一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及薄膜制備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法，其特征在于：所述設(shè)置修正方法至少包括以下步驟：使所述第一、第二補正板在高度方向上的設(shè)置位置具有高度差，即第一補正板位置高于第二補正板位置；使所述第一、第二補正板分別對所述第二蒸發(fā)源的兩個初始遮擋角之間具有重疊區(qū)域，即使所述第二補正板部分遮擋住所述第一補正板對于所述第二蒸發(fā)源的遮擋角。本發(fā)明的優(yōu)點是：避免了先后修正兩個補正板時所存在的互相干擾問題，從而實現(xiàn)簡單準(zhǔn)確的補正板修正模式。
【專利說明】一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜制備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法，用于具有兩個或者兩個以上蒸發(fā)源的鍍膜機中修正補正板相干擾時的補正板設(shè)置修正。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著鍍膜技術(shù)的不斷發(fā)展，在同一鍍膜過程中往往涉及兩種以上的膜料，且有時鍍膜層數(shù)會較多，這就需要鍍膜機腔體內(nèi)存在多個蒸發(fā)源。鑒于鍍膜機腔體大小的限制，并且腔體內(nèi)還可能存在離子源等輔助蒸鍍設(shè)備，蒸發(fā)源之間的距離有時需要比較小。另外，有時候為了縮小蒸發(fā)源與待鍍件之間的距離，補正板下降時可能會觸及到蒸發(fā)源所在水平面進而導(dǎo)致與底護板碰撞，這在鍍膜過程中是不被允許的；同時，對于上述的蒸鍍系統(tǒng)，多個補正板的頻繁升降運動對于成膜質(zhì)量有不利影響且會增加制造成本。因此在這種情況下，補正板一般設(shè)計成固定模式，即在整個鍍膜過程中相鄰兩個蒸發(fā)源對應(yīng)的兩個補正板總是處于開啟狀態(tài)，不隨著蒸發(fā)源的切換而進行升降。補正板是用來調(diào)控鍍膜厚度均勻性的部件；對于以上描述的鍍膜機腔體內(nèi)含有兩個間距較小蒸發(fā)源的蒸鍍系統(tǒng)，其補正板的設(shè)計與修正方法是能否實現(xiàn)均勻鍍膜的關(guān)鍵。
[0003]在鍍膜過程中，補正板通過遮擋蒸發(fā)源的一部分蒸發(fā)角來調(diào)整腔體內(nèi)膜料分布，從而選擇性地改變蒸鍍到基片上的膜料數(shù)量，以達到均勻膜厚；補正板的修正過程即是確定補正板對于蒸發(fā)源的遮擋角的過程。對于間距較大的兩個蒸發(fā)源來說，與它們對應(yīng)的兩個補正板的修正可以先后獨立進行，但必須至少有一個需要升降的補正板才會有行之有效的修正方法。而對于含有間距較小的兩個蒸發(fā)源和補正板的蒸鍍系統(tǒng)(如圖1和圖2所示)，由于兩個補正板固定且間距很小，補正板2不但遮擋蒸發(fā)源3，其對蒸發(fā)源4的遮擋作用也不能忽略；對于補正板5，亦然。因此，很難對每個補正板進行獨立修正，具體情況如下。
