一種保護膜的真空鍍膜方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及金屬膜上鍍保護膜的【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種保護膜的真空鍍膜方法，包括以下制備步驟：步驟1：抽真空：將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空，同時加熱，使容器的上層形成水蒸氣；步驟2：鍍金屬膜：利用蒸發(fā)式鍍金屬膜的工藝鍍金屬膜；步驟3：鍍完金屬膜之后通空氣：關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)牛ㄟ^流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度保持0.2-1分鐘；步驟4：清潔金屬膜表面：啟動離子轟擊電源；步驟5：然后鍍保護膜：充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變，再次啟動離子轟擊電源，使有機硅在金屬膜上逐層生長形成保護膜，具有生產(chǎn)效率高，成本低，保護膜致密性好，保護性能強，適用范圍廣的特點。
【專利說明】一種保護膜的真空鍍膜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及金屬膜上鍍保護膜的【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種保護膜的真空鍍膜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]真空鍍膜能在金屬、半導(dǎo)體、絕緣體、塑料、紙張、織物等表面上沉積金屬、半導(dǎo)體、絕緣體、不同成分比的合金、化合物及部分有機聚合物等的薄膜，應(yīng)用范圍廣。但金屬膜的表面化學(xué)性質(zhì)比較不穩(wěn)定，容易受到環(huán)境的影響，容易出現(xiàn)發(fā)黃，發(fā)黑，皸裂，發(fā)霧，發(fā)白等不良情況。因此一般都需要在金屬膜上鍍保護膜，傳統(tǒng)的保護膜鍍膜采用蒸發(fā)鍍或電子槍鍍Si02、AL2O3等材料，采用的是物理氣相沉積技術(shù)，屬于物理變化，直接將保護材料鍍在產(chǎn)品表面，鍍層與基材的結(jié)合性能不夠牢固，膜層的致密性不夠好，具體有如下幾點缺點:
1、降低了金屬膜的反射率。有些金屬是非?；顫姷慕饘?，如鋁、鐵、鎂等，當(dāng)應(yīng)用到反光杯時，則需要較強的反光率，但是若采用傳統(tǒng)的噴涂或浸涂方式制備保護膜時，當(dāng)金屬膜在真空室放氣開門的瞬間，金屬膜的表面就會被空氣中的氧氣所氧化，而且通常鍍好膜后需要數(shù)分鐘到數(shù)小時才能噴涂或浸涂透明油漆，因此會進一步惡化金屬膜的表面。
[0003]2、成本高。無論是噴涂還是浸涂，都需要使用大量的涂料，而且還要經(jīng)過熱固化或者光固化， 都會消耗大量的材料和能源。
[0004]3、不良率高。因為多了一道工序，即使在無塵車間，也多少會產(chǎn)生塵點，異物污染等不良品，從而增加成本。
[0005]4、效率低。因為金屬膜的表面增加了一道透明油漆，這個油漆的厚度在
0.01-0.03mm左右，會降低金屬膜本身的反射率。
[0006]5、精度差。因為現(xiàn)代的光學(xué)器件的精度要求非常高，通常都要求尺寸公差在+/-0.01mm左右，而0.01-0.03mm的油漆厚度會影響產(chǎn)品的表面形狀。因為油漆是液體的，會受到重力和表面張力的影響，因此油漆膜在產(chǎn)品的表面并不均勻，尤其是產(chǎn)品表面形狀變化比較大的時候，特別是有磨砂紋或特別的紋路的時候，油漆的流平現(xiàn)象可以完全覆蓋或者嚴重影響這些條紋，從而嚴重影響產(chǎn)品的表面性能。
[0007]專利申請?zhí)?00710004978.5，發(fā)明名稱為再次沉積的非晶硅薄膜，公開了一種新穎的非晶硅薄膜的形成方法。這個依賴于等離子體增強化學(xué)氣相沉積過程的方法由兩步組成，第一步是將硅材料沉積在平行雙電極的負電極表面上；第二步是將基板放置在正電極上，利用直流輝光放電的氫等離子體蝕刻的非對稱性將負極表面的硅材料轉(zhuǎn)移到基板上。如此生成的非晶硅具有改善的光電子性能和穩(wěn)定性，且便于在極大面積基板上形成均勻膜層，此種方式是蝕刻，它需要將硅材料沉積在負電極表面，再通過轉(zhuǎn)移到基板上，步驟程序麻煩,對比文件需要使用的氣體是純氣體,不能參雜其他雜質(zhì),成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種保護膜的真空鍍膜方法，其具有生產(chǎn)效率高，成本低，保護膜致密性好，保護性能強，適用范圍廣的特點。
[0009]本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
一種保護膜的真空鍍膜方法，包括以下制備步驟:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至5*10_3 Pa - 6*10_2Pa，真空度越高，鍍膜的效果越好，但成本會越高，因此，選擇5*10_3 Pa - 6*10_2Pa的真空度，能夠得到質(zhì)量優(yōu)良的膜，并且設(shè)備成本較低，降低產(chǎn)品的成本，提高產(chǎn)品的競爭力。
[0010]步驟2:鍍金屬膜:利用蒸發(fā)式鍍金屬膜的工藝鍍金屬膜；即通過加熱蒸發(fā)金屬物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜，蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝或熱絲使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時間(或決定于裝料量)，并與源和基片的距離有關(guān)。對于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣體分子與殘余氣體分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.2電子伏，是目前較為成熟的鍍膜技術(shù)。具體的加熱溫度，根據(jù)每種不同金屬的特性調(diào)整。
[0011]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在0_20Pa ;本發(fā)明只需利用空氣中的氧氣即可，不需要通純氧氣。一般情況下，純氧的制備效果要比空氣好，因為空氣中含有二氧化碳和水，兩者容易發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生碳酸腐蝕金屬膜，因此傳統(tǒng)的工藝使用的都是純氣體。但是本發(fā)明通進0-20 Pa的空氣量，得到的產(chǎn)品質(zhì)量與通純氧相同，節(jié)省了設(shè)備投資及降低了原料成本。
