線性蒸發(fā)源及具有所述線性蒸發(fā)源的用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種線性蒸發(fā)源，所述線性蒸發(fā)源包括：加熱模塊，用于自坩鍋加熱沉積材料；噴嘴頭，包括沉積材料容置部及模塊配置部，所述沉積材料容置部用于容置自所述坩鍋傳送的所述沉積材料，所述模塊配置部沿徑向配置于所述沉積材料容置部內(nèi)部，且所述加熱模塊配置于所述模塊配置部中；以及多個噴嘴，所述多個噴嘴中每一噴嘴的一個端部與所述噴嘴頭的所述沉積材料容置部連通且另一個端部暴露于所述噴嘴頭的外部以排放由所述加熱模塊蒸發(fā)的所述沉積材料。
【專利說明】線性蒸發(fā)源及具有所述線性蒸發(fā)源的用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備
[0001]相關(guān)申請案交叉參考
[0002]本申請案主張2013年6月21日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提出申請的第10-2013-0071385號韓國專利申請案的權(quán)益，所述專利申請案的揭示內(nèi)容以引用方式全文并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種線性蒸發(fā)源及一種具有所述線性蒸發(fā)源的用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備，且更具體而言，涉及一種可防止出現(xiàn)堵塞現(xiàn)象而不使用大容量電源供應(yīng)器的線性蒸發(fā)源及一種具有所述線性蒸發(fā)源的用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0004]平板顯示器隨著信息通信技術(shù)的速猛發(fā)展及市場的迅速擴展而作為顯示裝置倍受關(guān)注。平板顯示器包括液晶顯示器(liquid crystal display ;LCD)、等離子顯示面板(plasma display panel ；PDP)及有機發(fā)光二極管(organic light emitting d1de ；OLED)。
[0005]在上述平板顯示器當(dāng)中，OLED因與IXD相比響應(yīng)速度快、功率消耗低、重量輕、不需要額外背光裝置從而實現(xiàn)產(chǎn)品超薄且亮度高而作為下一代顯示裝置受到廣泛關(guān)注。
[0006]當(dāng)在玻璃上依序形成正性層、有機薄層及負性層、且在正性電極與負性電極之間施加電壓而使得在有機薄層中形成適當(dāng)能量差時，OLED自身會發(fā)光。換句話說，注入并重新組合電子與空穴，且以光形式產(chǎn)生剩余的激發(fā)能量。在此操作中，由于光波長可根據(jù)有機物質(zhì)的摻雜劑的量得以調(diào)整，故可產(chǎn)生全色。
[0007]圖1例示OLED的構(gòu)造。參照圖1，OLED包括多個由在玻璃上依序形成的陽極、空穴注入層、空穴傳送層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳送層、電子注入層及陰極構(gòu)成的層。
[0008]在所述構(gòu)造中，陽極主要由具有低表面電阻及高透射率的氧化銦錫(ITO)形成。為提高發(fā)光效率，有機薄層具有多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括空穴注入層(hole inject1nlayer ;HIL)、空穴傳輸層(hole transport layer ;HTL)、發(fā)光層(light emitting layer ；EL)、空穴阻擋層、電子傳輸層(electron transport layer ；ETL)及電子注入層(electroninject1n layer ;EIL)。用于發(fā)光層的有機物質(zhì)可為 Alq3、TPD、PBD、m_MTDATA 或 TCTA。陰極由LiF-Al金屬層形成。由于有機薄層抵御空氣中的水分及氧氣的能力很弱，故在裝置的頂上形成用于囊封裝置的囊封層以增加裝置的光時(light time)。
