一種縱橫交錯溝槽式多氣體獨立通道的噴淋結構的制作方法
【專利摘要】一種縱橫交錯溝槽式多氣體獨立通道的噴淋結構，該結構針對現有技術由于設計不夠合理，氣體在進入腔室之前已進行接觸，不易于控制沉積時間的技術問題。它包括噴淋頭主體、隔板、擋板、蓋板、內圈配氣環(huán)蓋板、外圈配氣環(huán)蓋板。上述主體上設有橫向溝槽及縱向溝槽，橫向溝槽及縱向溝槽間形成凸臺，凸臺上制有貫通孔，上述橫向溝槽及縱向溝槽上制有半通孔。上述主體的上部設有蓋板；下部腔體內設有隔板，隔板將噴淋結構整體分隔為上層空間及下層空間兩個獨立的空間。本實用新型屬于半導體薄膜沉積應用及制造【技術領域】，具有結構合理、氣體反應效果好及節(jié)約生產成本的特點。
【專利說明】一種縱橫交錯溝槽式多氣體獨立通道的噴淋結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種新型的噴淋結構，特別是一種縱橫交錯溝槽式多氣體獨立通道的噴淋結構。該結構通過立體分區(qū)方式，來滿足三種及三種以上氣體獨立、均勻的到達基底表面進行沉積反應，屬于半導體薄膜沉積應用及制造【技術領域】。
【背景技術】
[0002]半導體鍍膜設備在進行沉積反應時，一般需要一種或兩種氣體，有時需要三種(或三種以上)氣體同時進入腔室進行薄膜沉積，要求幾種氣體路徑相互獨立，在進入腔體前不能相遇，進入腔室后需均勻擴散到基底表面。而現有的噴淋結構大都是針對單獨的氣體路徑設計，或是最多有兩種氣體路徑，并且大多結構都只是在氣體進口處進行分離，在進入腔室之前已進行接觸、使沉積反應提前進行，即不易于控制沉積的時間及反應條件也浪費了寶貴的不可再生的特氣資源。當需要三種及三種以上氣體時，之前的噴淋結構已不能滿足要求。

【發(fā)明內容】

[0003]本實用新型以解決上述問題為目的，針對現有的噴淋結構由于設計不夠合理，氣體在進入腔室之前已進行接觸，不易于控制沉積的時間及特氣資源浪費的技術問題。
[0004]為實現上述目的，本實用新型采用下述技術方案:一種縱橫交錯溝槽式多氣體獨立通道的噴淋結構，采用立體分區(qū)方式，隔離不同的氣體路徑。氣體分別從各自獨立的氣體進口進入，通過各自獨立的通道，到達各自分區(qū)，并從各自的分區(qū)到達腔室。彼此獨立結構使不同氣體不會提前相遇或反應。具體結構:它包括噴淋頭主體、隔板、擋板、蓋板、內圈配氣環(huán)蓋板、外圈配氣環(huán)蓋板。上述主體上設有橫向溝槽及縱向溝槽，橫向溝槽及縱向溝槽間形成凸臺，凸臺上制有貫通孔，上述橫向溝槽及縱向溝槽上制有半通孔。上述主體的上部設有蓋板；下部腔體內設有隔板，隔板將噴淋結構整體分隔為上層空間及下層空間兩個獨立的空間。上述隔板上的導氣柱分別與蓋板上的外圈配氣環(huán)蓋板、內圈配氣環(huán)蓋板、氣體B進口及氣體C進口相通。上述蓋板上設有氣體A進口，氣體A進口下設擋板。上述噴淋頭主體上設有氣體C出口、氣體B出口及氣體A出口。
[0005]本實用新型的有益效果及特點:
[0006]本實用新型通過規(guī)劃不同的分區(qū)結構及分區(qū)形式，能滿足多種氣體(三種及三種以上)的分布，使氣體能均勻、獨立、快速的擴散在腔室內，并在基板上進行沉積反應。并可在其上安裝加熱或冷卻構件，以滿足更嚴苛的工藝條件要求。具有結構合理、氣體反應效果好及節(jié)約生產成本的特點。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本實用新型的結構示意圖
[0008]圖2是圖1的A-A向剖視圖[0009]圖中零件標號分別代表:
[0010]1、上層空間；2、外圈配氣環(huán)蓋板；3、內圈配氣環(huán)蓋板；4、氣體A進口 ；5、氣體B進口 ；6、擋板；7、氣體C進口 ；8、蓋板；9、隔板；10、主體；11、氣體C出口 ；12、氣體B出口 ；13、氣體A出口 ；14、下層空間；15、橫向溝槽；16、縱向溝槽；17、凸臺。
[0011]下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明。
【具體實施方式】
[0012]實施例
[0013]如圖1和圖2所示，一種縱橫交錯溝槽式多氣體獨立通道的噴淋結構，包括噴淋頭主體10、隔板9、擋板6、蓋板8、內圈配氣環(huán)蓋板3、外圈配氣環(huán)蓋板2。
[0014]上述主體10上設有橫向溝槽15及縱向溝槽16，橫向溝槽15及縱向溝槽16間形成凸臺17，凸臺17上制有貫通孔，上述橫向溝槽15及縱向溝槽16上制有半通孔。
[0015]上述主體10的上部設有蓋板8 ;下部腔體內設有隔板9，隔板9將噴淋結構整體分隔為上層空間I及下層空間14兩個獨立的空間。上述隔板9上的導氣柱分別與蓋板8上的外圈配氣環(huán)蓋板2、內圈配氣環(huán)蓋板3、氣體B進口 5及氣體C進口 7相通。上述蓋板8上設有氣體A進口 4，氣體A進口 4下設擋板6。上述噴淋頭主體10上設有氣體C出口 11、氣體B出口 12及氣體A出口 13。
[0016]工作時，氣體A從氣體A進口 4進入上層空間I，經過擋板6擴散，通過隔板9及主體凸臺17上的貫通孔由氣體A出口 13進入腔室。氣體B通過內圈配氣環(huán)蓋板3內的配氣溝槽及其導氣柱，穿過隔板9進入下層空間14，然后在噴淋頭主體10上的縱向溝槽16及橫向溝槽15均勻擴散，通過溝槽內的半通孔由氣體B出口 12進入腔室。氣體C通過氣體C進口 7穿過上層空間I及下層空間14，由氣體C出口 11直接進入腔室。
【權利要求】
1.一種縱橫交錯溝槽式多氣體獨立通道的噴淋結構，其特征在于:它包括噴淋頭主體、隔板、擋板、蓋板、內圈配氣環(huán)蓋板、外圈配氣環(huán)蓋板，上述主體上設有橫向溝槽及縱向溝槽，橫向溝槽及縱向溝槽間形成凸臺，凸臺上制有貫通孔，上述橫向溝槽及縱向溝槽上制有半通孔，上述主體的上部設有蓋板；下部腔體內設有隔板，隔板將噴淋結構整體分隔為上層空間及下層空間兩個獨立的空間，上述隔板上的導氣柱分別與蓋板上的外圈配氣環(huán)蓋板、內圈配氣環(huán)蓋板、氣體B進口及氣體C進口相通，上述蓋板上設有氣體A進口，氣體A進口下設擋板，上述噴淋頭主體上設有氣體C出口、氣體B出口及氣體A出口。
【文檔編號】C23C16/455GK203559124SQ201320683055
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年10月31日 優(yōu)先權日:2013年10月31日
【發(fā)明者】凌復華, 吳鳳麗, 陳英男, 王燚, 國建花 申請人:沈陽拓荊科技有限公司