一種解決teos機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法
【專利摘要】一種解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，包括進口管路、流量計、薄膜分支管路、薄膜分支管路的霧化器、厚膜分支管路、厚膜分支管路的霧化器和工藝腔室，TEOS機臺保養(yǎng)后，通過淀積TEOS厚膜和淀積TEOS薄膜的工藝方法，以跑假片的方式，對厚膜分支管路和薄膜分支管路分別各進行至少一次的清潔處理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒；本發(fā)明能有效解決由于管路氣體回流造成的二次顆粒污染，并使得薄膜分支管路和厚膜分支管路中的結(jié)晶顆粒都得到有效清潔，從而解決機臺保養(yǎng)后的顆粒跳高問題。
【專利說明】一種解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造【技術(shù)領域】，更具體地說，涉及一種解決薄膜淀積工藝中TEOS (四乙基氧化硅)工藝機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體集成電路制造工藝中，TEOS淀積二氧化硅由于臺階覆蓋性好，成本低，作為介質(zhì)層被廣泛使用，其中，TEOS淀積是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應劑引入反應室，在硅片表面發(fā)生化學反應，從而生成所需的固態(tài)薄膜并淀積在其表面的工藝。在實際量產(chǎn)中，為了節(jié)約成本和產(chǎn)能的靈活調(diào)配，通常將TEOS厚膜工藝與TEOS薄膜工藝應用于同一機臺，如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TEOS機臺薄膜分支管路和厚膜分支管路示意圖，其中，I為進口管路，2為流量計，3為薄膜分支管路，4為薄膜分支管路的霧化器，5為工藝腔室，
6為厚膜分支管路，7為厚膜分支管路的霧化器；在圖1中，液態(tài)TEOS經(jīng)進口管路和流量計后，分叉到兩路管路，一路是薄膜分支管路和薄膜分支管路的霧化器，然后到工藝腔室進行淀積TEOS薄膜處理；另外一路是厚膜分支管路和厚膜分支管路的霧化器，然后到工藝腔室進行淀積TEOS厚膜處理；但是在實際的TEOS淀積工藝量產(chǎn)中，特別是在TEOS機臺保養(yǎng)后，總是出現(xiàn)顆粒跳 高現(xiàn)象，嚴重的還會使首I~3批硅片批受害，顆粒跳高現(xiàn)象指氣體中夾雜有顆粒形態(tài)的小顆粒，在覆膜產(chǎn)品上就會造成凸點，凸點處容易造成銅線斷開、缺損等良率和產(chǎn)品的可靠性問題；例如使用LAM(泛林)公司Vector做TEOS淀積工藝中，在TEOS淀積工藝量產(chǎn)中，特別是在機臺保養(yǎng)后，總是出現(xiàn)顆粒跳高現(xiàn)象；主要原因是TEOS作為液態(tài)源，很容易遇冷結(jié)晶，特別是在管道的彎道、閥門和霧化器等有機構(gòu)阻力的位置。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，對于解決TEOS作為液態(tài)源容易遇冷結(jié)晶的方法，目前業(yè)界的先進方法是在TEOS的氣體管路上用加熱帶來保溫，加熱帶通過電阻絲的加熱使TEOS氣體管路的溫度高于TEOS結(jié)晶的溫度，以達到防止TEOS結(jié)晶的方法，減少TEOS機臺在使用中出現(xiàn)的顆粒跳高現(xiàn)象。
[0004]然而，目前的在TEOS的氣體管路上用加熱帶來保溫的方法，只能減少TEOS機臺在使用中出現(xiàn)的顆粒跳高現(xiàn)象，但是在遇到機臺保養(yǎng)時，TEOS機臺就必須降溫開腔，包括工藝腔室降溫和加熱帶降溫；這種降溫的動作，容易造成殘余在管路里的TEOS冷凝結(jié)晶，復機后隨反應源氣流進入工藝腔室從而又產(chǎn)生工藝顆粒跳高問題。
[0005]如果希望在機臺保養(yǎng)后，仍能保證沒有顆粒跳高問題，則需要有跑假片(以硅片為測試片進行薄膜淀積處理)的工藝處理過程，現(xiàn)有的跑假片方式為了節(jié)省時間和成本，通常只使用TEOS厚膜工藝，即通過使用淀積TEOS厚膜的工藝方法，把厚膜分支管道中的顆粒進行沖刷以排出管道，避免管道中的結(jié)晶顆粒造成產(chǎn)品中的跳高問題。
[0006]然而，本領域技術(shù)人員清楚，只使用淀積TEOS厚膜工藝，而沒有使用淀積TEOS薄膜工藝，TEOS薄膜分支管路得不到有效凈化，再加上管道的彎道、閥門和霧化器等有機構(gòu)阻力的位置，往往沉積有結(jié)晶顆粒，并會因為管路分叉口處的回流作用，薄膜分支管路中冷凝結(jié)晶的TEOS顆粒仍然會返回厚膜分支管路，造成厚膜分支管路的再次污染，所以TEOS機臺保養(yǎng)復機后，TEOS厚膜分支管道和TEOS薄膜分支管道中，都會出現(xiàn)造成顆粒跳高的結(jié)晶顆粒。