[0009]簡要總結(jié)圖1所示0LED，所述OLED包括所述陽極、所述陰極及設(shè)置于所述陽極與所述陰陽之間的發(fā)光層。在驅(qū)動期間，空穴自所述陽極注入至所述發(fā)光層中且電子自所述陰極注入至所述發(fā)光層中。注入至所述發(fā)光層中的空穴及電子于所述發(fā)光層中組合以產(chǎn)生激子。當(dāng)所述激子自激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)移至基態(tài)時，發(fā)光。
[0010]所述OLED可根據(jù)所產(chǎn)生的色彩劃分成單色OLED及全色OLED。所述全色OLED包括發(fā)光層，所述發(fā)光層針對作為光的三原色的紅色R、綠色G及藍色B中每一色彩圖案化，進而產(chǎn)生全色。
[0011]作為另外一種選擇，提供一種用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備以制造圖1所示0LED，即，沉積所述發(fā)光層(有機物質(zhì))及所述電極層(無機物質(zhì))。采用真空蒸發(fā)方法的用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備設(shè)置有線性蒸發(fā)源作為用于朝玻璃排放沉積材料的沉積源。
[0012]圖2為用于示意性地例示相關(guān)技術(shù)的線性蒸發(fā)源的構(gòu)造的剖面圖。參照圖2，相關(guān)技術(shù)的線性蒸發(fā)源具有其中加熱單元配置于噴嘴頭I外部的結(jié)構(gòu)。換句話說，加熱絲3、加熱器塊(heater block) 4、反射體5及冷卻套6配置于噴嘴頭I外部。
[0013]這樣，由于相關(guān)技術(shù)的線性蒸發(fā)源具有其中加熱絲3、加熱器塊4、反射體5及冷卻套6配置于噴嘴頭I外部的結(jié)構(gòu)，故噴嘴2的長度隨著噴嘴2通過穿過配置于噴嘴頭I外部的加熱絲3、加熱器塊4、反射體5及冷卻套6連接至噴嘴頭I而增加。
[0014]然而，當(dāng)噴嘴2的長度如在相關(guān)技術(shù)中一樣增加時，極有可能出現(xiàn)因熱量損失而引起的堵塞現(xiàn)象，即，噴嘴2的孔隨著作為沉積材料的有機物質(zhì)硬化而被堵塞。
[0015]為防止出現(xiàn)堵塞現(xiàn)象，即，為防止作為沉積材料的有機物質(zhì)在很長的噴嘴2中硬化，使用具有大容量的電源供應(yīng)器通過增加施加至加熱絲3的加熱功率而以較高溫度加熱沉積材料。在此情況下，用于安裝或維護裝備的成本增加且裝備的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因而制造及維護困難。因此，需要開發(fā)出一種改良式結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明提供一種線性蒸發(fā)源及一種具有所述線性蒸發(fā)源的用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備，所述線性蒸發(fā)源可防止出現(xiàn)堵塞現(xiàn)象而不使用大容量電源供應(yīng)器，進而不僅降低用于安裝或維護裝備的成本而且提高裝備的制造及維護的方便性。