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Lpcvd自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):3304082閱讀:408來源:國知局
Lpcvd自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),包括濕氧SIO2工藝爐管,所述濕氧SIO2工藝爐管上連接有補(bǔ)水系統(tǒng);所述補(bǔ)水系統(tǒng)包括儲(chǔ)水罐,該儲(chǔ)水罐通過水蒸氣輸出管與濕氧SIO2工藝爐管相連接,在儲(chǔ)水罐上端還設(shè)置有高純氮?dú)廨斎牍?,?chǔ)水罐上還設(shè)置有進(jìn)水口,在進(jìn)水口上安裝有補(bǔ)水裝置,儲(chǔ)水罐下方設(shè)置有加熱器,加熱器上還設(shè)置有重力控制裝置,重力控制裝置與補(bǔ)水裝置相連接。本實(shí)用新型提供一種LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),能夠更好的控制補(bǔ)水的時(shí)間與補(bǔ)水量,避免發(fā)生補(bǔ)水不及時(shí)導(dǎo)致的SIO2成膜速率降低以及物理性質(zhì)變差,提高了SIO2膜的生產(chǎn)效率與成品率,降低了生產(chǎn)成本,促進(jìn)了企業(yè)的健康發(fā)展。
【專利說明】LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種補(bǔ)水系統(tǒng),具體的說是涉及一種濕氧SIO2工藝爐管上使用的LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]濕氧SIO2工藝主要是通過使用LPCVD制作SIO2薄膜,其中在工藝爐管上連接的補(bǔ)水裝置是必不可少的,補(bǔ)水裝置會(huì)源源不斷的提供加工過程中所需要的水分,目前做濕氧SIO2工藝所需要的水汽需要通過工作人員定期像補(bǔ)水系統(tǒng)中加入高純水,但是有時(shí)候由于各種外因或人為因素,導(dǎo)致沒有及時(shí)加水的情況發(fā)生,而加水不及時(shí)將會(huì)影響SIO2成膜的速率降低以及膜的物理性質(zhì)變差,大大降低了 SIO2膜的生產(chǎn)效率與成品率,進(jìn)而提高了生產(chǎn)成本,加重了企業(yè)的負(fù)擔(dān),不利于企業(yè)的發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此,本實(shí)用新型提供一種LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),能夠更好的控制補(bǔ)水的時(shí)間與補(bǔ)水量,避免發(fā)生補(bǔ)水不及時(shí)導(dǎo)致的SIO2成膜速率降低以及物理性質(zhì)變差,提高了SIO2膜的生產(chǎn)效率與成品率,降低了生產(chǎn)成本,促進(jìn)了企業(yè)的健康發(fā)展。
[0004]為解決以上技術(shù)問題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0005]LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),包括濕氧S102工藝爐管,所述濕氧S102工藝爐管上連接有補(bǔ)水系統(tǒng);所述補(bǔ)水系統(tǒng)包括儲(chǔ)水罐,該儲(chǔ)水罐通過水蒸氣輸出管與濕氧S102工藝爐管相連接,在儲(chǔ)水罐上端還設(shè)置有高純氮?dú)廨斎牍?,?chǔ)水罐上還設(shè)置有進(jìn)水口,在進(jìn)水口上安裝有補(bǔ)水裝置,儲(chǔ)水罐下方設(shè)置有加熱器,加熱器上還設(shè)置有重力控制裝置,重力控制裝置與補(bǔ)水裝置相連接。
[0006]進(jìn)一步的,上述補(bǔ)水裝置包括進(jìn)水管,在進(jìn)水管的端部固定在進(jìn)水口上,在進(jìn)水管上設(shè)置有兩個(gè)球閥,在兩個(gè)球閥之間還設(shè)置有隔膜閥,在隔膜閥上設(shè)置有空氣管道,空氣管道上還設(shè)置有一個(gè)球閥,空氣管道上的球閥與隔膜閥之間還安裝有電磁閥,補(bǔ)水裝置通過該電磁閥與重力控制裝置相連。
[0007]作為優(yōu)選,所述空氣管道中有高壓空氣,進(jìn)水管中有高純水。
