沉積源組件的制作方法
【專利摘要】一種用于將沉積材料沉積在配置在腔中的襯底上的沉積源組件，沉積源組件包括：配置在腔中的沉積源，沉積源被配置成將沉積材料沉積在襯底上；穿過腔的至少一個(gè)壁的電極，電極被配置成向沉積源提供電力；配置在電極與腔的壁之間的絕緣部件；以及配置在絕緣部件上從而至少覆蓋絕緣部件的一部分的絕緣部件蓋。
【專利說明】沉積源組件
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求于2013年5月6日提交的第10-2013-0050805號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu) 先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 示例性實(shí)施方式涉及制造技術(shù)，更具體地涉及用于基于沉積的制造技術(shù)的沉積源 組件，該沉積源組件可用于具有提高的生產(chǎn)產(chǎn)量的大襯底批量生產(chǎn)過程。

【背景技術(shù)】
[0004] 為了支持各種功能，移動(dòng)電子設(shè)備諸如移動(dòng)電話、筆記本電腦、個(gè)人數(shù)碼助手、平 板電腦等通常包括用于為用戶提供視覺信息諸如圖片或者視頻的顯示設(shè)備。因?yàn)橥ǔＳ糜?與視覺信息相互作用的各種組件逐漸消失或者小型化(例如，實(shí)體按鍵、開關(guān)等)，所以顯示 設(shè)備對(duì)移動(dòng)電子設(shè)備變得更加重要。此外，顯示設(shè)備已發(fā)展到能彎曲至一定角度或者程度。
[0005] 在常規(guī)顯示設(shè)備中，至少部分由于其寬視角、良好的對(duì)比度以及快速的響應(yīng)時(shí)間， 有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具備了吸引性。通常，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以通過將多個(gè)層堆疊或者沉 積來形成，多個(gè)層可包括由配置在負(fù)極電極與正極電極之間的有機(jī)材料形成的發(fā)光層。通 常，發(fā)光層配置在正極電極上，而負(fù)極電極配置在發(fā)光層上。應(yīng)該注意的是，負(fù)極電極和正 極電極以及發(fā)光層可以通過蒸發(fā)和沉積金屬材料或者有機(jī)材料來形成。通常使用坩堝來沉 積金屬材料或者有機(jī)材料。坩堝具有其中裝有加熱器的沉積源。加熱器用于加熱金屬材料 或者有機(jī)材料，從而蒸發(fā)用于沉積的金屬材料或者有機(jī)材料。
[0006] 通常，坩堝可包括用于從外部電源供電以加熱加熱器的電極，并包括使沉積裝置 的腔內(nèi)的電極絕緣的絕緣部件。至少部分由于用于完成沉積過程的熱和壓力的級(jí)別，在絕 緣部件中可能發(fā)生介質(zhì)擊穿的現(xiàn)象，在金屬材料沉積在絕緣部件上時(shí)，介質(zhì)擊穿的可能性 更大。
[0007] 在本【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此， 該信息可包括未形成該國本領(lǐng)域的技術(shù)人員已公知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 示例性實(shí)施方式提供了這樣一種沉積源組件，該沉積源組件易于制造，可以容易 地應(yīng)用于大襯底批量生產(chǎn)過程，并且具有提高的生產(chǎn)產(chǎn)量以及沉積效率。
[0009] 本申請(qǐng)的其他方面將在隨后的詳細(xì)描述中提出，并且在某種程度上，將從本公開 顯而易見，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐得知。