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種線性蒸發(fā)源，所述線性蒸發(fā)源包括:加熱模塊，用于自坩鍋加熱沉積材料；噴嘴頭，包括沉積材料容置部及模塊配置部，所述沉積材料容置部用于容置自所述坩鍋傳送的所述沉積材料，所述模塊配置部沿徑向配置于所述沉積材料容置部內(nèi)部，且所述加熱模塊配置于所述模塊配置部中；以及多個噴嘴，所述多個噴嘴中每一噴嘴的一個端部與所述噴嘴的所述沉積材料容置部連通且另一個端部暴露于所述噴嘴頭的外部以排放由所述加熱模塊蒸發(fā)的所述沉積材料。
[0018]所述噴嘴頭可具有雙管結(jié)構(gòu)。
[0019]所述加熱模塊可包括模塊本體及加熱絲，所述加熱絲螺旋配置于所述模塊本體外部。
[0020]可在所述模塊本體的一個端部處形成具有階梯式結(jié)構(gòu)的頭耦合單元，所述噴嘴頭的端部耦合至所述頭耦合單元，且多個切削部可形成于所述頭耦合單元中。
[0021]所述加熱模塊可進一步包括絕緣體，所述絕緣體配置于所述模塊本體外部以支撐所述加熱絲，進而防止所述加熱絲直接接觸所述模塊本體及所述噴嘴頭。
[0022]所述絕緣體可在所述模塊本體外部沿圓周方向以等角間隔設(shè)置有多個且可由多個環(huán)狀構(gòu)件支撐。
[0023]所述線性蒸發(fā)源可進一步包括用于形成所述線性蒸發(fā)源的外觀的外殼，其中在所述外殼中形成噴嘴配置孔，所述多個噴嘴配置于所述噴嘴配置孔中。
[0024]所述線性蒸發(fā)源可進一步包括配置于所述噴嘴頭與所述外殼之間的冷卻套。
[0025]其中所述坩鍋與所述噴嘴頭可彼此耦合的表面形成斜面，可在其中所述坩鍋與所述噴嘴頭彼此耦合的區(qū)域中形成第一凸緣部及第二凸緣部，且當(dāng)所述第一凸緣部與所述第二凸緣部彼此耦合時，所述第一凸緣部與所述第二凸緣部可氣密密封。
[0026]所述坩鍋可包括本體部及傾斜頭部，所述沉積材料容置于所述本體部中，所述傾斜頭部在所述本體部的一個端部處被形成為相對于所述本體部的長度方向以預(yù)定角度傾斜。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備，所述玻璃沉積設(shè)備包括處理室及線性蒸發(fā)源，在所述處理室中對玻璃執(zhí)行沉積工藝，所述線性蒸發(fā)源設(shè)置于所述處理室的一側(cè)以朝所述玻璃排放沉積材料，其中所述線性蒸發(fā)源可包括:力口熱模塊，用于自坩鍋加熱所述沉積材料；噴嘴頭，包括沉積材料容置部及模塊配置部，所述沉積材料容置部用于容置自所述坩鍋傳送的所述沉積材料，所述模塊配置部沿徑向配置于所述沉積材料容置部內(nèi)部，且所述加熱模塊配置于所述模塊配置部中；以及多個噴嘴，所述多個噴嘴中每一噴嘴的一個端部與所述噴嘴頭的所述沉積材料容置部連通且另一個端部暴露于所述噴嘴頭的外部以排放由所述加熱模塊蒸發(fā)的所述沉積材料。
[0028]所述噴嘴頭可具有雙管結(jié)構(gòu)。
[0029]所述加熱模塊可包括:模塊本體；加熱絲，螺旋配置于所述模塊本體外部；以及絕緣體，配置于所述模塊本體外部以支撐所述加熱絲，進而防止所述加熱絲直接接觸所述模塊本體及所述噴嘴頭。
[0030]所述線性蒸發(fā)源可進一步包括用于形成所述線性蒸發(fā)源的外觀的外殼，且在所述外殼中形成噴嘴配置孔，所述多個噴嘴配置于所述噴嘴配置孔中。
[0031]所述線性蒸發(fā)源可進一步包括配置于所述噴嘴頭與所述外殼之間的冷卻套。
[0032]其中所述坩鍋與所述噴嘴頭彼此耦合的表面可形成斜面，所述坩鍋可包括本體部及傾斜頭部，所述沉積材料容置于所述本體部中，所述傾斜頭部在所述本體部的一個端部處被形成為相對于所述本體部的長度方向以預(yù)定角度傾斜，且所述玻璃可為用于有機發(fā)光二極管的玻璃。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]結(jié)合附圖閱讀下文詳細說明將更清楚地理解本發(fā)明各實例性實施例。在附圖中:
