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一種防斷裂的熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及在大尺寸bdd電極制備中的應(yīng)用的制作方法

文檔序號(hào):3313931閱讀:206來源:國知局
一種防斷裂的熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及在大尺寸bdd電極制備中的應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)制備摻硼金剛石膜(BDD)領(lǐng)域,特別是一種防斷裂的熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及其在大面積BDD制備中的應(yīng)用。所述熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),包括左鉬電極,右鉬電極,主熱絲彈簧架,副熱絲彈簧架,彈性鉬片架,副熱絲拉緊彈簧,主熱絲拉緊彈簧,主熱絲,副熱絲,十字空心絕緣Al2O3陶瓷,若干彈性鉬片等,其中所述彈性鉬片架平面及主熱絲彈簧架平面均可與水平面呈現(xiàn)10°~45°不同的角度,高效保證了熱絲平面的水平拉直且不斷裂狀態(tài)。所述的HFCVD系統(tǒng),可用于直徑最大為200mm的BDD電極的制備,其電極性能及污染物降解效果良好。
【專利說明】一種防斷裂的熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及在大尺寸BDD電極制備中的應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種防斷裂的熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(HFCVD),具體的說,通過實(shí)現(xiàn)彈性鑰片架平面、主熱絲彈簧架平面與水平面角度同時(shí)可調(diào)節(jié),使熱絲平面保持水平拉直且不斷裂狀態(tài),高效保證了 HFCVD系統(tǒng)均勻穩(wěn)定的沉積熱環(huán)境。本發(fā)明適用于大面積摻硼金剛石電極(BDD)的制備,其他材料的大面積電極制備也可參考。
【背景技術(shù)】
[0002]CVD (Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)法是一種氣相成核生長方法,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物等納米薄膜材料的制備。與等離子體CVD法、射頻等離子體CVD法、微波等離子體CVD法、脈沖等離子體CVD法等相比,熱絲CVD法(HFCVD)具有設(shè)備簡(jiǎn)單,成膜過程易控制,操作方便,工藝成熟,成本低等優(yōu)點(diǎn),具有廣闊的應(yīng)用前景。
[0003]HFCVD法應(yīng)用于BDD電極的制備已有大量報(bào)道。其中,性能良好的熱絲系統(tǒng)是成功制得大面積BDD膜電極的關(guān)鍵所在。傳統(tǒng)的水平布置熱絲會(huì)導(dǎo)致通電后的平行熱絲受熱伸長、變松下垂,進(jìn)而燈絲與襯底間距發(fā)生改變,襯底溫度場(chǎng)不均勻,無法沉積出大面積均勻的金剛石膜。