[0012]步驟4:清潔金屬膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1-8A左右，持續(xù)時間1-3分鐘，然后關(guān)閉`。利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除金屬膜表面的異物，提高金屬膜與保護膜的結(jié)合性。
[0013]步驟5:鍍保護膜:保護膜的原料是液體的有機硅，其成分為99%的六甲基二硅氧燒，分子式:(CH3) 3SiOSi (CH3) 3，另外是1%的丙烷類溶劑。這種硅油常溫下呈透明液體，密度為0.76-0.765g/cm3，折光率為1.3746-1.3750。在鍍保護膜前，需要在密封的容器內(nèi)加熱至95-120°C的溫度，使容器的上層形成蒸氣，去除原本容器中殘留的氣體及水蒸氣雜質(zhì)，提高鍍膜效果。丙烷類溶劑是指含有-CH2-CH2-CH3基團的液體物質(zhì)，如二氯丙烷、三氯丙烷、環(huán)氧丙烷、三羥甲基丙烷等，目的是作為稀釋作用。然后在步驟4完成后，通過數(shù)控的氣體流量控制器將有機硅蒸氣導(dǎo)入蒸發(fā)室，并保持氣壓不變，然后保持0.2-1分鐘，這個時候需要關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，穩(wěn)定真空度在0-20Pa，并啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1-8A左右，增加了鋁原子表面的能量，使得有機硅與鋁膜更加致密的結(jié)合在一起，然后保持這樣的狀態(tài)3-8分鐘，使六甲基二硅氧烷在金屬膜上逐層生長形成聚甲基硅氧烷保護膜。完成后，逐級關(guān)閉真空泵及閥門，打開放氣閥，平衡真空室的壓力，然后開門，完成一個循環(huán)。
[0014]其中，所述步驟I的抽真空為三級抽真空，第一級利用滑閥式真空泵抽真空至lOOOPa，第二級利用羅茨泵抽真空至l-3Pa，第三級利用擴散泵抽真空至5*10_3 Pa -6*10_2Pa。抽真空的過程，為了提高抽真空的速度，通常會設(shè)計為三級抽真空系統(tǒng)。第一級，滑閥式真空泵，作用是將真空室的真空度由大氣抽到lOOOPa，在這個范圍內(nèi)機械滑閥式真空泵的抽速是最高的。第二級，羅茨泵，雙轉(zhuǎn)子羅茨泵適合3Pa-1000Pa的真空范圍。第三級，擴散泵，適用高真空，可以將系統(tǒng)抽到0.03Pa。通過三級抽真空的模式，在降低設(shè)備能耗的基礎(chǔ)上，能快速達到所需要的真空度，提高生產(chǎn)效率。
[0015]其中，所述金屬膜的金屬材料為鋁、銀、鉻、錫、銦、銦錫合金中的任一種。具體的，鍍金屬膜的工藝流程與鍍鋁膜的工藝流程一樣，具體的溫度和時間根據(jù)每種金屬的熔點和蒸發(fā)點進行調(diào)整，重點在于控制各種金屬的初熔狀態(tài)和蒸發(fā)狀態(tài)。
[0016]其中，優(yōu)選的，所述步驟2中的金屬膜材料為鋁，鋁為銀白色輕金屬，是地殼中含量最豐富的金屬元素，以其輕、良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能、高反射性和耐氧化而被廣泛使用。本發(fā)明利用鋁材料的高放射性應(yīng)用于車燈的反光杯，具有成本低，反光效果好的特點。鍍鋁膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至80-120°C保持30-50秒，目的是使容器內(nèi)的水蒸氣蒸發(fā)出去，提高鍍膜的質(zhì)量和效果，另外，預(yù)熱能使所有的鎢絲升溫有個適應(yīng)期，以免出現(xiàn)鎢絲的溫度不平衡，保證整體的鍍膜效果。第二步是預(yù)熔，溫度升至250-300°C保持10-25秒，讓鋁絲達到熔融的狀態(tài)；第三步，蒸發(fā)3_8秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達700°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鋁變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鋁膜，厚度10-25nm。
[0017]更進一步的，鍍膜前，真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，蒸發(fā)鍍鋁按照標準的蒸發(fā)式鍍鋁膜的工藝進行:首先預(yù)熱，調(diào)整電流使溫度升至90-110°C保持30-50秒，讓鎢絲逐漸變?yōu)榘导t，將鋁絲初步加熱，并排除水氣和其他雜質(zhì)。第二步是預(yù)熔，溫度升至280-290 °C保持10-25秒，讓鋁絲達到熔融的狀態(tài)，變?yōu)橐簯B(tài)鋁，并沁潤鎢絲，為蒸發(fā)作準備。第三步，蒸發(fā)，3-8秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達700°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鋁變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鋁膜，厚度10-35nm。真空室是通過控制電流來達到加熱的目的，而電流會受設(shè)備的功率及大小影響，因此電流的控制要非常精確才能控制好鎢絲的溫度。
[0018]其中，所述步驟5中的保護膜的厚度為10-30nm。在鋁膜的表面鍍一層10_30nm厚的氧化硅保護膜，不但保證其了透明度不會影響鋁膜`的反光性能，還能起到良好的保護作用。
[0019]其中，所述步驟4中的離子轟擊時間為1-3分鐘。能有效清除金屬膜上的灰塵、雜質(zhì)和微粒等，保證金屬膜上的清潔光滑，便于保護膜的生長和貼合，得到致密性良好的保護膜。
[0020]其中，所述步驟I中的真空室為立式雙門真空室。真空室內(nèi)放置需要做表面鍍膜的產(chǎn)品，為了提高效率及降低成本，真空室往往設(shè)計成立式雙門真空室，這樣的目的是在一個循環(huán)完成后，通過交換左右門的開閉就能夠連續(xù)不斷的生產(chǎn)，而在生產(chǎn)的過程中，空閑的門可以下架，上架，放置鍍膜材料等。每個門往往設(shè)計有5-8個同步的轉(zhuǎn)軸，每個軸上安裝密布的需要生產(chǎn)的產(chǎn)品，這樣生產(chǎn)過程中不僅鍍膜均勻，而且提高了鍍膜機的利用率，降低了生產(chǎn)成本。
[0021]當(dāng)所述步驟2中的金屬膜材料為錫，則鍍錫膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至80-120°C保持30-50秒，目的是使容器內(nèi)的水蒸氣蒸發(fā)出去，提高鍍膜的質(zhì)量和效果，另外，預(yù)熱能使所有的鎢絲升溫有個適應(yīng)期，以免出現(xiàn)鎢絲的溫度不平衡，保證整體的鍍膜效果。第二步是預(yù)熔，溫度升至200-250°C保持10-25秒，讓錫絲達到熔融的狀態(tài)；第三步，蒸發(fā)3-8秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流直到600°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體錫變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層錫膜，厚度10-25nm。