[0034]圖1例示OLED的構(gòu)造；
[0035]圖2為用于示意性地例示相關(guān)技術(shù)的線性蒸發(fā)源的構(gòu)造的剖面圖；
[0036]圖3示意性地例示根據(jù)本發(fā)明一實例性實施例的用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備的構(gòu)造；
[0037]圖4例示圖3所示線性蒸發(fā)源的構(gòu)造；
[0038]圖5為圖4所示區(qū)域A的放大圖；
[0039]圖6為圖4所示區(qū)域B的放大圖；
[0040]圖7為噴嘴頭及加熱模塊的透視圖；
[0041]圖8為圖7所示主要部分的放大圖；以及
[0042]圖9為坩鍋的透視圖。
[0043]主要元件標記說明
[0044]1:噴嘴頭
[0045]2:噴嘴
[0046]3:加熱絲
[0047]4:加熱器塊
[0048]5:反射體
[0049]6:冷卻套
[0050]10:處理室
[0051]100:線性沉積源
[0052]110:外殼
[0053]111:噴嘴配置孔
[0054]120:?甘鍋
[0055]121:本體部
[0056]122:傾斜頭部
[0057]122a:第一凸緣部
[0058]130:加熱模塊
[0059]131:模塊本體
[0060]132:加熱絲
[0061]133:絕緣體
[0062]134:頭耦合單元
[0063]134a:切削部
[0064]135:環(huán)狀構(gòu)件
[0065]140:噴嘴頭
[0066]140a:第二凸緣部
[0067]141:沉積材料容置部
[0068]142:模塊配置部
[0069]150:噴嘴
[0070]160:冷卻套
[0071]A:區(qū)域
[0072]B:區(qū)域

【具體實施方式】
[0073]為獲得對本發(fā)明及其優(yōu)點的充分理解，請參照用于例示本發(fā)明各實例性實施例的附圖。
[0074]下文中，將通過參照附圖解釋本發(fā)明各實例性實施例來詳細闡述本發(fā)明。在圖式中，相同的參考編號表不相同的兀件。
[0075]圖3示意性地例示根據(jù)本發(fā)明一實例性實施例的用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備的構(gòu)造。
[0076]在參照圖式來進行說明之前，盡管平板顯示器包括液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(rop)及有機發(fā)光二極管(OLED)，但在以下說明中，平板顯示器被描述為0LED。
[0077]參照圖3，根據(jù)本發(fā)明實例性實施例的用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備包括處理室10及線性沉積源100，在處理室10中對玻璃執(zhí)行沉積工藝，線性沉積源100設(shè)置于處理室10的一側(cè)，并朝玻璃排放沉積材料。
[0078]處理室10為執(zhí)行玻璃沉積工藝的地方。換句話說，處理室10為沉積發(fā)光層(有機物質(zhì))及電極層(無機物質(zhì))以制造圖1所示OLED的地方。根據(jù)本發(fā)明實例性實施例的沉積設(shè)備可為用于沉積有機物質(zhì)的設(shè)備。
[0079]在所述沉積工藝期間，處理室10的內(nèi)部保持真空氣氛。真空泵(圖中未示出)可連接至處理室10。
[0080]線性蒸發(fā)源100設(shè)置于處理室10的一側(cè)以朝玻璃排放沉積材料。
