基于ito加熱片的金屬膜電極的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了基于ITO加熱片的金屬膜電極的制作方法，首先將ITO基板依次用丙酮溶液、無(wú)水乙醇和去離子水各超聲處理10分鐘；用氧等離子清洗機(jī)清洗7分鐘，使得ITO基板表面清洗干凈；把ITO基板移至手套箱中；將ITO基板的一面和掩膜板完全貼合；把ITO基板和掩膜板移至真空蒸鍍系統(tǒng)的真空腔室內(nèi)的基片架上；將真空腔室中的氮?dú)鈿怏w抽出，用功率為600w的電子束濺射金屬，金屬受熱開始蒸發(fā)，同時(shí)用膜厚儀的晶振片檢測(cè)濺射速率，當(dāng)速率能穩(wěn)定達(dá)到20?/S時(shí)，打開擋板；此時(shí)，金屬分子開始蒸鍍到ITO基板上。本發(fā)明電極上電阻分布均勻，壓降均勻，使得ITO面板生熱均勻，沒有使用膠體等有機(jī)物，避免了電極的老化現(xiàn)象。
【專利說明】基于ITO加熱片的金屬膜電極的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明主要涉及金屬膜電極制作領(lǐng)域，尤其涉及一種基于Ι--加熱片的金屬膜電 極的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 針對(duì)LCD ( Liquid Crystal Display )在低溫不能工作的情況，通過采用ΙΤ0 (Indium Tin Oxides)玻璃面板用作加熱片，以此作為IXD工作時(shí)的加熱元件，使得IXD屏 在低溫時(shí)通過ΙΤ0面板的生熱到達(dá)工作時(shí)的溫度要求。目前ΙΤ0面板的電極主要通過涂覆 導(dǎo)電銀漿的方式制作，但通過這種方式涂覆的導(dǎo)電銀漿不均勻，造成電流分布不均勻，局部 生熱現(xiàn)象嚴(yán)重。且長(zhǎng)時(shí)間工作，會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電銀漿的老化、脫落，影響IXD器件的工作。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明目的就是為了彌補(bǔ)已有技術(shù)的缺陷，提供一種基于ΙΤ0加熱片的金屬膜電 極的制作方法，用真空蒸鍍的方式蒸鍍一層金屬電極膜，形成均勻的電極，使得流過整個(gè) ΙΤ0面板的電流均勻，產(chǎn)生的熱量均勻。
[0004] 本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的： 基于ΙΤ0加熱片的金屬膜電極的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 首先將ΙΤ0基板依次用丙酮溶液、無(wú)水乙醇和去離子水各超聲處理8-12分鐘；其 中丙酮溶液的濃度為99%-99. 5%，主要是清洗ΙΤ0玻璃基板上的有機(jī)物，無(wú)水乙醇主要是清 洗殘留的丙酮溶液，去離子水是清洗殘留的無(wú)水乙醇和ΙΤ0基板表面的顆粒物； (2) 然后用氧等離子清洗機(jī)清洗5-10分鐘，使得ΙΤ0基板表面清洗干凈； (3) 再把ΙΤ0基板移至手套箱中，在手套箱中將ΙΤ0基板和掩膜板固定；手套箱參數(shù)為： 氧含量〈〇· lppm，水含量〈0· Olppm); (4) 在手套箱中將ΙΤ0基板的一面和掩膜板完全貼合，掩膜板的作用是制備電極部分， 在蒸鍍時(shí)，金屬只蒸鍍到ΙΤ0基板的電極部分； (5) 把ΙΤ0基板和掩膜板移至真空蒸鍍系統(tǒng)的真空腔室內(nèi)的基片架上，真空蒸鍍系統(tǒng) 包括有真空腔室，真空腔室的一側(cè)開孔并密封連接冷凝泵，冷凝泵通過冷凝管連接機(jī)械泵， 