襯底支撐器以及包含所述襯底支撐器的襯底處理設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種襯底支撐器以及包含所述襯底支撐器的襯底處理設(shè)備。所述襯底處理設(shè)備，包含：腔室，設(shè)有反應(yīng)空間且在底部的中央形成有排氣開口；襯底支撐器，設(shè)置在所述腔室中且支撐襯底；氣體注入組件，設(shè)置為與所述襯底支撐器相對，注入處理氣體且產(chǎn)生其等離子體；以及排氣機，連接到所述排氣開口且設(shè)置在所述腔室下方以將所述腔室的內(nèi)部排氣，其中所述襯底支撐器包括支撐所述襯底的襯底支撐件以及支撐所述襯底支撐件的外部的多個支撐柱，所述支撐柱將所述排氣開口安置于其之間。
【專利說明】襯底支撐器以及包含所述襯底支撐器的襯底處理設(shè)備
[0001]相關(guān)申請案的交叉參考
[0002]本申請案主張2013年3月11日申請的第10-2013-0025602號韓國專利申請案的優(yōu)先權(quán)以及從其得到的所有權(quán)益，所述韓國專利申請案的內(nèi)容全部以引用的方式并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及襯底支撐器以及包含所述襯底支撐器的襯底處理設(shè)備，尤其涉及使內(nèi)部氣流均勻的襯底支撐器以及包含所述襯底支撐器的襯底處理設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0004]一般來說，為了制造半導(dǎo)體裝置、顯示器、發(fā)光二極管(light emitting d1de,LED)或薄膜晶體管太陽電池，會使用半導(dǎo)體工藝。也就是說，通過多次重復(fù)地執(zhí)行在襯底上氣相沉積某一材料的薄膜氣相沉積工藝、通過使用光敏材料來曝光薄膜的選定區(qū)域的光工藝以及通過移除選定區(qū)域中的薄膜而進行圖案化的蝕刻工藝而形成某一分層結(jié)構(gòu)。
[0005]作為薄膜氣相沉積工藝，可使用化學(xué)氣相沉積(chemical vapor phasedeposit1n, CVD)方法。在CVD方法中，供應(yīng)到腔室中的處理氣體導(dǎo)致襯底的頂表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，進而使薄膜生長。而且，為了改善薄膜的膜性質(zhì)，可使用等離子體增強CVD(PECVD)方法。一般PECVD設(shè)備包含:腔室，其中設(shè)有特定空間；蓮蓬頭，設(shè)置在所述腔室的內(nèi)部的頂部；襯底支撐件，設(shè)置在所述腔室的內(nèi)部的底部且支撐所述襯底；以及等離子體產(chǎn)生源(諸如，電極或天線)，設(shè)置在所述腔室內(nèi)部或外部。且，在所述襯底支撐件的底部的中央部分中，支撐所述襯底支撐件的一個支撐柱穿透所述腔室的所述底部的中央部分而形成。第10-1234706號韓國專利揭示了包含襯底支撐件的襯底處理設(shè)備的實例。
[0006]腔室內(nèi)部的穩(wěn)定均勻的等離子體產(chǎn)生源以及均勻氣流對于使用PECVD設(shè)備來沉積薄膜是最重要的。然而，歸因于用于將腔室的內(nèi)部排氣的抽氣路徑中的不平衡，腔室內(nèi)部的氣流變得不均勻，進而使薄膜的沉積性質(zhì)惡化且產(chǎn)生粒子。舉例來說，因為支撐柱設(shè)置在腔室的底部的中央部分，所以有必要在腔室的底部的外部形成排氣開口。根據(jù)此情形，與排氣開口一起形成的區(qū)域以及其它區(qū)域具有彼此不同的排氣時間。因此，襯底上的氣體停留時間不同，進而使薄膜的沉積均勻性惡化。明確地說，在約20毫托或更低的低壓的工藝的狀況下，因為少量原料流入腔室中，所以使用氣體來改善沉積均勻性存在限制。
[0007]為了克服限制，已使用若干方法。作為最典型的方法，是安裝歧管的方法以及在腔室的側(cè)面上形成至少一個排氣開口的方法。然而，因為支撐柱設(shè)置在腔室的底部的中央部分，所以排氣裝置安裝在腔室的側(cè)面上。而且，當(dāng)安裝渦輪泵以執(zhí)行低壓工藝時，因為支撐柱設(shè)置在腔室的底部的中央部分，所以渦輪泵設(shè)置在腔室的側(cè)面上。當(dāng)如上所述在腔室的側(cè)面上設(shè)置排氣裝置時，使腔室內(nèi)部的壓力均勻存在限制。而且，當(dāng)若干組件插入到腔室中時，等離子體的均勻性可能受到影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明提供一種能夠使腔室內(nèi)部的氣流均勻的襯底支撐器以及包含所述襯底支撐器的襯底處理設(shè)備。
[0009]本發(fā)明還提供一種襯底支撐器以及包含所述襯底支撐器的襯底處理設(shè)備，在所述襯底支撐器中，排氣開口和排氣裝置設(shè)置在腔室的底部的中央部分，且支撐柱形成在襯底支撐件的外部上而不干擾所述排氣開口和所述排氣裝置，進而使所述腔室內(nèi)部的氣流為均勻的。
[0010]根據(jù)示范性實施例，襯底支撐器包含:襯底支撐件，支撐襯底；以及多個支撐柱，在所述襯底支撐件下方支撐所述襯底支撐件的邊緣。
[0011]所述襯底支撐器可還包含從所述襯底支撐件的所述邊緣向外突出的多個突出部分，且所述多個支撐柱可分別支撐所述突出部分的底部。
[0012]所述襯底支撐件可包含:第一區(qū)域，與所述襯底的后部接觸且加熱所述襯底同時維持第一溫度；以及第二區(qū)域，設(shè)置在所述第一區(qū)域外部且維持比所述第一溫度高或低的第二溫度。
[0013]所述第二區(qū)域可設(shè)置得高于或低于所述第一區(qū)域。
[0014]根據(jù)另一示范性實施例，提供一種襯底處理設(shè)備，包含:腔室，設(shè)有反應(yīng)空間且在底部的中央形成有排氣開口 ；襯底支撐器，設(shè)置在所述腔室中且支撐襯底；氣體注入組件，設(shè)置為與所述襯底支撐器相對，注入處理氣體且產(chǎn)生其等離子體；以及排氣機，連接到所述排氣開口且設(shè)置在所述腔室下方以將所述腔室的內(nèi)部排氣，其中所述襯底支撐器包括支撐所述襯底的襯底支撐件以及支撐所述襯底支撐件的外部的多個支撐柱，所述支撐柱將所述排氣開口安置于其之間。
[0015]所述襯底處理設(shè)備可還包含從所述襯底支撐件的邊緣向外突出的多個突出部分，且所述多個支撐柱可分別支撐所述突出部分。
[0016]所述襯底支撐件可包含:第一區(qū)域，與所述襯底的后部接觸且加熱所述襯底同時維持第一溫度；以及第二區(qū)域，設(shè)置在所述第一區(qū)域外部且維持比所述第一溫度高或低的第二溫度。
[0017]所述氣體注入組件可包含:氣體注入單元，注入所述處理氣體；電力單元，用于將高頻電力施加到所述氣體注入單元；以及接地板，設(shè)置為與所述氣體注入單元分開某一間隔且形成有多個穿透孔。