[0022]當(dāng)所述步驟2中的金屬膜材料為銦，則鍍銦膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至80-120°C保持30-50秒，目的是使容器內(nèi)的水蒸氣蒸發(fā)出去，提高鍍膜的質(zhì)量和效果，另外，預(yù)熱能使所有的鎢絲升溫有個適應(yīng)期，以免出現(xiàn)鎢絲的溫度不平衡，保證整體的鍍膜效果。第二步是預(yù)熔，溫度升至300-380°C保持10-25秒，讓銦絲達到熔融的狀態(tài)；第三步，蒸發(fā)3-8秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流直到850°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體銦變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層銦膜，厚度10-25nm。 [0023]當(dāng)所述步驟2中的金屬膜材料為銦錫合金，則鍍銦錫合金膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至80-120°C保持30-50秒，目的是使容器內(nèi)的水蒸氣蒸發(fā)出去，提高鍍膜的質(zhì)量和效果，另外，預(yù)熱能使所有的鎢絲升溫有個適應(yīng)期，以免出現(xiàn)鎢絲的溫度不平衡，保證整體的鍍膜效果。第二步是預(yù)熔，溫度升至300-380°C保持10-25秒，讓銦錫合金絲達到熔融的狀態(tài)；第三步，蒸發(fā)3-8秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流直到830°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體銦錫合金變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層銦錫合金膜，厚度10-25nm。
[0024]當(dāng)所述步驟2中的金屬膜材料為銀，則鍍銀膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至80-120°C保持30-50秒，目的是使容器內(nèi)的水蒸氣蒸發(fā)出去，提高鍍膜的質(zhì)量和效果，另外，預(yù)熱能使所有的鎢絲升溫有個適應(yīng)期，以免出現(xiàn)鎢絲的溫度不平衡，保證整體的鍍膜效果。第二步是預(yù)熔，溫度升至450-550°C保持10-25秒，讓銀絲達到熔融的狀態(tài)；第三步，蒸發(fā)3-8秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流直到900°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體銀變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層銀膜，厚度10-25nm。
[0025]當(dāng)所述步驟2中的金屬膜材料為鉻，則鍍鉻膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至80-120°C保持30-50秒，目的是使容器內(nèi)的水蒸氣蒸發(fā)出去，提高鍍膜的質(zhì)量和效果，另外，預(yù)熱能使所有的鎢絲升溫有個適應(yīng)期，以免出現(xiàn)鎢絲的溫度不平衡，保證整體的鍍膜效果。第二步是預(yù)熔，溫度升至700-800°C保持10-25秒，讓鉻絲達到熔融的狀態(tài)；第三步，蒸發(fā)3-8秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流直到1000°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鉻變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鉻膜，厚度10_25nm。
[0026]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明采用化學(xué)氣相沉積的方法取代傳統(tǒng)的鍍膜方式，改變保護膜材料結(jié)晶的生長方式，從根本上提高了膜層的致密性，從而發(fā)揮出膜層的保護能力。傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積時間需要40-50分鐘，本技術(shù)只要20分鐘左右，提高的生產(chǎn)效率，另外，利用的是液體的六甲基二硅氧烷和空氣中的氧氣，成本低。在鍍金屬膜之后經(jīng)過高壓離子轟擊清潔處理，使金屬膜表面的異物去除，提高結(jié)合性。
[0027]傳統(tǒng)的氧化硅的化學(xué)氣相沉積是在硅的表面利用化學(xué)蝕刻的方法實現(xiàn)氧化硅的產(chǎn)生，而本發(fā)明則可以在鋁，銀，鉻，錫，銦，銦錫合金等各種物質(zhì)表面生成保護膜，因此是完全不同的產(chǎn)生方式，傳統(tǒng)是蝕刻方式，本發(fā)明是生長方式，因此本發(fā)明的使用范圍更廣，能夠在多種材質(zhì)的表面鍍硅系保護膜，并且致密性能更好，而蝕刻方式只能在硅系材質(zhì)的表面產(chǎn)生氧化硅膜，應(yīng)用范圍單一，膜的厚度不均勻。
[0028]本發(fā)明特別適用于車燈，戶外照明，特種照明等嚴酷的條件下，能夠在有水汽，酸雨，腐蝕性氣體等惡劣條件下保持鋁膜的功能不會被破壞，徹底解決了反光杯等產(chǎn)品時間久了發(fā)黃，發(fā)黑，皸裂，發(fā)霧，發(fā)白等不良，提高了產(chǎn)品的品質(zhì)。
[0029]本發(fā)明能夠使基材的保護膜通過如下測試:
1.-200C - +50°C,48小時循環(huán)老化測試；
本測試的方法如下:樣品放置在高低溫老化試驗機中，按照+50攝氏度，95%以上的濕度，保持4小時，然后降溫到室溫，保持15分鐘后，制冷到O攝氏度，濕度5%以下，保持4小時，然后升溫到室溫，保持15分鐘，周而復(fù)始。直至48小時。
[0030]這個測試是模擬自然界的春夏秋冬，加速老化的過程。經(jīng)過這個測試后，樣品的表面不會有發(fā)黑，發(fā)黃，龜裂，膜層脫落，霧化，發(fā)白等等異常，質(zhì)量優(yōu)良。
[0031]2.50°C熱水24小時測試等測試；
本測試的方法如下:將樣品放置于50攝氏度的蒸餾水的水浴鍋內(nèi)，保持24小時。經(jīng)過這個測試后，樣品的表面不會有發(fā)黑，發(fā)黃，龜裂，膜層脫落，霧化，發(fā)白等等異常。
[0032]3.5%Na0H浸泡24小時等系列測試。
[0033]本測試的方法 如下:將樣品放置于20-25攝氏度的5%濃度的NaOH溶液中，保持24小時。經(jīng)過這個測試后，樣品的表面不會有發(fā)黑，發(fā)黃，龜裂，膜層脫落，霧化，發(fā)白等等異