[0008]再進(jìn)一步的,上述重力控制裝置包括設(shè)置在加熱器下方的重力計(jì),重力計(jì)上連接有重力控制器,該重力控制器還同時(shí)連接在電磁閥上。
[0009]作為優(yōu)選,所述水蒸氣輸出管的下端管口設(shè)置在儲(chǔ)水罐內(nèi)部,且靠近儲(chǔ)水罐上端面。
[0010]作為優(yōu)選,所述高純氮?dú)廨斎牍苓B接在高純氮?dú)庠瓷?,該高純氮?dú)廨斎牍芟露嗽O(shè)置在儲(chǔ)水罐內(nèi)部,且靠近儲(chǔ)水罐底面。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型有以下有益效果:
[0012]本實(shí)用新型設(shè)置有重力控制裝置,能夠通過儲(chǔ)水罐中水量的多少來自行判斷是否需要添加高純水,以及調(diào)整添加高純水的速度,利用重力控制裝置來代替人工加水,能夠很好的掌握加水的時(shí)間,從而大大提高了 SIO2膜的生產(chǎn)效率與成品率,同時(shí)進(jìn)一步降低了生產(chǎn)成本,同時(shí)還促進(jìn)了企業(yè)的健康發(fā)展;本實(shí)用新型設(shè)置有補(bǔ)水裝置,能夠通過球閥來調(diào)整各個(gè)管路中液體或氣體的固定流量,從而避免了在添加高純水的過程中進(jìn)水管不會(huì)因過大的沖擊力而從進(jìn)水口脫離,也保證了重力控制裝置的精準(zhǔn)性;本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單,使用方便,生產(chǎn)跟加工的成本較低,能夠很好的進(jìn)行大規(guī)模的生產(chǎn)與使用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖上附圖標(biāo)記為:1 一球閥;2—進(jìn)水管;3 —隔膜閥;4一重力控制器;5—進(jìn)水口 ;6—重力計(jì);7—加熱器;8—儲(chǔ)水_ ;9一7jC蒸氣輸出管;10 —聞純氮?dú)廨斎牍埽?1—電磁閥;12—空氣管道。
【具體實(shí)施方式】
[0015]本實(shí)用新型的核心思路是,提供一種LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),能夠更好的控制補(bǔ)水的時(shí)間與補(bǔ)水量,避免發(fā)生補(bǔ)水不及時(shí)導(dǎo)致的SIO2成膜速率降低以及物理性質(zhì)變差,提高了 SIO2膜的生產(chǎn)效率與成品率,降低了生產(chǎn)成本,促進(jìn)了企業(yè)的健康發(fā)展。
[0016]為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0017]實(shí)施例
[0018]如圖1所示,LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),包括濕氧S102工藝爐管,所述濕氧S102工藝爐管上連接有補(bǔ)水系統(tǒng);所述補(bǔ)水系統(tǒng)包括儲(chǔ)水罐8,該儲(chǔ)水罐8通過水蒸氣輸出管9與濕氧S102工藝爐管相連接,在儲(chǔ)水罐8上端還設(shè)置有高純氮?dú)廨斎牍?0,儲(chǔ)水罐8上還設(shè)置有進(jìn)水口 5,在進(jìn)水口 5上安裝有補(bǔ)水裝置,儲(chǔ)水罐8下方設(shè)置有加熱器7,加熱器7上還設(shè)置有重力控制裝置,重力控制裝置與補(bǔ)水裝置相連接。
[0019]上述補(bǔ)水裝置包括進(jìn)水管2,在進(jìn)水管2的端部固定在進(jìn)水口 5上,在進(jìn)水管2上設(shè)置有兩個(gè)球閥1,在兩個(gè)球閥I之間還設(shè)置有隔膜閥3,在隔膜閥3上設(shè)置有空氣管道12,空氣管道12上還設(shè)置有一個(gè)球閥1,空氣管道12上的球閥I與隔膜閥3之間還安裝有電磁閥11,補(bǔ)水裝置通過該電磁閥11與重力控制裝置相連。
[0020]作為優(yōu)選,所述空氣管道12中有高壓空氣,進(jìn)水管2中有高純水。
[0021 ] 上述重力控制裝置包括設(shè)置在加熱器7下方的重力計(jì)6,重力計(jì)6上連接有重力控制器4,該重力控制器4還同時(shí)連接在電磁閥11上。
[0022]作為優(yōu)選,所述水蒸氣輸出管9的下端管口設(shè)置在儲(chǔ)水罐8內(nèi)部,且靠近儲(chǔ)水罐8上端面。