[0018]所述襯底處理設(shè)備可還包含過濾器，其設(shè)置在所述氣體注入單元與所述襯底支撐器之間，且形成有多個孔以隔開所述處理氣體的等離子體的一部分。
[0019]所述氣體注入組件可包含:氣體注入單元，注入所述處理氣體；電極，與所述氣體注入單元分開；以及電力單元，用于將高頻電力施加到所述電極。
[0020]所述襯底處理設(shè)備可還包含過濾器，其設(shè)置在所述氣體注入單元與所述襯底支撐器之間，且形成有多個孔以隔開所述處理氣體的等離子體的一部分。
[0021]所述氣體注入組件可包含:氣體注入單元，注入所述處理氣體；天線，設(shè)置在所述腔室的外部的頂部和側(cè)面中的一者上；以及電力單元，將高頻電力施加到所述天線。
[0022]所述氣體注入組件可包含:上方主體；第一主體，安置在所述上方主體下方而與其分開；第二主體，安置在所述第一主體下方且設(shè)有多個第一注入孔和多個第二注入孔；連接管，包含內(nèi)部空間且經(jīng)安裝以上下穿透所述第一主體和所述第二主體；電力供應(yīng)單元，將電力施加到所述上方主體、所述第一主體以及所述第二主體中的至少一者，以在所述上方主體與所述第一主體之間形成等離子體區(qū)域，且在所述第一主體與所述第二主體之間形成等離子體區(qū)域。
[0023]所述襯底處理設(shè)備可還包含將所述處理氣體供應(yīng)到所述上方主體的第一氣體供應(yīng)管和將所述處理氣體供應(yīng)到所述第一主體與所述第二主體之間的區(qū)域的第二氣體供應(yīng)管。
[0024]所述第一主體可連接到所述電力供應(yīng)單元，且所述上方主體和所述第二主體可接地。
[0025]所述上方主體可連接到第一電力供應(yīng)單元，第二主體可連接到第二電力供應(yīng)單元，且所述第一主體可接地。
[0026]所述上方主體可形成有上下連接的多個孔。
[0027]所述第一注入孔以及所述第二注入孔可交替地安置以彼此分開。
[0028]所述連接管可使用絕緣材料而制造。
[0029]所述連接管可穿透所述第一主體且可插入并安裝到所述第二主體的所述第二注入孔中。
[0030]在所述連接管的區(qū)域中，連接到所述第一主體的區(qū)域的直徑可比連接到所述第二主體的區(qū)域的直徑大。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]可結(jié)合附圖從以下描述更詳細地理解示范性實施例。
[0032]圖1為根據(jù)示范性實施例的襯底支撐器的透視圖。
[0033]圖2為圖1的襯底支撐器的俯視圖。
[0034]圖3A到圖3D為說明圖1的襯底支撐器的實例的部分截面圖。
[0035]圖4和圖5為根據(jù)示范性實施例的襯底處理設(shè)備的縱向截面圖和橫向截面圖。
[0036]圖6和圖7分別為根據(jù)其它示范性實施例的襯底處理設(shè)備的截面圖。
[0037]圖8到圖10分別為根據(jù)其它示范性實施例的襯底處理設(shè)備的截面圖。

【具體實施方式】
[0038]下文中，將描述本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明不限于下文描述的實施例，而是可體現(xiàn)為各種不同形狀。僅提供下文的實施例來全面地揭示本發(fā)明且允許所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員完全地了解本發(fā)明的范圍。
[0039]圖1為根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底支撐器的透視圖，圖2為所述襯底支撐器的俯視圖，且圖3A到圖3D為所述襯底支撐器的部分截面圖。
[0040]參看圖1到圖3D，襯底支撐器包含:襯底支撐件110，襯底位于所述襯底支撐件110上；多個突出部分120，設(shè)置在襯底支撐件110的外部；以及多個支撐柱130，設(shè)置在多個突出部分120的底部且支撐相應(yīng)突出部分120。也就是說，在襯底支撐器中，多個支撐柱130在襯底支撐件110的底部的邊緣上支撐襯底支撐件110。
[0041]襯底支撐件110支撐襯底。舉例來說，襯底支撐件110設(shè)有使襯底被靜電力吸附和保持的靜電夾盤。然而，除了靜電力之外，襯底支撐件110可使用真空吸附或機械力來保持襯底。襯底支撐件110可根據(jù)襯底的形狀而設(shè)置為(例如)圓形形狀。然而，當(dāng)襯底具有矩形形狀時，襯底支撐件110可經(jīng)形成以具有矩形形狀。而且，襯底支撐件110可在其中安裝有加熱器(未圖示)。加熱器在某一溫度下產(chǎn)生熱且將熱施加到襯底，以使得易于在襯底上執(zhí)行薄膜沉積工藝。加熱器可為鹵素?zé)?，且可在襯底支撐件110的周邊方向上安裝在襯底支撐件110周圍。在此狀況下，所產(chǎn)生的能量是對襯底支撐件110加熱以使襯底的溫度升高的輻射能。另一方面，在襯底支撐件110內(nèi)部，除了加熱器之外，可進一步設(shè)置冷卻管(未圖示)。冷卻管使冷卻劑循環(huán)通過襯底支撐件110的內(nèi)部，進而使寒冷通過襯底支撐件110傳遞到襯底以將襯底的溫度控制為所需要的。如上所述，襯底可由設(shè)置在襯底支撐件I1內(nèi)部的加熱器加熱，且可通過控制加熱器的數(shù)量而加熱到約50到800°C的溫度。襯底支撐件110可根據(jù)溫度劃分為多個區(qū)域。也就是說，襯底支撐件110可包含使襯底位于其上且將襯底的溫度升高到處理溫度的第一區(qū)域IlOa以及設(shè)置在第一區(qū)域IlOa外部且補償襯底的邊緣的溫度的第二區(qū)域110b。第一區(qū)域IlOa可大于或等于襯底，以使襯底位于其上且被加熱。然而，舉例來說，加熱器從第一區(qū)域IlOa的中央安置在襯底支撐件110的周邊方向上，以使得襯底的邊緣可處于比其它區(qū)域低的溫度下。根據(jù)安置加熱器的形狀，襯底的邊緣的溫度可高于其它區(qū)域的溫度。所以，為了基于襯底的中央來補償邊緣的溫度，第二區(qū)域IlOb設(shè)置在第一區(qū)域IlOa外部。第二區(qū)域IlOb可設(shè)置為與第一區(qū)域IlOa的外部接觸且與襯底支撐件110的邊緣分開某一距離d。也就是說，第二區(qū)域IlOb可按某一寬度設(shè)置在第一區(qū)域IlOa與襯底支撐件110的邊緣之間。第二區(qū)域IlOb可在比第一區(qū)域IlOa的中央低的溫度或高的溫度下加熱，且可在與第一區(qū)域IlOa的中央相同的溫度下加熱。所以，可使襯底的中央和邊緣的沉積速率為均勻的，且可防止襯底的邊緣上出現(xiàn)粒子。也就是說，當(dāng)襯底的邊緣的溫度高于襯底的中央的溫度時，襯底的邊緣的沉積速率可高于襯底的中央的沉積速率。