雙磁場復(fù)推型真空電弧蒸發(fā)源的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于一種雙磁場復(fù)推型真空電弧蒸發(fā)源，包括安裝基體（5）、陰極靶材（3）、壓板（16）、引弧裝置固定板（8）和壓蓋（9），其特征在于安裝基體（5）上纏有外磁場線圈（1）；在壓蓋（9）的中心裝有鐵芯（12），在鐵芯（12）上纏有內(nèi)磁場線圈（或永磁體）（4）；在引弧裝置固定板（8）的上部裝有引弧裝置（2）。該實(shí)用新型原理、結(jié)構(gòu)簡單，靶材利用率高，工件膜層均勻，鍍膜質(zhì)量好，成本低。
【專利說明】雙磁場復(fù)推型真空電弧蒸發(fā)源
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于真空離子鍍膜設(shè)備，特別涉及一種用于真空電弧陰極蒸發(fā)源中的雙磁場復(fù)推型真空電弧蒸發(fā)源。
【背景技術(shù)】
[0002]在已有的真空電弧陰極蒸發(fā)源，陰極電弧輝斑在靶面上的運(yùn)動速度慢，并且運(yùn)動軌跡不能使靶材得到均勻的刻蝕。目前，小于Φ IOOmm的陰極靶材I級磁場已經(jīng)滿足要求，如果設(shè)計(jì)、調(diào)整的好，弧斑會運(yùn)動的很快，靶面會刻蝕的很均勻。但是大于Φ IOOmm的靶材就會顯露出問題。特別是目前廣泛應(yīng)用的Φ150-Φ160_的圓盤靶材，它們被廣泛用于超厚膜的沉積中。實(shí)踐證明，用I級磁場靶面刻蝕的都不均勻，在靶材邊緣形成環(huán)狀溝，中心凸起。靶材利用率很低，有些靶材如Cr，TiAl等價(jià)格較貴，換靶頻繁成本增加，特別是由于刻蝕位置固化，造成工件膜層不均勻，鍍膜質(zhì)量差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服上述技術(shù)不足，提供一種利用雙磁場復(fù)推型結(jié)構(gòu)，做成磁鏡場結(jié)構(gòu)，使膜層細(xì)化，并使陰極弧斑籠罩于被磁鏡約束的等離子體強(qiáng)光中，派生出多樣弧斑形貌，在靶面上運(yùn)動速度快，運(yùn)動軌跡能使靶材得到均勻的刻蝕的雙磁場復(fù)推型真空電弧蒸發(fā)源。
[0004]本實(shí)用新型解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種雙磁場復(fù)推型真空電弧蒸發(fā)源，包括安裝基體、陰極靶材、壓板、引弧裝置固定板和壓蓋，其特征在于安裝基體上纏有外磁場線圈；在壓蓋的中心裝有鐵芯，在鐵芯上纏有內(nèi)磁場線圈(或永磁體)；在引弧裝置固定板的上部裝有引弧 裝置。
[0005]本實(shí)用新型的有益效果是:該實(shí)用新型原理、結(jié)構(gòu)簡單，靶材利用率高，工件膜層均勻，鍍膜質(zhì)量好，成本低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]以下結(jié)合附圖以實(shí)施例具體說明。
[0007]圖1是雙磁場復(fù)推型真空電弧蒸發(fā)源的主視圖。
[0008]圖中:1_外磁場線圈；2_引弧裝置；3_陰極靶材；4_內(nèi)磁場線圈(或永磁體);5_安裝基體；6_安裝基體端蓋；7_端蓋座固定板；8_引弧裝置固定板；9_壓蓋；10_絕緣環(huán)一；11-內(nèi)套；12_鐵芯；13_隔離套；14_絕緣環(huán)二 ；15_密封圈；16_壓板；17_絕緣環(huán)三。
【具體實(shí)施方式】
[0009]實(shí)施例，參照附圖，一種雙磁場復(fù)推型真空電弧蒸發(fā)源，包括安裝基體5、陰極靶材
3、壓板16、引弧裝置固定板8和壓蓋9，其特征在于安裝基體5上纏有外磁場線圈I ;在壓蓋9的中心裝有鐵芯12，在鐵芯12上纏有內(nèi)磁場線圈(或永磁體)4 ;在引弧裝置固定板8的上部裝有引弧裝置2。安裝基體5左端裝有安裝基體端蓋6，安裝基體端蓋6與端蓋座固定板7連接，端蓋座固定板7與引弧裝置固定板8連接；引弧裝置固定板8與端蓋座固定板7之間、端蓋座固定板7與引弧裝置固定板8之間均裝有密封圈15 ;引弧裝置固定板8的左面裝有壓蓋9 ;壓蓋9的內(nèi)側(cè)裝有絕緣環(huán)二 14 ;在引弧裝置固定板8的內(nèi)孔裝有絕緣環(huán)三17，絕緣環(huán)三17內(nèi)孔裝有內(nèi)套11，內(nèi)套11與絕緣環(huán)三17之間、絕緣環(huán)三17與引弧裝置固定板8之間均裝有密封圈15 ;在內(nèi)套11外面和引弧裝置固定板8的右面裝有絕緣環(huán)一 10 ;在絕緣環(huán)一 10與壓板16之間裝有隔離套13，陰極靶材3裝在內(nèi)套11的右端，陰極靶材3上裝有壓板16。
[0010]其原理是:當(dāng)由內(nèi)磁場線圈(或永磁體)4產(chǎn)生的I級磁場將弧光斑點(diǎn)推向陰極靶材3平面的邊緣(要求調(diào)整的越快越好，借助運(yùn)動慣量，弧斑應(yīng)大部分超越陰極靶材3的面外圓周)，受外磁場線圈I產(chǎn)生的II級場力的推力作用，弧斑將快速收縮。周而復(fù)始，獲得陰極靶材3刻蝕均勻的效果。由于兩個(gè)磁場線圈很容易做成磁鏡結(jié)構(gòu)，使膜層細(xì)化，并且使陰極弧斑籠罩于被磁鏡約束的等離子體強(qiáng)光中，派生出很多對弧斑形貌。大大的提高了鍍膜的質(zhì)量。
【權(quán)利要求】
1.一種雙磁場復(fù)推型真空電弧蒸發(fā)源，包括安裝基體(5)、陰極靶材(3)、壓板(16)、弓丨弧裝置固定板(8 )和壓蓋(9 )，其特征在于安裝基體(5 )上纏有外磁場線圈(I);在壓蓋(9 )的中心裝有鐵芯(12)，在鐵芯(12)上纏有內(nèi)磁場線圈(或永磁體)(4);在引弧裝置固定板(8)的上部裝有引弧裝置(2)。
【文檔編號】C23C14/32GK203613258SQ201320808760
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月11日
【發(fā)明者】陳大民, 王洪權(quán), 候玉萍 申請人:陳大民