[0081]根據(jù)本發(fā)明實例性實施例的線性蒸發(fā)源100揭示一種集成結(jié)構(gòu)，所述集成結(jié)構(gòu)不需要單獨組裝，因而可防止產(chǎn)生下面將闡述的針對每次使用可能出現(xiàn)的溫度偏差。
[0082]具體而言，由于采用本發(fā)明實例性實施例的線性蒸發(fā)源100，而不需要采用大容量電源供應(yīng)器，故可防止堵塞現(xiàn)象，即，其中圖5所示多個噴嘴150的孔因作為沉積材料的有機物質(zhì)硬化而被堵塞的現(xiàn)象。因此，不僅可降低用于安裝或維護裝備的成本，而且可提高裝備的制造及維護的方便性。
[0083]將參照圖4至圖9詳細闡述本發(fā)明實例性實施例的線性蒸發(fā)源100。
[0084]圖4例示圖3所示線性蒸發(fā)源的構(gòu)造。圖5為圖4所示區(qū)域A的放大圖。圖6為圖4所示區(qū)域B的放大圖。圖7為噴嘴頭及加熱模塊的透視圖。圖8為圖7所示主要部分的放大圖。圖9為坩鍋的透視圖。
[0085]參見圖4至圖9，本發(fā)明實例性實施例的線性蒸發(fā)源100可防止產(chǎn)生堵塞現(xiàn)象而不采用大容量電源供應(yīng)器，且包括外殼110、坩鍋120、加熱模塊130、噴嘴頭140及噴嘴150。
[0086]外殼110形成本發(fā)明實例性實施例的線性蒸發(fā)源100的外觀。當(dāng)本發(fā)明實例性實施例的線性蒸發(fā)源100對水平玻璃執(zhí)行沉積工藝時，外殼110可在處理室10中配置處于水平狀態(tài)(參見圖3)。當(dāng)對垂直玻璃執(zhí)行沉積工藝時，外殼110可在處理室10中配置處于垂直狀態(tài)。
[0087]盡管未詳細闡述，但外殼110可被組裝或拆卸成沿其長度方向連接的多個單元外殼。
[0088]當(dāng)外殼110是通過沿其長度方向連接多個單元外殼制造而成時，有利地是可適當(dāng)使用從小規(guī)格到大規(guī)格的各種規(guī)格。
[0089]由于上述說明僅涉及一個例示性實施例，故本發(fā)明的正確范圍可不僅限于此。
[0090]換句話說，可針對用途單獨制造適用于具有小規(guī)格的處理室的單元外殼及適用于具有大規(guī)格的處理室的單元外殼。所有單元外殼的結(jié)構(gòu)可為相同的。
[0091]如圖4及圖5所示在外殼110中形成噴嘴配置孔111，用于排放被加熱沉積材料的噴嘴150中每一噴嘴配置于噴嘴配置孔111中。噴嘴配置孔111的體積大于噴嘴150中每一噴嘴的體積。噴嘴150中每一噴嘴在噴嘴配置孔111中配置成不自噴嘴配置孔111的外部暴露。
[0092]坩鍋120為耦合至外殼110的一側(cè)的圓柱形結(jié)構(gòu)。被蒸發(fā)以沉積于玻璃的表面上的沉積材料容置于坩鍋120中。容置于坩鍋120中的沉積材料為有機物質(zhì)。
[0093]在坩鍋120的結(jié)構(gòu)中，參照圖9，坩鍋120包括本體部121及傾斜頭部122，沉積材料容置于本體部121中，傾斜頭部122在本體部121的一個端部處被形成為相對于本體部121的長度方向以預(yù)定角度傾斜。
[0094]由于在坩鍋120處形成傾斜頭部122，故坩鍋120可容易可拆卸地耦合至外殼110。另外，由于在坩鍋120處形成傾斜頭部122，故可容易移動要蒸發(fā)的沉積材料。
[0095]噴嘴頭140設(shè)置于外殼110中，噴嘴150耦合至噴嘴頭140。坩鍋120耦合至噴嘴頭140的一端。
[0096]如圖6所示，其中坩鍋120與噴嘴頭140彼此耦合的表面形成斜面。為此目的，在其中坩鍋120與噴嘴頭140彼此耦合的區(qū)域中形成第一凸緣部122a及第二凸緣部140a。
[0097]因此，由于第一凸緣部122a及第二凸緣部140a是通過使第一凸緣部122a與第二凸緣部140a彼此面對呈一角度利用螺釘耦合至彼此，故坩鍋120可容易與噴嘴頭140耦合呈傾斜狀態(tài)。