當(dāng)襯底的邊緣的溫度低于襯底的中央的溫度時，襯底的邊緣上可產(chǎn)生粒子。第二區(qū)域IlOb考慮到第一區(qū)域IlOa和突出部分120而形成為一形狀。也就是說，第二區(qū)域IlOb的內(nèi)部可沿著在襯底支撐件110的邊緣與突出部分120之間。也就是說，第二區(qū)域IlOb具有形成為圓的內(nèi)部以及沿著襯底支撐件110和突出部分120的邊緣的形狀而形成的外部。而且，如圖3A到圖3D所示，第二區(qū)域IlOb可設(shè)置為具有各種截面。如圖3A所示，第二區(qū)域IlOb可設(shè)置為維持比第一區(qū)域IlOa低的相同高度。如圖3B所示，第二區(qū)域IlOb可設(shè)置為維持比第一區(qū)域IlOa高的相同高度。而且，如圖3C所示，第二區(qū)域IlOb可經(jīng)形成以低于第一區(qū)域IlOa以使厚度從與第一區(qū)域IlOa接觸的部分向外部減小。如圖3D所示，第二區(qū)域IlOb可經(jīng)形成以高于第一區(qū)域IlOa且與第一區(qū)域IlOa部分重疊。如圖3A和圖3C所示，當(dāng)?shù)诙^(qū)域IlOb的高度比第一區(qū)域IlOa低時，可含有具有比第一區(qū)域IlOa大的區(qū)域的襯底。如圖3B和圖3D所示，當(dāng)?shù)诙^(qū)域IlOb的高度比第一區(qū)域IlOa高時，可含有具有與第一區(qū)域IlOa相同或比第一區(qū)域IlOa小的區(qū)域的襯底。
[0042]突出部分120經(jīng)形成以從襯底支撐件110的邊緣的某些部分突出某一寬度，且可設(shè)置至少三個。突出部分120可經(jīng)形成以具有相同的形狀和間隔。舉例來說，當(dāng)設(shè)置三個突出部分120時，突出部分120可經(jīng)設(shè)置以與襯底支撐件110的中心形成120°。而且，突出部分120可經(jīng)設(shè)置以具有與襯底支撐件110相同的厚度。然而，突出部分120的厚度可比襯底支撐件110薄或厚。
[0043]支撐柱130可設(shè)置在突出部分120的底部上且可具有相同的形狀和長度。本文中，支撐柱130可支撐襯底支撐件110的一部分。也就是說，突出部分120可經(jīng)設(shè)置以比支撐柱130的寬度寬，以使支撐柱130在突出部分120的底部連接到突出部分120。突出部分120經(jīng)形成以比支撐柱130的寬度窄，以使支撐柱130設(shè)置在突出部分120的底部同時包含襯底支撐件110的一部分。在此狀況下，支撐柱130可不從突出部分120的外部突出。支撐柱130通過在突出部分120的底部支撐突出部分120來支撐襯底支撐件110。而且，支撐柱130可上升或下降，以使襯底支撐件110上升或下降。本文中，為了使襯底支撐件110上升或下降同時維持水平，至少三個支撐柱130可按相同速度和高度上升或下降。
[0044]已描述了襯底支撐器，其包含在外部形成有多個突出部分120的襯底支撐件110，且包含在突出部分120的底部支撐相應(yīng)突出部分120的支撐柱130。然而，突出部分120可不另外設(shè)置，但多個支撐柱130可在襯底支撐件110的底部的邊緣上支撐襯底支撐件110。也就是說，可包含各種狀況，其中多個支撐柱130在襯底支撐件110的外部上(排除襯底支撐件110的中央)支撐襯底支撐件110。
[0045]襯底支撐件可用于使用等離子體的襯底處理設(shè)備，其縱向截面圖和橫向截面圖分別在圖4和圖5中得以說明。
[0046]參看圖4和圖5，襯底處理設(shè)備可包含:腔室200，設(shè)有一特定反應(yīng)空間；襯底支撐器100，支撐襯底10 ;氣體注入組件300，設(shè)置在腔室200中且注入處理氣體；氣體供應(yīng)器400，供應(yīng)處理氣體；以及排氣機500，設(shè)置在腔室200的底部以將腔室200排氣。
[0047]襯底支撐器100包含:襯底支撐件110，襯底10位于所述襯底支撐件110上；突出部分120，設(shè)置在襯底支撐件110外部；以及支撐柱130，設(shè)置在突出部分120的底部且支撐突出部分120。襯底支撐件110可支撐襯底10以使襯底10位于其上，且可安裝有加熱器(未圖示)以用于加熱襯底10。而且，除了加熱器之外，冷卻劑循環(huán)通過的冷卻管(未圖示)可進一步設(shè)置在襯底支撐件110內(nèi)部，進而將襯底10的溫度控制為所需要的。而且，襯底支撐件110可根據(jù)溫度劃分為多個區(qū)域。舉例來說，襯底支撐件110可包含使襯底10位于其上且將襯底的溫度升高到處理溫度的第一區(qū)域IlOa以及設(shè)置在第一區(qū)域IlOa外部且補償襯底10的邊緣的溫度的第二區(qū)域110b。突出部分120經(jīng)形成以從襯底支撐件110的邊緣的某些部分突出某一寬度，且可設(shè)置至少三個。突出部分120可經(jīng)形成以具有相同的形狀和間隔。舉例來說，當(dāng)設(shè)置三個突出部分120時，突出部分120可經(jīng)設(shè)置以與襯底支撐件110的中央形成120°。支撐柱130可設(shè)置在突出部分120的底部上，且可具有相同的形狀和長度。支撐柱130通過在突出部分120的底部支撐突出部分120來支撐襯底支撐件110。而且，支撐柱130可上升或下降以使襯底支撐件110上升或下降。本文中，為了使襯底支撐件110上升或下降同時維持水平，至少三個支撐柱130可按相同速度和高度上升或下降。另一方面，當(dāng)突出部分120和支撐柱130分別設(shè)置兩個時，可能難以在支撐襯底支撐件110且上升和下降的同時維持襯底支撐件110的水平。當(dāng)突出部分120和支撐柱130分別設(shè)置五個或更多時，由突出部分120和支撐柱130占據(jù)的部分增加，使得排氣空間減小，進而增加排氣時間且使得難以控制排氣壓力。因此，突出部分120和支撐柱130可分別設(shè)置三個或四個，以最穩(wěn)定地維持襯底支撐件110的平衡且不使其部分增加。另一方面，盡管圖中未圖示，但用于使支撐柱130上升和下降的驅(qū)動單元(未圖示)可設(shè)置在支撐柱130的底部。而且，襯底支撐器100連接到偏壓電源(未圖示)，且可通過使用偏壓電力來控制注入到襯底10中的離子的能量。