[0023]作為優(yōu)選,所述高純氮?dú)廨斎牍?0連接在高純氮?dú)庠瓷?該高純氮?dú)廨斎牍?0下端設(shè)置在儲(chǔ)水罐8內(nèi)部,且靠近儲(chǔ)水罐8底面。
[0024]使用時(shí),先在重力控制器中對(duì)最低加水重量與最高停止重量進(jìn)行設(shè)定,然后開啟設(shè)備,重力控制器在高純水重量達(dá)到或低于最低加水重量時(shí)控制電磁閥開啟,使得高壓空氣通過電磁閥觸碰隔膜閥,隔膜閥在空氣壓力的作用下開啟,高純水通過進(jìn)水管由進(jìn)水口注入儲(chǔ)水罐中,接著重力計(jì)將儲(chǔ)水罐中高純水的重量實(shí)時(shí)反饋到重力控制器中,重力控制器隨著聞純水重量的增加逐步關(guān)小電磁閥的開啟大小,進(jìn)而逐步見底聞純水的流量,當(dāng)儲(chǔ)水罐中高純水達(dá)到停止重量時(shí)重力控制器關(guān)閉電磁閥,進(jìn)而完成隔膜閥的關(guān)閉。
[0025]以上僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出的是,上述優(yōu)選實(shí)施方式不應(yīng)視為對(duì)本實(shí)用新型的限制,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi),還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),包括濕氧SIO2工藝爐管,其特征在于,所述濕氧SIO2工藝爐管上連接有補(bǔ)水系統(tǒng);所述補(bǔ)水系統(tǒng)包括儲(chǔ)水罐(8),該儲(chǔ)水罐(8)通過水蒸氣輸出管(9)與濕氧SIO2工藝爐管相連接,在儲(chǔ)水罐(8)上端還設(shè)置有高純氮?dú)廨斎牍?10),儲(chǔ)水罐(8)上還設(shè)置有進(jìn)水口(5),在進(jìn)水口(5)上安裝有補(bǔ)水裝置,儲(chǔ)水罐(8)下方設(shè)置有加熱器(7),加熱器(7)上還設(shè)置有重力控制裝置,重力控制裝置與補(bǔ)水裝置相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),其特征在于,所述補(bǔ)水裝置包括進(jìn)水管(2),在進(jìn)水管(2)的端部固定在進(jìn)水口(5)上,在進(jìn)水管(2)上設(shè)置有兩個(gè)球閥(I),在兩個(gè)球閥(I)之間還設(shè)置有隔膜閥(3),在隔膜閥(3)上設(shè)置有空氣管道(12),空氣管道(12)上還設(shè)置有一個(gè)球閥(1),空氣管道(12)上的球閥(I)與隔膜閥(3)之間還安裝有電磁閥(11 ),補(bǔ)水裝置通過該電磁閥(11)與重力控制裝置相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),其特征在于,所述空氣管道(12)中有聞壓空氣,進(jìn)水管(2)中有聞純水。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),其特征在于,所述重力控制裝置包括設(shè)置在加熱器(7)下方的重力計(jì)(6),重力計(jì)(6)上連接有重力控制器(4),該重力控制器(4)還同時(shí)連接在電磁閥(11)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),其特征在于,所述水蒸氣輸出管(9)的下端管口設(shè)置在儲(chǔ)水罐(8 )內(nèi)部,且靠近儲(chǔ)水罐(8 )上端面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LPCVD自動(dòng)補(bǔ)水系統(tǒng),其特征在于,所述高純氮?dú)廨斎牍?10)連接在高純氮?dú)庠瓷?,該高純氮?dú)廨斎牍?10)下端設(shè)置在儲(chǔ)水罐(8)內(nèi)部,且靠近儲(chǔ)水罐(8)底面。
【文檔編號(hào)】C23C16/44GK203546142SQ201320645950
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月18日
【發(fā)明者】向舟翊, 李家海, 李朝陽 申請(qǐng)人:四川飛陽科技有限公司
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