用于形成薄膜的蒸鍍材料的制作方法
【專利摘要】由含有鈦和鈮作為成分的、具有欠氧的金屬氧化物的熔融體構(gòu)成用于形成薄膜的蒸鍍材料，優(yōu)選通過(guò)使鈮的摻雜量為2mol％以上16mol％以下，從而與氧化鈦100％相比，使導(dǎo)電性提高，得到高抗靜電性，同時(shí)確保高透光性。另外，通過(guò)使用欠氧狀態(tài)的金屬氧化物而非完全氧化物，并且由熔融體而非燒結(jié)體形成摻雜鈮而成的金屬氧化物的材料，使得材料形成非銳鈦礦結(jié)構(gòu)，即使在蒸鍍后的材料殘?jiān)醒a(bǔ)充使用新材料，所得到的膜的特性也不易產(chǎn)生變化。
【專利說(shuō)明】用于形成薄膜的蒸鍍材料

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于形成薄膜的蒸鍍材料，尤其是適合于在作為成分含有鈦氧化物的蒸鍍材料中使用。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，為了使光學(xué)元件具有特定的功能，廣泛地對(duì)光學(xué)元件的表面實(shí)施薄涂敷。例如，為了使照相機(jī)鏡片、眼鏡鏡片、作為雙目鏡等各種光學(xué)鏡片具有防反射性等，一般對(duì)光學(xué)元件的表面涂敷薄膜。另外，為了在防反射性基礎(chǔ)上進(jìn)一步賦予附加價(jià)值，有時(shí)也對(duì)薄膜追加抗靜電性。具有抗靜電性，是為了抑制塵埃附著在鏡片上。
[0003]作為這樣的光學(xué)薄膜的形成方法，有真空蒸鍍法、噴鍍法、離子鍍法、CVD法、溶膠凝膠法、PLD法等。其中，真空蒸鍍法，除了可以在改變膜材料或改變附膜的基材(鏡片等)時(shí)容易地利用相同的裝置與之應(yīng)對(duì)之外，因成膜速度快而使得處理時(shí)間短，而與其它方法相比具有容易實(shí)現(xiàn)低成本的優(yōu)點(diǎn)，因此在多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域被使用。
[0004]作為形成光學(xué)薄膜的材料，例如，氧化硅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮等金屬氧化物、氟化鎂等金屬氟化物、硫化鋅等金屬硫化物、以及它們的混合物等被使用。由于為光學(xué)薄膜，當(dāng)然需要確保高透光性。因此，作為用于使光學(xué)鏡片具有抗靜電性的用于形成薄膜的材料，需要使用能夠同時(shí)具有高導(dǎo)電性和高透光性的材料。
[0005]鈦氧化物為具有高折射率的透明薄膜材料的代表性物質(zhì)，作為鏡片或?yàn)V光器的涂敷材料，一般使用蒸鍍法進(jìn)行涂敷。此外，已知使銳鈦礦型氧化鈦(T12)中摻雜少量(0.1mol %?20mol% )鈮(Nb)時(shí)，導(dǎo)電性比100%氧化鈦時(shí)高(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。該專利文獻(xiàn)I中記載了，使用具有銳鈦礦型晶體結(jié)構(gòu)的含鈮氧化鈦(Nb = T12)的燒結(jié)體作為用于形成薄膜的材料，通過(guò)利用PLD法使其蒸鍍于顯示面板等基材，從而作為透明導(dǎo)電膜利用。
[0006]專利文獻(xiàn)1:W02006/016608 公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]然而，使用以氧化鈦為主要成分的材料，通過(guò)蒸鍍形成薄膜時(shí)，通常，將材料熔融后成膜。但是，上述專利文獻(xiàn)I中記載的銳鈦礦型晶體結(jié)構(gòu)的含鈮氧化鈦(Nb = T12)的燒結(jié)體，由于在該熔融中材料內(nèi)的氧離解而釋放出大量氣體，導(dǎo)致成膜室中的氧分壓發(fā)生變化，因此存在通過(guò)蒸鍍得到的膜得不到導(dǎo)電性的問(wèn)題。