[0048]腔室200可包含:反應(yīng)部分210，具有一特定空間，包含具有近似圓形形狀的平坦表面212以及從平坦表面212向上延伸的側(cè)壁214 ;以及蓋220，具有近似圓形形狀且位于反應(yīng)部分上方以氣密地維持腔室200。側(cè)壁214可維持與襯底支撐器100的某一間隔，其中襯底支撐器100的側(cè)表面與側(cè)壁214在整個區(qū)域上可維持相同間隔。當(dāng)襯底支撐器100和側(cè)壁214在整個區(qū)域上維持相同間隔時，可用相同壓力通過側(cè)表面從襯底支撐器100的上方區(qū)域執(zhí)行排氣。因此，可使排氣速度和壓力為均勻的，進而改善襯底10上的薄膜的均勻性且抑制粒子的出現(xiàn)。然而，襯底支撐器100在襯底支撐件110外部設(shè)有至少三個突出部分120，其分別由至少三個支撐柱130支撐，襯底位于且支撐于襯底支撐件110上。如上所述，為了使突出部分120從襯底支撐件110突出且使襯底支撐件110的側(cè)表面和突出部分120的側(cè)表面與腔室200的側(cè)壁214維持相同距離d2，側(cè)壁214形成有用以容納突出部分120的凹槽214a。也就是說，側(cè)壁214形成有在其側(cè)表面上具有某一寬度和深度的凹槽214a。所以，在襯底支撐器100中，襯底支撐件110與側(cè)壁214分開某一間隔，且突出部分120在與凹槽214a分開某一間隔時被允許在腔室200內(nèi)部上升和下降。而且，腔室200的底部(即，平坦表面212的中央部分)形成有連接到排氣機500的排氣開口 212a，排氣機500包含排氣管、排氣單元等。而且，襯底支撐器100的支撐柱130穿過的穿透孔可與中央部分分開形成。
[0049]氣體注入組件300將處理氣體供應(yīng)到腔室200中且將處理氣體激發(fā)為等離子體。氣體注入組件300包含:氣體注入單元310，將例如沉積氣體、蝕刻氣體等處理氣體注入到腔室200中；以及電力供應(yīng)單元320，將高頻電力施加到氣體注入單元310。氣體注入單元310設(shè)置為安裝在腔室200中與襯底支撐器100相對的頂部的蓮蓬頭類型，且朝腔室200的底部注入處理氣體。氣體注入單元310中設(shè)有一特定空間。氣體注入單元310的頂部連接到處理氣體供應(yīng)器400，且底部形成有用于將處理氣體注入到襯底10上的多個注入孔312。氣體注入單元310制造為對應(yīng)于襯底10的形狀，且可制造為近似圓形形狀。而且，在氣體注入單元310內(nèi)部，分布板314用于均勻地分布從氣體供應(yīng)器400供應(yīng)的處理氣體。分布板314可連接到處理氣體供應(yīng)器400，可設(shè)置成鄰近氣體入口(處理氣體流入其中)，且可經(jīng)形成以具有某一板形狀。也就是說，分布板314可設(shè)置成與蓮蓬頭310的頂表面分開某一間隔。而且，分布板314上可形成有多個穿透孔。如上所述，設(shè)置分布板314，進而使從處理氣體供應(yīng)器400供應(yīng)的處理氣體均勻地分布在氣體注入單元310內(nèi)。根據(jù)此情形，處理氣體可通過氣體注入單元310的注入孔312朝底部均勻地注入。而且，氣體注入單元310可使用例如鋁等導(dǎo)電材料制造，且可設(shè)置成與腔室200的側(cè)壁214和蓋220分開某一間隔。絕緣體330設(shè)置在氣體注入單元310與腔室200的側(cè)壁214和蓋220之間，以使氣體注入單元310與腔室200彼此絕緣。因為氣體注入單元310是使用導(dǎo)電材料而制造，所以氣體注入單元310可用作用于從電力供應(yīng)單元320接收高頻電力且產(chǎn)生等離子體的上方電極。電力供應(yīng)單元320穿透腔室200的側(cè)壁214和絕緣體330，連接到氣體注入單元310，且將用于產(chǎn)生等離子體的高頻電力供應(yīng)到氣體注入單元310。電力供應(yīng)單元320可包含高頻電源(未圖示)和匹配單元(未圖示)。舉例來說，高頻電源產(chǎn)生約13.56兆赫茲的高頻電力，匹配單元檢測腔室200的阻抗且產(chǎn)生虛數(shù)阻抗元素和反相的虛數(shù)阻抗元素，進而將最大電力供應(yīng)到腔室以使阻抗與實數(shù)的純電阻相同，且接著產(chǎn)生最佳等離子體。另一方面，因為氣體注入組件300設(shè)置在腔室200上方且高頻電力供應(yīng)到蓮蓬頭310，所以腔室200接地，進而在腔室200內(nèi)部產(chǎn)生處理氣體的等離子體。
[0050]氣體供應(yīng)器400包含:氣體供應(yīng)源410，分別供應(yīng)多種處理氣體；以及氣體供應(yīng)管420，將處理氣體從氣體供應(yīng)源410供應(yīng)到蓮蓬頭310。舉例來說，處理氣體可包含蝕刻氣體和薄膜沉積氣體。蝕刻氣體可包含NH3、NF3等。薄膜沉積氣體可包含SiH4、PH3等。而且，除了蝕刻氣體和薄膜沉積氣體之外，可供應(yīng)例如H2、Ar等惰性氣體。而且，控制處理氣體的供應(yīng)的閥和質(zhì)量流量單元可設(shè)置在處理氣體供應(yīng)源與處理氣體供應(yīng)管之間。
[0051]排氣機500可包含:排氣管510，連接到形成在平坦表面212的中央部分中的排氣開口 212a;以及排氣單元520，通過排氣管510來將腔室200的內(nèi)部排氣。在此狀況下，排氣管520可為例如渦輪分子泵等真空泵，其經(jīng)配置以真空抽吸腔室200的內(nèi)部，以將某一解壓氛圍形成為(例如)約0.1毫托或更低的特定壓力。排氣機500設(shè)置在腔室200的底部的中央，進而用均勻壓力將腔室200的內(nèi)部排氣。
[0052]另一方面，已描述了襯底處理設(shè)備包含氣體注入組件300，其將高頻電力供應(yīng)到腔室200中的氣體注入單元310 (作為實例)。然而，襯底處理設(shè)備不限于此，且可包含使用各種方法產(chǎn)生等離子體的等離子體產(chǎn)生器。舉例來說，電極可形成在氣體注入單元310上方而與氣體注入單元310分開，且高頻電力可施加到所述電極，進而產(chǎn)生等離子體。另外，天線可設(shè)置在腔室200的外部的頂部或側(cè)面，且高頻電力可施加到所述天線，進而產(chǎn)生等離子體。
[0053]如上所述，襯底支撐器在支撐襯底的襯底支撐件110外部形成有多個突出部分120，且在突出部分120的底部設(shè)有支撐柱130以支撐襯底支撐件110的邊緣。而且，在襯底處理設(shè)備中，排氣開口 212a形成在腔室200的底部的中央且連接到排氣機500，且支撐柱130得以設(shè)置，其與排氣開口 212a分開以不與排氣開口 212a重疊且在襯底支撐件110的邊緣上通過突出部分120來支撐襯底支撐件110。也就是說，襯底處理設(shè)備在腔室200的底部的中央將腔室200的內(nèi)部排氣，且在腔室200的底部的邊緣上支撐襯底支撐件110。因此，使腔室200內(nèi)部的全部區(qū)域上的氣流為均勻的，進而改善襯底10上的薄膜沉積的均勻性且抑制粒子的出現(xiàn)。也就是說，因為氣流在腔室200內(nèi)部為均勻的，所以使襯底10上的全部區(qū)域上的處理氣體的滯留時間為均勻的，進而改善薄膜沉積的均勻性且抑制粒子的出現(xiàn)，這是因為一個區(qū)域中的處理氣體的滯留時間不會增加。