[0098]當(dāng)?shù)谝煌咕壊?22a與第二凸緣部140a彼此耦合時，第一凸緣部122a與第二凸緣部140a可通過例如插置于第一凸緣部122a與第二凸緣部140a之間的墊圈氣密密封。
[0099]作為另外一種選擇，加熱模塊130加熱自坩鍋120傳送至噴嘴頭140的內(nèi)部的沉積材料。
[0100]在相關(guān)技術(shù)中，加熱模塊130配置于噴嘴頭140外部。因此，噴嘴2(參見圖2)的長度增加，因而可出現(xiàn)堵塞現(xiàn)象。
[0101]另外，為防止出現(xiàn)堵塞現(xiàn)象，通過提高加熱功率將沉積材料加熱至較高溫度。因此，使用具有大容量的電源供應(yīng)器，因而用于安裝或維護裝備的成本增加。此外，裝備的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因而制造及修理裝備可能是困難的。然而，根據(jù)本發(fā)明實例性實施例，由于加熱模塊130配置于噴嘴頭140內(nèi)部，故可明確解決上述問題。
[0102]如圖7及圖8中所示，加熱模塊130包括:模塊本體131 ;加熱絲132，螺旋配置于模塊本體131外部；以及絕緣體133，配置于模塊主體131外部且支撐加熱絲132，進而防止加熱絲132直接接觸模塊本體131及噴嘴頭140。
[0103]當(dāng)如在本發(fā)明實例性實施例中一樣絕緣體133配置于模塊本體131外部且加熱絲132經(jīng)由絕緣體133螺旋纏繞在模塊本體131上，進而形成加熱模塊130時，可大大提高制造的方便性。
[0104]絕緣體133可在模塊本體131外部沿圓周方向以等角間隔設(shè)置有多個。
[0105]在本發(fā)明實例性實施例中，四個絕緣體133在模塊本體131外部沿圓周方向以等角間隔配置，本發(fā)明的正確范圍并不僅限于上述數(shù)目個絕緣體。
[0106]頭耦合單元134進一步設(shè)置于模塊本體131的一個端部處，噴嘴頭140的端部耦合至頭耦合單元134。頭耦合單元134具有階梯式結(jié)構(gòu)。多個切削部134a形成于頭耦合單元134中，但本發(fā)明實例性實施例并不僅限于此。
[0107]多個環(huán)狀構(gòu)件135沿模塊本體131的長度方向設(shè)置于模塊本體131的幾個位置處。環(huán)狀構(gòu)件135支撐絕緣體133。
[0108]作為另外一種選擇，噴嘴頭140不僅形成坩鍋120向其傳送沉積材料的部位，而且其中包括加熱模塊130。此外，噴嘴150耦合至噴嘴頭140的外表面。
[0109]噴嘴頭140具有與相關(guān)技術(shù)不同的雙管結(jié)構(gòu)。換句話說，噴嘴頭140具有包括沉積材料容置部141及模塊配置部142的雙管結(jié)構(gòu),沉積材料容置部141用于容置自坩鍋120傳送的沉積材料，模塊配置部142沿徑向配置于沉積材料容置部141內(nèi)部，且加熱模塊130配置于模塊配置部142中。
[0110]這樣，加熱模塊130在模塊配置部142中配置處于噴嘴頭140的最里部分，并產(chǎn)生熱量。沉積材料自坩鍋120傳送至設(shè)置于模塊配置部142外部的沉積材料容置部141且容置于沉積材料容置部141中。因此，沉積材料可由加熱模塊130加熱，并排放至外部。
[0111]具體而言，由于上述結(jié)構(gòu)不需要例如反射板，故裝備的結(jié)構(gòu)被簡化。因此，不僅裝備的制造可為方便的而且裝備的安裝或維護與修理也可為方便的。
[0112]冷卻套160配置于噴嘴頭140與機殼110之間。冷卻套160冷卻沉積材料的高溫或在裝備的維護與修理期間冷卻噴嘴頭140。
