一種板式pecvd制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種板式PECVD制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面鍍SiN薄膜的步驟，石墨框環(huán)繞硅片開透氣孔，在硅片的背面蓋上一個擋板將硅片背面需要留出的點(diǎn)擋住，在對硅片正面鍍SiN薄膜的過程中工藝氣體透過透氣孔也對硅片背面鍍SiN薄膜，工藝氣體均勻覆蓋硅片的正面及背面，同時(shí)硅片背面由于擋板作用形成點(diǎn)接觸的點(diǎn)。本發(fā)明不需要正反面進(jìn)行兩次鍍膜，同時(shí)省略了背面開孔需要的激光打孔工序，而且同樣可以起到背面氮化硅的鈍化和大鋁背場效果，最終大幅提升太陽能電池的開路電壓、短路電流和轉(zhuǎn)換效率。
【專利說明】—種板式PECVD制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及板式PECVD制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中板式PECVD制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法包括如下步驟:(I)硅片去損傷層并制絨；(2) P擴(kuò)散；(3)邊緣刻蝕及去磷硅玻璃(PSG) (4)背面氧化鋁/氮化硅疊層薄膜生長；(5)正面SiN減反射薄膜生長；(6)背面激光開孔；(7)絲網(wǎng)印刷背銀，背鋁，正銀；(8)燒結(jié)，測試。
[0003]其存在的缺陷為:(I)背面氧化鋁/氮化硅疊層薄膜生長、激光開孔需要添加2臺價(jià)格昂貴的設(shè)備，二次鍍膜工藝氣體使用量增加，最終導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加；(2)兩次鍍膜和激光開孔對硅片的內(nèi)部損傷很大，影響電池片效率；(3)激光開孔硅片碎片率很高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題就是提供一種板式PECVD制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法，簡化工藝，降低成本，降低能耗，提升轉(zhuǎn)換效率。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種板式PECVD制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面鍍SiN薄膜的步驟，石墨框環(huán)繞硅片開透氣孔，在硅片的背面蓋上一個擋板將硅片背面需要留出的點(diǎn)擋住，在對硅片正面鍍SiN薄膜的過程中工藝氣體透過透氣孔也對硅片背面鍍SiN薄膜，工藝氣體均勻覆蓋硅片的正面及背面，同時(shí)硅片背面由于擋板作用形成點(diǎn)接觸的點(diǎn)。
[0006]優(yōu)選的，所述透氣孔呈蜂窩狀分布。
[0007]本發(fā)明在石墨框四周開設(shè)透氣孔，使得工藝氣體能均勻覆蓋硅片的正反兩面，通過微波法PECVD (Rothfcau)在硅片的正反面形成均勻的等離子體，同時(shí)在硅片的背面蓋上一個擋板將背面硅片需要留出的點(diǎn)擋住，這樣可以一次性在硅片正反面都鍍上SiN薄膜，同時(shí)背面由于擋板作用形成了點(diǎn)接觸的點(diǎn)。
[0008]該發(fā)明不需要正反面進(jìn)行兩次鍍膜，同時(shí)省略了背面開孔需要的激光打孔工序，而且同樣可以起到背面氮化硅的鈍化和大鋁背場效果，最終大幅提升太陽能電池的開路電壓、短路電流和轉(zhuǎn)換效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
[0010]圖1為石墨框開透氣孔結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2為硅片背面設(shè)置擋板結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合圖1和圖2對本發(fā)明做出具體說明。一種板式PECVD制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面鍍SiN薄膜的步驟，其他步驟與現(xiàn)有技術(shù)相同。
[0013]具體的,石墨框I環(huán)繞娃片2開透氣孔3,在娃片的背面蓋上一個擋板4將娃片背面需要留出的點(diǎn)5擋住，在對硅片正面鍍SiN薄膜的過程中工藝氣體透過透氣孔也對硅片背面鍍SiN薄膜，工藝氣體均勻覆蓋硅片的正面及背面，同時(shí)硅片背面由于擋板作用形成點(diǎn)接觸的點(diǎn)。
[0014]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):
[0015]1、工藝相對簡單，容易批量生產(chǎn)，不需要增加任何新的設(shè)備(200萬)，降低了能耗，降低了生產(chǎn)成本；
[0016]2、電池片轉(zhuǎn)換效率提升0.3%以上，一片電池片可以提升功率0.0464W,按照現(xiàn)在3元/瓦計(jì)算，一片可以增收0.139元，一個月兩條線以150萬片產(chǎn)量計(jì)算可以增收
0.139*150 萬=20.85 萬元，一年可以增收 20.85*12=250.2 萬元。
【權(quán)利要求】
1.一種板式PECVD制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面鍍SiN薄膜的步驟，其特征在于:石墨框環(huán)繞硅片開透氣孔，在硅片的背面蓋上一個擋板將硅片背面需要留出的點(diǎn)擋住，在對硅片正面鍍SiN薄膜的過程中工藝氣體透過透氣孔也對硅片背面鍍SiN薄膜，工藝氣體均勻覆蓋硅片的正面及背面，同時(shí)硅片背面由于擋板作用形成點(diǎn)接觸的點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的板式PECVD制備背面點(diǎn)接觸太陽能電池的方法，其特征在于:所述透氣孔呈蜂窩狀分布。
【文檔編號】C23C16/04GK103515486SQ201310513237
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月25日
【發(fā)明者】倪建林 申請人:浙江光普太陽能科技有限公司