用于基于銅的金屬層的蝕刻組合物和制備金屬線的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于基于銅的金屬層的蝕刻組合物和制備金屬線的方法。公開了一種用于基于銅的金屬層的蝕刻劑組合物，所述蝕刻劑組合物能夠呈現(xiàn)優(yōu)異的錐角輪廓，且公開了使用該蝕刻劑組合物形成布線的方法。用于基于銅的金屬層的所述蝕刻劑組合物包括：0.5重量%至20重量%的過硫酸鹽、0.1重量%至5重量%的唑化合物、和余量的水，由此選擇性地蝕刻基于銅的金屬層，具有優(yōu)異的蝕刻圖案的平直度，且呈現(xiàn)改善的錐角輪廓。
【專利說明】用于基于銅的金屬層的蝕刻組合物和制備金屬線的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于基于銅的金屬層的可以呈現(xiàn)優(yōu)異的錐角輪廓的蝕刻劑組合物，且涉及使用該蝕刻劑組合物形成布線的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]例如，設(shè)置有含有銅的低電阻布線的代表性半導(dǎo)體設(shè)備可包括液晶顯示器(IXD) 裝直。
[0003]前述IXD裝置是輕質(zhì)的薄膜類型的平板顯示器(FPD)且可以替代諸如陰極射線管(CRT)的現(xiàn)有顯示裝置，前述LCD裝置利用液晶的光學(xué)各向同性性質(zhì)以表達(dá)圖像，且可以有效地用在具有優(yōu)異的分辨率、色彩顯示和圖像質(zhì)量的筆記本電腦或者臺(tái)式計(jì)算機(jī)。
[0004]液晶顯示裝置通常具有彩色濾光片基板、陣列基板、和在彩色濾光片基板與陣列基板之間形成的液晶層。
[0005]主要用于IXD裝置的驅(qū)動(dòng)方法是有源矩陣(AM)，其將非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)用作開關(guān)器件來驅(qū)動(dòng)像素部分的液晶。
[0006]在LCD裝置中，如果具有低電阻率和高的耐腐蝕性的金屬被選擇用于金屬布線，則形成用以干涉信號(hào)的金屬布線(例如，柵極線或者數(shù)據(jù)線)的材料可以改善產(chǎn)品的可靠性和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。鋁(Al)或者Al合金已經(jīng)主要用作如上文所述的金屬布線材料。
[0007]然而，隨著LCD裝置的尺寸增大，對(duì)于SVGA、XGA、SXGA、VXGA等，分辨率變的更高，掃描時(shí)間降低同時(shí)信號(hào)處理被大大加速。因此，必須使用低電阻率的金屬材料形成金屬布線，以便處理這些情況。
[0008]因此，最近已經(jīng)提出了用具有比現(xiàn)有材料更優(yōu)異的電阻率和電遷移特性的銅代替現(xiàn)有的金屬布線材料。
[0009]在前述情況下，用于銅層或者基于銅的金屬層的蝕刻劑組合物已經(jīng)在新的低電阻率金屬膜的應(yīng)用中引起了更多的關(guān)注。盡管當(dāng)前使用不同種類的用于基于銅的金屬層的蝕刻劑組合物，然而，用戶所需的性能還不能令人滿意。
[0010]例如，韓國(guó)專利公開N0.2005-0067934公開了用于蝕刻銅金屬層的蝕刻劑和堆疊的透明半導(dǎo)體層，所述蝕刻劑包括硝酸、鹽酸、過氧化氫和唑化合物。然而，上述專利具有的問題是上層的銅金屬層以及下層的氧化銦層被蝕刻，由此可以發(fā)生電氣短路或者布線故障。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]因此，本發(fā)明的目的是提供一種能夠形成改善的錐角輪廓和優(yōu)異的平直度的蝕刻劑組合物。
[0012]本發(fā)明的另一目的是提供一種用于基于銅的金屬層的蝕刻劑組合物，其能夠不留下基于銅的金屬層的殘留物。
[0013]本發(fā)明的另一目的是提供一種用于使用蝕刻劑組合物形成布線的方法。
[0014]本發(fā)明的上述目的通過下列特征來實(shí)現(xiàn):
[0015](I)一種用于基于銅的金屬層的蝕刻劑組合物，包括:0.5重量％至20重量％的過硫酸鹽、0.1重量％至5重量％的唑化合物、和余量的水。
[0016](2)根據(jù)上文(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述過硫酸鹽是選自過硫酸鉀(K2S2O8)、過硫酸鈉(Na2S2O8)和過硫酸銨((NH4)2S2O8)中的至少一種。
[0017](3)根據(jù)上文(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述唑化合物是選自三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物和吡咯啉化合物中的至少一種。
[0018](4)根據(jù)上文(I)所述的蝕刻劑組合物,還包括:1重量％至5重量％的有機(jī)(過氧)酸或其鹽。