[0010] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，用于將沉積材料沉積在配置在腔中的襯底上的沉積源組 件，包括：配置在腔中將沉積材料沉積在襯底上的沉積源；穿過腔的至少一個(gè)壁的電極，該 電極被配置成為沉積源提供電力；配置在電極與腔的壁之間的絕緣部件；以及配置在絕緣 部件上的絕緣部件蓋，該絕緣部件蓋至少覆蓋絕緣部件的一部分。 toon] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，被配置成將沉積源材料沉積在目標(biāo)襯底上的裝置，包括腔、 絕緣部件、絕緣部件蓋以及電極。其中，該腔包括：內(nèi)部腔區(qū)域以及延伸至內(nèi)部腔區(qū)域的第 一孔。絕緣部件配置在第一孔中，該絕緣部件包括至少延伸至內(nèi)部腔區(qū)域的第二孔。絕緣 部件蓋配置在絕緣部件的末端，末端配置在內(nèi)部腔區(qū)域中，絕緣部件蓋包括與第二孔相關(guān) 聯(lián)的第三孔。電極通過第二孔和第三孔延伸進(jìn)入內(nèi)部腔區(qū)域，該電極被配置成提供電力以 蒸發(fā)沉積源材料。
[0012] 前面的一般描述和隨后的詳細(xì)描述是示例性和解釋性的，并且旨在按要求提供對(duì) 本發(fā)明的進(jìn)一步說明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 附圖提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被納入且形成本說明書的一部分，其闡明 本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，并且與描述一同用于解釋本發(fā)明的原理。
[0014] 圖1是根據(jù)示例性實(shí)施方式的沉積源組件的視圖。
[0015] 圖2是根據(jù)示例性實(shí)施方式的圖1的一部分的放大視圖。
[0016] 圖3A、圖3B、以及圖3C是根據(jù)示例性實(shí)施方式的圖1的沉積源組件的多個(gè)形狀的 絕緣部件蓋的視圖。
[0017] 圖4是根據(jù)示例性實(shí)施方式的使用圖1的沉積源組件生產(chǎn)的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯 示設(shè)備的橫斷面視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 在以下描述中，出于解釋的目的，對(duì)很多具體的細(xì)節(jié)進(jìn)行了陳述，從而提供對(duì)各個(gè) 示例性實(shí)施方式的透徹理解。但是，顯而易見，各個(gè)示例性實(shí)施方式可以在沒有這些具體的 細(xì)節(jié)的情況下實(shí)行或者通過一個(gè)或者多個(gè)等同的布置實(shí)行。在其它示例中，清楚起見，眾所 周知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備以框圖的形式示出。
[0019] 在附圖中，為了清楚和描述性的目的，層、薄膜、板、區(qū)域等的尺寸和相對(duì)尺寸可能 會(huì)被夸大。此外，相同的標(biāo)號(hào)指示相同的元件。
[0020] 在提到元件或者層位于另一個(gè)元件或者層"上（on)"、"連接至（connected to)"或 者"聯(lián)接至（coupled to)"另一個(gè)元件或者層時(shí)，它可直接位于其它元件或者層上、連接至 其它元件或者層或聯(lián)接至其它元件或者層、或者可能存在介于它們中間的元件或者層。然 而，在提到元件或者層"直接地"位于另一個(gè)元件或者層"上（directly on)"、"直接地連接 至（directly connected to)"另一個(gè)元件或者層、或者"直接地聯(lián)接至（directly coupled to)"另一個(gè)元件或者層時(shí)，不存在介于中間的元件或者層。對(duì)于本公開，"X、Y、以及Z中的 至少一個(gè)"和"從包括X、Y、以及Z的組中選擇的至少一個(gè)"可以解釋為只有X、只有Y、只有 Ζ、或者X、Υ和Ζ中的兩個(gè)或者兩個(gè)以上的任意組合，例如ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ、以及ΖΖ。本文中相 同的數(shù)字指示相同元件。如本文中所用的，術(shù)語"和/或（and/or)"包括相關(guān)聯(lián)列出項(xiàng)目的 一個(gè)或者多個(gè)的任意以及所有組合。