[0008]另外，通過(guò)蒸鍍形成薄膜時(shí)，為了有效利用熔融后的材料，實(shí)現(xiàn)低成本化，一般在蒸鍍后的材料殘?jiān)醒a(bǔ)充未使用的新材料并加以使用。當(dāng)然，即使補(bǔ)充并使用材料時(shí)，也希望使通過(guò)蒸鍍得到的膜的特性(抗靜電性以及透光性)不發(fā)生改變(提高補(bǔ)充穩(wěn)定性)。但是，在上述專利文獻(xiàn)I中記載的材料中，在蒸鍍后的材料殘?jiān)醒a(bǔ)充并使用新材料時(shí)，存在所形成的薄膜的組成進(jìn)一步變化了的問(wèn)題。
[0009]本發(fā)明為了解決上述問(wèn)題而成，其目的在于提供一種能夠提高抗靜電性、透光性以及補(bǔ)充穩(wěn)定性的用于形成薄膜的蒸鍍材料。
[0010]為了解決上述問(wèn)題，在本發(fā)明中，由含有鈦和鈮作為成分的、欠氧的金屬氧化物的熔融體構(gòu)成用于形成薄膜的蒸鍍材料。所謂熔融體，是指在欠氧狀態(tài)下將鈦和鈮熔融后，將其冷卻形成的物質(zhì)。此外，欠氧的金屬氧化物，例如金屬元素?cái)?shù)與氧元素?cái)?shù)的比率為4:7至5:8時(shí)，此時(shí)鈮的摻雜量?jī)?yōu)選為2mol%以上16mol%以下。
[0011]根據(jù)如上所述構(gòu)成的本發(fā)明的用于形成薄膜的蒸鍍材料，由于相對(duì)于鈦，少量摻雜有鈮，而構(gòu)成金屬氧化物，因此，與100%鈦的氧化物相比，導(dǎo)電性得以提高，能夠得到高抗靜電性。通過(guò)不使鈮的摻雜量過(guò)多，還能夠確保高透光性。
[0012]另外，根據(jù)本發(fā)明，由于與完全氧化物相比，金屬氧化物呈欠氧狀態(tài)，并且，摻雜鈮而成的金屬氧化物的材料由熔融體而非燒結(jié)體構(gòu)成，因此，材料呈非銳鈦礦結(jié)構(gòu)。因此，蒸鍍中材料內(nèi)的氧難以離解，材料的組成幾乎無(wú)變化。另外，即使在蒸鍍后的材料殘?jiān)醒a(bǔ)充并使用新的材料，也不容易使所得到的膜的特性發(fā)生變化，能夠得到高的補(bǔ)充穩(wěn)定性。另夕卜，與材料為燒結(jié)體時(shí)相比，材料為熔融體時(shí)，蒸鍍中從材料釋放出的氣體的量少，因此，所得到的膜的特性也穩(wěn)定。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是表示使用本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料通過(guò)蒸鍍而生成的膜的電阻值與鈮的摻雜量的關(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0014]圖2是表示使用本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料通過(guò)蒸鍍而生成的膜的光吸收率與鈮的摻雜量的關(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0015]圖3是表示對(duì)本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料進(jìn)行X射線衍射分析的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0016]圖4是表示對(duì)本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料進(jìn)行X射線衍射分析的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0017]圖5是表示補(bǔ)充本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料并重復(fù)蒸鍍，由此生成的膜的電阻值的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0018]圖6是表示補(bǔ)充本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料并重復(fù)蒸鍍，由此生成的膜的光吸收率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0019]圖7是表示補(bǔ)充穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)中使用的含鈮低氧化鈦中的金屬元素與氧元素的比率以及鈮的摻雜量的圖。
