真空鍍膜的加熱裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種真空鍍膜的加熱裝置，包括若干個通過支架（3）與真空鍍膜箱體（1）內(nèi)壁連接的加熱治具（2），所述加熱治具（2）包括與支架（3）一端連接的反射板（4）、設(shè)置于反射板（4）前側(cè)的可開啟的擋板（6）以及設(shè)置于擋板（6）與反射板（4）兩者之間的加熱器（5），所述反射板（4）內(nèi)側(cè)表面設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)，反射板（4）兩端通過連接板（7）與擋板（6）兩端連接，本發(fā)明布置靈活，便于安裝，解決了受熱不均，加熱效率慢和加熱結(jié)束后和鍍膜的時候鍍膜源發(fā)出的金屬蒸汽沉積到加熱器表面的問題。
【專利說明】真空鍍膜的加熱裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種真空鍍膜的加熱裝置，屬于真空鍍膜機械【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]真空鍍膜技術(shù)作為薄膜設(shè)備的一種重要手段，在現(xiàn)代微電子技術(shù)和微器件設(shè)備中占有特殊重要的地位；這種技術(shù)是指在真空環(huán)境下利用物理或化學(xué)手段在工件表面沉積一層具有特殊用途膜層的表面處理方法。一般將真空鍍膜技術(shù)分為兩大類:一類是物理氣相沉積，稱為PVD ;另一類是化學(xué)氣相沉積，稱為CVD ;其中最簡單最常用的就是熱蒸發(fā)，即利用物質(zhì)受熱后的蒸發(fā)或升華將其轉(zhuǎn)化為氣態(tài)再沉積在基片表面。與此相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備一般包括蒸鍍室、轉(zhuǎn)架系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、進氣系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)和加熱裝置；所述加熱裝置一般包括蒸鍍?nèi)萜骱图訜崞鳌Ｊ褂脮r，將基片固定于轉(zhuǎn)架系統(tǒng)上，將蒸鍍材料置于蒸鍍?nèi)萜髦?，再利用加熱器加熱該蒸鍍?nèi)萜鳎蛊鋬?nèi)的蒸鍍材料轉(zhuǎn)化為氣態(tài)沉積在基片表面，從而達到蒸鍍成膜的目的。在實際應(yīng)用中，通常需要在基片上連續(xù)蒸鍍?nèi)舾蓪硬煌牧系哪?，因而在一個真空鍍膜設(shè)備中通常設(shè)有復(fù)數(shù)個配套的蒸鍍?nèi)萜骱图訜崞?，每個蒸鍍?nèi)萜髦蟹胖靡环N蒸鍍材料，按照實際需求依次將各種蒸鍍材料轉(zhuǎn)化為氣態(tài)再沉積在基片表面，從而完成基片的復(fù)數(shù)層膜層的設(shè)備。
[0003]真空鍍膜機是一種比較常用的設(shè)備，尤其在半導(dǎo)體器件工藝的電極制作工藝中更是應(yīng)用廣泛。真空鍍膜機分為常溫鍍膜及高溫鍍膜，在高溫鍍膜的工況條件下，需要在真空鍍膜箱中對被鍍基片加熱?，F(xiàn)在用于真空鍍膜的加熱裝置多種多樣，但是現(xiàn)在的用于真空鍍膜的加熱裝置大多有加熱效率不高，被鍍基片受熱不均等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種真空鍍膜的加熱裝置，該真空鍍膜的加熱裝置布置靈活，便于安裝，解決了受熱不均，加熱效率慢和加熱結(jié)束后和鍍膜的時候鍍膜源發(fā)出的金屬蒸汽沉積到加熱器表面的問題。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的真空鍍膜的加熱裝置，包括若干個通過支架與真空鍍膜箱體內(nèi)壁連接的加熱治具，所述每個加熱治具包括與支架一端連接的反射板、設(shè)置于反射板前側(cè)的可開啟的擋板以及設(shè)置于擋板與反射板兩者之間的加熱器，所述反射板內(nèi)側(cè)表面設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)，反射板兩端通過連接板與擋板兩端連接。采用這樣的真空鍍膜的加熱裝置，由于若干個加熱治具通過支架與真空鍍膜箱體內(nèi)壁連接，可以使被鍍基片加熱均勻；由于反射板內(nèi)側(cè)表面設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)，這樣可以有效提高加熱器對基片的加熱效率，又由于擋板是可開啟的，這樣在加熱結(jié)束后和鍍膜的時候可關(guān)閉擋板，以屏蔽鍍膜源發(fā)出的金屬蒸汽沉積到加熱器表面。