[0021] 雖然術(shù)語第一、第二等在本文中可以用于描述各個(gè)元件、組件、區(qū)域、層、和/或部 分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層、和/或部分不應(yīng)由這些術(shù)語限制。這些術(shù)語用于將一個(gè) 元件、組件、區(qū)域、層、和/或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層、和/或部分區(qū)分。因此，在 沒有脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，以下所討論的第一元件、組件、區(qū)域、層、和/或部分能夠 被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層、和/或部分。
[0022] 空間相對(duì)術(shù)語，諸如"在下方（beneath)"、"在下面（bel〇w)"、"下面的（lower)"、 "在上方（ab 〇ve)"、"上面的（upper)"等，在本文中可以用于描述性目的，因此用于描述如圖 所示的一個(gè)元件或者特征與另一個(gè)元件或者特征的關(guān)系。例如，如果圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，那么 描述為在其它元件或者特征"下面（below)"或者"下方（beneath)"的元件可能定向?yàn)樵谄?它元件"上方（above)"。因此，示例性術(shù)語"在下面（below)"能夠包括位于上方以及位于 下方的兩個(gè)方向。此外，裝置可以以其它方式定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或者位于其它方向)，同 樣地，對(duì)本文中使用的空間相對(duì)描述符號(hào)也進(jìn)行相應(yīng)解釋。
[0023] 本文中所使用的術(shù)語用于描述具體的實(shí)施方式，而不是用于限制性的。如本文中 所使用的，單數(shù)形式"a"、"an"、以及"the"旨在同樣包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中清楚地另 有指示。此外，在本說明書中使用術(shù)語"包括（comprises)"、"包括（comprising)"、"包括 (includes)"、和/或"包括（including)"時(shí)，指出規(guī)定的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組 件、和/或其組的存在，但是并未排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件、 和/或其組的存在或者添加。
[0024] 在本文中參照局部圖對(duì)多個(gè)示例性實(shí)施方式進(jìn)行了描述，局部圖是理想化的示例 性實(shí)施方式和/或中間結(jié)構(gòu)的示意圖。同樣地，例如，作為制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，圖 的形狀的變形是可以預(yù)料的。因此，本文中公開的示例性實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于區(qū)域的 具體示出形狀，而是包括由例如制造造成的形狀的偏差。例如，矩形的植入?yún)^(qū)通常被示為在 其邊緣具有圓形的或者彎曲的特征和/或植入物濃度的梯度，而不是從植入?yún)^(qū)至非植入?yún)^(qū) 的二元變化。同樣地，由植入形成的埋入?yún)^(qū)可以導(dǎo)致在埋入?yún)^(qū)與發(fā)生植入所穿過的表面之 間的區(qū)域中的一些植入。因此，附圖所示區(qū)域在性質(zhì)上是示意性的，并且其形狀不是旨在說 明設(shè)備的區(qū)域的實(shí)際形狀，因此不是要成為限制性的。
