蒸發(fā)源及蒸鍍裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種蒸發(fā)源及蒸鍍裝置，蒸發(fā)源包括坩堝本體、腔室、蒸鍍口和擋止部。坩堝本體包括相對(duì)的頂壁和底壁以及連接于所述頂壁和底壁的側(cè)壁。腔室由所述頂壁、底壁和側(cè)壁圍繞構(gòu)成。蒸鍍口形成于所述底壁上。擋止部的底端連接于所述蒸鍍口周緣，頂端延伸至所述腔室內(nèi)，擋止部與側(cè)壁圍成的空間用于容置蒸鍍材料。本發(fā)明蒸發(fā)源，在蒸鍍工藝中能減少基板的彎曲變形，從而提高產(chǎn)品良率。
【專利說(shuō)明】蒸發(fā)源及蒸鍍裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于蒸鍍工藝的蒸發(fā)源及蒸鍍裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 蒸鍍工藝是生產(chǎn)有機(jī)電致發(fā)光器件（Organic Light Emitting Diode, 0LED)的一 種重要的技術(shù)路線，使用蒸鍍工藝，蒸發(fā)源及蒸鍍裝置又是必不可少的。蒸發(fā)源及蒸鍍裝置 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對(duì)有機(jī)材料成膜品質(zhì)有重要影響。
[0003] 如圖1所示，傳統(tǒng)的蒸發(fā)源包括坩堝本體10,坩堝本體10具有一用于容置蒸鍍材 料的腔室11，在坩堝本體10的上端部設(shè)有蒸鍍口 12。
[0004] 傳統(tǒng)的蒸鍍裝置包括上述傳統(tǒng)蒸發(fā)源，用于向一基板100上蒸鍍薄膜?；?00 上表面設(shè)有磁性板300,基板100下表面設(shè)有能形成蒸鍍圖案的掩膜板200,掩膜板200通 過(guò)磁性板300吸附于基板100下表面。其中基板100在四周通過(guò)支撐件（圖中未示出）固 定；為了使掩膜板200與基板100緊密貼合，可進(jìn)一步在基板100與磁性板300之間插入一 壓板400,壓板400將基板100壓緊于掩膜板200。
[0005] 然而，上述傳統(tǒng)的蒸鍍裝置中，基板100在蒸發(fā)源的上方，為避開(kāi)掩膜板200,基板 100只能依靠周圍的支撐件固定，在重力作用下，基板100容易彎曲，掩膜板200難以與彎曲 后的基板100緊密貼合，從而影響了蒸鍍圖案的精度，包括位置精度和形狀精度，最終導(dǎo)致 產(chǎn)品的良率下降。
[0006] 在所述【背景技術(shù)】部分公開(kāi)的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此它 可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明公開(kāi)一種蒸發(fā)源，其在蒸鍍工藝中能減少基板的彎曲變形，從而提高產(chǎn)品 良率。
[0008] 本發(fā)明還公開(kāi)一種設(shè)有本發(fā)明蒸發(fā)源的蒸鍍裝置。
[0009] 本發(fā)明的額外方面和優(yōu)點(diǎn)將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將從描述中 變得顯然，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而習(xí)得。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種蒸發(fā)源，包括坩堝本體、腔室、蒸鍍口和 擋止部。坩堝本體包括相對(duì)的頂壁和底壁以及連接于所述頂壁和底壁的側(cè)壁。腔室由所述 頂壁、底壁和側(cè)壁圍繞構(gòu)成。蒸鍍口形成于所述底壁上。擋止部的底端連接于所述蒸鍍口 周緣，所述擋止部頂端延伸至所述腔室內(nèi)，并于所述擋止部與所述腔室的側(cè)壁間形成一用 于容置蒸鍍材料的空間。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述擋止部為圓筒。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述擋止部為圓錐筒，且圓錐筒底端部的直徑小于頂 端部的直徑。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，所述擋止部的高度為所述腔室的高度的2/3?4/5。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，其中，還包括擋板，擋板固定于所述擋止部的頂端外 周。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，其中，還包括坩堝本體加熱元件，坩堝本體加熱元件設(shè) 置于所述坩堝本體。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，其中，還包括保溫隔熱罩，保溫隔熱罩設(shè)置于所述坩堝 本體加熱元件外面。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，其中，還包括蒸鍍口加熱元件，蒸鍍口加熱元件設(shè)置于 所述擋止部上。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，其中，所述擋止部?jī)?nèi)形成有容置槽，所述蒸鍍口加熱元 件設(shè)置于所述容置槽內(nèi)。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，其中，所述蒸鍍口的數(shù)目為多個(gè)，并呈線形排布，且多 個(gè)蒸鍍口在兩端部的排布密度大于在中部的排布密度。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種蒸鍍裝置，用于向一基板蒸鍍薄膜，包括 用于固定所述基板的基板支撐裝置和本發(fā)明所述的蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)源設(shè)于所述基板支撐 裝置上方，且所述蒸發(fā)源的蒸鍍口朝向所述基板。