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【具體實施方式】
[0034]結(jié)合以下實施例對本發(fā)明作進一步描述。
[0035]實施例1
本實施例在鋁膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至6*10_2 Pa，同時加熱至95-100°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0036]步驟2:鍍鋁膜:鍍鋁膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至80°C保持30-35秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至250°C保持10-15秒，讓鋁絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達700°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鋁變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鋁膜，厚度10-15nm。
[0037]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在OPa保持I分鐘。
[0038]步驟4:清潔鋁膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1-3A左右，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除鋁膜表面的異物。
[0039]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1-3A，然后保持8分鐘，使有機硅在鋁膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括99%的六甲基二硅氧烷和1%的丙烷類溶劑。
[0040]實施例2本實施例在鋁膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至10*10_2Pa，同時加熱至105°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0041]步驟2:鍍鋁膜:鍍鋁膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至100°C保持36-40秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至280°C保持16-20秒，讓鋁絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達700°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鋁變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鋁膜，厚度10-15nm。
[0042]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)牛ㄟ^流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在IOPa保持0.2-0.5分鐘。
[0043]步驟4:清潔鋁膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在4-6A左右，持續(xù)時間2分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除鋁膜表面的異物。
[0044]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變0.2-0.5分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1-3A，然后保持6分鐘，使有機硅在鋁膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括98%的六甲基二硅氧烷和2%的丙烷類溶劑。
[0045]實 施例3
本實施例在鋁膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至5*10_3Pa，同時加熱至115°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0046]步驟2:鍍鋁膜:鍍鋁膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持41-45秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至300°C保持21-25秒，讓鋁絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達700°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鋁變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鋁膜，厚度10-15nm。
[0047]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)牛ㄟ^流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在15Pa保持0.8分鐘。
[0048]步驟4:清潔鋁膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在7-8A，持續(xù)時間I分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除鋁膜表面的異物。
[0049]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變0.5-0.8分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在6-8A，然后保持3分鐘，使有機硅在鋁膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括97%的六甲基二硅氧烷和3%的丙烷類溶劑。
[0050]實施例4
本實施例在錫膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至4*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0051]步驟2:鍍錫膜:鍍錫膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至80°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至200°C保持10秒，讓錫絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達600°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體錫變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層錫膜，厚度 10_15nm。