[0054]圖6為根據(jù)另一實施例的襯底處理設(shè)備的截面圖，其中氣體注入組件300包含接地板340。接地板340可設(shè)置為與氣體注入單元310分開某一間隔且可連接到腔室200的側(cè)表面。腔室200連接到接地端子，且接著接地板340維持接地電位。另一方面，氣體注入單元310與接地板340之間的空間變成用于將通過蓮蓬頭310注入的處理氣體激發(fā)為等離子體的反應(yīng)空間。也就是說，當(dāng)通過氣體注入單元310注入處理氣體且將高頻電力施加到氣體注入單元310時，因為接地板340維持接地狀態(tài)，所以電位差出現(xiàn)于其中，進而在反應(yīng)空間中將處理氣體激發(fā)為等離子體。本文中,氣體注入單元310與接地板340之間的空間(即，反應(yīng)空間的頂部與底部之間的距離)可維持至少使等離子體被激發(fā)的距離。舉例來說，可維持約3毫米或更多的距離。如上所述，有必要將反應(yīng)空間中激發(fā)的處理氣體注入到襯底10上。對此，接地板340設(shè)置為某一板形狀，其形成有上下穿透接地板340的多個孔342。如上所述設(shè)置接地板340，防止反應(yīng)空間中產(chǎn)生的等離子體與襯底10直接接觸，進而減小襯底10的等離子體損傷。而且，接地板340將等離子體保持于反應(yīng)空間中以降低電子溫度。
[0055]圖7為根據(jù)又一實施例的襯底處理設(shè)備的截面圖，所述襯底處理設(shè)備包含設(shè)置在襯底支撐器100與氣體注入組件300之間的過濾器600。過濾器600設(shè)置在接地板340與襯底支撐器100之間，且其側(cè)表面連接到腔室200的側(cè)壁。因此，過濾器600維持接地電位。過濾器600濾除由氣體注入組件300產(chǎn)生的等離子體的離子、電子以及光。也就是說，當(dāng)由氣體注入組件300產(chǎn)生的等離子體通過過濾器600時，離子、電子和光被截斷以僅使反應(yīng)物質(zhì)與襯底10反應(yīng)。過濾器600使等離子體與過濾器600碰撞至少一次后施加到襯底
10。借此，當(dāng)?shù)入x子體與接地電位的過濾器600碰撞時，可吸收具有能量的離子和電子。而且，等離子體的光與過濾器600碰撞且不被允許穿透。過濾器600可形成為各種形狀，例如可形成為形成有多個孔610的單一板，可通過成倍地安置形成有孔610的板以使相應(yīng)板的孔610彼此成對角線而形成為多個板 ，或可形成為形成有具有某些折射路徑的多個孔610的板。
[0056]而且，在所述實施例中，可不同地修改氣體注入組件。將如下描述根據(jù)另一實施例的襯底處理設(shè)備。
[0057]如圖8所示，襯底處理設(shè)備可包含:氣體注入組件700，包含安置在腔室200中的襯底支撐器100上方的上方主體710 ;氣體注入單元，包含第一主體720和第二主體730，其安置在上方主體710下方而上下彼此分開；以及電力供應(yīng)單元770，將電力施加到第二主體730。氣體注入組件700和氣體供應(yīng)器400可包含朝上方主體710的底部供應(yīng)處理氣體的第一氣體供應(yīng)管420和將處理氣體供應(yīng)到第一主體720與第二主體730之間的空間的第二氣體供應(yīng)管430。
[0058]上方主體710安置在設(shè)置在腔室200內(nèi)部的上壁上的第一絕緣構(gòu)件330a下方而與其分開。上方主體710制造為板形狀且包含上下連接的多個孔710a。上方主體710的頂部連接到供應(yīng)處理氣體的第一氣體供應(yīng)管420。通過第一氣體供應(yīng)管420供應(yīng)的處理氣體分散在第一絕緣構(gòu)件330a與上方主體710之間的空間中，且接著通過設(shè)置在上方主體710上的多個孔710a向下注入。上方主體710的至少一個末端與接地腔室200的內(nèi)壁接觸或經(jīng)連接以與腔室200分開接地。另一方面，第二絕緣構(gòu)件330b設(shè)置于腔室200的側(cè)壁上在上方主體710內(nèi)部。
[0059]氣體注入單元包含:第一主體720，安置在上方主體710下方而與其分開；第二主體730，安置在第一主體720下方且包含注入處理氣體的多個第一注入孔750a和多個第二注入孔750b ;多個連接管740，經(jīng)插入及安裝以穿透第一主體720和第二主體730且注入處理氣體；以及冷卻構(gòu)件760，安裝在第一主體720內(nèi)部且使第一主體720冷卻。本文中，第一主體720與第二主體730之間的未與多個連接管740安裝在一起的部分是空的空間。第一主體720與第二主體730之間的空的空間連接到設(shè)置在第二主體730上的多個第一注入孔750a中。而且，第二氣體供應(yīng)管430經(jīng)安裝以使至少一個末端插入到腔室200中而穿透腔室200的側(cè)壁，且將處理氣體供應(yīng)到第一主體720與第二主體730之間的空間。然而，第二氣體供應(yīng)管430不限于此，可經(jīng)安裝以從腔室200的頂部向下延伸到底部以使一個末端安裝在第一主體720與第二主體730之間的獨立空間中。
[0060]第一主體720安置在上方主體710下方而與其分開且連接到施加用于產(chǎn)生等離子體的電力供應(yīng)單元770。對此，電力供應(yīng)單元770的至少一個末端穿透安裝在腔室200的內(nèi)壁上的第二絕緣構(gòu)件330b且連接到第一主體720。而且，當(dāng)電力供應(yīng)到第一主體720時，因為第一主體720中可能出現(xiàn)不必要的熱，所以冷卻構(gòu)件760插入且安裝在第一主體720中。冷卻構(gòu)件760可為冷卻劑(例如，水或氮氣)流動通過的管。
[0061 ] 第二主體730安置在第一主體720下方而與其分開，且其至少一個末端與腔室200的內(nèi)壁接觸或經(jīng)連接以獨立接地。第二主體730設(shè)有頂部和底部開放的多個第一注入孔750a和多個第二注入孔750b，其安置在第二主體730上方而彼此分開。也就是說，多個或一個第一注入孔750a位于多個第二注入孔750b之間。也就是說，第一注入孔750a和第二注入孔750b交替地安置在第二主體730上。本文中，多個第一注入孔750a為傳遞流道，第一主體720與第二主體730之間產(chǎn)生的等離子體通過所述傳遞流道且從第二主體730向下注入。而且，多個第二注入孔750b為一空間，下文將描述的連接管740分別插入到所述空間中。