[0004]專利201010181903.6通過一根長熱絲在兩電極間往復(fù)纏繞來實(shí)現(xiàn)大面積金剛石膜電極的沉積制備。該熱絲系統(tǒng)包含一個(gè)固定電極和一個(gè)活動(dòng)電極,燈絲通過彈簧的拉力實(shí)現(xiàn)繃緊。然而,由于使用了一整根熱絲,在熱絲受熱伸長后,難以滿足兩電極間每段熱絲的變形量都得到補(bǔ)償;且在沉積過程當(dāng)中,活動(dòng)電極可能由于高溫與活動(dòng)螺釘之間連接不暢或接觸電阻過大,影響整體熱絲電流分布,導(dǎo)致熱絲導(dǎo)電能力過小或明顯變形等,不利于大面積均勻金剛石膜電極的沉積制備。專利201210138893.7改進(jìn)的熱絲系統(tǒng)包括兩個(gè)固定電極、一個(gè)彈簧架和若干根獨(dú)立熱絲,每根熱絲一端固定在電極上,另一端通過彈簧拉直,彈簧架與水平面呈三十度角。該措施雖然可以保證熱絲始終處于平行拉直狀態(tài),但是僅一端通過滑動(dòng)位移點(diǎn)與彈簧連接,且熱絲架與水平面之間的夾角無法改變,無法保證變形量不同的熱絲完全拉直且不斷裂。美國專利US5997650改良的熱絲系統(tǒng)由一個(gè)固定電極和一個(gè)與彈簧連接的活動(dòng)電極組成。熱絲通電受熱變長后通過彈簧拉動(dòng)活動(dòng)電極保證熱絲的水平拉直狀態(tài)。活動(dòng)電極雖然可以有效地減小熱絲形變,但是長時(shí)間運(yùn)行過程中,活動(dòng)電極與導(dǎo)線之間容易冷卻,導(dǎo)致活動(dòng)電極受阻增大,熱絲受熱變形后無法及時(shí)拉直,影響了沉積過程穩(wěn)定的受熱環(huán)境。
[0005]由于長時(shí)間受熱過程中熱絲形變無法保證均勻穩(wěn)定的沉積熱環(huán)境,而現(xiàn)有改進(jìn)手段存在種種缺陷,大面積BDD電極的制備受到極大限制。開發(fā)簡(jiǎn)單有效的改進(jìn)手段對(duì)HFCVD法制備大面積BDD電極具有重要意義。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明提供了一種簡(jiǎn)單有效、適用于大面積BDD電極制備的熱絲系統(tǒng)改進(jìn)方法。該發(fā)明可克服之前已有技術(shù)中存在的若干缺陷,顯著提高熱絲利用率和襯底溫度場(chǎng)的均勻性,進(jìn)而提聞BDD電極制備面積和沉積質(zhì)量,具有廣闊的應(yīng)用如景。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0008]改進(jìn)的熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),包括左鑰電極(I),右鑰電極(2),左鑰電極弧形槽(3),右鑰電極弧形槽(4),絕緣Al2O3陶瓷弧形槽(5),主熱絲彈簧架(6),副熱絲彈簧架
(7),彈性鑰片架(8),副熱絲拉緊彈簧(9),主熱絲拉緊彈簧(10),若干長度相等的主熱絲 (11),副熱絲(12),十字空心絕緣Al2O3陶瓷(13),若干螺栓(14),若干彈性鑰片(15),副熱絲支持桿(16),,帶水冷的銅電極支柱(17),見圖1。
[0009]熱絲系統(tǒng)安裝步驟如下:
[0010]整體框架:將熱絲框架擰緊固定,未安裝彈簧的主彈簧架(6)通過陶瓷絕緣片與右鑰電極(2)連接,主熱絲彈簧架(6)與水平面的角度為10°~45°,可調(diào)節(jié)。
[0011]水平方向:將主熱絲(11) 一端固定在左側(cè)彈性鑰片(15)上,之后嵌入左鑰電極弧形槽(3),穿過十字空心絕緣Al2O3陶瓷(13)后,嵌入右鑰電極弧形槽(4),將嵌入后的主熱絲擰成圓環(huán)狀鉤連在主熱絲拉緊彈簧(10)左端,主熱絲拉緊彈簧(10)右端通過彎鉤連接在主熱絲彈簧架(6)相應(yīng)的小孔上。
[0012]垂直方向:將副熱絲(12) —端通過螺栓(14)固定在副熱絲支持桿(16)上,穿過十字空心絕緣Al2O3陶瓷(13),嵌入絕緣Al2O3陶瓷弧形槽(5),鉤連在副熱絲拉緊彈簧(9)上,副熱絲拉緊彈簧(9)另一端通過彎鉤連接于副熱絲彈簧架(7),熱絲布置即完成。布置過程中應(yīng)保證直徑Imm的副熱絲(12)上端與長度相等的主熱絲(11)下端處于同一水平面。