[0019](5)根據(jù)上文(4)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述有機(jī)(過氧)酸是選自過氧乙酸、過氧苯甲酸、乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、羥基乙酸、丙二酸、戊酸和草酸中的至少一種。
[0020](6)根據(jù)上文(4)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述有機(jī)(過氧)酸的鹽是選自有機(jī)(過氧)酸的鉀鹽、有機(jī)(過氧)酸的鈉鹽和有機(jī)(過氧)酸的銨鹽中的至少一種。
[0021](7)根據(jù)上文(I)所述的蝕刻劑組合物，還包括3重量％至15重量％的膦酸酯化合物。
[0022](8)根據(jù)上文(7)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述膦酸酯化合物是選自磷酸、2-氨基乙基膦酸、甲基膦酸二甲酯、1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸、氨基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、四亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)、六亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、膦酸丁烷-三羧酸、N-(膦?；谆?亞氨基二乙酸、2-羧乙基膦酸、2-羥基膦酰基羧酸和氨基-三-(亞甲基膦酸)中的至少一種。
[0023]( 9 )根據(jù)上文(7 )所述的蝕刻劑組合物，其中，所述膦酸酯化合物是選自膦酸酯化合物的鉀鹽、膦酸酯化合物的鈉鹽和膦酸酯化合物的銨鹽中的至少一種。
[0024](10)根據(jù)上文(I)所述的蝕刻劑組合物,還包括:0.5重量％至3重量％的無機(jī)酸或其鹽(其中，過硫酸鹽除外)。
[0025]( 11)根據(jù)上文(10)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述無機(jī)酸是選自硝酸、硫酸、磷酸、硼酸和高氯酸中的至少一種。
[0026]( 12)根據(jù)上文(10)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述無機(jī)酸的鹽是選自無機(jī)酸的鉀鹽、無機(jī)酸的鈉鹽和無機(jī)酸的銨鹽中的至少一種(其中，過硫酸鹽除外)。
[0027](13)根據(jù)上文(I)所述的蝕刻劑組合物，還包括0.5重量％至5重量％的磺酸或其鹽。
[0028](14)根據(jù)上文(13)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述磺酸是選自氨基磺酸、甲基磺酸、乙基磺酸、對(duì)甲苯磺酸、三氟甲磺酸、苯磺酸、氨基磺酸和聚苯乙烯磺酸中的至少一種。
[0029](15)根據(jù)上文(13)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述磺酸的鹽是選自鉀鹽、鈉鹽和銨鹽中的至少一種。
[0030](16)根據(jù)上文(I)所述的蝕刻劑組合物，還包括0.5重量％至3重量％的銅鹽(其中,銅的過硫酸鹽除外)。
[0031](17)根據(jù)上文(16)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述銅鹽是選自硫酸銅、硝酸銅、氯化銅、乙酸銅和氟化銅中的至少一種。
[0032]( 18)根據(jù)上文(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，形成所述基于銅的金屬層，所述基于銅的金屬層包括:選自銅、氮化銅、和氧化銅中的至少一種；或者包括選自銅、氮化銅、和氧化銅中的至少一種與選自鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)和鎢(W)中的至少一種金屬的合金。
[0033](19)根據(jù)上文(18)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述基于銅的金屬層包括:銅鑰層，其具有鑰層和在該鑰層上形成的基于銅的金屬層；或者銅鑰合金層，其具有鑰合金層和在該鑰合金層上形成的基于銅的金屬層。
[0034](20) 一種用于形成布線的方法，包括:
[0035](SI)在基板上形成金屬氧化物層；
[0036](S2)在所述金屬氧化物層上形成基于銅的金屬層；
[0037](S3)可選地在所述基于銅的金屬層上形成光刻膠圖案；和
[0038](S4)通過使用根據(jù)上述(I)至(19)中任一項(xiàng)所述的蝕刻劑組合物，僅蝕刻所述金屬氧化物層上的所述基于銅的金屬層。
[0039](21)根據(jù)以上(20)所述的方法，其中，形成所述金屬氧化物層，所述金屬氧化物層包括:通過AxByCzO (其中，A、B和C分別是選自鋅(Zn)、鈦(Ti)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鉿(Hf)、錯(cuò)(Zr)和鉭(Ta)中的金屬；x、y和z均表示金屬比例且是O或者大于O的整數(shù)、或者是質(zhì)數(shù))表示的三組分系統(tǒng)氧化物或者四組分系統(tǒng)氧化物。