[0025] 除非另有定義，本文中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語）具有對(duì)本公 開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所理解的相同含義。術(shù)語，諸如那些在常用字典中所定義的術(shù) 語，應(yīng)解釋為具有符合其相關(guān)領(lǐng)域的背景的含義，并且將不解釋為理想化的或者過于正式 的含義，除非在本文中清楚地如此定義。
[0026] 圖1是根據(jù)示例性實(shí)施方式的沉積源組件100的視圖。圖2是圖1的一部分的放 大視圖。
[0027] 參照?qǐng)D1和圖2,沉積源組件100包括配置在腔110中的沉積源120、電極130、絕 緣部件140、以及絕緣部件蓋150。雖然在下面將參考該具體的實(shí)施方式進(jìn)行描述，但是沉 積源組件1〇〇還可以呈現(xiàn)其它不同的形式，并且包括多個(gè)和/或替代性的組件。例如，可以 考慮到沉積源組件100的部件可以是組合的、可位于分離的結(jié)構(gòu)中、和/或位于分離的位 置。
[0028] 在腔110中配置有襯底1，腔110保持在加壓狀態(tài)(例如，真空狀態(tài))下。襯底1可 以是用于有機(jī)發(fā)光設(shè)備（0LED)面板的襯底。但是，考慮到本文中所描述的示例性實(shí)施方式 可以用于制造其上可沉積有一個(gè)或多個(gè)金屬和/或有機(jī)膜的任何合適的襯底。
[0029] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，沉積源120被配置成蒸發(fā)沉積至襯底1上從而在襯底1上 形成薄膜的沉積材料。具體地，沉積源組件1〇〇可以是用于為負(fù)極電極形成金屬膜的沉積 源組件。用于為大型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的負(fù)極電極形成金屬膜的沉積源組件100使用加熱 器(未示出）加熱并蒸發(fā)金屬材料，諸如鋁（A1 )。沉積源組件100被配置成在襯底1上沉積 蒸發(fā)的金屬材料以形成薄膜。為此，加熱器可以被配置成達(dá)到較高的溫度(例如，1300°C以 上)，該溫度通常用于蒸發(fā)待沉積的材料。沉積源120可以由金屬材料形成，例如鉭（Ta)、鎢 (W)、鑰（Mo)等和/或陶瓷材料，諸如熱解氮化硼（PBN)、氧化鋁（Al xOy)等，這些材料在用于 蒸發(fā)待沉積的材料的較高溫度下是穩(wěn)定的。
[0030] 沉積源120可以使用由陶瓷材料形成的導(dǎo)向器件(未示出）從而支承高溫加熱器。 以這種方式，沉積源120可以固定(或者以其它方式聯(lián)接)至沉積源120的下部中的電極130 從而能夠?qū)訜崞魇┘臃€(wěn)定的電流。為此，連接至加熱器的電極130可以在腔110中保持 絕緣。腔110可以由任何合適的金屬材料形成。以這種方式，腔110與電極130之間的絕 緣可以通過在電極130與腔110之間插入絕緣部件140來保持。
[0031] 注意在高溫下，例如1300°c或者更高，執(zhí)行沉積過程期間生成的金屬微粒的煙可 以進(jìn)入至少部分由沉積源120的頂部或者側(cè)部的組件的余量導(dǎo)致的間隙。同樣地，金屬微 粒的煙可以沉積在配置在電極130與腔110之間的絕緣部件140上。這可以至少部分地導(dǎo) 致電極130與腔110之間的絕緣的惡化。
[0032] 換言之，在真腔110內(nèi)生成的沉積材料諸如鋁的煙在高溫下運(yùn)動(dòng)活躍并且以各種 自由度行進(jìn)。沉積材料的蒸發(fā)可以在沉積源120內(nèi)連續(xù)發(fā)生，并且一些蒸發(fā)的沉積材料可 以沉積在沉積源120的內(nèi)部組件上?？商娲?，用于形成沉積源120的導(dǎo)電材料可以在高 溫下蒸發(fā)成煙，然后沉積在沉積源120的內(nèi)部組件上。同樣地，沉積在沉積源120內(nèi)部的導(dǎo) 電材料可以惡化加熱器(未示出）與沉積源120的用于支承加熱器的組件(具體地絕緣部件 140)之間的絕緣。以這種方式，會(huì)增大加熱器的阻抗并且中斷通過電極130的電流。這會(huì) 阻止(或者以其它方式減弱)加熱器的適當(dāng)操作。換言之，由于沉積的導(dǎo)電材料，加熱器可能 不能保持用于蒸發(fā)沉積材料的1300°C或者以上的高溫。