[0113]作為另外一種選擇，噴嘴150中每一噴嘴的一個端部與噴嘴頭140的沉積材料容置部141連通且另一個端部在機殼110的噴嘴配置孔111中配置成暴露于噴嘴頭140外部。噴嘴150朝圖3所示基板排放由加熱模塊130蒸發(fā)的沉積材料。
[0114]在本發(fā)明實例性實施例中，如上所述，加熱模塊130配置于模塊配置部142中(即處于噴嘴頭140的最里側(cè))，并產(chǎn)生熱量，沉積材料自坩鍋120傳送至設(shè)置于模塊配置部142外部的沉積材料容置部141，容置于沉積材料容置部141中，并由加熱模塊130加熱，且噴嘴150連接至沉積材料容置部141。因此，與參照圖2所述的相關(guān)技術(shù)不同，可使噴嘴150的長度保持盡可能的短。因此，可防止噴嘴150的孔隨著作為沉積材料的有機物質(zhì)硬化而被堵塞的堵塞現(xiàn)象。
[0115]下面簡要闡述具有上述結(jié)構(gòu)的用于平板顯示器的基板沉積設(shè)備的操作。
[0116]為對基板執(zhí)行沉積工藝，向線性蒸發(fā)源100的加熱模塊130供應(yīng)電力。
[0117]當(dāng)加熱模塊130因所供應(yīng)電力而被加熱至例如超過幾百度時，熱量被傳遞至噴嘴頭140的沉積材料容置部141。
[0118]然后，加熱并蒸發(fā)自坩鍋120傳送且穿過沉積材料容置部141的沉積材料。因此，沉積材料可經(jīng)由噴嘴150排放至機殼110的外部以沉積于玻璃的表面上。
[0119]在此操作中，可減少經(jīng)由相關(guān)技術(shù)中的反射體的熱量損失，且因此可將加熱模塊130的大部分能量傳遞至噴嘴頭140及噴嘴150。因此，可保持高效率，且因此可使用具有相對小容量的電源供應(yīng)器。
[0120]根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)及操作而不與相關(guān)技術(shù)一樣地使用相對大容量電源供應(yīng)器的本發(fā)明實例性實施例，可防止出現(xiàn)堵塞現(xiàn)象。因此，不僅可減少用于安裝或維護裝備的成本，而且可提高裝備的制造及維護的方便性。
[0121]雖然已參照本發(fā)明各實例性實施例具體顯示并闡述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，在不背離隨附權(quán)利要求書的精神和范圍的條件下，可在形式及細節(jié)上對本發(fā)明作出各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種線性蒸發(fā)源，其特征在于，包括: 加熱模塊，用于自坩鍋加熱沉積材料； 噴嘴頭，包括沉積材料容置部及模塊配置部，所述沉積材料容置部用于容置自所述坩鍋傳送的所述沉積材料，所述模塊配置部沿徑向配置于所述沉積材料容置部內(nèi)部，且所述加熱模塊配置于所述模塊配置部中；以及 多個噴嘴，所述多個噴嘴中每一噴嘴的一個端部與所述噴嘴頭的所述沉積材料容置部連通且另一個端部暴露于所述噴嘴頭的外部以排放由所述加熱模塊蒸發(fā)的所述沉積材料。
2.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其特征在于，所述噴嘴頭具有雙管結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其特征在于，所述加熱模塊包括: 模塊本體；以及 加熱絲，螺旋配置于所述模塊本體外部。
4.如權(quán)利要求3所述的線性蒸發(fā)源，其特征在于，在所述模塊本體的一個端部處形成具有階梯式結(jié)構(gòu)的頭耦合單元，所述噴嘴頭的端部耦合至所述頭耦合單元，且多個切削部形成于所述頭耦合單元中。