[0020]圖8是表示使用本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料進(jìn)行蒸鍍時(shí)的成膜裝置的真空度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0021]圖9是表示本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料的粒子尺寸的分布的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料，由含有鈦和鈮作為成分的、欠氧的金屬氧化物(以下稱作含鈮低氧化鈦)的熔融體形成。所謂熔融體是，由在欠氧狀態(tài)下將鈦和鈮熔融后冷卻，并粉碎篩選出所需要的粒子大小(例如為3_以下)形成的。
[0023]含鈮低氧化鈦的金屬元素與氧元素的比率為4:7至5:8，優(yōu)選為3:5。含鈮低氧化鈦中鈮的摻雜量，相對(duì)于鈦優(yōu)選為2m0l%以上16m0l%以下。
[0024]以下，基于附圖對(duì)上述構(gòu)成的本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖1是表示使用本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料通過(guò)蒸鍍而生成的膜的電阻值與鈮的摻雜量的關(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0025]在該圖1所示的實(shí)驗(yàn)中，含鈮低氧化鈦的金屬元素與氧元素的比率為3:5(將其標(biāo)記為“Nb:Ti305”)，使該含鈮低氧化鈦(Nb = Ti3O5)中的鈮的摻雜量不同而形成多種熔融體，使用其通過(guò)真空蒸鍍法在玻璃基材的表面進(jìn)行成膜。鈮的摻雜量從Omol^到22m0l%大致以每2mol%改變(只有O?2mol%的部分為每lmol%)。在圖1的圖表中，橫軸表示鈮的摻雜量，縱軸表不膜的電阻值。
[0026]膜的電阻值越小，導(dǎo)電性越高，抗靜電性越高。一般，已知電阻值為111 [Ω/cm]以上時(shí)，幾乎沒(méi)有抗靜電性，但是，為111 [Ω/Cm]以下時(shí)，能夠得到抗靜電性。從圖1的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，電阻值為10n[Q/cm]以下要使鈮的摻雜量為2m0l%以上的情形。因此，從得到高抗靜電性的觀點(diǎn)考慮，可以使鈮的摻雜量?jī)?yōu)選為2mol%以上。
[0027]此外，作為比較例，對(duì)于作為完全氧化物的含鈮氧化鈦(Nb = T12)的燒結(jié)體，也摻雜6mol%以及16mol%的鈮，進(jìn)行同樣的實(shí)驗(yàn)。即，使用該燒結(jié)體通過(guò)真空蒸鍍法在玻璃基材的表面進(jìn)行成膜，測(cè)定膜的電阻值。但是，利用以9.99 XlO12 [Ω/cm]為可最大測(cè)定值的裝置測(cè)定時(shí)，膜的電阻值過(guò)大而不能測(cè)定。這表示抗靜電性極低。
[0028]圖2是表示使用本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料通過(guò)蒸鍍而生成的膜的光吸收率與鈮的摻雜量的關(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。在該圖2所示的實(shí)驗(yàn)中，也使含鈮低氧化鈦(Nb = Ti3O5)中的鈮的摻雜量不同而形成多種熔融體，使用其通過(guò)真空蒸鍍法在玻璃基材的表面進(jìn)行成膜。鈮的摻雜量從0mol%到22mol%大致以每2mol%改變。在圖2的圖表中，橫軸表不銀的摻雜量，縱軸表不膜的光吸收率。
[0029]光吸收率越小，透光性越高。從圖2的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，鈮的摻雜量為0mol%以上16mol%以下時(shí)，光吸收率減小至3%以下。但是，鈮的摻雜量為18mol%以上時(shí)，光吸收率倍增至大約6%左右。因此，從得到高透光性的觀點(diǎn)考慮，可以使鈮的摻雜量?jī)?yōu)選為