[0033] 為了防止(或者以其它方式減弱)沉積材料在絕緣部件140上或者在加熱器與沉積 源120的組件之間的沉積，沉積源組件100還可以包括帽形的絕緣部件蓋150。絕緣部件 蓋150可以配置在絕緣部件140的上表面上，用于防止(或者以其它方式減弱）至少部分地 由布置在絕緣部件140上或者布置在加熱器與沉積源120的組件之間的沉積材料導(dǎo)致的介 質(zhì)擊穿。參照?qǐng)D2和圖3對(duì)絕緣部件蓋150的配置和功能進(jìn)行了更詳細(xì)的描述。
[0034] 應(yīng)注意，可以從外部電源供電以加熱沉積源120(或者從外部電源為配置在沉積源 120中的加熱器供電)。同樣地，被配置成為加熱沉積源120提供電力的電極130可穿過腔 110。電極130可以由任何合適的導(dǎo)電構(gòu)件形成，電極130可以是穿過腔110的底部表面的 桿的形式(或者其他合適的配置)。因?yàn)槌练e源120配置在腔110中，而電源（未示出）配置 在腔110之外，所以電極130可以將來自電源的電力輸送至沉積源120。
[0035] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，絕緣部件140配置在電極130與腔110之間并且使電極130 與腔110絕緣。在腔110的底部表面形成電極130可以穿過的孔(未示出）。以這種方式，絕 緣部件140可以裝配至孔中并且可以延伸至孔外。絕緣部件140可被形成為具有約為"I" 形的橫截面形狀，并且可以附接至腔110的內(nèi)表面和外表面從而密封腔110。電極130能夠 穿過的孔可形成在絕緣部件140的中心部分中。由此，因?yàn)殡姌O130穿過絕緣部件140,所 以絕緣部件140使電極130與腔110間隔開，由此使電極130與腔110之間絕緣。
[0036] 在示例性實(shí)施方式中，絕緣部件蓋150被形成為覆蓋絕緣部件140的至少一側(cè)。絕 緣部件蓋150包括配置在絕緣部件140的頂部表面上的基座151，以及以至少一個(gè)方向從基 座151突出的突出部152。突出部152被形成為朝向腔110的底部表面突出，從而減少絕緣 部件蓋150與腔110的底部表面之間的間距。這有助于防止(或者減少)在腔110內(nèi)部生成 的沉積材料的煙諸如鋁沉積在絕緣部件140上。絕緣部件蓋150可被形成為使絕緣部件蓋 150的突出部152的一個(gè)末端與腔110間隔1mm至5mm。絕緣部件蓋150可以由任何適當(dāng) 的絕緣材料形成，例如陶瓷材料，從而保護(hù)絕緣部件140。
[0037] 如圖2所示，根據(jù)示例性實(shí)施方式，絕緣部件蓋150被配置成防止(或者減少)導(dǎo)電 沉積材料的煙F沉積在沉積源120的內(nèi)部構(gòu)件上，諸如絕緣部件140和加熱器(未示出），從 而保持內(nèi)部構(gòu)件絕緣，盡管導(dǎo)電沉積材料的煙F可能沉積在絕緣部件蓋150和腔110的各 自的表面上。如果兩個(gè)電極130中只有一個(gè)配備絕緣部件蓋150,沉積在腔110的表面上的 導(dǎo)電材料也可以沉積在絕緣部件蓋150的表面上，這可能引起介質(zhì)擊穿。同樣地，絕緣部件 蓋150可以與每個(gè)絕緣部件140相關(guān)聯(lián)地使用。
[0038] 此外，雖然未在圖中示出，但絕緣部件蓋150和/或絕緣部件140的內(nèi)表面的至少 一部分可以具有螺紋。為此，電極130的至少一部分外表面也可以具有與絕緣部件140和 /或絕緣部件蓋150的螺紋相匹配的螺紋。同樣地，絕緣部件140、絕緣部件蓋150和/或 電極130的螺紋配合可用于進(jìn)一步將腔110的內(nèi)部區(qū)域(或者腔）與腔110的外部區(qū)域(或 者周圍環(huán)境)密封，由此，能夠穩(wěn)定地保持腔110的內(nèi)部區(qū)域中的加壓環(huán)境。而且，絕緣部件 140中的孔可以是彼此同心地或者基本上彼此同心地對(duì)準(zhǔn)。