[0052]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0053]步驟4:清潔錫I旲表面:啟動尚子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除錫膜表面的異物。
[0054]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在錫膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0055]實施例5
本實施例在錫膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至5*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0056]步驟2:鍍錫膜:鍍錫膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至250°C保持10秒，讓錫絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達600°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體錫變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層錫膜，厚度 10_15nm。
[0057]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0058]步驟4:清潔錫I旲表面:啟動尚子`轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除錫膜表面的異物。
[0059]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在錫膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0060]實施例6
本實施例在銦膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至4*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0061]步驟2:鍍銦膜:鍍銦膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至300°C保持10秒，讓銦絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達850°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體銦變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層銦膜，厚度 10_15nm。
[0062]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0063]步驟4:清潔銦膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除銦膜表面的異物。
[0064]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在銦膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0065]實施例7
本實施例在銦膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至3*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0066]步驟2:鍍銦膜:鍍銦膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至380°C保持10秒，讓銦絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達850°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體銦變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層銦膜，厚度 10_15nm。
[0067]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)牛ㄟ^流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0068]步驟4:清潔銦膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉， 利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除銦膜表面的異物。
[0069]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在銦膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0070]實施例8
本實施例在錫銦合金膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至6*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0071]步驟2:鍍錫銦合金膜:鍍錫銦合金膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至30(TC保持10秒，讓錫銦合金絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達830°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體錫銦合金變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層錫銦合金膜，厚度10-15nm。
[0072]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)牛ㄟ^流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0073]步驟4:清潔錫銦合金膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除錫銦合金膜表面的異物。
[0074]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在錫銦合金膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0075]實施例9
