真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法，用于玻璃基片的真空鍍膜，該裝置包括小腔體、蒸發(fā)管道、真空泵、晶振檢測(cè)儀、安裝有基片傳輸機(jī)構(gòu)的主腔體，及安裝有線性蒸發(fā)源的副腔體，主腔體位于副腔體上方并通過(guò)一可開(kāi)閉的擋板隔開(kāi)，小腔體位于主腔體上方并通過(guò)一閥門隔開(kāi)，蒸發(fā)管道的入口與線性蒸發(fā)源相接觸，出口穿過(guò)擋板和主腔體朝向并臨近閥門；晶振測(cè)試儀包括晶振片和檢測(cè)機(jī)構(gòu)，晶振片安裝在小腔體內(nèi)并位于蒸發(fā)管道出口的上方，檢測(cè)機(jī)構(gòu)測(cè)量晶振片的頻率變化并計(jì)算出接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度和相應(yīng)的測(cè)量膜厚速率；真空泵分別與主腔體和小腔體相連。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明不但可延長(zhǎng)晶振片使用壽命，同時(shí)方便更換晶振片。
【專利說(shuō)明】真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器 件（0LED)面板或太陽(yáng)能面板生產(chǎn)中可在鍍膜過(guò)程中進(jìn)行全程監(jiān)控并了解玻璃基片的鍍膜 厚度和膜厚速率的真空鍍膜裝置及其真空鍍膜方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 玻璃基材等薄板已廣泛用于制造IXD-TFT顯示屏、有機(jī)發(fā)光顯示器件（0LED)面 板、太陽(yáng)能面板應(yīng)用及其他類似者。于此類應(yīng)用中大多在潔凈玻璃上鍍覆薄膜，這類大型玻 璃基材的制程通常包含實(shí)施多個(gè)連續(xù)步驟，包括如化學(xué)氣相沉積制程（CVD)、物理氣相沉積 制程（PVD)、有機(jī)物質(zhì)蒸鍍、磁控濺射沉積或蝕刻制程。
[0003] 由于上述制程的工藝要求均比較嚴(yán)格，尤其是有機(jī)物質(zhì)蒸鍍制程，不但需要在完 全潔凈的空間環(huán)境中進(jìn)行，而且對(duì)于玻璃基片的鍍膜厚度的要求也相當(dāng)嚴(yán)格，需要工作人 員可以在鍍膜過(guò)程中做到全程監(jiān)控，隨時(shí)了解鍍膜厚度，做到速率鍍膜，參考圖1和圖2,傳 統(tǒng)真空鍍膜裝置100包括主腔室11、副腔室12、晶振傳感器13、擋板14、安裝在主腔室11 內(nèi)的基片傳輸機(jī)構(gòu)15和安裝在副腔室內(nèi)的線性蒸發(fā)源16,所述主腔室11位于副腔室12上 方并通過(guò)擋板14隔開(kāi)，使用上述傳統(tǒng)的真空鍍膜裝置100對(duì)玻璃基片102進(jìn)行鍍膜時(shí)，打 開(kāi)真空泵，直至主腔室11內(nèi)的真空度達(dá)到預(yù)定值，將待鍍膜的玻璃基片102通過(guò)基片傳輸 機(jī)構(gòu)15傳送至主腔室11內(nèi)的相應(yīng)位置，打開(kāi)擋板14開(kāi)始鍍膜（參考圖2)，為了檢測(cè)玻璃 基片102的膜厚狀況，將晶振傳感器13的晶振片131安裝在線性蒸發(fā)源16的上方，因此對(duì) 玻璃基片102鍍膜的同時(shí)，蒸鍍材料也不斷的蒸鍍到晶振傳感器13的晶振片131上，晶振 傳感器13通過(guò)檢測(cè)晶振片131的頻率變化，計(jì)算出蒸鍍的材料質(zhì)量，通過(guò)材料整理計(jì)算出 材料的厚度，從而達(dá)到全程監(jiān)測(cè)蒸鍍過(guò)程，了解玻璃基片102膜厚狀況的目的。
[0004] 然而，由于上述晶振傳感器13的晶振片131安裝在副腔室12的內(nèi)部，而且離線 性蒸發(fā)源16比較近，這樣計(jì)算出的膜厚相對(duì)準(zhǔn)確，但由于大量的材料不斷的蒸發(fā)到晶振片 131上，同時(shí)會(huì)造成晶振片131的使用壽命過(guò)短，無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間使用；另一方面，晶振片安裝在 副腔室12的內(nèi)部，使得更換晶振片時(shí)，不可避免的破壞鍍膜用的主腔室11和副腔室12內(nèi) 的真空環(huán)境。
[0005] 因此，急需一種延長(zhǎng)晶振片使用壽命、同時(shí)方便更換晶振片的真空鍍膜裝置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的是提供一種延長(zhǎng)晶振片使用壽命，同時(shí)方便更換晶振片的真空鍍膜 裝直。
[0007] 本發(fā)明的目的是提供一種延長(zhǎng)晶振片使用壽命，同時(shí)方便更換晶振片的真空鍍膜 的方法。