[0039] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，圖3A、3B、和3C為圖1的絕緣部件蓋150的多個(gè)形狀的視 圖。如圖3A、3B、和3C所示，絕緣部件蓋150可以具有多個(gè)形狀。電極端子通常通過與螺 母結(jié)合成螺栓而形成。以這種方式，電極端子可以具有在其中形成的圓孔從而將電極設(shè)置 在螺栓與螺母之間。并且，只要在設(shè)置電極時(shí)在絕緣部件140與腔110之間保持間隔，絕緣 部件蓋可以具有任何合適的橫截面形狀，諸如圖3A所示的具有圓形橫截面的絕緣部件蓋 150a、圖3B所示的具有矩形橫截面的絕緣部件蓋150b、或者圖3C所示的具有多邊形橫截面 的絕緣部件蓋150c。
[0040] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，因?yàn)槌练e材料、諸如鋁以及在高溫蒸發(fā)的形成沉積源120 的金屬材料可以沉積在絕緣部件蓋150上，而不是沉積在絕緣部件140上，則能夠防止絕緣 部件140的介電性能的惡化，并且以這種方式延長沉積源組件100的壽命。
[0041] 此外，圖3A、3B、和3C的示例在性質(zhì)上只是說明性的，并且，同樣地，絕緣部件蓋 150的橫截面形狀可由能夠保持本文中所描述的功能的任何合適的配置形成。以這種方式， 絕緣部件蓋150的橫截面形狀可以符合任何合適的自由形式和/或幾何形狀。
[0042] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，圖4為使用沉積源組件100生產(chǎn)的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示 設(shè)備的橫斷面視圖。
[0043] 參照?qǐng)D4,在襯底30上形成有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10。襯底30可以由任何 適合的透明材料形成，例如玻璃、塑料或者金屬材料。在襯底30之上形成絕緣膜31，諸如緩 沖層。
[0044] 如圖4所示，在絕緣膜31之上形成薄膜晶體管（TFT)40、電容50、和有機(jī)發(fā)光設(shè)備 60 〇
[0045] 在絕緣膜31上可形成或者以其它方式以確定的圖案設(shè)置半導(dǎo)體有源層41。半導(dǎo) 體有源層41由柵極絕緣層32覆蓋。半導(dǎo)體有源層41可以由任何適合的p形或者η形半 導(dǎo)體材料形成。
[0046] 在柵極絕緣膜32上形成TFT40的柵極電極42,并且柵極電極42面向有源層41。 在柵極電極42上形成夾層電介質(zhì)33。在形成夾層電介質(zhì)33之后，對(duì)柵極絕緣膜32和夾層 電介質(zhì)33進(jìn)行蝕刻(或者以其它方式形成圖案)從而形成部分暴露有源層41的一個(gè)或多個(gè) 接觸孔。
[0047] 在夾層電介質(zhì)33上形成源/漏電極43,以接觸有源層41的通過接觸孔暴露的一 部分。保護(hù)膜34覆蓋源/漏極電極43,而源/漏極電極43通過蝕刻/制作圖案工藝部分 地暴露?？梢栽诒Ｗo(hù)膜34上形成獨(dú)立的絕緣膜(未示出），用于保護(hù)膜34的平面化。
[0048] 電容器50包括第一電極51和第二電極52。夾層電介質(zhì)33配置在第一電極51與 第二電極52之間。注意，通過電容器50儲(chǔ)存的電壓可以提供至TFT的一個(gè)或多個(gè)電極，例 如，一個(gè)或多個(gè)柵極電極42和源/漏極電極43。
[0049] 有機(jī)發(fā)光設(shè)備60可以被配置成發(fā)出任何適合的顏色的光，例如，紅色、綠色、藍(lán)色 等，這取決于有機(jī)發(fā)光設(shè)備60的電流和/或材料。以這種方式，有機(jī)發(fā)光設(shè)備60可以被配 置成顯示確定的圖像信息。有機(jī)發(fā)光設(shè)備60包括配置在保護(hù)膜34上的第一電極61。第一 電極61與TFT40的電極43電連接。
[0050] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，在第一電極61上形成像素定義膜35。在像素定義膜35中 形成開口從而暴露第一電極61的一部分。在由像素定義膜35中的開口限定的區(qū)域中形成 包括發(fā)光層的有機(jī)層63。在有機(jī)層63上形成第二電極62。