本實施例在錫銦合金膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至2*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0076]步驟2:鍍錫銦合金膜:鍍錫銦合金膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至30(TC保持10秒，讓錫銦合金絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達830°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體錫銦合金變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層錫銦合金膜，厚度10-15nm。
[0077]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0078]步驟4:清潔錫銦合金膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除錫銦合金膜表面的異物。
[0079]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在錫銦合金膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0080]實施例10
本實施例在銀膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至4*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0081]步驟2:鍍銀膜:鍍銀膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至450°C保持10秒，讓銀絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達900°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體銀變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層銀膜，厚度 10_15nm。
[0082]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0083]步驟4:清潔銀膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除銀膜表面的異物。
[0084]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在銀膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0085]實施例11
本實施例在銀膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至4*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0086]步驟2:鍍銀膜:鍍銀膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至550°C保持10秒，讓銀絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達900°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的 液體銀變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層銀膜，厚度 10_15nm。
[0087]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0088]步驟4:清潔銀膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除銀膜表面的異物。[0089]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在銀膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0090]實施例12
本實施例在鉻膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至4*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0091]步驟2:鍍鉻膜:鍍鉻膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至700°C保持10秒，讓鉻絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達1000°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鉻變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鉻膜，厚度 10_15nm。
[0092]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0093]步驟4:清潔鉻膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除鉻膜表面的異物。
[0094]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在鉻膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有 機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0095]實施例13
本實施例在鉻膜表面鍍保護膜，具體步驟如下:
步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至4*10_2Pa，同時加熱至120°C，使容器的上層形成水蒸氣。
[0096]步驟2:鍍鉻膜:鍍鉻膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至120°C保持46-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至850°C保持10秒，讓鉻絲達到熔融的狀態(tài)。第三步，蒸發(fā)3-5秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達1000°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鉻變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鉻膜，厚度 10_15nm。