[0008] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開(kāi)了一種真空鍍膜裝置，適用于對(duì)玻璃基片的真空 鍍膜，其包括主腔體、小腔體、蒸發(fā)管道、真空泵、晶振檢測(cè)儀和設(shè)置有線性蒸發(fā)源的副腔 體，所述主腔體內(nèi)設(shè)置有用于玻璃基片傳輸?shù)幕瑐鬏敊C(jī)構(gòu)，所述主腔體位于所述副腔體 上方并通過(guò)一可開(kāi)閉的擋板與所述副腔體隔開(kāi)，所述小腔體位于所述主腔體上方并通過(guò)一 閥門與所述主腔體隔開(kāi)，所述蒸發(fā)管道的入口與所述線性蒸發(fā)源相接觸，所述蒸發(fā)管道的 出口穿過(guò)所述擋板和主腔體朝向并臨近所述閥門；所述晶振測(cè)試儀包括晶振片和檢測(cè)機(jī) 構(gòu)，所述晶振片安裝在所述小腔體內(nèi)且位于所述蒸發(fā)管道出口的上方，所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)測(cè)量 晶振片本身的頻率變化并計(jì)算出接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度和相應(yīng)的測(cè)量膜厚速 率；所述真空泵通過(guò)兩條真空管道分別與主腔體和小腔體相連。
[0009] 較佳地，所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)包括與所述晶振片相連的輸入單元、與所述輸入單元相連 的比較處理單元、與所述比較處理單元相連的存儲(chǔ)單元，以及與所述比較處理單元輸出端 相連的命令單元，所述命令單元的輸出端與所述擋板相連并用于控制所述擋板的開(kāi)閉。本 發(fā)明中檢測(cè)機(jī)構(gòu)用于檢測(cè)所述晶振片的頻率變化，并通過(guò)上述頻率變化計(jì)算得出接近實(shí)際 鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度和對(duì)應(yīng)的膜厚測(cè)量速率，這種檢測(cè)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且易于檢測(cè)。
[0010] 具體地，所述比較處理單元包括與所述輸入單元相連的比較單元、與所述比較單 元相連的計(jì)算單元，以及與所述計(jì)算單元相連的校正單元。由于線性蒸發(fā)源通過(guò)蒸發(fā)通道 將蒸發(fā)材料分子傳輸?shù)骄д駲z測(cè)儀的晶振片上，使得檢測(cè)機(jī)構(gòu)直接檢測(cè)并出來(lái)的鍍膜厚度 與實(shí)際鍍膜厚度之間存在一定的誤差，需要通過(guò)校正單元的校正得到更接近實(shí)際鍍膜厚度 的數(shù)值，使得本發(fā)明檢測(cè)機(jī)構(gòu)計(jì)算出來(lái)的鍍膜厚度比傳統(tǒng)真空鍍膜裝置中晶振傳感器檢測(cè) 出來(lái)的晶振片輸出值更接近實(shí)際蒸發(fā)材料的鍍膜厚度，使得本發(fā)明中晶振檢測(cè)儀的檢測(cè)精 度高。
[0011] 更具體地，所述校正單元包括距離校正單元和角度校正單元。由于晶振片和待鍍 膜玻璃基片分別與所述線性蒸發(fā)源之間距離不同，且線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分子傳輸至晶 振片的角度與線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分子傳輸至玻璃基片的角度也不相同，因此對(duì)計(jì)算出 來(lái)的鍍膜厚度和膜厚速率進(jìn)行校正時(shí)，不但需要所述距離校正單元解決由于距離偏差造成 測(cè)量結(jié)果偏離真實(shí)值的問(wèn)題，也需要所述角度校正單元解決由于角度偏差造成測(cè)量結(jié)果偏 離真實(shí)值的問(wèn)題，使得晶振檢測(cè)儀輸出的測(cè)量值更接近真實(shí)值。
[0012] 較佳地，所述晶振片正對(duì)所述蒸發(fā)管道出口。這樣，使得線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分 子傳輸至晶振片的角度為九十度，與線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分子傳輸至待鍍膜玻璃基片的 角度相同，減少線性蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分子傳輸至晶振片的角度偏差值。
[0013] 較佳地，兩所述真空管道上均安裝有真空閘閥，這樣，不但可以有效控制真空泵與 主腔體和小腔體之間的打開(kāi)和關(guān)閉，增加裝置的安全性，而且便于維修設(shè)備時(shí)選擇性的關(guān) 閉主腔體或者小腔體內(nèi)的抽真空。