[0051] 像素定義膜35被配置成定義每個(gè)像素并且可以由有機(jī)材料形成，像素定義膜35 可以被配置成使其上形成第一電極61的襯底30的表面平面化，具體地，使保護(hù)膜34的表 面平面化。
[0052] 第一電極61和第二電極62彼此絕緣并且向包括發(fā)光層的有機(jī)層63施加不同極 性的電壓。以這種方式，發(fā)光層被配置成基于由不同極性的電壓施加在發(fā)光層上的電流發(fā) 射確定波長的光。
[0053] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，有機(jī)層63包括可由低分子量或者高分子量有機(jī)材料形 成的發(fā)光層。在使用低分子量有機(jī)材料時(shí)，有機(jī)層63可以具有單層機(jī)構(gòu)或者多層機(jī)構(gòu)， 多層結(jié)構(gòu)包括空穴注入層（HIL)、空穴傳輸層（HTL)、發(fā)光層（EML)、電子傳輸層（ETL)、 和/或電子注入層（EIL)。例如，有機(jī)材料可以包括，例如，酞菁銅（CuPc)、Ν，Ν'-二（萘 基-l_yl) -Ν, Ν，-二苯聯(lián)苯胺（Ν, N，_di (naphthalene-1-yl) -Ν, N，-diphenylbenzidine) (NPB)、3_8-p5基喹啉 Ktris-S-hydroxyquinoline aluminum) (Alq3)等。
[0054] 注意，在形成有機(jī)發(fā)光膜后，可以采用相同的沉積方法形成第二電極62。
[0055] 在示例性實(shí)施方式中，第一電極61可作為正極電極，而第二電極62可作為負(fù)極電 極?？商娲兀谝浑姌O61作為負(fù)極電極，而第二電極62可作為正極電極。第一電極61可 被圖案化成與每個(gè)像素區(qū)相對(duì)應(yīng)，而第二電極62可被形成為覆蓋所有像素。以這種方式， 第二電極62可用于普通電極。
[0056] 第一電極61可以是透明電極或者反射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O61為透明電極時(shí)，第一 電極61可以由氧化鋅鋁（ΑΖ0)、氧化鋅鎵（GZ0)、氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅 (ZnO)、氧化銦（Ιη203)等形成。還可以采用一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電聚合物（ICP)，例如聚苯胺、聚 (3, 4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸（PEDOT :PSS)等。當(dāng)?shù)谝浑姌O61為反射電極時(shí)，第 一電極61可以通過由銀（Ag)、鎂（Mg)、鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、 銥（Ir)、鉻（Cr)等或者其混合物形成的反射層，以及在反射層上形成的AZ0、GZ0、IT0、IZ0、 Ζη0、Ιη203、聚苯胺、PEDOT :PSS等形成的層來形成。第一電極61可以通過例如通過噴濺，然 后通過例如光刻法確定圖案形成的層來形成。但是，考慮可以采用任何一種或多種適合的 制造技術(shù)。
[0057] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，第二電極62可以形成為透明電極或者反射電極。當(dāng)?shù)诙?極62為透明電極時(shí)，第二電極62可以作為負(fù)極電極使用，并且，以這種方式，可以通過在有 機(jī)層63的表面上沉積具有低功函數(shù)的金屬形成第二電極62,具有低功函數(shù)的金屬諸如為 鋰（Li)、鈣（Ca)、氟化鋰/鈣（LiF/Ca)、氟化鋰/鋁（LiF/Al)、鋁（A1)、銀（Ag)、鎂（Mg)等或 者其混合物，并且由AZO、GZ0、ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΖηΟ、Ιη 203、聚苯胺、PEDOT :PSS或者類似物在其上 形成輔助電極層或者總線電極線。當(dāng)?shù)诙姌O62為反射電極時(shí)，第二電極62可以通過在 有機(jī)層63上沉積Li、C、LiF/C、LiF/Al、Al、Ag、Mg等或者其混合物形成。以這種方式，沉積 可以采用與形成有機(jī)層63所用的相同的方法執(zhí)行。