1611101% 以下。
[0030]因此，綜合考慮圖1以及圖2的兩個(gè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，從同時(shí)具有高抗靜電性以及高透光性的觀點(diǎn)考慮，可以使鈮的摻雜量為2m0l%以上16m0l%以下。
[0031]圖3以及圖4是表示對(duì)于本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料進(jìn)行X射線衍射分析(XRD:X-Ray Diffract1n分析)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。在該圖3以及圖4所示的實(shí)驗(yàn)中，使含鈮低氧化鈦(Nb = Ti3O5)中的鈮的摻雜量不同而形成多種熔融體，對(duì)其進(jìn)行XRD分析。鈮的摻雜量從2mol %到16mol %以每2mol %改變。另外，作為比較例，對(duì)于作為氧化鈦的完全氧化物的T12 (無(wú)鈮摻雜)，也進(jìn)行XRD分析。
[0032]在XRD分析中，改變相對(duì)于材料的X射線的入射角度，而測(cè)定來(lái)自材料的反射波的強(qiáng)度。通過(guò)該測(cè)定，得到如圖3以及圖4所示的、橫軸為入射角度、縱軸為強(qiáng)度的圖表。此夕卜，在圖3以及圖4中，使縱軸的基準(zhǔn)值(強(qiáng)度為零)在縱向上錯(cuò)開(kāi)，以使不同鈮的摻雜量下的各測(cè)定結(jié)果不會(huì)因重疊而難以觀看。
[0033]作為比較例實(shí)驗(yàn)的T12的晶體結(jié)構(gòu)為銳鈦礦型，從圖3以及圖4的圖表可以看出，在銳鈦礦型特有的入射角度處出現(xiàn)強(qiáng)度峰值。相對(duì)于此，從圖3以及圖4的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，本實(shí)施方式的含鈮低氧化鈦(Nb = Ti3O5)在銳鈦礦型特有的入射角度處未現(xiàn)強(qiáng)度峰值，在其它的入射角度處出現(xiàn)強(qiáng)度峰值。從該實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以明確看出，本實(shí)施方式的含鈮低氧化鈦(Nb = Ti3O5)，可以使其晶體結(jié)構(gòu)不是銳鈦礦型。
[0034]圖5以及圖6是表示補(bǔ)充本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料并重復(fù)蒸鍍，由此生成的膜的電阻值與光吸收率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。在該圖5以及圖6所示的實(shí)驗(yàn)中，由改變金屬元素和氧元素的比率而生成的多種含鈮低氧化鈦形成熔融體，使用其通過(guò)真空蒸鍍法在玻璃基材表面成膜。另外，在圖5以及圖6所示的實(shí)驗(yàn)中，在蒸鍍后的材料殘?jiān)醒a(bǔ)充新材料進(jìn)行成膜，對(duì)此重復(fù)5次。
[0035]在圖5的圖表中，橫軸表示成膜的次數(shù)(材料的補(bǔ)充次數(shù))，縱軸表示膜的電阻值。另外，在圖6的圖表中，橫軸表示成膜的次數(shù)，縱軸表示膜的光吸收率。另外，圖7是表示實(shí)驗(yàn)中使用的含鈮低氧化鈦中的金屬元素與氧元素的比率以及鈮的摻雜量的圖。圖7中所示的帶圓圈的數(shù)字表示實(shí)驗(yàn)中使用的含鈮低氧化鈦的樣品編號(hào)。
[0036]在圖5?圖7中，樣品I為在金屬元素和氧元素的比率為3:5的含鈮低氧化鈦(NbiTi3O5)中，銀的摻雜量為611101%的樣品。樣品2和樣品3為在金屬兀素和氧兀素的比率為5:8的含鈮低氧化鈦(Nb = Ti5O8)中，鈮的摻雜量分別為2m0l%、16m0l%的樣品。樣品4和樣品5為在金屬元素和氧元素的比率為4:7的含銀低氧化鈦(Nb = Ti4O7)中，銀的摻雜量分別為2mol%、16mol%的樣品。