[0014] 為了實(shí)現(xiàn)上有目的，本發(fā)明公開(kāi)了還一種使用上述所述真空鍍膜裝置進(jìn)行真空鍍 膜的方法，包括以下步驟：（1)將待鍍膜的玻璃基片輸送至主腔體的預(yù)定位置；（2)開(kāi)啟真 空泵對(duì)主腔體和小腔體進(jìn)行抽真空，直至主腔體和小腔體內(nèi)的真空度達(dá)到預(yù)定值時(shí)停止抽 真空；（3)加熱線性蒸發(fā)源，并打開(kāi)閥門，通過(guò)蒸發(fā)管道將蒸發(fā)材料分子傳輸?shù)剿鼍д衿?上；(4)所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)上測(cè)量晶振片的頻率變化并計(jì)算出接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚 度及其相應(yīng)的測(cè)量鍍膜速率；（5)當(dāng)測(cè)量膜厚速率穩(wěn)定后打開(kāi)擋板，從而將蒸發(fā)材料蒸鍍 到玻璃基片上。
[0015] 較佳地，步驟（4)具體包括以下步驟：(A1)輸入單元將測(cè)得的晶振片的本身頻率 轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的初始信號(hào)輸送至比較處理單元；(A2)比較處理單元接受所述初始信號(hào)后進(jìn) 行比較處理得出所述晶振片的頻率變化，再通過(guò)晶振片的頻率變化計(jì)算得到接近實(shí)際鍍膜 厚度和膜厚速率的測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)和測(cè)量膜厚速率信號(hào)，并在所述測(cè)量膜厚速率信號(hào)穩(wěn) 定后向命令單元輸送鍍膜信號(hào)；(A3)命令單元接受所述鍍膜信號(hào)，并向所述擋板發(fā)出打開(kāi) 命令，控制所述擋板打開(kāi)。這樣，使得鍍膜厚度和膜厚速率的檢測(cè)操作簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。
[0016] 具體地，步驟（A2)具體包括以下步驟：(B1)所述比較處理單元的比較單元接受所 述初始信號(hào)后將所述初始信號(hào)與存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的在先初始信號(hào)進(jìn)行比對(duì)并得到包含晶 振片頻率變化信息的頻率變化信號(hào)，并將所述頻率變化信號(hào)輸送到計(jì)算單元；(B2)所述計(jì) 算單元接受所述頻率變化信號(hào)后根據(jù)晶振片的頻率變化計(jì)算得到包含晶振片鍍膜厚度信 息的原始鍍膜厚度信號(hào)，并將所述原始鍍膜厚度信號(hào)輸送至校正單元；(B3)校正單元根據(jù) 蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系妮斔蜖顩r對(duì)所述原始鍍膜厚度信號(hào)進(jìn) 行校正，得到接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)并將上述測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)輸送回所 述計(jì)算單元；(B4)計(jì)算單元接受所述測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)后計(jì)算得到相應(yīng)的測(cè)量膜厚速率 信號(hào)，并在所述膜厚速率信號(hào)穩(wěn)定后向命令單元發(fā)出鍍膜信號(hào)。這樣，通過(guò)對(duì)原始鍍膜厚度 信號(hào)的校正增加了本發(fā)明的檢測(cè)精度。
[0017] 更具體地，步驟（B3)具體包括以下步驟：（C1)所述校正單元的距離校正單元接受 所述原始鍍膜厚度信號(hào)并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系木嚯x偏 差對(duì)上述原始鍍膜厚度信號(hào)進(jìn)行校正，得到初始校正信號(hào)；(C2)角度校正單元接受所述初 始校正信號(hào)并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系慕嵌绕?，?duì)初始校 正信號(hào)進(jìn)行校正，得到接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)，并將所述測(cè)量鍍膜信號(hào)傳 回所述計(jì)算單元。這樣，通過(guò)距離偏差和角度偏差的校正，進(jìn)一步增加了檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確 度，使得測(cè)量出來(lái)的測(cè)量鍍膜厚度和測(cè)量膜厚速率更接近于真實(shí)值。