[0062]連接管740經(jīng)制造以具有開放頂部和底部且制造為具有內(nèi)部空間的管形狀，且經(jīng)插入及安裝以從頂部到底部穿透第一主體720和第二主體730。也就是說，連接管740經(jīng)安裝以穿透第一主體720且使其一個末端插入到設(shè)置在第二主體730中的第二注入孔750b中。本文中，第二主體730上的連接管740位于多個第二注入孔750b之間。連接管740為使上方主體710與第一主體720之間產(chǎn)生的等離子體通過且從第二主體730向下移動的流道。而且，連接管740經(jīng)制造以使其插入到第一主體720的底部和第二主體730的第二注入孔750b中的區(qū)域的直徑小于位于第一主體720中的區(qū)域的直徑。明確地說，插入到第一主體720的底部中和插入到第二主體730中的第二注入孔750b中的區(qū)域的直徑可彼此相同且可小于位于第一主體720中的區(qū)域的直徑。舉例來說，連接管740經(jīng)制造以使其截面具有T形狀。然而，連接管740不限于此且可制造為各種形狀，其將第一主體720連接到第二主體730且具有處理氣體流動通過的內(nèi)部空間。而且，為了使第一主體720與第二主體730絕緣,連接管740可使用絕緣材料(例如，由陶瓷或耐熱玻璃(Pyrex)形成的板)或涂覆由陶瓷或耐熱玻璃形成的材料以形成涂布膜而制造。而且，連接管740的內(nèi)徑和設(shè)置在第二主體730中的第一注入孔750a的大小可為0.01英寸或更多。這是為了在將電力施加到氣體注入單元時抑制電弧的出現(xiàn)且在產(chǎn)生等離子體時抑制寄生等離子體。
[0063]如下將描述在上方主體710與第一主體720之間的空間中和第一主體720與第二主體730之間的空間中產(chǎn)生等離子體的過程。
[0064]當(dāng)處理氣體從第一氣體供應(yīng)管420供應(yīng)到上方主體710的頂部時，處理氣體通過多個孔710a從上方主體710向下注入。本文中，當(dāng)通過使用電力供應(yīng)單元770將射頻(RF)電力供應(yīng)到第一主體720且上方主體710接地時，處理氣體在上方主體710與第一主體720之間的獨立空間中排出，進而產(chǎn)生第一等離子體。在以下內(nèi)容中，上方主體710與第一主體720之間的獨立空間指定為第一等離子體區(qū)域Pl且第一等離子體區(qū)域Pl中產(chǎn)生的等離子體指定為第一等離子體。因為第一等離子體區(qū)域Pl為在頂部(即，上方主體710)接地時定義的空間且RF電力施加到底部(即，第一主體720)，所以第一等離子體區(qū)域Pl中產(chǎn)生具有高密度和高離子能量的第一等離子體。本文中，第一等離子體可為在頂部接地且RF電力施加到底部時產(chǎn)生的反應(yīng)性離子沉積(reactive 1n deposit1n,RID)等離子體。第一等離子體具有入射在襯底S上的高密度和高離子能量且具有寬的鞘層區(qū)域。第一等離子體區(qū)域Pl中產(chǎn)生的第一等離子體通過連接管740從氣體注入單元向下傳遞。在以下內(nèi)容中，氣體注入單元下方的空間(即，第二主體730與襯底支撐器100之間的區(qū)域)指定為反應(yīng)區(qū)域R。本文中，第一等離子體具有高密度和高離子能量的性質(zhì)。
[0065]而且，當(dāng)處理氣體從第二氣體供應(yīng)管430供應(yīng)到第一主體720與第二主體730之間的空間時，處理氣體分散在第一主體720與第二主體730之間的空間中。本文中，當(dāng)通過使用電力供應(yīng)單元770將RF電力供應(yīng)到第一主體720且第二主體730接地時，第二等離子體產(chǎn)生于第一主體720與第二主體730之間的獨立空間中。本文中，因為第二等離子體為在RF電力施加到頂部且底部接地時產(chǎn)生的等離子體增強CVD (PECVD)且具有低等離子體密度和寬的鞘層區(qū)域，所以處理速度較高。在以下內(nèi)容中，上方主體710與第一主體720之間的獨立空間指定為第二等離子體區(qū)域P2且第二等離子體區(qū)域P2中產(chǎn)生的等離子體指定為第二等離子體。本文中，因為第二等離子體區(qū)域P2為在底部(即，第二主體730)接地時定義的空間且RF電力施加到頂部(即，第一主體720)，所以第二等離子體區(qū)域P2中產(chǎn)生具有比第一等離子體低的密度和離子能量的第二等離子體。此后，第二等離子體區(qū)域P2中產(chǎn)生的第二等離子體通過第二主體730中設(shè)置的多個第一注入孔750a傳遞到反應(yīng)區(qū)域R。
[0066]如上所述,處理氣體分別通過上方主體710和氣體注入單元注入,進而部分地注入處理氣體。而且，因為將電力施加到上方主體710和將電力施加到氣體注入單元是獨立控制的，所以在上方主體710與氣體注入單元之間的第一等離子體區(qū)域Pl和氣體注入單元內(nèi)的第二等離子體區(qū)域P2中的等離子體的相應(yīng)出現(xiàn)可獨立地控制。所以，可提供具有優(yōu)良階梯覆蓋的膜性質(zhì)。
[0067]本文中，因為偏壓電力施加到襯底10位于其頂部的襯底支撐器100，所以傳遞到反應(yīng)區(qū)域R的第一等離子體和第二等離子體的離子入射在襯底10的表面上或與襯底10的表面碰撞，進而蝕刻襯底10上形成的薄膜或?qū)⒈∧こ练e在襯底10上。如上所述，第一等離子體區(qū)域Pl中產(chǎn)生的第一等離子體具有高密度和離子能量，且第二等離子體區(qū)域P2中產(chǎn)生的第二等離子體具有比第一等離子體低的密度和離子能量。當(dāng)獨立使用第一等離子體時，襯底10或襯底10上形成的薄膜可損傷。當(dāng)獨立使用第二等離子體時，處理速度較低。然而，在所述實施例中，具有高密度和離子能量的第一等離子體以及具有比第一等離子體低的密度和離子能量的第二等離子體一起產(chǎn)生，進而改善處理速度，同時防止由于第一等離子體與第二等離子體之間的交互而出現(xiàn)的襯底10或薄膜的損傷。
[0068]在以上內(nèi)容中，如圖8所示，已描述了上方主體710安置在絕緣構(gòu)件330a下方而與其分開且設(shè)有多個孔710a。然而，其不限于此，且如圖9所示，上方主體710可安裝為與第一絕緣構(gòu)件330a的底部接觸且可不設(shè)置多個孔710a。本文中，第一氣體供應(yīng)管420從上方主體710向下注入處理氣體。