[0037]從圖5可以明確看出，即使在蒸鍍后的材料殘?jiān)醒a(bǔ)充新材料并加以使用時(shí)，作為得到的膜的特性的電阻值，也穩(wěn)定為得到抗靜電性的10n[Q/cm]以下的值。另外，從圖6可以明確看出，膜的光吸收率穩(wěn)定為得到充分的透光性的3%以下的較小的值。由此可以看出，在實(shí)驗(yàn)中使用的樣品I?5中，關(guān)于抗靜電性以及透光性，均得到高的補(bǔ)充穩(wěn)定性。另夕卜，從這些樣品I?5的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，在圖7所示的矩形框的范圍內(nèi)，能夠得到抗靜電性、透光性以及補(bǔ)充穩(wěn)定性。
[0038]此外，如上所述，在作為比較例制備的含鈮氧化鈦(Nb: T12)的燒結(jié)體(相對(duì)于鈦摻雜6m0l%以及16m0l%的鈮而制備的完全氧化物)中，通過(guò)蒸鍍得到的膜的電阻值過(guò)大而不能測(cè)定。因此，對(duì)于比較例，也不能進(jìn)行關(guān)于補(bǔ)充穩(wěn)定性的評(píng)價(jià)。
[0039]圖8是表示使用本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料進(jìn)行蒸鍍時(shí)的成膜裝置的真空度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。在該圖8所示的實(shí)驗(yàn)中，以含鈮低氧化鈦(Nb = Ti3O5)中的鈮的摻雜量為6m0l%形成熔融體，使用其通過(guò)真空蒸鍍法在玻璃基材的表面成膜。
[0040]另外，作為比較例，對(duì)于相對(duì)于鈦摻雜6m0l%鈮而制備的完全氧化物的含鈮氧化鈦的燒結(jié)體，也進(jìn)行同樣的實(shí)驗(yàn)。即，使用該燒結(jié)體通過(guò)真空蒸鍍法在玻璃基材的表面成膜，測(cè)定蒸鍍中成膜裝置的真空度。在圖8的圖表中，橫軸表示蒸鍍時(shí)間，縱軸表示成膜裝置的真空度。
[0041]從圖8的圖表可以看出，與材料為燒結(jié)體時(shí)相比，材料為熔融體時(shí)，成膜裝置內(nèi)的真空度變高。這意味著，與燒結(jié)體相比，熔融體在蒸鍍中從材料釋放出的氣體的量少。因此可以說(shuō)，通過(guò)使用本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料成膜，所得到的膜的特性的穩(wěn)定性得以提聞。
[0042]但是，使用用于形成薄膜的蒸鍍材料進(jìn)行蒸鍍時(shí)，存在被稱作飛濺的材料的突沸。若發(fā)生飛濺，會(huì)產(chǎn)生異物附著在基板表面的問(wèn)題。已知在蒸鍍法中使用的鈦氧化物中，與完全氧化物(T12)相比，具有欠氧的低氧化鈦(Ti3O5)更不易在蒸鍍中發(fā)生飛濺。在本實(shí)施方式中，通過(guò)以摻雜有鈮的低氧化鈦、而且以熔融體而非燒結(jié)體形成用于形成薄膜的蒸鍍材料，使得在蒸鍍中更不易發(fā)生飛濺。該情況通過(guò)圖9進(jìn)行說(shuō)明。
[0043]圖9是表示本實(shí)施方式的用于形成薄膜的蒸鍍材料的粒子尺寸的分布的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。在該圖9所示的實(shí)驗(yàn)中，將摻雜有鈮的含鈮低氧化鈦(Nb = Ti3O5)熔融，將其冷卻而形成熔融體，測(cè)定該熔融體的粒子尺寸。以鈮的摻雜量6m0l%、8m0l%這兩種進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。另夕卜，作為比較例，對(duì)于未摻雜鈮的低氧化鈦也進(jìn)行同樣的實(shí)驗(yàn)。制備的材料大約為500g。
[0044]圖9的(a)圖表不未摻雜銀時(shí)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，圖9的(b)圖表不銀的摻雜量為6mol %時(shí)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，圖9的(C)圖表示鈮的摻雜量為8m0l%時(shí)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。在圖9的圖表中，橫軸表示熔融體的粒子尺寸，縱軸表示整體中的含有比率。