真空腔室內(nèi)下端設(shè)有蒸發(fā)源、上端一側(cè)設(shè)有膜厚儀，真空腔室中還設(shè)有旋轉(zhuǎn)桿一，旋轉(zhuǎn)桿一 的頂部固定有擋板，擋板的一側(cè)固定在旋轉(zhuǎn)桿一上，擋板的上方設(shè)有基片架；基片架固定在 其上方的旋轉(zhuǎn)桿二上，蒸發(fā)源與電源連接； (6) 將真空腔室中的氮?dú)鈿怏w抽出，當(dāng)腔室內(nèi)的真空度達(dá)到<l(T7T〇rr時(shí)開始蒸鍍，用 功率為600w的電子束濺射金屬，金屬受熱開始蒸發(fā)，同時(shí)用膜厚儀的晶振片檢測(cè)濺射速 率，當(dāng)速率能穩(wěn)定達(dá)到20A/S時(shí)，通過旋轉(zhuǎn)桿一的轉(zhuǎn)動(dòng)打開擋板；此時(shí)，金屬分子開始蒸鍍 至IJ ΙΤ0基板上；工作時(shí)ΙΤ0基板是通過基片架連接的旋轉(zhuǎn)桿二不停的旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為20轉(zhuǎn)/ 分鐘。
[0005] 本發(fā)明的原理是： 擋板連接的旋轉(zhuǎn)桿一是控制擋板的開合，目的當(dāng)蒸鍍速率穩(wěn)定時(shí)打開擋板，使金屬穩(wěn) 定的蒸鍍到基板上。而與基片架連接的旋轉(zhuǎn)桿二是控制基片架的旋轉(zhuǎn)，使基片架在整個(gè)蒸 鍍過程中保持以一定速率旋轉(zhuǎn)，使得蒸鍍的材料均勻。
[0006] 本發(fā)明通過高溫蒸鍍的方式在ΙΤ0基板上均勻的蒸鍍一層金屬電極膜，使得電阻 分布均勻，在加載電流時(shí)，壓降均勻，電流可以均勻的流過整個(gè)ΙΤ0面板，使得ΙΤ0面板生熱 均勻。
[0007] 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是： 本發(fā)明電極上電阻分布均勻，壓降均勻，使得ΙΤ0面板生熱均勻，沒有使用膠體等有機(jī) 物，避免了電極的老化現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 圖1為本發(fā)明的真空蒸鍍系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 圖2為ΙΤ0金屬|(zhì)旲電極基片不意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010] 如圖1、2所示，基于ΙΤ0加熱片的金屬膜電極的制作方法，包括以下步驟： (1) 首先將ΙΤ0基板依次用丙酮溶液、無(wú)水乙醇和去離子水各超聲處理10分鐘；其中 丙酮溶液的濃度為99. 5%，主要是清洗ΙΤ0玻璃基板上的有機(jī)物，無(wú)水乙醇主要是清洗殘留 的丙酮溶液，去離子水是清洗殘留的無(wú)水乙醇和ΙΤ0基板表面的顆粒物； (2) 然后用氧等離子清洗機(jī)清洗7分鐘，使得ΙΤ0基板表面清洗干凈； (3) 再把ΙΤ0基板移至手套箱中，在手套箱中將ΙΤ0基板和掩膜板固定；手套箱參數(shù)為： 氧含量〈〇· lppm，水含量〈0· Olppm); (4) 將ΙΤ0基板的一面和掩膜板完全貼合，掩膜板的作用是制備電極部分，在蒸鍍時(shí)， 金屬只蒸鍍到ΙΤ0基板的電極部分，即圖2的陰影部分； (5) 如圖1，把ΙΤ0基板1和掩膜板移至真空蒸鍍系統(tǒng)的真空腔室2內(nèi)的基片架3上， 真空蒸鍍系統(tǒng)包括有真空腔室2,真空腔室2的一側(cè)開孔并密封連接冷凝泵4,冷凝泵4通 過冷凝管5連接機(jī)械泵6,真空腔室2內(nèi)下端設(shè)有蒸發(fā)源7、上端一側(cè)設(shè)有膜厚儀8,真空腔 室2中還設(shè)有旋轉(zhuǎn)桿9,旋轉(zhuǎn)桿9的頂部固定有擋板10,擋板10的一側(cè)固定在旋轉(zhuǎn)桿9上， 擋板10的上方設(shè)有基片架3 ;基片架3固定在其上方的旋轉(zhuǎn)桿11上，蒸發(fā)源7與電源12連 接； (6) 將真空腔室2中的氮?dú)鈿怏w抽出，當(dāng)腔室內(nèi)的真空度達(dá)到<l(T7T〇rr時(shí)開始蒸鍍， 用功率為600w的電子束濺射金屬，金屬受熱開始蒸發(fā)，同時(shí)用膜厚儀的晶振片檢測(cè)濺射速 率，當(dāng)速率能穩(wěn)定達(dá)到20A/S時(shí)，通過旋轉(zhuǎn)桿9的轉(zhuǎn)動(dòng)打開擋板10 ;此時(shí)，金屬分子開始蒸 鍍到ΙΤ0基板1上；工作時(shí)ΙΤ0基板1是通過基片架3連接的旋轉(zhuǎn)桿11不停的旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速 為20轉(zhuǎn)/分鐘。
[0011] 在金屬電極材料選擇方面，選用金屬鋁作為實(shí)驗(yàn)材料。由于電阻值和鋁膜的厚度 密切相關(guān)，將金屬電極膜均勻的分成四等份，用臺(tái)階儀測(cè)量金屬膜電極各個(gè)等份的膜厚和 電阻值。數(shù)據(jù)如下：

【權(quán)利要求】
1.基于ITO加熱片的金屬膜電極的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 首先將ΙΤ0基板依次用丙酮溶液、無(wú)水乙醇和去離子水各超聲處理8-12分鐘；其 中丙酮溶液的濃度為99%-99. 5% ; (2) 然后用氧等離子清洗機(jī)清洗5-10分鐘，使得ΙΤ0基板表面清洗干凈； (3) 再把ΙΤ0基板移至手套箱中，在手套箱中將ΙΤ0基板和掩膜板固定；手套箱參數(shù)為： 氧含量〈〇· lppm，水含量〈0· Olppm); (4) 在手套箱中將ITO基板的一面和掩膜板完全貼合，掩膜板的作用是制備電極部分， 在蒸鍍時(shí)，金屬只蒸鍍到IT0基板的電極部分； (5) 把IT0基板和掩膜板移至真空蒸鍍系統(tǒng)的真空腔室內(nèi)的基片架上，真空蒸鍍系統(tǒng) 包括有真空腔室，真空腔室的一側(cè)開孔并密封連接冷凝泵，冷凝泵通過冷凝管連接機(jī)械泵， 真空腔室內(nèi)下端設(shè)有蒸發(fā)源、上端一側(cè)設(shè)有膜厚儀，真空腔室中還設(shè)有旋轉(zhuǎn)桿一，旋轉(zhuǎn)桿一 的頂部固定有擋板，擋板的一側(cè)固定在旋轉(zhuǎn)桿一上，擋板的上方設(shè)有基片架；基片架固定在 其上方的旋轉(zhuǎn)桿二上，蒸發(fā)源與電源連接； (6) 將真空腔室中的氮?dú)鈿怏w抽出，當(dāng)腔室內(nèi)的真空度達(dá)到<l(T7T〇rr時(shí)開始蒸鍍，用 功率為600w的電子束濺射金屬，金屬受熱開始蒸發(fā)，同時(shí)用膜厚儀的晶振片檢測(cè)濺射速 率，當(dāng)速率能穩(wěn)定達(dá)到20A/S時(shí)，通過旋轉(zhuǎn)桿一的轉(zhuǎn)動(dòng)打開擋板；此時(shí)，金屬分子開始蒸鍍 至IJ IT0基板上；工作時(shí)IT0基板是通過基片架連接的旋轉(zhuǎn)桿二不停的旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為20轉(zhuǎn)/ 分鐘。
【文檔編號(hào)】C23C14/46GK104195509SQ201410259664
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年6月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月10日
【發(fā)明者】胡俊濤, 余承東, 程群, 宗艷鳳, 梅文娟, 鄧亞飛, 呂國(guó)強(qiáng) 申請(qǐng)人:合肥工業(yè)大學(xué)