[0018] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明真空鍍膜裝置增設(shè)了一個(gè)與鍍膜用的主腔體相間隔的小 腔體，將晶振檢測(cè)儀的晶振片安裝到小腔體內(nèi)，并通過(guò)一個(gè)蒸發(fā)管道將小腔體內(nèi)的晶振片 和副腔體內(nèi)的線性蒸發(fā)源連起來(lái)。上述技術(shù)方案不但使得本發(fā)明可以在不破壞主腔體和副 腔體的真空環(huán)境下更換晶振片，縮短設(shè)備維護(hù)時(shí)間，而且由于蒸發(fā)材料是通過(guò)蒸發(fā)管道從 線性蒸發(fā)源傳輸?shù)骄д衿系模梢杂行Ы档透鼡Q晶振片的頻率，延長(zhǎng)晶振片的使用壽命。 綜上，本發(fā)明真空鍍膜裝置不但可延長(zhǎng)晶振片使用壽命、同時(shí)方便更換晶振片。同上，使用 本發(fā)明真空鍍膜裝置對(duì)玻璃基片進(jìn)行真空鍍膜的真空蒸鍍方法也同樣具有延長(zhǎng)晶振片使 用壽命、方便更換晶振片的優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019] 圖1是傳統(tǒng)真空鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020] 圖2是傳統(tǒng)真空鍍膜裝置另一角度的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021] 圖3是本發(fā)明真空鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022] 圖4是本發(fā)明真空鍍膜裝置中檢測(cè)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)框圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023] 為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式 并配合附圖詳予說(shuō)明。
[0024] 參考圖3和圖4,本發(fā)明真空鍍膜裝置200,適用于有機(jī)發(fā)光顯示器件（0LED)面板 或太陽(yáng)能面板生產(chǎn)中對(duì)玻璃基片102的真空鍍膜，其包括主腔體21、副腔體22、小腔體23、 晶振檢測(cè)儀30、蒸發(fā)管道27和真空泵281，所述主腔體21是玻璃基片102進(jìn)行鍍膜的場(chǎng)所， 其內(nèi)安裝有用于玻璃基片102傳輸?shù)幕瑐鬏敊C(jī)構(gòu)24,所述副腔體22內(nèi)安裝有線性蒸發(fā)源 26,所述主腔體21位于所述副腔體22上方并通過(guò)一可開(kāi)閉的擋板25隔開(kāi)，所述小腔體23 位于所述主腔體21上方并通過(guò)一閥門29與所述主腔體21隔開(kāi)，所述蒸發(fā)管道27的入口與 所述線性蒸發(fā)源26相接觸，所述蒸發(fā)管道27的出口穿過(guò)所述擋板25和主腔體21朝向并 臨近所述閥門29 ;所述晶振測(cè)試儀30包括晶振片231和檢測(cè)機(jī)構(gòu)232,所述晶振片231安 裝在所述小腔體23內(nèi)且位于所述蒸發(fā)管道27出口的上方，所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)232測(cè)量晶振片 231本身的頻率變化并計(jì)算出接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度和相應(yīng)的測(cè)量膜厚速率； 所述真空泵281通過(guò)兩條真空管道282分別與主腔體21和小腔體23相連。
[0025] 具體地，參考圖3,所述蒸發(fā)管道27包括位于所述線性蒸發(fā)源26和支撐架242之 間的第一管道271和位于所述支撐架242和閥門29之間的第二管道，所述第一管道271的 出口與所述第二管道272的入口相對(duì)，這樣可以防止蒸發(fā)管道27擋住基片傳輸機(jī)構(gòu)24中 支撐架242的移動(dòng)。
[0026] 具體地，參考圖3,所述基片傳輸機(jī)構(gòu)24包括若干并行排列的輸送滾輪241和位于 所述輸送滾輪241上的支撐架242,所述輸送滾輪241帶動(dòng)所述支撐架242在主腔體21內(nèi) 移動(dòng)，所述支撐架242夾持所述玻璃基片102。這種基片傳輸機(jī)構(gòu)24結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，傳輸過(guò)程平 穩(wěn)。
[0027] 較佳者，參考圖3，兩所述真空管道282上均安裝有真空閘閥283，用于控制真空泵 281與主腔體21和小腔體23之間的打開(kāi)和關(guān)閉，增加真空鍍膜裝置200的安全性，并易于 本發(fā)明的檢修和維護(hù)。