[0004]目前，對于上述鍍膜機腔體內(nèi)間距較小的兩個蒸發(fā)源的補正板(如圖2所示)的修正方法如下:未進行補正板修正時，補正板2和5對于蒸發(fā)源3的初始遮擋角分別為α O和β0，補正板2和5對于蒸發(fā)源4的初始遮擋角分別為η0和Θ0。修正時，先修正蒸發(fā)源3的補正板2，通過改變補正板2的橫向尺寸AB來確定補正板2對于蒸發(fā)源3的最佳遮擋角α I。在這個過程中，補正板5對于蒸發(fā)源3的遮擋角β O保持不變，即不能參與優(yōu)化過程。蒸發(fā)源3對應(yīng)的補正板2修正完成后，兩個補正板2和5對于蒸發(fā)源3的遮擋角分別為α I和β O。其后，再修正蒸發(fā)源4對應(yīng)的補正板5遮擋角情況。也就是通過試驗改變補正板5的橫向尺寸CD,確定補正板5對于蒸發(fā)源4的最佳遮擋角Θ I ;同樣，補正板2對于蒸發(fā)源4的遮擋角為no無法參與修正過程，即保持不變。蒸發(fā)源4對應(yīng)的補正板5修正完成后，兩個補正板2和5對于蒸發(fā)源4的遮擋角分別為JiO和Θ1。需要注意到，這個修正過程因為需要調(diào)整補正板5的尺寸，已經(jīng)導(dǎo)致補正板5對于蒸發(fā)源3的遮擋角β O發(fā)生改變，變?yōu)棣?I。上述遮擋角的變 化直接改變了補正板2和5對于蒸發(fā)源3的遮擋角情況，即從α I和β O變?yōu)棣?I和β I。這樣就需要對蒸發(fā)源3的補正板遮擋角情況重新修正以滿足均一性要求。對于蒸發(fā)源3的補正板2的再次修正過程必然需要改變補正板2的橫向尺寸ΑΒ，也就是說，不可避免地將補正板2對于蒸發(fā)源4的遮擋角η O變?yōu)棣?I;這樣，又需要重新修正蒸發(fā)源4的補正板遮擋角；以此類推，就會陷入無限循環(huán)。雖然上述修正補正板的方法最終也能達到一定的鍍膜厚度均一性，但無疑需要的工作量非常大，且存在著不確定性。另外，即使兩個蒸發(fā)源共用一個大補正板也存在上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法，通過將兩個補正板在高度方向上的設(shè)置位置具有高度差，具有重疊部分，使得修正高位置的補正板對一蒸發(fā)源的遮擋角時不會改變其對另一個蒸發(fā)源的遮擋情況，即對于每個補正板可以進行獨立修正，從而實現(xiàn)簡單和準(zhǔn)確的補正板修正過程，用于具有兩個或者兩個以上蒸發(fā)源的鍍膜機中補正板相干擾時的補正板設(shè)置修正。
[0006]本發(fā)明目的的實現(xiàn)由以下技術(shù)方案完成:
一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法，所述鍍膜機中至少包括兩個補正板，兩個所述補正板分別對應(yīng)遮擋兩個蒸發(fā)源，兩個所述蒸發(fā)源包括第一蒸發(fā)源及第二蒸發(fā)源，位于所述第一、第二蒸發(fā)源的正上方分別對應(yīng)固定設(shè)置有第一、第二補正板，其特征在于:所述設(shè)置修正方法至少包括以下步驟:使所述第一、第二補正板在高度方向上的設(shè)置位置具有高度差，即第一補正板位置高于第二補正板位置；使所述第一、第二補正板分別對所述第二蒸發(fā)源的兩個初始遮擋角之間具有重疊區(qū)域，即使所述第二補正板部分遮擋住所述第一補正板對于所述第二蒸發(fā)源的遮擋角。
[0007]所述補正板的修正步驟中首先修正位于低位置的所述第二補正板，以確定該補正板對于所述第二蒸發(fā)源的遮擋角，修正區(qū)域位于所述第二補正板相對于第一、第二蒸發(fā)源的遠端。
[0008]所述補正板的修正步驟中，在修正好所述第二補正板后，修正所述第一補正板，即確定所述第一補正板對于第一蒸發(fā)源的遮擋角，修正區(qū)域位于所述第一補正板上靠近所述第二補正板的一端。
[0009]所述修正區(qū)域尺寸不大于所述第一、第二補正板分別對所述第二蒸發(fā)源的兩個初始遮擋角之間的重疊區(qū)域尺寸。
[0010]本發(fā)明的優(yōu)點是:避免了先后修正兩個補正板時所存在的互相干擾問題，從而實現(xiàn)簡單準(zhǔn)確的補正板修正模式。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中具有兩個蒸發(fā)源的鍍膜機中補正板相干擾時的蒸鍍系統(tǒng)俯視圖；