[0045]如圖9的(a)圖所示，采用未摻雜鈮的低氧化鈦(Ti3O5)的熔融體時(shí)，未形成1.18mm以上的大粒子尺寸的熔融體。形成最多的是0.50?0.60mm的粒子尺寸。未摻雜鈮的低氧化鈦的熔融體比較柔軟，因此，細(xì)粒子分布變多。
[0046]相對(duì)于此，如圖9的(b)圖、(C)圖所示，采用摻雜鈮的含鈮低氧化鈦(Nb = Ti3O5)的熔融體時(shí)，未形成0.106mm以下的小粒子尺寸的熔融體。形成最多的是1.18?1.40mm的粒子尺寸。還形成有粒子尺寸較大的1.40?1.70_的熔融體?？梢哉f(shuō)摻雜鈮時(shí)，所得到的熔融體變硬，大粒子的分布增加。
[0047]即使采用相同的熔融體的材料，若小粒子多，也容易成為發(fā)生飛濺的原因。從圖9的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以明確看出，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)形成摻雜鈮的低氧化鈦，能夠形成更多粒子尺寸大的熔融體。由此，能夠抑制蒸鍍中飛濺的發(fā)生。
[0048]如以上詳細(xì)說(shuō)明的那樣，在本實(shí)施方式中，由含有鈦和鈮作為成分的、欠氧的金屬氧化物的熔融體構(gòu)成用于形成薄膜的蒸鍍材料。與不含鈮的低氧化鈦相比，摻雜少量鈮的含鈮低氧化鈦的導(dǎo)電性得以提高，能夠得到高抗靜電性。另外，通過(guò)使鈮的摻雜量為2mol%以上16m0l%以下，還能夠確保高透光性。
[0049]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，由于不是采用完全氧化物，而是由含有鈦和鈮作為成分的、欠氧的金屬氧化物的熔融體構(gòu)成，因此，材料形成非銳鈦礦結(jié)構(gòu)。因此，蒸鍍中材料內(nèi)的氧不易離解，材料的組成幾乎無(wú)變化。另外，即使在蒸鍍后的材料殘?jiān)醒a(bǔ)充新材料并加以使用，也不易使所得到的膜的特性發(fā)生變化，能夠得到高補(bǔ)充穩(wěn)定性。另外，由于蒸鍍中從材料釋放出的氣體的量變少，因此，還能夠提高所得到的膜的特性的穩(wěn)定性。
[0050]除此之外，上述實(shí)施方式不過(guò)是實(shí)施本發(fā)明時(shí)的一個(gè)具體例子，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不由此而被限定解釋。即，在不脫離本發(fā)明要旨、或者主要特征的情況下，可以以各種形式實(shí)施。
【權(quán)利要求】
1.一種用于形成薄膜的蒸鍍材料，其特征在于，由含有鈦和鈮作為成分的、欠氧的金屬氧化物的熔融體形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成薄膜的蒸鍍材料，其特征在于，在上述金屬氧化物中，金屬元素?cái)?shù)與氧元素?cái)?shù)的比率為4:7至5:8。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成薄膜的蒸鍍材料，其特征在于，在上述金屬氧化物中，金屬元素?cái)?shù)與氧元素?cái)?shù)的比率為3:5。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于形成薄膜的蒸鍍材料，其特征在于，在上述金屬氧化物中，銀相對(duì)于鈦的摻雜量為211101%以上1611101%以下。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK104271795SQ201380017052
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2013年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月27日
【發(fā)明者】堀江幸弘, 小林健志 申請(qǐng)人:佳能奧普特龍株式會(huì)社