用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，包括真空密封的鍍膜室，所述鍍膜室內(nèi)設(shè)有蒸發(fā)源和基片，其中，所述鍍膜室的中間區(qū)域為鍍膜區(qū)，左右兩側(cè)為控溫區(qū)，所述蒸發(fā)源設(shè)置在鍍膜區(qū)內(nèi)，所述鍍膜區(qū)和控溫區(qū)內(nèi)設(shè)有導(dǎo)軌，所述基片的背面貼有銅背板并通過基片架固定在導(dǎo)軌上。本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，當(dāng)基片溫度由于蒸鍍后升高且接近臨界安全溫度時，基片沿著導(dǎo)軌移動并停留在左端或右端控溫區(qū)降溫，在溫度降至安全溫度后再返回鍍膜區(qū)繼續(xù)鍍膜，直至厚度達(dá)到要求且溫度降至安全溫度后出料，從而保證鍍膜的均勻性，有效避免散熱不均勻或冷卻過快導(dǎo)致的基片損壞，提高產(chǎn)品合格率。
【專利說明】用于非晶砸薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種鍍膜裝置，尤其涉及一種用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]鍍膜機(jī)主要由進(jìn)(出)料室、鍍膜室、線性硒蒸發(fā)源系統(tǒng)、冷卻水系統(tǒng)、真空系統(tǒng)及控制系統(tǒng)組成。作為硒薄膜的載體(基片)，可以是筒鼓或薄板。非晶硒薄膜鍍膜一般使用純硒做蒸發(fā)用的原料，硒在化學(xué)元素周期表中屬于氧族元素，硒的熔點為217°C，沸點為684.90C ;硒具有光電效應(yīng)性能，非晶硒薄膜在圖片、文件資料以及制圖系統(tǒng)等復(fù)制設(shè)備中作為重要的傳遞介質(zhì)而存在。例如，復(fù)印機(jī)的硒鼓，DR平板探測器的非晶硒光電二極管陣列組件等。
[0003]蒸鍍非晶硒薄膜的基片一般為玻璃，基片的允許溫度范圍在50_80°C范圍內(nèi)，基片溫度過高會使非晶態(tài)的硒轉(zhuǎn)變?yōu)榫w硒，而基片溫度過低會影響薄膜的結(jié)合強(qiáng)度以及基片的應(yīng)力釋放，所以鍍膜時如何控制好基片溫度就成為影響非晶硒薄膜質(zhì)量的重要因素。
[0004]傳統(tǒng)的控溫方式一般是在鍍膜室外表面分布有冷卻水管或冷卻水夾層，鍍膜室內(nèi)部安裝用于烘烤的加熱器，二者結(jié)合來控制基片的溫度，基片溫度過高時不能及時將溫度降下來，產(chǎn)品合格率不穩(wěn)定。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，能夠保證鍍膜的均勻性，有效避免散熱不均勻或冷卻過快導(dǎo)致的基片損壞問題，提高產(chǎn)品合格率，且結(jié)構(gòu)簡單，易于推廣應(yīng)用。
[0006]本實用新型為解決上述技術(shù)問題而采用的技術(shù)方案是提供一種用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，包括真空密封的鍍膜室，所述鍍膜室內(nèi)設(shè)有蒸發(fā)源和基片，其中，所述鍍膜室的中間區(qū)域為鍍膜區(qū)，左右兩側(cè)為控溫區(qū)，所述蒸發(fā)源設(shè)置在鍍膜區(qū)內(nèi)，所述鍍膜區(qū)和控溫區(qū)內(nèi)設(shè)有導(dǎo)軌，所述基片的背面貼有銅背板并通過基片架固定在導(dǎo)軌上。
[0007]上述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其中，所述鍍膜室的控溫區(qū)底部設(shè)置有冷凝銅管，所述冷凝銅管內(nèi)通入冷媒介質(zhì)。
[0008]上述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其中，所述鍍膜室的控溫區(qū)頂部設(shè)置有冷卻銅板，所述冷卻銅板內(nèi)部設(shè)置有冷卻水夾層，所述鍍膜區(qū)導(dǎo)軌下方設(shè)有氣動頂升裝置，當(dāng)氣動頂升裝置抬升時，所述銅背板和冷卻銅板相接觸。
[0009]上述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其中，所述鍍膜室的一側(cè)控溫區(qū)設(shè)有冷卻氣氛入口，所述鍍膜室的兩側(cè)控溫區(qū)下方設(shè)有分子泵，所述分子泵通過高真空隔離閥和鍍膜室相連。