圖2為圖1的左視圖；
圖3為本發(fā)明中兩補正板的放置結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；
圖4為圖3的正視圖；
圖5為本發(fā)明中修正參考板的放置結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；
圖6為本發(fā)明補正板的修正原理不意圖；
圖7為基板O° Τ%光譜曲線；圖8為通過補正板修正后的基板0° T%光譜曲線。
【具體實施方式】
[0012]以下結(jié)合附圖通過實施例對本發(fā)明特征及其它相關(guān)特征作進一步詳細說明，以便于同行業(yè)技術(shù)人員的理解:
如圖1-8所示，圖中標(biāo)記1-12、a和b分別為:鍍膜機腔體1、補正板2、蒸發(fā)源3、蒸發(fā)源4、補正板5、第一補正板6、第二補正板7、鍍膜機腔體壁8、第一蒸發(fā)源9、第二蒸發(fā)源10、第一修正參照板11、第二修正參照板12、修正區(qū)域a、修正區(qū)域b。
[0013]實施例:本實施例中鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法用于設(shè)計具有兩個蒸發(fā)源的鍍膜機中補正板相干擾時的兩塊補正板形狀，其中相干擾的兩個補正板是指:兩個補正板分別對兩個蒸發(fā)源有遮擋影響，即其中一個補正板的形狀改變除了影響與其對應(yīng)的蒸發(fā)源的蒸發(fā)角以外，還對另一蒸發(fā)源的蒸發(fā)角產(chǎn)生明顯影響，也就是改變了另一蒸發(fā)源的蒸發(fā)特性；同樣，另一個補正板的形狀改變對于兩個蒸發(fā)源的蒸發(fā)角也有明顯影響。
[0014]本實施例中的設(shè)計方法包括補正板的設(shè)置方法和修正方法，其中設(shè)置方法是設(shè)置兩補正板于鍍膜機腔體中的位置，而修正方法是指改變補正板的形狀。
[0015]本實施例中的補正板設(shè)置步驟包括:
(I)如圖1所不，第一補正板6和第二補正板7分別單端固定于鍍膜機腔體I的內(nèi)壁表面，其中第一補正板6位于第一蒸發(fā)源9的上方，第二補正板7位于第二蒸發(fā)源10的上方。
[0016](2)如圖3所示 ，將第一補正板6和第二補正板7在高度方向上的設(shè)置位置具有高度差，其中第一補正板6的位置高于第二補正板7的位置。
[0017](3)如圖4所示，第一補正板6和第二補正板7對于蒸發(fā)源9的初始遮擋角分別為α0和β0，對蒸發(fā)源10的初始遮擋角分別為η0和Θ O。其中，第一補正板6和第二補正板7對于蒸發(fā)源10的初始遮擋角必須有重疊的部分，即使第二補正板7部分遮擋住第一補正板6對于第二蒸發(fā)源10的遮擋角，而第一補正板6對于蒸發(fā)源10的實際遮擋角為δ0。
[0018]本實施例中的修正步驟包括:
(I)先根據(jù)第二補正板7不同橫向尺寸時的光譜數(shù)據(jù)修正與蒸發(fā)源10對應(yīng)的低位置的第二補正板7，即確定第二補正板7對于蒸發(fā)源10以及對于蒸發(fā)源9的遮擋角。第二補正板7的修正區(qū)域僅限于圖4中所示的修正區(qū)域b，即第二補正板7相對于第一蒸發(fā)源9、第二蒸發(fā)源10的遠端。
[0019](2)再根據(jù)所述第一補正板6不同橫向尺寸時的光譜數(shù)據(jù)修正與蒸發(fā)源9對應(yīng)的高位置的第一補正板6，即確定第一補正板6對于蒸發(fā)源9的遮擋角。第一補正板6的修正區(qū)域僅限于圖4中所示的修正區(qū)域a，此修正區(qū)域a位于第一補正板6上靠近第二補正板7的一端。該修正區(qū)域a的橫向尺寸不大于第二補正板7對第二蒸發(fā)源10的初始遮擋角在第一補正板6上投影區(qū)域的橫向尺寸，也就是第一補正板6和第二補正板7分別對第二蒸發(fā)源10的兩個初始遮擋角之間的重疊區(qū)域尺寸。