[0040](22)根據(jù)上文(20)所述的方法，其中，形成所述基于銅的金屬層，所述基于銅的金屬層包括:選自銅、氮化銅、和氧化銅中的至少一種；或者包括選自銅、氮化銅、和氧化銅中的至少一種與選自鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)和鎢(W)中的至少一種金屬的合金。
[0041](23)根據(jù)以上(22)所述的方法，其中，所述基于銅的金屬層包括:銅鑰層，其具有鑰層和在該鑰層上形成的基于銅的金屬層；或者銅鑰合金層，其具有鑰合金層和在該鑰合金層上形成的基于銅的金屬層。
[0042](24) 一種制造用于液晶顯示裝置的陣列基板的方法，包括:
[0043]a)在基板上形成柵極布線；
[0044]b )在包括所述柵極布線的基板上形成柵極絕緣層；
[0045]c)在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；
[0046]d)在所述半導(dǎo)體層上形成源極布線和漏極布線；和
[0047]e)形成連接到所述漏極布線的像素電極，
[0048]其中，所述a)步驟包括:在所述基板上形成基于銅的金屬層，以及使用根據(jù)上述(I)至(19)中任一項(xiàng)所述的蝕刻劑組合物蝕刻所述基于銅的金屬層以形成所述柵極布線。
[0049](25) 一種制造用于液晶顯示裝置的陣列基板的方法，包括:
[0050]a)在基板上形成柵極布線；
[0051 ] b )在包括所述柵極布線的基板上形成柵極絕緣層；
[0052]c)在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；
[0053] d)在所述半導(dǎo)體層上形成源極布線和漏極布線；和
[0054]e)形成連接到所述漏極布線的像素電極，
[0055]其中所述d)步驟包括:在所述半導(dǎo)體層上形成基于銅的金屬層，以及使用根據(jù)上述(I)至(19)中任一項(xiàng)所述的蝕刻劑組合物蝕刻所述基于銅的金屬層以形成所述源極布線和漏極布線。
[0056]本發(fā)明的蝕刻劑組合物可以可選擇地蝕刻基于銅的金屬層而無需蝕刻下層的氧化物層。
[0057]此外，本發(fā)明的蝕刻劑組合物可具有優(yōu)異的蝕刻圖案的平直度、呈現(xiàn)改善的錐角輪廓、且具有防止形成基于銅的金屬層的殘留物的有益效果，因此提供防止諸如電氣短路、布線故障、亮度降低等的優(yōu)異效果。
[0058]根據(jù)本發(fā)明的形成布線的方法采用濕法蝕刻方法而不是采用干法蝕刻方法，因此，其不需要昂貴的設(shè)備，由此具有經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)。

【具體實(shí)施方式】
[0059]本發(fā)明公開了一種用于基于銅的金屬層的蝕刻劑組合物，其包括:0.5重量％至20重量％的過硫酸鹽、0.1重量％至5重量％的唑化合物和余量的水，由此選擇性地蝕刻基于銅的金屬層，具有優(yōu)異的蝕刻圖案的平直度，且呈現(xiàn)改善的錐角輪廓。
[0060]在下文將具體描述本發(fā)明。
[0061 ] 本發(fā)明的蝕刻劑組合物包括過硫酸鹽、唑化合物、和余量的水，該蝕刻劑組合物是用于蝕刻基于銅的金屬層的組合物。
[0062]根據(jù)本發(fā)明的基于銅的金屬層是用作原材料的膜以形成金屬布線，以便傳輸電子信號(hào)，并且可以稱為含銅的金屬層。可以應(yīng)用本發(fā)明的蝕刻劑組合物的基于銅的金屬層可以是包括單層膜或多層膜的構(gòu)思，而沒有特別限制，只要上述層可以與上述構(gòu)思一致。例如，前述層可以指所形成的金屬層，該金屬層包括:選自銅、氮化銅和氧化銅中的至少一種；或者任意一種包括選自鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)和鎢(W)中的至少一種金屬與選自銅、氮化銅、和氧化銅中的至少一種的合金，然而不限于此。
[0063]此外，基于銅的金屬層可以是包括單層膜和多層(例如，雙層)膜的構(gòu)思。前述基于銅的金屬層可以是單層或多層(例如，銅鑰層或者銅鑰合金層)的膜。銅鑰層是指包含鑰層和在該鑰層上形成的基于銅的金屬層，而銅鑰合金層是指包含鑰合金層和在該鑰合金層上形成的基于銅的金屬層。鑰合金可包括鑰與選自T1、Ta、Cr、N1、Nd和In中的至少一種金屬的合金。
[0064]在本發(fā)明的蝕刻劑組合物中所包含的過硫酸鹽是蝕刻基于銅的金屬層的主要成分。相對(duì)于組合物的總重量，可包括的過硫酸鹽的重量百分比含量是0.5%至20%，優(yōu)選1%至15%。如果過硫酸鹽的含量小于0.5重量％，則蝕刻速度降低，從而引起基于銅的金屬層的不充分蝕刻，以及當(dāng)過硫酸鹽的含量超過20重量％時(shí)，總蝕刻速度變得相當(dāng)高使得由于基于銅的金屬層的過度蝕刻而導(dǎo)致蝕刻程度和控制蝕刻工藝上的困難。