[0069]而且，在以上內(nèi)容中，如圖8和圖9所示，已描述了氣體注入單元的第一主體720與電力供應(yīng)單元770彼此連接，進而將RF電力供應(yīng)到第一主體720且使上方主體710和第二主體730接地。然而，其不限于此，且如圖10所示，氣體注入單元的第一主體720可接地，位于第一主體720上方的上方主體710可連接到施加(例如)RF電力的電力供應(yīng)單元780，且位于第一主體720下方的第二主體730可連接到電力供應(yīng)單元790。因為第一等離子體區(qū)域Pl具有電力供應(yīng)到頂部(即，上方主體710)且底部(即，第一主體720)接地的結(jié)構(gòu)，所以第一等離子體區(qū)域Pl中產(chǎn)生的第一等離子體具有比第二等離子體低的密度和離子能量。而且，第二等離子體區(qū)域P2具有頂部(B卩，上方主體710)接地且電力供應(yīng)到底部(即，第二主體730)的結(jié)構(gòu)，所以第二等離子體區(qū)域P2中產(chǎn)生的第二等離子體具有比第一等離子體區(qū)域Pl中產(chǎn)生的第一等離子體高的密度和離子能量。而且，在如上所述的狀況下，如圖10所示，使上方主體710冷卻的冷卻構(gòu)件710b插入且安裝在上方主體710中。
[0070]在以下內(nèi)容中，參看圖8，將描述襯底處理設(shè)備的操作和處理襯底的方法。
[0071]襯底10插入到腔室200中且位于安置在腔室200中的襯底支撐器100上。在所述實施例中，襯底10為晶片但不限于此，且可為玻璃襯底、聚合物襯底、塑料襯底、金屬襯底等。
[0072]當(dāng)襯底10位于襯底支撐器100上時，處理氣體通過第一氣體供應(yīng)管420供應(yīng)到上方主體710的頂部且處理氣體通過第二氣體供應(yīng)管430供應(yīng)到氣體注入單元的第一主體720與第二主體730之間的空間。在所述實施例中，用于在襯底10上蝕刻薄膜的蝕刻氣體用作處理氣體。在所述實施例中， 處理氣體為SiHr、TE0S、02、Ar、He、NH3、N20、N2和CaHb中的一者但不限于此，且可為各種材料。
[0073]而且，通過使用電力供應(yīng)單元770將RF電力供應(yīng)到第一主體720，且上方主體710和第二主體730分別接地。從第一氣體供應(yīng)管420供應(yīng)的處理氣體從上方主體710向下注入，即，通過設(shè)置在上方主體710中的多個孔710a注入到第一等離子體區(qū)域Pl中。此后，具有高密度和離子能量的第一等離子體通過接地的上方主體710和被施加以RF電力的第一主體720而在第一等離子體區(qū)域pi中產(chǎn)生。第一等離子體區(qū)域Pl中產(chǎn)生的第一等離子體通過連接管740傳遞到反應(yīng)區(qū)域R。本文中，如上所述，連接管740經(jīng)安裝以從第一主體720的內(nèi)部延伸到安置在第一主體720下方的第二主體730內(nèi)部，以使第一等離子體區(qū)域Pl中產(chǎn)生的第一等離子體通過連接管740均勻地注入到反應(yīng)區(qū)域R中，進而使反應(yīng)區(qū)域R中的第一等離子體的密度為均勻的。
[0074]而且，從第二氣體供應(yīng)管430提供的處理氣體均勻地分散在第一主體720與第二主體730之間的空間中(即，在整個第二等離子體區(qū)域P2中)。此后，第二等離子體通過被施加以RF電力的第一主體720和接地的第二主體730而在第二等離子體區(qū)域P2中產(chǎn)生。第二等離子體區(qū)域P2中產(chǎn)生的第二等離子體通過多個第一注入孔750a傳遞到反應(yīng)區(qū)域R且通過多個第一注入孔750a在整個反應(yīng)區(qū)域R上均勻地分散。
[0075]傳遞到反應(yīng)區(qū)域R的第一等離子體和第二等離子體由于交互而改變性質(zhì)(例如，密度、離子能量等)。也就是說，傳遞到反應(yīng)區(qū)域R的第一等離子體與在第一等離子體區(qū)域Pl中時相比密度和離子能量減小，這是由在反應(yīng)區(qū)域R中相遇的第二等離子體的偏差引起的。而且，傳遞到反應(yīng)區(qū)域R的第二等離子體與在第二等離子體區(qū)域P2中時相比密度和離子能量增大，這是由在反應(yīng)區(qū)域R中相遇的第一等離子體的偏差引起的。
[0076]此后，反應(yīng)區(qū)域R中的第一等離子體和第二等離子體的離子入射在被施加以偏壓電力的襯底10上或與所述襯底10碰撞，進而蝕刻襯底10上形成的薄膜。本文中，盡管圖中未圖示，但設(shè)有多個開口的掩模(未圖示)可安置在襯底10上方，且第一等離子體和第二等離子體的離子通過掩模的開口入射在襯底10上且蝕刻襯底10上形成的薄膜。本文中，在所述實施例中，不同地，替代于獨立地使用具有高密度和離子能量的等離子體或具有低密度和離子能量的等離子體，一起使用具有高密度和離子能量的等離子體和具有比所述等離子體低的密度和離子能量的等離子體，進而防止由離子前往襯底10而引起的薄膜或襯底10的損傷且減少處理時間。
[0077]在以上內(nèi)容中，已將圖8的襯底處理設(shè)備描述為實例。然而，圖9和圖10的襯底處理設(shè)備的操作和產(chǎn)生等離子體的過程是類似的。只不過，在圖9中，供應(yīng)到第一氣體供應(yīng)管420的處理氣體直接從上方主體710向下注入。而且，在圖10中，上方主體710和第二主體730接地，且第一主體720連接到電力供應(yīng)單元790。第一等離子體產(chǎn)生于上方主體710與第一主體720之間且第二等離子體產(chǎn)生于第一主體720與第二主體730之間。本文中，第二等離子體具有比第一等離子體高的密度和離子能量。
[0078]本文中，產(chǎn)生于第一主體720與第二主體730之間的第二等離子體具有比產(chǎn)生于上方主體710與第一主體720之間的第一等離子體高的密度和離子能量。
[0079]根據(jù)所述實施例的襯底支撐器設(shè)有用以支撐襯底支撐件的外部的多個支撐柱，所述襯底支撐件支撐襯底。而且，襯底處理設(shè)備在腔室的底部的中央設(shè)有包含排氣單元的排氣機且在排氣機外部設(shè)有襯底支撐器。所以，因為排氣機設(shè)置在腔室的中央，所以腔室內(nèi)部的氣流可比排氣機設(shè)置在腔室的的側(cè)面的一般狀況下均勻，進而改善在襯底上沉積薄膜的均勻性且抑制粒子的出現(xiàn)。
[0080]而且，根據(jù)其它實施例的襯底處理設(shè)備，第一等離子體產(chǎn)生于對應(yīng)于電極構(gòu)件的內(nèi)部或外部的第一等離子體區(qū)域中且第二等離子體產(chǎn)生于氣體注入單元內(nèi)部的第二等離子體區(qū)域中。本文中，第一等離子體和第二等離子體中的一者具有高離子能量和密度且另一者具有比所述一者低的離子能量和密度。如上所述，一起使用具有不同離子能量和密度的第一等離子體和第二等離子體，襯底處理速度可改善且襯底或薄膜的損傷可減小。
[0081]而且，襯底處理設(shè)備包含經(jīng)安裝以從第一主體延伸到第二主體的氣體注入單元以及安置為彼此分開的多個連接管。第一等離子體區(qū)域中產(chǎn)生的第一等離子體通過連接管均勻地分散在位于蓮蓬頭下方的反應(yīng)區(qū)域中。因此，可在整個襯底上維持均勻處理條件。