[0010]上述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其中，所述鍍膜室的頂部設(shè)有膜厚監(jiān)控儀，所述膜厚監(jiān)控儀位于蒸發(fā)源的上方。
[0011]上述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其中，所述蒸發(fā)源的周圍設(shè)有防污板。[0012]上述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其中，所述鍍膜室外部四周表面排布有冷卻水帶。
[0013]本實用新型對比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果:本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，通過在基片的背面貼有銅背板并通過基片架固定在導(dǎo)軌上，基片在鍍膜區(qū)蒸鍍非晶硒薄膜，當(dāng)基片隨導(dǎo)軌運行進(jìn)入鍍膜區(qū)時，在鍍膜區(qū)硒蒸發(fā)源工作時，基片的溫度隨著硒膜的蒸鍍過程會不斷升高，當(dāng)接近臨界安全溫度時，基片沿著導(dǎo)軌移動并停留在左端或右端控溫區(qū)降溫，在溫度降至安全溫度后再返回鍍膜區(qū)繼續(xù)蒸鍍硒膜，此過程循環(huán)往復(fù)進(jìn)行，直至厚度達(dá)到要求且溫度降至安全溫度后基片傳輸機(jī)構(gòu)離開鍍膜室準(zhǔn)備出料，從而保證鍍膜的均勻性，有效避免散熱不均勻或冷卻過快導(dǎo)致基片損壞，提高產(chǎn)品合格率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖中:
[0016]I鍍膜室 2蒸發(fā)源3基片
[0017]4基片架 5冷卻氣氛入口 6高真空隔離閥
[0018]7分子泵 8銅背板9冷凝銅管
[0019]10冷卻銅板 11導(dǎo)軌12防污板
[0020]13膜厚監(jiān)控儀
【具體實施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進(jìn)一步的描述。
[0022]圖1為本實用新型用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]請參見圖1，本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)包括真空密封的鍍膜室1，所述鍍膜室I內(nèi)設(shè)有蒸發(fā)源2和基片3，其中，所述鍍膜室I的中間區(qū)域為鍍膜區(qū)，左右兩側(cè)為控溫區(qū)，所述蒸發(fā)源2設(shè)置在鍍膜區(qū)內(nèi)，所述鍍膜區(qū)和控溫區(qū)內(nèi)設(shè)有導(dǎo)軌11，所述基片3的背面貼有銅背板8并通過基片架4固定在導(dǎo)軌11上。
[0024]本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，鍍膜室I外部四周的表面可排布有冷卻水帶(圖未示)，用于降低腔體表面溫度；基片3背面緊貼的銅背板8與基片架4共同組成基片傳輸機(jī)構(gòu)。在鍍膜的過程中，蒸發(fā)硒時帶給基片的熱量會直接傳導(dǎo)給銅背板8，便于散熱；基片3隨導(dǎo)軌11在水平方向做往復(fù)運動，保證基片表面的鍍膜的均勻性。
[0025]本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，鍍膜室I分三個區(qū)域，中間區(qū)域為鍍膜區(qū)域，左右兩端為控溫區(qū)；當(dāng)基片傳輸機(jī)構(gòu)運行進(jìn)入鍍膜室的時候，在鍍膜區(qū)硒蒸發(fā)源工作時，基片3的溫度隨著硒膜的蒸鍍過程會不斷升高，當(dāng)接近臨界安全溫度時，基片3會沿著導(dǎo)軌11移動并停留在左端或右端控溫區(qū)降溫，在溫度降至安全溫度后再返回鍍膜區(qū)繼續(xù)蒸鍍硒膜，此過程循環(huán)往復(fù)進(jìn)行，直至厚度達(dá)到要求且溫度降至安全溫度后基片傳輸機(jī)構(gòu)離開鍍膜室準(zhǔn)備出料。
