傳送裝置150相鄰，并在沿長度方向的三個輸送位置即第5輸送位置TP5、第6輸送位置TP6、第7輸送位置TP7之間輸送晶片。在該第2線性傳送裝置160的第5輸送位置TP5的下方配置有可上下升降的升降機166，在第6輸送位置TP6的下方配置有推桿167，在第7輸送位置TP7的下方配置有推桿168。
[0076]如圖9所示，第I線性傳送裝置150具有四個可直線往復運動的載物臺，即第I載物臺、第2載物臺、第3載物臺和第4載物臺。這些載物臺構成上下兩級的結構。S卩，下級配置有第I載物臺、第2載物臺和第3載物臺，上級配置有第4載物臺。
[0077]下級的載物臺和上級的載物臺，由于所設置的高度不同，因此，下級的載物臺和上級的載物臺能夠不互相干涉地自由移動。第I載物臺在第I輸送位置TPl與(晶片交接位置)第2輸送位置TP2之間輸送晶片，第2載物臺在第2輸送位置TP2與(晶片交接位置)第3輸送位置TP3之間輸送晶片，第3載物臺在第3輸送位置TP3與第4輸送位置TP4之間輸送晶片。另外，第4載物臺在第I輸送位置TPl與第4輸送位置TP4之間輸送晶片。
[0078]第2線性傳送裝置160具有實質(zhì)上與第I線性傳送裝置150相同的結構。S卩，上級配置有第5載物臺及第6載物臺，下級配置有第7載物臺。第5載物臺在第5輸送位置TP5與(晶片交接位置)第6輸送位置TP6之間輸送晶片，第6載物臺在第6輸送位置TP6與(晶片交接位置)第7輸送位置TP7之間輸送晶片，第7載物臺在第5輸送位置TP5與第7輸送位置TP7之間輸送晶片。
[0079]清洗部140是對研磨后的晶片進行清洗，使其干燥的區(qū)域，具有:第2輸送機械手124 ;翻轉(zhuǎn)機141，所述翻轉(zhuǎn)機141翻轉(zhuǎn)從第2輸送機械手124接受的晶片；對研磨后的晶片進行清洗的三個清洗單元142?144 ;使清洗后的晶片干燥的干燥單元145 ;以及在翻轉(zhuǎn)機141、清洗單元142?144及干燥單元145之間輸送晶片的輸送單元146。
[0080]輸送單元146具有具有多個把持晶片的臂部，通過這些臂部可使多個晶片在翻轉(zhuǎn)機141、清洗單元142?144及干燥單元145之間同時在水平方向上移動。作為清洗單元142及清洗單元143，例如，可使用使上下配置的輥形海綿旋轉(zhuǎn)并將其按壓在晶片表面及背面上對晶片表面及背面進行清洗的輥式清洗單元。另外，清洗單元144是圖1或圖4所示的上述實施方式的基板清洗裝置。干燥單元145是通過使清洗后的晶片高速旋轉(zhuǎn)而使其干燥的旋轉(zhuǎn)式干燥機。
[0081]在翻轉(zhuǎn)機151與第I輸送機械手122之間設置有閘門110，在輸送晶片時打開閘門110從而在第I輸送機械手122與翻轉(zhuǎn)機151之間交接晶片。另外，在翻轉(zhuǎn)機141與第2輸送機械手124之間、翻轉(zhuǎn)機141與第I清洗單元142之間、第I研磨部130a與第2輸送機械手124之間、以及第2研磨部130b與第2輸送機械手124之間也分別設置有閘門111、112、113、114，在輸送晶片時打開這些閘門111、112、113、114從而交接晶片。
[0082]圖8所示的研磨裝置，可對晶片實施包括:研磨、清洗及干燥在內(nèi)的一系列處理。
[0083]上述的實施方式，是以本發(fā)明所屬的【技術領域】中具有通常知識的人員能實施本發(fā)明為目的而記載的。上述實施方式的各種變形例若是技術人員就可當然實施，本發(fā)明的技術思想還可適用于其它的實施方式。因此，本發(fā)明不限于所記載的實施方式，應是由基于權利要求書所定義的技術思想的最寬大的范圍來解釋的。
【權利要求】
1.一種基板清洗裝置，其特征在于，具有: 收容基板的清洗槽； 配置在所述清洗槽內(nèi)的基板保持部； 將藥液供給于所述基板的藥液噴嘴，所述基板由所述基板保持部保持；以及 將清洗液供給于所述清洗槽的內(nèi)表面的多個清洗液噴嘴， 對所述清洗槽的內(nèi)表面實施親水化處理。
2.如權利要求1所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述多個清洗液噴嘴，沿由所述基板保持部保持的所述基板的全周方向排列。
3.如權利要求1所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述多個清洗液噴嘴，配置在由所述基板保持部保持的所述基板的上方。
4.如權利要求1所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述多個清洗液噴嘴，在所述清洗槽的內(nèi)表面上形成所述清洗液的膜，所述清洗液的膜包圍所述基板保持部所保持的所述基板的全周。
5.如權利要求1所 述的基板清洗裝置，其特征在于，還具有使所述多個清洗液噴嘴擺動的擺動機構。
6.如權利要求1所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述親水化處理是粗糙化處理、親水性材料的涂層、等離子處理所形成的表面改性以及它們的組合中的任何一種。
7.一種研磨裝置，其特征在于，具有: 對基板進行研磨的研磨部；以及 對研磨后的所述基板進行清洗的如權利要求1所述的基板清洗裝置。
8.一種基板清洗裝置，其特征在于，具有: 收容基板的清洗槽； 配置在所述清洗槽內(nèi)的基板保持部； 將藥液供給于所述基板的藥液噴嘴，所述基板由所述基板保持部保持； 將清洗液供給于所述清洗槽的內(nèi)表面的多個清洗液噴嘴；以及 使所述多個清洗液噴嘴擺動的擺動機構。
9.如權利要求8所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述多個清洗液噴嘴，沿由所述基板保持部保持的所述基板的全周方向排列。
10.如權利要求8所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述多個清洗液噴嘴，配置在由所述基板保持部保持的所述基板的上方。
11.如權利要求8所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述多個清洗液噴嘴，在所述清洗槽的內(nèi)表面上形成所述清洗液的膜，所述清洗液的膜包圍所述基板保持部所保持的所述基板的全周。
12.如權利要求8所述的基板清洗裝置，其特征在于，對所述清洗槽的內(nèi)表面實施親水化處理。
13.如權利要求12所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述親水化處理是粗糙化處理、親水性材料的涂層、等離子處理所形成的表面改性以及它們的組合中的任何一種。
14.一種研磨裝置，其特征在于，具有: 對基板進行研磨的研磨部；以及對研磨后的所述基板進行清洗 的如權利要求8所述的基板清洗裝置。
【文檔編號】B24B37/00GK103707179SQ201310461098
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權日:2012年10月3日
【發(fā)明者】前田幸次, 下元博, 中野央二郎 申請人:株式會社荏原制作所