5.如權(quán)利要求3所述的線性蒸發(fā)源，其特征在于，所述加熱模塊進一步包括絕緣體，所述絕緣體配置于所述模塊本體外部以支撐所述加熱絲，進而防止所述加熱絲直接接觸所述模塊本體及所述噴嘴頭。
6.如權(quán)利要求5所述的線性蒸發(fā)源，其特征在于，所述絕緣體在所述模塊本體外部沿圓周方向以等角間隔設(shè)置有多個且由多個環(huán)狀構(gòu)件支撐。
7.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其特征在于，進一步包括用于形成所述線性蒸發(fā)源的外觀的外殼， 其中在所述外殼中形成噴嘴配置孔，所述多個噴嘴配置于所述噴嘴配置孔中。
8.如權(quán)利要求7所述的線性蒸發(fā)源，其特征在于，進一步包括配置于所述噴嘴頭與所述外殼之間的冷卻套。
9.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其特征在于，其中所述坩鍋與所述噴嘴頭彼此耦合的表面形成斜面， 在其中所述坩鍋與所述噴嘴頭彼此耦合的區(qū)域中形成第一凸緣部及第二凸緣部，且當(dāng)所述第一凸緣部與所述第二凸緣部彼此耦合時，所述第一凸緣部與所述第二凸緣部氣密密封。
10.如權(quán)利要求1所述的線性蒸發(fā)源，其特征在于，所述坩鍋包括:本體部，所述沉積材料容置于所述本體部中；以及 傾斜頭部，在所述本體部的一個端部處被形成為相對于所述本體部的長度方向以預(yù)定角度傾斜。
11.一種用于平板顯示器的玻璃沉積設(shè)備，所述玻璃沉積設(shè)備包括: 處理室，在所述處理室中對玻璃執(zhí)行沉積工藝；以及 線性蒸發(fā)源，設(shè)置于所述處理室的一側(cè)以朝所述玻璃排放沉積材料， 其中所述線性蒸發(fā)源包括: 加熱模塊，用于自坩鍋加熱所述沉積材料； 噴嘴頭，包括沉積材料容置部及模塊配置部，所述沉積材料容置部用于容置自所述坩鍋傳送的所述沉積材料，所述模塊配置部徑向配置于所述沉積材料容置部內(nèi)部，且所述加熱模塊配置于所述模塊配置部中；以及 多個噴嘴，所述多個噴嘴中的每一噴嘴的一個端部與所述噴嘴頭的所述沉積材料容置部連通且另一個端部暴露于所述噴嘴頭的外部以排放由所述加熱模塊蒸發(fā)的所述沉積材料。
12.如權(quán)利要求11所述的玻璃沉積設(shè)備，其特征在于，所述噴嘴頭具有雙管結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求11所述的玻璃沉積設(shè)備，其特征在于，所述加熱模塊包括: 模塊本體； 加熱絲，螺旋配置于所述模塊本體外部；以及 絕緣體，配置于所述模塊本體外部以支撐所述加熱絲，進而防止所述加熱絲直接接觸所述模塊本體及所述噴嘴頭。
14.如權(quán)利要求11所述的玻璃沉積設(shè)備，其特征在于，所述線性蒸發(fā)源進一步包括用于形成所述線性蒸發(fā)源的外觀的外殼，且 在所述外殼中形成噴嘴配置孔，所述多個噴嘴配置于所述噴嘴配置孔中。
15.如權(quán)利要求14所述的玻璃沉積設(shè)備，其特征在于，所述線性蒸發(fā)源進一步包括配置于所述噴嘴頭與所述外殼之間的冷卻套。
16.如權(quán)利要求11所述的玻璃沉積設(shè)備，其特征在于，其中所述坩鍋與所述噴嘴頭彼此耦合的表面形成斜面， 所述坩鍋包括本體部及傾斜頭部，所述沉積材料容置于所述本體部中，所述傾斜頭部在所述本體部的一個端部處被形成為相對于所述本體部的長度方向以預(yù)定角度傾斜，且 所述玻璃為用于有機發(fā)光二極管的玻璃。
【文檔編號】C23C14/26GK104233198SQ201410256362
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月21日
【發(fā)明者】金榮道, 姜敞皓 申請人:Sfa工程股份有限公司