[0097]步驟3:通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)牛ㄟ^流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在20Pa保持I分鐘。
[0098]步驟4:清潔鉻膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1A，持續(xù)時間3分鐘，然后關(guān)閉，利用輝光放電轟擊燃燒的方法去除鉻膜表面的異物。
[0099]步驟5:鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變I分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在8A，然后保持3分鐘，使有機硅在鉻膜上逐層生長形成保護膜。本實施例的有機硅包括96%的六甲基二硅氧烷和4%的丙烷類溶劑。
[0100]實驗檢測:
將實施例1-13中制備得到的樣品經(jīng)過以下測試:
1.-200C - +50°C,48小時循環(huán)老化測試；
本測試的方法如下:樣品放置在高低溫老化試驗機中，按照+50攝氏度，95%以上的濕度，保持4小時，然后降溫到室溫，保持15分鐘后，制冷到O攝氏度，濕度5%以下，保持4小時，然后升溫到室溫，保持15分鐘，周而復(fù)始。直至48小時。
[0101]這個測試是模擬自然界的春夏秋冬，加速老化的過程。經(jīng)過這個測試后，樣品的表面不會有發(fā)黑，發(fā)黃，龜裂，膜層脫落，霧化，發(fā)白等等異常，質(zhì)量優(yōu)良。
[0102]2.50°C熱水24小時測試等測試；
本測試的方法如下:將樣品放置于50攝氏度的蒸餾水的水浴鍋內(nèi)，保持24小時。經(jīng)過這個測試后，樣品的表面不會有發(fā)黑，發(fā)黃，龜裂，膜層脫落，霧化，發(fā)白等等異常。
[0103]3.5%Na0H浸泡24小時等系列測試。
[0104]本測試的方法如下:將樣品放置于20-25攝氏度的5%濃度的NaOH溶液中，保持24小時。經(jīng)過這個測試后，樣品的表面不會有發(fā)黑，發(fā)黃，龜裂，膜層脫落，霧化，發(fā)白等等異
堂
[0105]最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對本發(fā)明保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明作了詳細地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種保護膜的真空鍍膜方法，其特征在于:包括以下制備步驟: 步驟1:抽真空:將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空至5*10_3 Pa - 6*10_2Pa，同時加熱至95-120°C，使容器的上層形成水蒸氣； 步驟2:鍍金屬膜:利用蒸發(fā)式鍍金屬膜的工藝鍍金屬膜； 步驟3:鍍完金屬膜之后通空氣:關(guān)閉擴散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度在0_20Pa保持0.2-1分鐘； 步驟4:清潔金屬膜表面:啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1-8A，持續(xù)時間1-3分鐘，然后關(guān)閉； 步驟5:然后鍍保護膜:充入有機硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變0.2-1分鐘，再次啟動離子轟擊電源，調(diào)節(jié)轟擊電流穩(wěn)定在1-8A，然后保持3-8分鐘，使有機硅在金屬膜上逐層生長形成保護膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法，其特征在于:所述有機硅包括96-99%的六甲基二硅氧烷和1-4%的丙烷類溶劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種保護膜的真空鍍膜方法，其特征在于:所述有機硅包括99%的六甲基二硅氧烷和1%的丙烷類溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法，其特征在于:所述步驟I的抽真空為三級抽真空，第一級利用滑閥式真空泵抽真空至lOOOPa，第二級利用羅茨泵抽真空至l-3Pa，第三級利用擴散泵抽真空至6*10_2 Pa - 5*10_3Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法，其特征在于:所述金屬膜的金屬材料為鋁、銀、鉻、錫、銦、銦錫合`金中的任一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法，其特征在于:所述步驟2中的金屬膜材料為鋁，鍍鋁膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至80-120°C保持30-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至250-300°C保持10-25秒，讓鋁絲達到熔融的狀態(tài)；第三步，蒸發(fā)3-8秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達700°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鋁變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鋁膜，厚度10-35nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法，其特征在于:所述步驟2中的金屬膜材料為鋁，鍍鋁膜前，將真空室的各個獨立轉(zhuǎn)軸開始同步旋轉(zhuǎn)，第一步預(yù)熱至90-110°C保持30-50秒，第二步是預(yù)熔，溫度升至280-290°C保持10-25秒，讓鋁絲達到熔融的狀態(tài)；第三步，蒸發(fā)3-8秒，進一步提高鎢絲的電壓，增大鎢絲電流至溫度達700°C以上，使鎢絲成熾熱狀態(tài)，上面的液體鋁變?yōu)闅鈶B(tài)分子蒸發(fā)到旋轉(zhuǎn)中的產(chǎn)品的各個表面，形成一層鋁膜，厚度10-25nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法，其特征在于:所述步驟5中的保護膜的厚度為10-30nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種保護膜的真空鍍膜方法，其特征在于:所述步驟I中的真空室為立式雙門真空室。
【文檔編號】C23C14/26GK103774143SQ201410071761
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月28日
【發(fā)明者】黃偉雄 申請人:東莞星暉真空鍍膜塑膠制品有限公司