[0082]盡管襯底支撐器和襯底處理設(shè)備已參看特定實施例而得以描述，但其不限于此。因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)易于理解，在不脫離由所附權(quán)利要求書定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對其進行各種修改和改變。
【權(quán)利要求】
1.一種襯底支撐器，包括: 襯底支撐件，支撐襯底；以及 多個支撐柱，在所述襯底支撐件下方支撐所述襯底支撐件的邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底支撐器，還包括從所述襯底支撐件的所述邊緣向外突出的多個突出部分，其中所述多個支撐柱分別支撐所述突出部分的底部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底支撐器，其中所述襯底支撐件包括: 第一區(qū)域，與所述襯底的后部接觸且加熱所述襯底同時維持第一溫度；以及第二區(qū)域，設(shè)置在所述第一區(qū)域外部且維持比所述第一溫度高或低的第二溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底支撐器，其中所述第二區(qū)域設(shè)置得高于或低于所述第一區(qū)域。
5.—種襯底處理設(shè)備,包括: 腔室，設(shè)有反應(yīng)空間且在底部的中央形成有排氣開口 ； 襯底支撐器，設(shè)置在所述腔室中且支撐襯底； 氣體注入組件，設(shè)置為與所述襯底支撐器相對，注入處理氣體且產(chǎn)生其等離子體；以及排氣機，連接到所述排氣開口且設(shè)置在所述腔室下方以將所述腔室的內(nèi)部排氣，其中所述襯底支撐器包括支撐所述襯底的襯底支撐件以及支撐所述襯底支撐件的外部的多個支撐柱，所述支撐柱將所述排氣開口安置于其之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備，還包括從所述襯底支撐件的邊緣向外突出的多個突出部分，其中所述多個支撐柱分別支撐所述突出部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底處理設(shè)備，其中所述襯底支撐件包括: 第一區(qū)域，其與所述襯底的后部接觸且加熱所述襯底同時維持第一溫度；以及第二區(qū)域，其設(shè)置在所述第一區(qū)域外部且維持比所述第一溫度高或低的第二溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備，其中所述氣體注入組件包括: 氣體注入單元，注入所述處理氣體； 電力單元，用于將高頻電力施加到所述氣體注入單元；以及 接地板，設(shè)置為與所述氣體注入單元分開某一間隔且形成有多個穿透孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理設(shè)備，還包括過濾器，其設(shè)置在所述氣體注入單元與所述襯底支撐器之間且形成有多個孔以隔開所述處理氣體的等離子體的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備，其中所述氣體注入組件包括: 氣體注入單元，注入所述處理氣體； 電極，與所述氣體注入單元分開；以及 電力單元，用于將高頻電力施加到所述電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理設(shè)備，還包括過濾器，其設(shè)置在所述氣體注入單元與所述襯底支撐器之間且形成有多個孔以隔開所述處理氣體的等離子體的一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備，其中所述氣體注入組件包括: 氣體注入單元，注入所述處理氣體； 天線，設(shè)置在所述腔室的外部的頂部和側(cè)面中的一者上；以及 電力單元，將高頻電力施加到所述天線。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備，其中所述氣體注入組件包括:上方主體； 第一主體，安置在所述上方主體下方而與其分開； 第二主體，安置在所述第一主體下方且設(shè)有多個第一注入孔和多個第二注入孔； 連接管，包括內(nèi)部空間且經(jīng)安裝以上下穿透所述第一主體和所述第二主體； 電力供應(yīng)單元，將電力施加到所述上方主體、所述第一主體以及所述第二主體中的至少一者以在所述上方主體與所述第一主體之間形成等離子體區(qū)域且在所述第一主體與所述第二主體之間形成等離子體區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備，還包括將所述處理氣體供應(yīng)到所述上方主體的第一氣體供應(yīng)管和將所述處理氣體供應(yīng)到所述第一主體與所述第二主體之間的區(qū)域的第二氣體供應(yīng)管。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備，其中所述第一主體連接到所述電力供應(yīng)單元且所述上方主體和所述第二主體接地。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備，其中所述上方主體連接到第一電力供應(yīng)單元，第二主體連接到第二電力供應(yīng)單元，且所述第一主體接地。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備，其中所述上方主體形成有上下連接的多個孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備，其中所述第一注入孔以及所述第二注入孔交替地安置以彼此分開。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備，其中所述連接管是使用絕緣材料而制造。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備，其中所述連接管穿透所述第一主體且插入并安裝到所述第二主體的所述第二注入孔中。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的襯底處理設(shè)備，其中在所述連接管的區(qū)域中，連接到所述第一主體的區(qū)域的直徑比連接到所述第二主體的區(qū)域的直徑大。
【文檔編號】C23C16/458GK104046961SQ201410086935
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月11日
【發(fā)明者】徐映水, 韓泳琪, 李埈爀, 李奎尙 申請人:燦美工程股份有限公司