[0058] 在示例性實(shí)施方式中，第二電極62可以采用圖1所示的沉積源組件100形成。換 言之，使用沉積源組件100,沉積源組件100包括向目標(biāo)表面上噴(或者以其他方式沉積)沉 積材料的配置在腔110中的沉積源120、形成穿過腔110以提供電力從而加熱沉積源120的 電極130、配置在電極130與腔110之間以阻止電極130與腔110接觸的絕緣部件140、以 及形成在絕緣部件140的一側(cè)從而覆蓋絕緣部件140的絕緣部件蓋150,通過圖1所示的沉 積源組件100沉積的沉積材料可以沉積在如圖1所示的襯底上。
[0059] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，還考慮沉積源組件100可以用于形成第一電極61，以及還 用于形成由各種材料、無論是金屬材料還是有機(jī)材料形成一個(gè)或多個(gè)其它層。
[0060] 根據(jù)示例性實(shí)施方式，沉積材料諸如鋁以及形成沉積源120的金屬材料能夠在高 溫下蒸發(fā)并且沉積在保護(hù)絕緣部件140的絕緣部件蓋150上，由此，防止(或者以其它方式 減?。┙殡娞匦詯夯目赡苄浴Ｒ赃@種方式，沉積源120的使用壽命可以延長。
[0061] 雖然已在本文中對(duì)一些示例性實(shí)施方式和實(shí)施方案進(jìn)行了描述，但是通過上文描 述其他實(shí)施方式和修改將變得顯而易見。因此，本發(fā)明不限于上文所述的實(shí)施方式，而是限 于更寬范圍的權(quán)利要求和各種明顯的修改以及等同布置。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于將沉積材料沉積在配置于腔中的襯底上的沉積源組件，包括： 沉積源，設(shè)置在所述腔中用于將所述沉積材料沉積在所述襯底上； 電極，所述電極穿過所述腔的至少一個(gè)壁，并被配置成向所述沉積源提供電力； 絕緣部件，設(shè)置在所述電極與所述腔的壁之間；以及 絕緣部件蓋，設(shè)置在所述絕緣部件上以至少覆蓋所述絕緣部件的一部分。
2. 如權(quán)利要求1所述的沉積源組件，其中所述沉積源被配置成沉積金屬材料。
3. 如權(quán)利要求2所述的沉積源組件，其中所述沉積材料包括鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰 /鋁、鋁、銀、鎂及其混合物中的至少一種。
4. 如權(quán)利要求1所述的沉積源組件，其中： 所述腔的壁包括穿過所述壁形成的孔； 所述絕緣部件延伸穿過所述孔；以及 所述電極延伸穿過所述絕緣部件。
5. 如權(quán)利要求4所述的沉積源組件，其中所述絕緣部件附接至所述腔的所述壁的內(nèi)表 面和外表面。
6. 如權(quán)利要求1所述的沉積源組件，其中所述絕緣部件蓋包括： 基座，所述基座直接配置在所述絕緣部件上并且以第一方向縱向延伸；以及 突出部，所述突出部以第二方向從所述基座突出。
7. 如權(quán)利要求6所述的沉積源組件，其中所述第二方向朝向所述腔的底部表面延伸。
8. 如權(quán)利要求7所述的沉積源組件，其中所述突出部的末端與所述腔的底部表面間隔 開。
9. 如權(quán)利要求1所述的沉積源組件，其中所述絕緣部件蓋被配置成防止沉積材料沉積 在所述絕緣部件上。
10. 如權(quán)利要求1所述的沉積源組件，其中所述絕緣部件蓋包括陶瓷材料。
【文檔編號(hào)】C23C16/44GK104141114SQ201310659801
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2013年12月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月6日
【發(fā)明者】車龍俊 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司