[0007]因此，本領域的技術(shù)人員致力于開發(fā)一種解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，以能有效防止機臺保養(yǎng)后首批產(chǎn)品硅片的顆粒受害，從而提高了產(chǎn)品的良率、穩(wěn)定性和可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本發(fā)明的目的在于有效防止TEOS機臺保養(yǎng)后首批產(chǎn)品硅片的顆粒受害，從而提高了產(chǎn)品的良率、穩(wěn)定性和可靠性。
[0009]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種有效解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，通過淀積TEOS厚膜和淀積TEOS薄膜的工藝方法，以跑假片的方式，向厚膜分支管路和薄膜分支管路分別通入TE0S，對厚膜分支管路和薄膜分支管路分別各進行至少一次的清潔處理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒，使得兩路薄膜分支管路和厚膜分支管路都得到有效清潔，并有效解決由于管路氣體回流造成的二次顆粒污染問題。本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0010]一種解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，所述TEOS機臺包括有進口管路、薄膜分支管路、厚膜分支管路和工藝腔室，所述進口管路裝有流量計，所述薄膜分支管路和厚膜分支管路分別裝有霧化器，所述薄膜分支管路和厚膜分支管路分別連通所述TEOS機臺的工藝腔室，其特征在于，所述解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法是通過淀積TEOS厚膜和淀積TEOS薄膜的工藝方法，以 跑假片的方式，向所述厚膜分支管路和薄膜分支管路分別通入TE0S，對所述厚膜分支管路和薄膜分支管路分別各進行至少一次的清潔處理，以排出所述薄膜分支管路和厚膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒；其中，在對所述厚膜分支管路進行清潔處理時，選用淀積TEOS厚膜工藝跑假片，由所述進口管路通入的TE0S，經(jīng)所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口進入所述厚膜分支管路，并排向所述工藝腔室，在對所述薄膜分支管路進行清潔處理時，選用淀積TEOS薄膜工藝跑假片，由所述進口管路通入的TE0S，經(jīng)所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口進入所述薄膜分支管路，并排向所述工藝腔室。
[0011]優(yōu)選地，對所述厚膜分支管路和薄膜分支管路交替進行清潔處理。
[0012]優(yōu)選地，先對所述薄膜分支管路進行清潔處理，再對所述厚膜分支管路進行清潔處理。
[0013]優(yōu)選地，先對所述薄膜分支管路進行清潔處理，再對所述厚膜分支管路進行清潔處理，然后，再次對所述薄膜分支管路進行清潔處理。
[0014]優(yōu)選地，對所述厚膜分支管路進行清潔處理時，打開所述進口管路的所述流量計、所述厚膜分支管路的霧化器，關閉所述薄膜分支管路的霧化器，由所述進口管路通入的TE0S，經(jīng)所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口進入所述厚膜分支管路，并排向所述工藝腔室，以排出所述厚膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒。
[0015]優(yōu)選地，對所述薄膜分支管路進行清潔處理時，打開所述進口管路的所述流量計、所述薄膜分支管路的霧化器，關閉所述厚膜分支管路的霧化器，由所述進口管路通入的TE0S，經(jīng)所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口進入所述薄膜分支管路，并排向所述工藝腔室，以排出所述薄膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒。
[0016]優(yōu)選地，對所述薄膜分支管路進行清潔處理時，選用淀積TEOS薄膜工藝跑假片，淀積時間為6~Ssec ;對所述厚膜分支管路進行清潔處理時，選用淀積TEOS厚膜工藝跑假片，淀積時間為5~7sec。
[0017]此處設計的目的在于，通過淀積TEOS厚膜和淀積TEOS薄膜的工藝方法，以跑假片的方式，對厚膜分支管路和薄膜分支管路分別通入TE0S，對厚膜分支管路和薄膜分支管路分別各進行至少一次的清潔處理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒，并通過操作系統(tǒng)一次性完成，使得兩路薄膜分支管路和厚膜分支管路都得到有效清潔，能避免管路氣體的回流造成的二次顆粒污染問題，以消除機臺保養(yǎng)帶來的顆粒問題，從而解決機臺保養(yǎng)后的顆粒跳高問題；清潔薄膜分支管路的淀積時間為6~8sec，清潔厚膜分支管路的淀積時間為5~7sec，以在保證清潔效果的前提下，縮短清潔作業(yè)時間，減少淀積TEOS的成本浪費。