[0020](3)由步驟(1)、(2)的描述可知，本實施例中設(shè)置的兩個補正板之間的相對位置，使第二補正板7部分遮擋第一補正板6對于蒸發(fā)源10的遮擋角；該遮擋角(η0和Θ0的交疊部分)在第一補正板6上的投影就是修正區(qū)域a。這樣一來，在修正第一補正板6 (修正范圍不大于修正區(qū)域a)時就不會影響其對于蒸發(fā)源10的遮擋角，也就不會陷入無限循環(huán)的修正過程，從而使得每個補正板可以進行獨立修正，實現(xiàn)簡單和準(zhǔn)確的補正板修正過程。
[0021]上述修正步驟中所說的根據(jù)第一補正板6或第二補正板7不同橫向尺寸時的光譜數(shù)據(jù)修正是指，通過測量補正板尺寸不同時，鍍膜機成膜的不同光譜數(shù)據(jù)，計算出光譜變化量對蒸發(fā)源與補正板遮擋角的微分值，從而確定補正板的形狀?？刹捎靡韵滤龅囊环N光譜測量方式確定:
(I)結(jié)合圖3、5所示，在兩塊補正板的相同位置分別設(shè)置修正參照板，其中位于第一補正板6處的第一修正參照板11的橫向尺寸小于第一補正板6的橫向尺寸，且第一修正參照板11的一端與第一補正板6的遠端位置對齊，位于第二補正板7處的第二修正參照板12的橫向尺寸小于第二補正板7的橫向尺寸，且第二修正參照板12的一端與第二補正板7相較第一補正板6的臨近端對齊。第一修正參照板11的橫向尺寸小于第一補正板6橫向尺寸的差值不大于第一補正板6上的修正區(qū)域a ;第二修正參照板12的橫向尺寸小于第二補正板7橫向尺寸的差值不大于第二補正板7上的修正區(qū)域b，如圖6所示。此處額外需要說明的是，圖6中第一補正板6與第一修正參照板11之間或第二補正板7與第二修正參照板12之間的高度差僅用于圖示出補正板與修正參照板橫向尺寸間的差值和兩個對應(yīng)的修正區(qū)域之間的限定關(guān)系，以及表示修正參照板的橫向位置(即第一修正參照板11的一端與第一補正板6的遠端位置對齊、第二修正參照板12的一端與第二補正板7相較第一補正板6的臨近端對齊)，實際操作時并不是設(shè)置于各個補正板下方，而是將各個修正參照板的高度設(shè)置于各個補正板相同高度的位置上。 [0022](2)然后分別裝夾好第二補正板7和第一補正板6，進行鍍膜，對所成薄膜進行光譜測量，得到光譜數(shù)據(jù)標(biāo)記為EB2-TM1。
[0023](3)在第二補正板7的原位裝夾好第二修正參照板12，將第二修正參照板12的近端與第二補正板7的原位近端對齊且兩者高度一致，同時裝夾好第一補正板6，進行鍍膜，對所成的薄膜進行光譜測量，得到光譜數(shù)據(jù)標(biāo)記為EB2-TM2。
[0024](4)利用步驟(2)和(3)得到的光譜結(jié)果再結(jié)合第二補正板7與第二修正參照板12之間橫向尺寸的差值，即可計算出各圈光譜變化量對蒸發(fā)源10與第二補正板7夾角的微分值，可表示為:Λ λ2/Λ θ 2，從而確定第二補正板7的形狀，完成修正過程。
[0025](5)裝夾好第一補正板6和已經(jīng)過修正而確定形狀的第二補正板7，進行鍍膜，對所成的薄膜進行光譜測量，得到光譜數(shù)據(jù)標(biāo)記為EBl-TMl。
[0026](6)在第一補正板6的原位裝夾好第一修正參照板11，將第一修正參照板11的遠端與第一補正板6的原位遠端對齊且兩者高度一致，同時裝夾已經(jīng)過修正而確定形狀的第二補正板7，進行鍍膜，對所成的薄膜進行光譜測量，得到光譜數(shù)據(jù)標(biāo)記為ΕΒ1-ΤΜ2。