[0013]熱絲布置完以后,將整個(gè)熱絲架放入反應(yīng)腔室中,左、右鑰電極與四個(gè)帶水冷的銅電極支柱(17)用螺栓相互連接固定;檢查主熱絲(11)與副熱絲(12)是否跳離弧形槽,檢查無誤后,即可關(guān)閉反應(yīng)腔室進(jìn)行BDD電極沉積實(shí)驗(yàn)。
[0014]所述主熱絲(11)為鉭或鎢材質(zhì),依據(jù)電沉積需要剪成長度相等的若干段;副熱絲
(12)為直徑Imm的鉭絲;主熱絲彈簧架(6)和鑰片架(8)的外邊條及兩側(cè)為不銹鋼條,用陶瓷絕緣連接;副熱絲支持桿(16)為鑰材質(zhì),長條型,其上表面等間距分布有螺紋;螺栓(14)為鑰材質(zhì),下端加工成螺紋,上端連接副熱絲。
[0015]所述左鑰電極(I)和右鑰電極(2)通過副熱絲彈簧架(7)和副熱絲支持桿(16)相連接固定;左鑰電極(I)和右鑰電極(2)上分別等間距分布左鑰電極弧形槽(3)和右鑰電極弧形槽(4),且分布規(guī)律相同,所有左鑰電極弧形槽(3)和右鑰電極弧形槽⑷的底端都處于同一水平面上。
[0016]若干個(gè)彈性鑰片(15)通過銷釘固定在彈性鑰片架(8)上,與左鑰電極弧形槽(3)平行且一一對(duì)應(yīng),彈性鑰片架(8)與左鑰電極(I)連接固定,整個(gè)彈性鑰片架(8)平面可與水平面呈現(xiàn)10°~45°不同的夾角。
[0017]主熱絲彈簧架(6)通過陶瓷絕緣片與右鑰電極(2)相連接,整個(gè)主熱絲彈簧架(6)平面也可與水平面呈現(xiàn)10°~45°可調(diào)節(jié)的夾角,調(diào)節(jié)角度與彈性鑰片架(8)的角度相一致,角度調(diào)節(jié)程度取決于沉積條件。
[0018]所述十字空心絕緣Al2O3陶瓷,其特征在于:十字空心絕緣Al2O3陶瓷(13)兩個(gè)方向的空心不相通,一端穿過副熱絲(12),一端穿過主熱絲(11),避免了兩者的直接接觸。
[0019]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0020](I)彈性鑰片架平面、主熱絲彈簧架平面與水平面角度為10°~45°,且可視沉積條件進(jìn)行調(diào)節(jié),高效保證了大面積BDD電極制備過程中熱絲平面的水平拉直且不斷裂狀態(tài)。
[0021](2)利用彈簧架與鑰片對(duì)每根熱絲進(jìn)行單獨(dú)調(diào)節(jié),且在熱絲中間下端垂直固定拉緊的、通過Al2O3陶瓷隔離絕緣的副熱絲,保證了每根熱絲在通電加熱時(shí)能夠單獨(dú)受力,彼此不受影響;采用冷銅電極進(jìn)行固定連接,避免了活動(dòng)電極冷卻不足以及滑動(dòng)受阻的缺陷,進(jìn)而使每根熱絲能夠均能夠保持水平拉直且不斷裂狀態(tài)。
[0022](3)左右鑰電極上設(shè)有等間距的弧形槽,保證了沉積過程中基底均勻受熱輻射。彈性鑰片架、彈簧架與鑰電極之間采用絕緣連接,保證了每根彈簧、彈性鑰片及相應(yīng)的框架均無電流通過,沉積過程中整個(gè)外圍框架的熱量主要來自于熱絲輻射。彈簧架和彈性鑰片可保證熱絲與鑰電極之間形成良好的歐姆接觸,且滑動(dòng)順暢,同時(shí)兩端弧面的接觸可使熱絲受熱膨脹后只發(fā)生軸向移動(dòng),不會(huì)發(fā)生徑向滑動(dòng),避免熱絲在沉積過程中出現(xiàn)分布不均和抖動(dòng)。[0023](4)采用絕緣Al2O3陶瓷連接主熱絲與副熱絲,保證主熱絲通電加熱過程中,副熱絲不通電,熱量來源僅僅是主熱絲的輻射熱量。副熱絲由于Al2O3的絕緣作用不會(huì)通電發(fā)生形變,保證了主熱絲中部水平拉直狀態(tài)。由于副熱絲的固定,兩端的彈簧用很小的力即可拉緊主熱絲,保證了主熱絲不易斷裂。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1本發(fā)明改進(jìn)的熱絲系統(tǒng)俯視與側(cè)視圖
[0025]圖2十字絕緣空心Al2O3陶瓷結(jié)構(gòu)圖
[0026]圖3固定螺栓結(jié)構(gòu)圖