[0018]優(yōu)選地，對所述薄膜分支管路進行清潔處理時，TEOS的通入流量為0.1~2mgm，對所述厚膜分支管路進行清潔處理時，TEOS的通入流量為10~20mgm。
[0019]此處設計的目的在于，所選跑假片時的所選流量的工藝參數(shù)，能在保證有效沖刷管道的同時，減少管道的彎道、閥門等機構(gòu)阻力處出現(xiàn)沉積結(jié)晶顆粒的現(xiàn)象，以防止機臺保養(yǎng)帶來的顆粒跳高問題，同時又能減少跑假片時所造成的成本浪費和時間的消耗。
[0020]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明一種解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，通過淀積TEOS厚膜和淀積TEOS薄膜的工藝方法，以跑假片的方式，向厚膜分支管路和薄膜分支管路分別通入TE0S，對厚膜分支管路和薄膜分支管路分別各進行至少一次的清潔處理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒，使得兩路薄膜分支管路和厚膜分支管路都得到有效清潔，并有效解決由于管路氣體回流造成的二次顆粒污染。
[0021]以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的構(gòu)思、具體流程及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進一步說明，以充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TEOS機臺薄膜分支管路和厚膜分支管路示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明一種解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法的工藝流程框圖；
[0024]圖3為本發(fā)明中淀積TEOS薄膜以清潔薄膜分支管路的TEOS流向示意圖；
[0025]圖4為本發(fā)明中淀積TEOS厚膜以清潔厚膜分支管路的TEOS流向示意圖。
[0026]圖中，I為進口管路，2為流量計，3為薄膜分支管路，4為薄膜分支管路的霧化器，5為工藝腔室，6為厚膜分支管路，7為厚膜分支管路的霧化器。
【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖2~4，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步的詳細說明。
[0028] 需要說明的是，在下述實施例中，以采用6英寸大小的硅片作為假片為例進行說明；如圖2，圖2為本發(fā)明一種解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法的工藝流程框圖，其說明了一種有效解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，所述TEOS機臺包括有進口管路1、薄膜分支管路3和厚膜分支管路6，所述進口管路I裝有流量計2，所述薄膜分支管路3和厚膜分支管路6分別裝有霧化器，所述薄膜分支管路3和厚膜分支管路6分別連通所述TEOS機臺的工藝腔室5。
[0029]在實施例的清潔處理中，先對所述薄膜分支管路3進行清潔處理，如圖2中的步驟SOI，再對所述厚膜分支管路6進行清潔處理，如圖2中的步驟S02，然后，再次對所述薄膜分支管路3進行清潔處理，如圖2中的步驟S03。
[0030]請參閱圖4，圖4為本發(fā)明中淀積TEOS厚膜以清潔厚膜分支管路的TEOS流向示意圖；如圖4所示，對所述厚膜分支管路6進行清潔處理時，打開所述進口管路I的所述流量計2、所述厚膜分支管路的霧化器7，關閉所述薄膜分支管路的霧化器4，由所述進口管路I通入的TE0S，經(jīng)所述厚膜分支管路6和薄膜分支管路3的交叉口進入所述厚膜分支管路6，并排向所述工藝腔室5，以排出所述厚膜分支管路6中的結(jié)晶小顆粒；對所述厚膜分支管路6進行清潔處理時，淀積時間為5sec，TEOS的通入流量為lOmgm。
[0031]請參閱圖3，圖3為本發(fā)明中淀積TEOS薄膜以清潔薄膜分支管路的TEOS流向示意圖；如圖3所示，對所述薄膜分支管路3進行清潔處理時，打開所述進口管路I的所述流量計2、所述薄膜分支管路的霧化器4，關閉所述厚膜分支管路的霧化器7，由所述進口管路I通入的TEOS，經(jīng)所述厚膜分支管路6和薄膜分支管路3的交叉口進入所述薄膜分支管路3，并排向所述工藝腔室5，以排出所述薄膜分支管路3中的結(jié)晶小顆粒；對所述薄膜分支管路3進行清潔處理時，淀積時間為6sec，TEOS的通入流量為0.lmgm。