[0021] 由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果在于：由于本發(fā)明蒸發(fā)源的蒸鍍 口設(shè)于底壁上，當(dāng)蒸發(fā)源用于蒸鍍工藝中時(shí)，基板能夠設(shè)置于蒸發(fā)源的下方，因此可通過(guò)多 種方式從基板的下面固定基板，而且可以在基板下面設(shè)置多處支撐，故本發(fā)明能有效防止 基板中部下沉而產(chǎn)生彎曲變形，從而置于基板上表面的掩膜板能與基板保持緊密貼合，保 證了基板上蒸鍍圖案的精度，從而有效提高了有機(jī)發(fā)光器件等產(chǎn)品的良率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022] 通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施方式，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得 更加明顯。
[0023] 圖1示出傳統(tǒng)的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024] 圖2A示出根據(jù)本發(fā)明的蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025] 圖2B是圖2A的仰視圖。
[0026] 圖3示出根據(jù)本發(fā)明的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形 式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本發(fā)明將 全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。圖中相同的附圖 標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它們的詳細(xì)描述。
[0028] 以下所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方 式中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的充分理解。然 而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本發(fā)明的技術(shù)方案而沒(méi)有所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè) 或更多，或者可以采用其它的方法、組件、材料等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié) 構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本發(fā)明的各方面。
[0029] 蒸發(fā)源實(shí)施方式
[0030] 參見(jiàn)圖2A和圖2B。本發(fā)明蒸發(fā)源包括坩堝本體。坩堝本體可以是空心圓柱形、空 心棱柱形等多種形狀。下面以空心圓柱形坩堝本體為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0031] 坩堝本體包括頂壁21、底壁22和圓筒形側(cè)壁23。頂壁21固定于或一體成型于側(cè) 壁23頂端部，底壁22固定于或一體成型于側(cè)壁23底端部。因此，由頂壁21、底壁22和圓 筒形側(cè)壁23共同圍成一腔室20,腔室20用于容置蒸鍍材料。在坩堝本體的底壁22中心線 位置形成有多個(gè)蒸鍍口 222。
[0032] 為了避免腔室20內(nèi)的蒸鍍材料由蒸鍍口 222流出，在蒸鍍口 222處設(shè)置有擋止部 24。擋止部24為筒形，如圓筒形或圓錐筒形，擋止部24底端連接于蒸鍍口 222外周，頂端 延伸至腔室20內(nèi)。擋止部24與圓筒形側(cè)壁23及底壁22圍成一環(huán)形空間，蒸鍍材料容置 于該環(huán)形空間內(nèi)。當(dāng)擋止部24為圓錐筒時(shí)，圓錐筒底端部的直徑小于頂端部的直徑，即在 蒸鍍口 222處的直徑較小，以減腔室20內(nèi)的熱量損失。
[0033] 擋止部24的高度H1為腔室20的高度Η的2/3,以防止蒸鍍過(guò)程中蒸鍍材料噴濺。 通常擋止部24的高度Η1為腔室20的高度Η的2/3?4/5范圍內(nèi)均是可行的，但并不以此 為限，實(shí)際應(yīng)用中可根據(jù)蒸發(fā)源的容積、蒸鍍材料的性質(zhì)等因素合理確定。
[0034] 在一實(shí)施方式中，蒸發(fā)源還包括擋板25。擋板25可以是一塊帶有中央貫通孔的圓 形板。擋板25固定于擋止部24的頂端外側(cè)，并暴露出蒸鍍口 222,以便于蒸鍍氣體能由筒 形擋止部24經(jīng)蒸鍍口 222噴出。
[0035] 在另一實(shí)施方式中，蒸發(fā)源還包括坩堝本體加熱元件30,例如電阻絲，電阻絲環(huán)繞 設(shè)置于坩堝本體的圓筒形側(cè)壁23外面，坩堝本體加熱元件30還可以進(jìn)一步設(shè)置于頂壁21 和底壁22上。進(jìn)一步的，蒸發(fā)源還包括罩在坩堝本體加熱元件30外面的保溫隔熱罩50。 保溫隔熱罩50用于減少熱量散失，使坩堝本體加熱元件30產(chǎn)生的熱量盡可能多地用于加 熱蒸發(fā)源內(nèi)的蒸鍍材料，以提高熱能利用率。當(dāng)然，坩堝本體加熱元件30不限于電阻絲，還 可以采用激光加熱、紅外加熱等多種加熱方式。