[0027](7)利用步驟(5)和(6)得到的光譜結(jié)果再結(jié)合第一補正板6與第一修正參照板11之間橫向尺寸的差值，即可計算出各圈光譜變化量對蒸發(fā)源I與第一補正板6夾角的微分值，可表示為:Λ λΙ/Λ θ 1，從而確定第一補正板6的形狀，完成修正過程。
[0028]光譜數(shù)據(jù)是指:需要修正的一組樣片的透射率(Τ%)或反射率(R%)?？梢詾閹Ы嵌葞竦臏y試，但為方便起見，一般采用0° τ%作為光譜測量方式。一組樣片，指的是分布于需要修正的夾具上不同位置的鍍膜基板。
[0029]舉例說明:如選取某種膜料(如Ti305)置于蒸發(fā)源(第一蒸發(fā)源9或第二蒸發(fā)源10)中，蒸發(fā)于夾具上的特定基板(如平板K9玻璃，其分布于夾具上，如7點分布)，蒸發(fā)特定厚度(如1000nm左右光學(xué)厚度)。一般情況下，蒸發(fā)于不同分布位置基板上的膜料厚度是不一樣的(給定一個初始補正板為前提)，表現(xiàn)為各個基板0° 1%光譜曲線的不同，如圖7所
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[0030]設(shè)定相同的鍍膜厚度，使用不同寬度的補正板(如第一補正板6與第一修正參照板11或第二補正板7與第二修正參照板12)，同一位置的BK7基板上的薄膜沉積厚度也是不一樣的，表現(xiàn)為光譜0° T也有差異。人為選取某一光譜特征點(如510nm附近的谷值點)的波長做標(biāo)記如:
【權(quán)利要求】
1.一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法，所述鍍膜機中至少包括兩個補正板，兩個所述補正板分別對應(yīng)遮擋兩個蒸發(fā)源，兩個所述蒸發(fā)源包括第一蒸發(fā)源及第二蒸發(fā)源，位于所述第一、第二蒸發(fā)源的正上方分別對應(yīng)固定設(shè)置有第一、第二補正板，其特征在于:所述設(shè)置修正方法至少包括以下步驟:使所述第一、第二補正板在高度方向上的設(shè)置位置具有高度差，即第一補正板位置高于第二補正板位置；使所述第一、第二補正板分別對所述第二蒸發(fā)源的兩個初始遮擋角之間具有重疊區(qū)域，即使所述第二補正板部分遮擋住所述第一補正板對于所述第二蒸發(fā)源的遮擋角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法，其特征在于:所述補正板的修正步驟中首先修正位于低位置的所述第二補正板，以確定該補正板對于所述第二蒸發(fā)源的遮擋角，修正區(qū)域位于所述第二補正板相對于第一、第二蒸發(fā)源的遠端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法，其特征在于:所述補正板的修正步驟中，在修正好所述第二補正板后，修正所述第一補正板，即確定所述第一補正板對于第一蒸發(fā)源的遮擋角，修正區(qū)域位于所述第一補正板上靠近所述第二補正板的一端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種鍍膜機中補正板的設(shè)置修正方法，其特征在于:所述修正區(qū)域尺寸不大于所述第一、第二補正板分別對所述第二蒸發(fā)源的兩個初始遮擋角之間的重疊區(qū)域尺 寸。
【文檔編號】C23C14/24GK103993267SQ201410182323
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月30日
【發(fā)明者】任海峰 申請人:光馳科技(上海)有限公司