[0032]從上述實 施例可以看出，本發(fā)明一種有效解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，通過淀積TEOS厚膜和淀積TEOS薄膜的工藝方法，以跑假片的方式，對厚膜分支管路6和薄膜分支管路3分別通入TEOS，對厚膜分支管路6進行一次的清潔處理，對薄膜分支管路3進行兩次的清潔處理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒，使得兩路薄膜分支管路和厚膜分支管路都得到有效清潔，并有效解決由于管路氣體回流造成的二次顆粒污染。
[0033]以上所述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述實施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護范圍，因此凡是運用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，所述TEOS機臺包括有進口管路、薄膜分支管路、厚膜分支管路和工藝腔室，所述進口管路裝有流量計，所述薄膜分支管路和厚膜分支管路分別裝有霧化器，所述薄膜分支管路和厚膜分支管路分別連通所述TEOS機臺的工藝腔室，其特征在于，所述解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法是通過淀積TEOS厚膜和淀積TEOS薄膜的工藝方法，以跑假片的方式，向所述厚膜分支管路和薄膜分支管路分別通入TE0S，對所述厚膜分支管路和薄膜分支管路分別各進行至少一次的清潔處理，以排出所述薄膜分支管路和厚膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒；其中，在對所述厚膜分支管路進行清潔處理時，選用淀積TEOS厚膜工藝跑假片，由所述進口管路通入的TE0S，經(jīng)所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口進入所述厚膜分支管路，并排向所述工藝腔室，在對所述薄膜分支管路進行清潔處理時，選用淀積TEOS薄膜工藝跑假片，由所述進口管路通入的TE0S，經(jīng)所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口進入所述薄膜分支管路，并排向所述工藝腔室。
2.如權(quán)利要求1所述的解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，其特征在于，對所述厚膜分支管路和薄膜分支管路交替進行清潔處理。
3.如權(quán)利要求1所述的解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，其特征在于，先對所述薄膜分支管路進行清潔處理，再對所述厚膜分支管路進行清潔處理。
4.如權(quán)利要求1所述的解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，其特征在于，先對所述薄膜分支管路進行清潔處理，再對所述厚膜分支管路進行清潔處理，然后，再次對所述薄膜分支管路進行清潔處理。
5.如權(quán)利 要求1~4任意一項所述的解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，其特征在于，對所述厚膜分支管路進行清潔處理時，打開所述進口管路的所述流量計、所述厚膜分支管路的霧化器，關閉所述薄膜分支管路的霧化器，由所述進口管路通入的TE0S，經(jīng)所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口進入所述厚膜分支管路，并排向所述工藝腔室，以排出所述厚膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒。
6.如權(quán)利要求1~4任意一項所述的解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，其特征在于，對所述薄膜分支管路進行清潔處理時，打開所述進口管路的所述流量計、所述薄膜分支管路的霧化器，關閉所述厚膜分支管路的霧化器，由所述進口管路通入的TE0S，經(jīng)所述厚膜分支管路和薄膜分支管路的交叉口進入所述薄膜分支管路，并排向所述工藝腔室，以排出所述薄膜分支管路中的結(jié)晶小顆粒。
7.如權(quán)利要求1~4任意一項所述的解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，其特征在于，對所述薄膜分支管路進行清潔處理時，選用淀積TEOS薄膜工藝跑假片，淀積時間為6~Ssec ;對所述厚膜分支管路進行清潔處理時，選用淀積TEOS厚膜工藝跑假片，淀積時間為5~7sec0
8.如權(quán)利要求1~4任意一項所述的解決TEOS機臺保養(yǎng)后顆粒跳高的方法，其特征在于，對所述薄膜分支管路進行清潔處理時，TEOS的通入流量為0.1~2mgm，對所述厚膜分支管路進行清潔處理時，TEOS的通入流量為10~20mgm。
【文檔編號】C23C16/40GK104032281SQ201410286826
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月24日
【發(fā)明者】顧梅梅, 謝素蘭, 陳建維, 張旭升 申請人:上海華力微電子有限公司