[0065]在本發(fā)明中可以使用的過硫酸鹽沒有特別限制，且可包括，例如，過硫酸鉀(K2S208)、過硫酸鈉(Na2S208)、過硫酸銨((NH4)2S2O8),這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者以兩種或多于兩種的組合使用。
[0066]在本發(fā)明的蝕刻劑組合物中所包含的唑化合物可以起到的作用是:控制蝕刻速度和減少圖案的CD (臨界尺寸)損失，由此增大工藝裕度。相對(duì)于組合物的總重量，唑化合物的含量范圍可以從0.1重量％至5重量％,優(yōu)選從0.5重量％至2重量％。如果唑化合物的含量小于0.1重量％，則可以發(fā)生太大的⑶損失；以及當(dāng)唑化合物的含量超過5重量％時(shí)，基于銅的金屬層的蝕刻速度變得太低，從而大大延長(zhǎng)加工時(shí)間。
[0067]唑化合物沒有特別限制，只要其可包括在相關(guān)技術(shù)中所用的任一常規(guī)唑化合物。例如，唑化合物優(yōu)選是具有I個(gè)至30個(gè)碳原子的唑化合物。更具體地，三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物和吡咯啉化合物可以單獨(dú)使用或者以兩種或多于兩種的組合使用。
[0068]例如，三唑化合物可包括通過下式I表示的化合物，其可以單獨(dú)使用或者以兩種或多于兩種的組合使用。
[0069][式1]
[0070]

【權(quán)利要求】
1.一種用于基于銅的金屬層的蝕刻劑組合物，包括:0.5重量％至20重量％的過硫酸鹽、0.1重量％至5重量％的唑化合物、和余量的水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，所述過硫酸鹽是選自過硫酸鉀(K2S2O8)、過硫酸鈉(Na2S2O8)和過硫酸銨((NH4)2S2O8)中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，所述唑化合物是選自三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物和吡咯啉化合物中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括:1重量％至5重量％的有機(jī)(過氧)酸或其鹽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻劑組合物，其中，所述有機(jī)(過氧)酸是選自過氧乙酸、過氧苯甲酸、乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、羥基乙酸、丙二酸、戊酸和草酸中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻劑組合物，其中，所述有機(jī)(過氧)酸的鹽是選自有機(jī)(過氧)酸的鉀鹽、有機(jī)(過氧)酸的鈉鹽和有機(jī)(過氧)酸的銨鹽中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括3重量％至15重量％的膦酸酯化合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蝕刻劑組合物，其中，所述膦酸酯化合物是選自磷酸、2-氨基乙基膦酸、甲基膦酸二甲酯、1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸、氨基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、四亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)、六亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、膦酸丁烷-三羧酸、N-(膦?；谆?亞氨基二乙酸、2-羧乙基膦酸、2-羥基膦酰基羧酸和氨基-三-(亞甲基膦酸)中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蝕刻劑組合物，其中，所述膦酸酯化合物是選自膦酸酯化合物的鉀鹽、膦酸酯化合物的鈉鹽和膦酸酯化合物的銨鹽中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括:0.5重量％至3重量％的無機(jī)酸或其鹽，其中，過硫酸鹽除外。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蝕刻劑組合物，其中，所述無機(jī)酸是選自硝酸、硫酸、磷酸、硼酸和高氯酸中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蝕刻劑組合物，其中，所述無機(jī)酸的鹽是選自無機(jī)酸的鉀鹽、無機(jī)酸的鈉鹽和無機(jī)酸的銨鹽中的至少一種,其中，過硫酸鹽除外。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括0.5重量％至5重量％的磺酸或其鹽。