[0036] 在另一實(shí)施方式中，為了提高蒸鍍口 222的溫度，防止封口現(xiàn)象，蒸發(fā)源還包括蒸 鍍口加熱元件40。蒸鍍口加熱元件40可以是電阻絲等，設(shè)置于擋止部24。蒸鍍口加熱元 件40可設(shè)置于擋止部24的內(nèi)側(cè)、外側(cè)或設(shè)置于擋止部24。例如，擋止部24內(nèi)靠近蒸鍍口 222形成有環(huán)形容置槽，蒸鍍口加熱元件40環(huán)繞設(shè)置于容置槽內(nèi)。蒸鍍口加熱元件40可以 使蒸鍍口 222處的溫度不低于蒸鍍材料的蒸發(fā)溫度，因而能防止蒸鍍氣體在蒸鍍口 222凝 結(jié)而堵塞蒸鍍口 222。
[0037] 參見(jiàn)圖2Β。在另一實(shí)施方式中，蒸鍍口 222的數(shù)目為多個(gè)，并呈線形排布，形成線 蒸鍍?cè)?。多個(gè)蒸鍍口 222在兩端部的排布密度大于在中部的排布密度，也就是說(shuō)多個(gè)蒸鍍 口 222排布為中間疏兩端密的形式，從而補(bǔ)償了線蒸鍍?cè)磧啥说恼魵饬髅芏?，提高了蒸?薄膜的均勻性。
[0038] 蒸鍍裝置實(shí)施方式
[0039] 參見(jiàn)圖3。本發(fā)明蒸鍍裝置，用于向一基板100蒸鍍薄膜，包括基板支撐裝置（圖 中未示出）和本發(fā)明的蒸發(fā)源?；?00安裝于基板支撐裝置上面，基板100上表面設(shè)有 用于形成蒸鍍圖案的掩膜板200。蒸發(fā)源安裝于基板支撐裝置上方，蒸發(fā)源的蒸鍍口 222朝 向基板100。
[0040] 由于基板100設(shè)置在蒸發(fā)源下方，因此方便了基板100的固定，可以在基板100 的中部及四周固定基板1〇〇,而不會(huì)干涉到掩膜板200。例如，基板支撐裝置包括一支撐臺(tái) 500,可將基板100放置于支撐臺(tái)500上表面，由支撐臺(tái)500來(lái)支撐固定基板100。本發(fā)明 蒸鍍裝置能有效防止基板100因重力而彎曲變形，置于基板100上的掩膜板200能與基板 100保持緊密貼合，確?；迳险翦憟D案的精度，從而有效提1? 了有機(jī)發(fā)光器件等廣品的良 率。
[0041] 以上具體地示出和描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于所 公開(kāi)的實(shí)施方式，相反，本發(fā)明意圖涵蓋包含在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改 和等效布置。
【權(quán)利要求】
1. 一種蒸發(fā)源，包括： 坩堝本體，其包括相對(duì)的頂壁和底壁，以及連接于所述頂壁和底壁的側(cè)壁； 腔室，由所述頂壁、底壁和側(cè)壁圍繞構(gòu)成； 蒸鍍口，形成于所述底壁上；以及 擋止部，底端連接于所述蒸鍍口周緣，所述擋止部頂端延伸至所述腔室內(nèi)，并于所述擋 止部與所述腔室的側(cè)壁間形成一用于容置蒸鍍材料的空間。
2. 如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其中，所述擋止部為圓筒。
3. 如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其中，所述擋止部為圓錐筒，且圓錐筒底端部的直徑小 于頂端部的直徑。
4. 如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其中，所述擋止部的高度（H1)為所述腔室的高度（H) 的 2/3 ?4/5。
5. 如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其中，還包括： 擋板，固定于所述擋止部的頂端外側(cè)。
6. 如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其中，還包括： 坩堝本體加熱元件，設(shè)置于所述坩堝本體。
7. 如權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源，其中，還包括： 保溫隔熱罩，設(shè)置于所述坩堝本體加熱元件外面。
8. 如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其中，還包括： 蒸鍍口加熱元件，設(shè)置于所述擋止部上。
9. 如權(quán)利要求8所述的蒸發(fā)源，其中，所述擋止部?jī)?nèi)形成有容置槽，所述蒸鍍口加熱元 件設(shè)置于所述容置槽內(nèi)。
10. 如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其中，所述蒸鍍口的數(shù)目為多個(gè)，并呈線形排布，且多 個(gè)蒸鍍口在兩端部的排布密度大于在中部的排布密度。
11. 一種蒸鍍裝置，用于向一基板蒸鍍薄膜，包括用于固定所述基板的基板支撐裝置和 如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)源設(shè)于所述基板支撐裝置上方，且所述 蒸發(fā)源的蒸鍍口朝向所述基板。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK104060227SQ201410322941
【公開(kāi)日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2014年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月8日
【發(fā)明者】姜亮 申請(qǐng)人:上海和輝光電有限公司