[0006]所述加熱器功率為lkW。這樣加熱熱量分布均勻，節(jié)能損耗，節(jié)約了資源。 [0007]所述支架包括上支架片和下支架片，上支架片與真空鍍膜箱體內(nèi)壁連接，下支架片與反射板連接，上支架片與下支架片通過轉(zhuǎn)軸連接。采用這種支架，可以通過轉(zhuǎn)動來調(diào)節(jié)角度。
[0008]所述支架是絕緣材料制成。采用絕緣材料，不容易導(dǎo)電。
[0009]所述擋板包括框架、若干個葉片、若干根轉(zhuǎn)軸，葉片兩端通過轉(zhuǎn)軸與框架內(nèi)側(cè)連接，采用這種擋板，開啟和關(guān)閉都比較方便。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0011]圖1是本發(fā)明真空鍍膜的加熱裝置的整體示意圖。
[0012]圖2是本發(fā)明真空鍍膜的加熱裝置的加熱治具示意圖。
[0013]其中有:1.真空鍍膜箱體；2.加熱治具；3.支架；4.反射板；5.加熱器；6.擋板；7.連接板。
【具體實施方式】
[0014]圖1、圖2所示真空鍍膜的加熱裝置包括若干個通過支架3與真空鍍膜箱體I內(nèi)壁連接的加熱治具2，所述每個加熱治具2包括與支架3 —端連接的反射板4、設(shè)置于反射板4前側(cè)的可開啟的擋板6以及設(shè)置于擋板6與反射板4兩者之間的加熱器5，所述反射板4內(nèi)側(cè)表面設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)，反射板4兩端通過連接板7與擋板6兩端連接，所述加熱器5功率為lkW，所述支架3包括上支架片和下支架片，上支架片與真空鍍膜箱體I內(nèi)壁連接，下支架片與反射板4連接，上支架片與下支架片通過轉(zhuǎn)軸連接，所述支架3是絕緣材料制成，所述擋板6包括框架、若干個葉片、若干根轉(zhuǎn)軸，葉片兩端通過轉(zhuǎn)軸與框架內(nèi)側(cè)連接。
[0015]當(dāng)需要調(diào)節(jié)加熱治具2的角度時，只需通過轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動下支架片即可；當(dāng)加熱結(jié)束后和進行鍍膜的時候，只需通過轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動擋板6上的葉片，使葉片閉合，這樣就屏蔽了鍍膜源發(fā)出的金屬蒸汽沉積到加熱器5表面，當(dāng)進行加熱時，只需通過轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動擋板6上的葉片，使葉片打開即可。
[0016]加熱治具2可以設(shè)置于真空鍍膜箱體I內(nèi)部角落處，加熱治具2可以設(shè)置成弧形，加熱治具2的個數(shù)可以根據(jù)實際情況設(shè)置。
[0017]以上實施方式是本發(fā)明優(yōu)選實施方式，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出適當(dāng)變化和修飾，這些變化和修飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種真空鍍膜的加熱裝置，其特征在于:包括若干個通過支架(3)與真空鍍膜箱體(O內(nèi)壁連接的加熱治具(2)，所述每個加熱治具(2)包括與支架(3)—端連接的反射板(4)、設(shè)置于反射板(4)前側(cè)的可開啟的擋板(6)以及設(shè)置于擋板(6)與反射板(4)兩者之間的加熱器(5)，所述反射板(4)內(nèi)側(cè)表面設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)，反射板(4)兩端通過連接板(7)與擋板(6)兩端連接。
2.按照權(quán)利要求1所述的真空鍍膜的加熱裝置，其特征在于:所述加熱器(5)功率為lkW。
3.按照權(quán)利要求1所述的真空鍍膜的加熱裝置，其特征在于:所述支架(3)包括上支架片和下支架片，上支架片與真空鍍膜箱體(1)內(nèi)壁連接，下支架片與反射板(4)連接，上支架片與下支架片通過轉(zhuǎn)軸連接。
4.按照權(quán)利要求1或3所述的真空鍍膜的加熱裝置，其特征在于:所述支架(3)是絕緣材料制成。
5.按照權(quán)利要求1所述的真空鍍膜的加熱裝置，其特征在于:所述擋板(6)包括框架、若干個葉片、若干根轉(zhuǎn)軸 ，葉片兩端通過轉(zhuǎn)軸與框架內(nèi)側(cè)連接。
【文檔編號】C23C14/24GK103993270SQ201410220290
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月22日
【發(fā)明者】王朝陽, 郭磊, 周佳 申請人:無錫啟暉光電科技有限公司