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的蝕刻劑組合物，其中，所述磺酸是選自氨基磺酸、甲基磺酸、乙基磺酸、對(duì)甲苯磺酸、三氟甲磺酸、苯磺酸、氨基磺酸和聚苯乙烯磺酸中的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的蝕刻劑組合物，其中，所述磺酸的鹽是選自鉀鹽、鈉鹽和銨鹽中的至少一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括0.5重量％至3重量％的銅鹽，其中，過硫酸鹽除外。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的蝕刻劑組合物，其中，所述銅鹽是選自硫酸銅、硝酸銅、氯化銅、乙酸銅和氟化銅中的至少一種。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，形成所述基于銅的金屬層，所述基于銅的金屬層包括:選自銅、氮化銅、和氧化銅中的至少一種；或者包括選自銅、氮化銅、和氧化銅中的至少一種與選自鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)和鎢(W)中的至少一種金屬的合金。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的蝕刻劑組合物，其中，所述基于銅的金屬層包括:銅鑰層，所述銅鑰層具有鑰層和在所述鑰層上形成的基于銅的金屬層；或者銅鑰合金層，所述銅鑰合金層具有鑰合金層和在所述鑰合金層上形成的基于銅的金屬層。
20.一種用于形成布線的方法，包括: (51)在基板上形成金屬氧化物層； (52)在所述金屬氧化物層上形成基于銅的金屬層； (53)可選地在所述基于銅的金屬層上形成光刻膠圖案；和 (54)通過使用根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項(xiàng)所述的蝕刻劑組合物，僅蝕刻所述金屬氧化物層上的所述基于銅的金屬層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，形成所述金屬氧化物層，所述金屬氧化物層包括:通過AxByCzO表示的三組分系統(tǒng)氧化物或者四組分系統(tǒng)氧化物，其中，A、B和C分別是選自鋅(Zn)、鈦(Ti)、鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)和鉭(Ta)的金屬；x、y和z均表示金屬比例且 是O或者大于O的整數(shù)、或者是質(zhì)數(shù)。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，形成所述基于銅的金屬層，所述基于銅的金屬層包括:選自銅、氮化銅、和氧化銅中的至少一種；或者包括選自銅、氮化銅、和氧化銅中的至少一種與選自鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鑰(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)和鎢(W)中的至少一種金屬的合金。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述基于銅的金屬層包括:銅鑰層，所述銅鑰層具有鑰層和在所述鑰層上形成的基于銅的金屬層；或者銅鑰合金層，所述銅鑰合金層具有鑰合金層和在所述鑰合金層上形成的基于銅的金屬層。
24.一種制造用于液晶顯示裝置的陣列基板的方法，包括: a)在基板上形成柵極布線； b)在包括所述柵極布線的所述基板上形成柵極絕緣層； c)在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層； d)在所述半導(dǎo)體層上形成源極布線和漏極布線；和 e)形成連接到所述漏極布線的像素電極， 其中，所述a)步驟包括:在所述基板上形成基于銅的金屬層，以及使用根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項(xiàng)所述的蝕刻劑組合物蝕刻所述基于銅的金屬層以形成所述柵極布線。
25.一種制造用于液晶顯示裝置的陣列基板的方法，包括: a)在基板上形成柵極布線； b)在包括所述柵極布線的所述基板上形成柵極絕緣層； c)在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層； d)在所述半導(dǎo)體層上形成源極布線和漏極布線；和 e)形成連接到所述漏極布線的像素電極，其中所述d)步驟包括:在所述半導(dǎo)體層上形成基于銅的金屬層，以及使用根據(jù)權(quán)利要求I至19中任一項(xiàng)所述的蝕刻劑組合物蝕刻所述基于銅的金屬層以形成所述源極布線和所述漏極布 線。
【文檔編號(hào)】C23F1/02GK104073803SQ201410123681
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月28日
【發(fā)明者】李恩遠(yuǎn), 李鉉奎, 權(quán)玟廷, 金鎮(zhèn)成, 梁圭亨, 趙成培 申請(qǐng)人:東友精細(xì)化工有限公司