[0027]圖4改進(jìn)前后熱絲受力圖和彎矩對(duì)比圖
[0028]圖5實(shí)驗(yàn)室制備的電極SM圖和洛倫茲曲線擬合圖
[0029]圖6實(shí)驗(yàn)室制備的電極與德國鈮基電極的SEM和Raman對(duì)比圖
[0030]圖中數(shù)字說明:左鑰電極(I),右鑰電極(2),左鑰電極弧形槽(3),右鑰電極弧形槽(4),絕緣Al2O3陶瓷弧形槽(5),主熱絲彈簧架(6),副熱絲彈簧架(7),彈性鑰片架(8),副熱絲拉緊彈簧(9),主熱絲拉緊彈簧(10),若干長度相等的主熱絲(11),副熱絲(12),十字空心絕緣Al2O3陶瓷(13),若干螺栓(14),若干彈性鑰片(15),副熱絲支持桿(16),銅電極支柱(17),載物臺(tái)(18),絕緣Al2O3陶瓷(19),螺紋孔(20),水平通心孔(21)。
[0031]實(shí)施實(shí)例
[0032]實(shí)施案例I
[0033]如上所述安裝HFCVD系統(tǒng),在實(shí)驗(yàn)室以直徑200mm的鈦為襯底,甲烷和氫氣為混合氣,制備BDD電極。熱絲陣列由15根直徑0.5mm的鉭絲組成,鉭絲間距15mm,兩鑰電極間距240mm,陣列寬210mm。熱絲與載物臺(tái)間距為8mm,總電流為525A,單根熱絲電流為35A,沉積溫度為2000°C。溫度上升至2000°C以后,變形的熱絲兩端被彈簧和彈性鑰片迅速有效地拉直,使熱絲始終處于平行拉直的平面狀態(tài),保證了襯底溫度場(chǎng)的均勻性;10小時(shí)沉積過程中,彈簧和彈性鑰片均未出現(xiàn)過熱變形失效的狀態(tài),熱絲也未發(fā)生斷裂。SEM及Raman表征、電化學(xué)降解實(shí)驗(yàn)等表明,制備出的直徑200mm的大面積BDD電極性能良好,基底中心與邊緣的成膜質(zhì)量無明顯差異。改進(jìn)前的熱絲系統(tǒng),由于在加熱過程中出現(xiàn)熱絲彎曲或者斷裂,導(dǎo)致溫度場(chǎng)不均勻而無法沉積出大面積BDD電極,或沉積出質(zhì)量較差的BDD電極。與之相比,改進(jìn)后的系統(tǒng)制備出的BDD電極尺寸由直徑60mm增加到直徑200mm,且電極性能良好。
[0034]實(shí)施案例2
[0035] 以直徑30mm的鈦為襯底,甲燒和氫氣為混合氣,米用該熱絲系統(tǒng)制備BDD電極。熱絲陣列由6根直徑0.5mm的鉭絲組成,鉭絲間距15mm,兩鑰電極間距240mm,陣列寬75mm。熱絲與載物臺(tái)間距為8mm,總電流為210A,單根熱絲電流為35A,沉積溫度為2000°C。沉積過程中,熱絲始終保持平直且未斷裂狀態(tài)。SEM表征表明,改進(jìn)后制備的BDD電極基底金剛石顆粒密集且均勻排列,表明金剛石沉積均勻;拉曼光譜洛倫茲曲線擬合出現(xiàn)了典型的硼原子特征峰和金剛石特征峰,說明成功制備出了質(zhì)量較高的硼摻雜金剛石膜電極。該BDD電極與德國鈮基BDD電極表征結(jié)果十分接近,與改進(jìn)前相比性能顯著提高。
【權(quán)利要求】
1.一種防斷裂的熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),包括左鑰電極(1),右鑰電極(2),左鑰電極弧形槽(3),右鑰電極弧形槽(4),絕緣Al2O3陶瓷弧形槽(5),主熱絲彈簧架(6),副熱絲彈簧架(7),彈性鑰片架(8),副熱絲拉緊彈簧(9),主熱絲拉緊彈簧(10),若干長度相等的主熱絲(11),副熱絲(12),十字空心絕緣Al2O3陶瓷(13),若干螺栓(14),若干彈性鑰片(15),副熱絲支持桿(16),帶水冷的銅電極支柱(17)。
