一種適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺，包括四根石英管（2）和固定在所述石英管（2）兩端的支架盤（1），四根石英管（2）的端部均勻間隔設(shè)置在同一圓周上，其中一個支架盤（1）上設(shè)有進(jìn)氣口（4），另一個支架盤（1）封閉，所述石英管（2）上均勻設(shè)有多個安裝基片的安裝槽（3）。本發(fā)明解決了薄膜沉積過程中反應(yīng)腔體內(nèi)氣體的均勻性問題，能夠保證腔體內(nèi)不同位置的基片都處在相同的氣體氛圍中，從而保證大批量生產(chǎn)時薄膜性能的一致性，可以進(jìn)行薄膜的大批量沉積。
【專利說明】一種適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺
【技術(shù)領(lǐng)域】[0001]本發(fā)明涉及等離子體薄膜沉積裝置，更具體地說，涉及一種適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)是近年來發(fā)展起來的一項新技術(shù)，在制備各種新材料方面具有很好的應(yīng)用價值，如金剛石薄膜、類金剛石薄膜、納米碳管等，是目前比較實(shí)用的一種薄膜制備方法。
[0003]在各種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中，管狀反應(yīng)腔體是一種比較常見的結(jié)構(gòu)，在管狀反應(yīng)腔體中使用的基片臺，必須要滿足以下幾個要求:一方面，基片臺的存在不能影響到反應(yīng)腔體中等離子體的分布；另一方面，基片臺要保證反應(yīng)過程中所有基片所在區(qū)域的氣體分布一致，這是因為薄膜沉積過程中反應(yīng)氣體的分布對薄膜的生長具有很大的影響，均勻的氣體分布是大批量制備薄膜必須解決的問題。
[0004]在管狀等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中，對腔體中等離子體分布的研究也是一個很重要的課題，在這一研究中基片的定位是十分重要的一個環(huán)節(jié)，如何達(dá)到基片位置的精確定位也是基片臺必須解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，提供一種適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺，能夠保證腔體內(nèi)不同位置的基片都處在相同的氣體氛圍中，從而保證大批量生產(chǎn)時薄膜性能的一致性。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺，包括四根石英管和固定在所述石英管兩端的支架盤，四根石英管的端部均勻間隔設(shè)置在同一圓周上，其中一個支架盤上設(shè)有進(jìn)氣口，另一個支架盤封閉，所述石英管上均勻設(shè)有多個安裝基片的安裝槽。
[0007]上述方案中，至少一根所述石英管可拆卸安裝在所述支架盤上。
[0008]上述方案中，所述支架盤和石英管采用透電磁波的石英材料制成。
[0009]上述方案中，設(shè)有進(jìn)氣口的支架盤與反應(yīng)腔體進(jìn)氣口相扣，反應(yīng)氣體由支架盤進(jìn)入石英管，從所述安裝槽進(jìn)入反應(yīng)腔體。
[0010]實(shí)施本發(fā)明的適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺，具有以下有益效果:
[0011]1、石英材料具有很好的耐高溫性能，能夠保證薄膜沉積過程中的沉積溫度。石英管上均勻設(shè)有安裝槽，用于固定基片并對基片進(jìn)行布?xì)?，保證薄膜沉積過程中腔體內(nèi)氣體分布的均勻性。
[0012]2、在薄膜的沉積過程中，基片臺的進(jìn)氣端支架盤與反應(yīng)腔體的進(jìn)氣口相連，反應(yīng)氣體通過支架盤進(jìn)入石英管，由石英管上的安裝槽均勻地引入到反應(yīng)腔體中，保證固定在安裝槽中的基片處于相同的氣體氛圍之中，從而保證每一個基片上生長的薄膜都是一致的，達(dá)到大批量沉積薄膜的目的。
[0013]3、本發(fā)明解決了薄膜沉積過程中反應(yīng)腔體內(nèi)氣體的均勻性問題，能夠保證腔體內(nèi)不同位置的基片都處在相同的氣體氛圍中，從而保證大批量生產(chǎn)時薄膜性能的一致性，可以進(jìn)行薄膜的大批量沉積。
[0014]4、本發(fā)明的基片臺還可以達(dá)到精確定位基片位置的效果，在對腔體中等離子體分布的研究過程中具有很重要的作用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0016]圖1是本發(fā)明適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。
[0018]如圖1所示，本發(fā)明適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺包括四根石英管2和固定在石英管2兩端的支架盤1。
[0019]四根石英管2的端部均勻間隔設(shè)置在同一圓周上，其中一個支架盤1上設(shè)有進(jìn)氣口 4，另一個支架盤1封閉，石英管2上均勻設(shè)有多個安裝基片的安裝槽3。石英材料具有很好的耐高溫性能，能夠保證薄膜沉積過程中的沉積溫度。石英管2上均勻設(shè)有安裝槽3，用于固定基片并對基片進(jìn)行布?xì)?，保證薄膜沉積過程中腔體內(nèi)氣體分布的均勻性。
[0020]在薄膜的沉積過程中，基片臺的進(jìn)氣端支架盤1與反應(yīng)腔體的進(jìn)氣口 4相連，反應(yīng)氣體通過支架盤1進(jìn)入石英管2，由石英管2上的安裝槽3均勻地引入到反應(yīng)腔體中，保證固定在安裝槽3中的基片處于相同的氣體氛圍之中，從而保證每一個基片上生長的薄膜都是一致的，達(dá)到大批量沉積薄膜的目的。
[0021]進(jìn)一步的，至少一根石英管2可拆卸安裝在支架盤1上，保證有足夠的空間放置基片及基片放置后對其進(jìn)行固定。
[0022]進(jìn)一步的，支架盤1和石英管2采用透電磁波的石英材料制成，能夠保證基片臺不會影響腔體內(nèi)的等離子體分布。
[0023]本發(fā)明解決了薄膜沉積過程中反應(yīng)腔體內(nèi)氣體的均勻性問題，能夠保證腔體內(nèi)不同位置的基片都處在相同·的氣體氛圍中，從而保證大批量生產(chǎn)時薄膜性能的一致性，可以進(jìn)行薄膜的大批量沉積。本發(fā)明的基片臺還可以達(dá)到精確定位基片位置的效果，在對腔體中等離子體分布的研究過程中具有很重要的作用。
[0024]上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的【具體實(shí)施方式】，上述的【具體實(shí)施方式】僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺，其特征在于，包括四根石英管(2)和固定在所述石英管(2)兩端的支架盤(1)，四根石英管(2)的端部均勻間隔設(shè)置在同一圓周上，其中一個支架盤(1)上設(shè)有進(jìn)氣口(4)，另一個支架盤(1)封閉，所述石英管(2)上均勻設(shè)有多個安裝基片的安裝槽(3 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺，其特征在于，至少一根所述石英管(2 )可拆卸安裝在所述支架盤(1)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺，其特征在于，所述支架盤(1)和石英管(2)采用透電磁波的石英材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于管狀等離子體薄膜沉積裝置中的基片臺，其特征在于，設(shè)有進(jìn)氣口(4)的支架盤(1)與反應(yīng)腔體進(jìn)氣口(4)相扣，反應(yīng)氣體由支架盤(1)進(jìn)入石英管(2 )，從所 述安裝槽(3 )進(jìn)入反應(yīng)腔體。
【文檔編號】C23C16/458GK103668125SQ201310754420
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】熊禮威, 崔曉慧, 汪建華, 翁俊, 龔國華 申請人:武漢工程大學(xué)