[0026]本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，控溫區(qū)底部設(shè)置冷凝銅管9，冷凝銅管9與深冷泵連接，冷凝銅管9內(nèi)通入冷媒，深冷泵工作過程中，冷凝銅管可以補(bǔ)集真空室內(nèi)的水汽，也可間接降低銅管周圍空間的溫度。控溫區(qū)頂部設(shè)置冷卻銅板10，內(nèi)部設(shè)置有冷卻水夾層，外部與冷卻水循環(huán)機(jī)相連接，通過PID控制冷卻水的溫度。所述鍍膜區(qū)導(dǎo)軌11下方設(shè)有氣動頂升裝置，當(dāng)氣動頂升裝置抬升時，所述銅背板8和冷卻銅板10相接觸。每當(dāng)基片3往復(fù)運行至兩端控溫區(qū)時，通過氣動裝置將基片傳輸機(jī)構(gòu)抬升，使之與頂部冷卻銅板10直接接觸，待基片傳輸機(jī)構(gòu)銅背板8溫度降至安全溫度后，基片傳輸機(jī)構(gòu)回落到導(dǎo)軌11上，重新回到鍍膜區(qū)繼續(xù)鍍膜。此外，所述鍍膜室I的一側(cè)控溫區(qū)設(shè)有冷卻氣氛入口 5，所述鍍膜室I的兩側(cè)控溫區(qū)下方設(shè)有分子泵7，所述分子泵7通過高真空隔離閥6和鍍膜室I相連，冷卻氣氛入口 5外部與氦氣或気氣氣源相連接，當(dāng)基片傳輸機(jī)構(gòu)運行至控溫區(qū)后，冷卻氣氛入口 5處的閥門打開，通過控制氣體的流量，從而達(dá)到降低控溫區(qū)溫度的目的。
[0027]本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，所述鍍膜室I的頂部設(shè)有膜厚監(jiān)控儀13，所述膜厚監(jiān)控儀13位于蒸發(fā)源2的上方，以便實時檢測鍍膜厚度是否達(dá)到要求。此外，所述蒸發(fā)源2的周圍設(shè)有防污板12以防止蒸發(fā)物質(zhì)污染其他零部件。
[0028]雖然本實用新型已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本實用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本實用新型的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，包括真空密封的鍍膜室(1)，所述鍍膜室(I)內(nèi)設(shè)有蒸發(fā)源(2)和基片(3)，其特征在于，所述鍍膜室(I)的中間區(qū)域為鍍膜區(qū)，左右兩側(cè)為控溫區(qū)，所述蒸發(fā)源(2)設(shè)置在鍍膜區(qū)內(nèi)，所述鍍膜區(qū)和控溫區(qū)內(nèi)設(shè)有導(dǎo)軌(11)，所述基片(3)的背面貼有銅背板(8)并通過基片架(4)固定在導(dǎo)軌(11)上。
2.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述鍍膜室(I)的控溫區(qū)底部設(shè)置有冷凝銅管(9)，所述冷凝銅管(9)內(nèi)通入冷媒介質(zhì)。
3.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述鍍膜室(I)的控溫區(qū)頂部設(shè)置有冷卻銅板(10)，所述冷卻銅板(10)內(nèi)部設(shè)置有冷卻水夾層，所述鍍膜區(qū)導(dǎo)軌(11)下方設(shè)有氣動頂升裝置，當(dāng)氣動頂升裝置抬升時，所述銅背板(8)和冷卻銅板(10)相接觸。
4.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述鍍膜室(I)的一側(cè)控溫區(qū)設(shè)有冷卻氣氛入口(5)，所述鍍膜室(I)的兩側(cè)控溫區(qū)下方設(shè)有分子泵(7)，所述分子泵(7 )通過高真空隔離閥(6 )和鍍膜室(I)相連。
5.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述鍍膜室(I)的頂部設(shè)有膜厚監(jiān)控儀(13)，所述膜厚監(jiān)控儀(13 )位于蒸發(fā)源(2 )的上方。
6.如權(quán)利要求1?5任一項所述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述蒸發(fā)源(2)的周圍設(shè)有防污板(12)。
7.如權(quán)利要求1?5任一項所述的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機(jī)，其特征在于，所述鍍膜室(I)外部四周表面排布有冷卻水帶。
【文檔編號】C23C14/06GK203668497SQ201320745620
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年11月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月22日
【發(fā)明者】毛念新, 嚴(yán)仲君, 黃翔鄂, 王新征 申請人:上海嘉森真空科技有限公司