2.權(quán)利要求1所述的防斷裂的熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),其安裝步驟如下: 整體框架:將熱絲框架擰緊固定,未安裝彈簧的主熱絲彈簧架(6)通過陶瓷絕緣片與右鑰電極(2)連接,主熱絲彈簧架(6)與水平面的角度為10°~45°,可調(diào)節(jié); 水平方向:將主熱絲(11) 一端固定在左側(cè)彈性鑰片(15)上,之后嵌入左鑰電極弧形槽(3),穿過十字空心絕緣Al2O3陶瓷(13)后,嵌入右鑰電極弧形槽(4),將嵌入后的主熱絲擰成圓環(huán)狀鉤連在主熱絲拉緊彈簧(10)左端,主熱絲拉緊彈簧(10)右端通過彎鉤連接在主熱絲彈簧架(6)相應(yīng)的小孔上; 垂直方向:將副熱絲(12) —端通過螺栓(14)固定在副熱絲支持桿(16)上,穿過十字空心絕緣Al2O3陶瓷(13),嵌入絕緣Al2O3陶瓷弧形槽(5),鉤連在副熱絲拉緊彈簧(9)上,副熱絲拉緊彈簧(9)另一端通過彎鉤連接于副熱絲彈簧架(7),熱絲布置即完成,布置過程中應(yīng)保證直徑Imm的副熱絲(12)上端與長度相等的主熱絲(11)下端處于同一水平面; 熱絲布置完以后,將整個(gè)熱絲架放入反應(yīng)腔室中,左、右鑰電極與四個(gè)帶水冷的銅電極支柱(17)用螺栓相互連接固定;檢查主熱絲(11)與副熱絲(12)是否跳離弧形槽,檢查無誤后,即可關(guān)閉反應(yīng)腔室進(jìn)行BDD電極沉積實(shí)驗(yàn)。
3.權(quán)利要求1所述熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),其中主熱絲(11)為鉭或鎢材質(zhì),依據(jù)電沉積需要剪成長度相等的若干段;副熱絲(12)為直徑Imm的鉭絲;主熱絲彈簧架(6)和彈性鑰片架(8)的外邊條及兩側(cè)為不銹鋼條,用陶瓷絕緣連接;副熱絲支持桿(16)為鑰材質(zhì),長條型,其上表面等間距分布有螺紋;螺栓(14)為鑰材質(zhì),下端加工成螺紋,上端連接副熱絲。
4.權(quán)利要求1所述熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),其中所述左鑰電極⑴和右鑰電極⑵通過副熱絲彈簧架(7)和副熱絲支持桿(16)相連接固定;左鑰電極(1)和右鑰電極(2)上分別等間距分布左鑰電極弧形槽(3)和右鑰電極弧形槽(4),且分布規(guī)律相同,所有左鑰電極弧形槽(3)和右鑰電極弧形槽(4)的底端都處于同一水平面上。
5.權(quán)利要求1所述熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),其中若干個(gè)彈性鑰片(15)通過銷釘固定在彈性鑰片架(8)上,與左鑰電極弧形槽(3)平行且一一對(duì)應(yīng),彈性鑰片架(8)與左鑰電極(1)連接固定,整個(gè)彈性鑰片架(8)平面可與水平面呈現(xiàn)10°~45°不同的夾角。
6.權(quán)利要求1所述熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),其中主熱絲彈簧架(6)通過陶瓷絕緣片與右鑰電極(2)相連接,整個(gè)主熱絲彈簧架(6)平面也可與水平面呈現(xiàn)10°~45°可調(diào)節(jié)的夾角,調(diào)節(jié)角度與彈性鑰片架(8)的角度相一致,角度調(diào)節(jié)程度取決于沉積條件。
7.權(quán)利要求1所述熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),其中十字空心絕緣Al2O3陶瓷(13)兩個(gè)方向的空心不相通,一端穿過副熱絲(12),一端穿過主熱絲(11),避免了兩者的直接接觸。
【文檔編號(hào)】C23C16/46GK103952686SQ201410220223
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月23日
【發(fā)明者】倪晉仁, 苑奎, 崔鋒, 王婷 申請(qǐng)人:北京大學(xué)
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