[0028] 較佳者，參考圖3,所述晶振片231正對(duì)所述蒸發(fā)管道27的出口。這樣使得線性蒸 發(fā)源26的蒸發(fā)材料分子傳輸至晶振片231的角度為九十度，與線性蒸發(fā)源26的蒸發(fā)材料 分子傳輸至待鍍膜玻璃基片102的角度相同，減少線性蒸發(fā)源26的蒸發(fā)材料分子傳輸至晶 振片231的角度偏差。
[0029] 較佳者，參考圖4,所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)232包括與所述晶振片231相連的輸入單元31、 與所述輸入單元31相連的比較處理單元32、與所述比較處理單元32相連的命令單元33， 以及與所述比較處理單元32相連的存儲(chǔ)單元34,所述命令單元33的輸出端與所述擋板25 相連并用于控制所述擋板25的打開(kāi)和關(guān)閉。其中，所述輸入單元31將測(cè)得的晶振片231 的本身頻率轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的初始信號(hào)輸送至比較處理單元32,比較處理單元32接受上述初 始信號(hào)并進(jìn)行比較處理得到所述晶振片231的頻率變化，再通過(guò)上述頻率變化計(jì)算后得到 接近實(shí)際玻璃基片102鍍膜厚度和膜厚速率的測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)和測(cè)量膜厚速率信號(hào)，并 在上述測(cè)量膜厚速率信號(hào)穩(wěn)定后向命令單元33輸送鍍膜信號(hào)，命令單元33接受上述鍍膜 信號(hào)，并向擋板25發(fā)出打開(kāi)命令，控制擋板25的打開(kāi)。
[0030] 具體地,參考圖4,所述比較處理單元32包括與所述輸入單元31相連的比較單元 321、與所述比較單元321相連的計(jì)算單元322和與所述計(jì)算單元322相連的校正單元323。 所述比較單元321接受輸入單元31輸入的初始信號(hào)后將該初始信號(hào)與存儲(chǔ)單元34中存儲(chǔ) 的在先初始信號(hào)進(jìn)行比對(duì)后得到包含所述晶振片231頻率變化信息的頻率變化信號(hào)，并將 上述頻率變化信號(hào)輸入到計(jì)算單元322 ;所述計(jì)算單元322接受上述頻率變化信號(hào)，根據(jù)晶 振片231的頻率變化計(jì)算出蒸發(fā)材料的質(zhì)量，再通過(guò)蒸發(fā)材料的質(zhì)量計(jì)算出晶振片231上 的鍍膜厚度從而得到包含晶振片231鍍膜厚度信息的原始鍍膜厚度信號(hào)，并將原始鍍膜厚 度信號(hào)輸送至校正單元323 ;校正單元323根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源26傳輸?shù)剿?晶振片231上的輸送狀況對(duì)上述原始鍍膜厚度信號(hào)進(jìn)行校正，得到接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè) 量鍍膜厚度信號(hào)，并將上述測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)輸送回計(jì)算單元322中；計(jì)算單元322接受所 述測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)后根據(jù)測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)計(jì)算得到相應(yīng)的測(cè)量膜厚速率信號(hào)，并在上 述膜厚速率信號(hào)穩(wěn)定后向命令單元33發(fā)出所述鍍膜信號(hào)。
[0031] 更具體地，所述校正單元323包括距離校正單元（圖中未示）和角度校正單元（圖 中未示），所述距離校正單元根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源26傳輸?shù)剿鼍д衿?31上 的距離偏差，對(duì)原始鍍膜厚度信號(hào)進(jìn)行校正，從而得到初始校正信號(hào)；所述角度校正單元接 受距離校正單元輸入的初始校正信號(hào)并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源26傳輸?shù)剿鼍?振片231上的角度偏差，對(duì)初始校正信號(hào)行角度校正，得到接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜 厚度信號(hào)。
[0032] 參考圖3和圖4,詳細(xì)描述使用本發(fā)明真空鍍膜裝置200對(duì)玻璃基片102進(jìn)行真空 鍍膜的真空鍍膜方法，包括以下步驟：（1)將待鍍膜的玻璃基片102夾持在支撐架242上， 輸送滾輪241動(dòng)作并將夾持有玻璃基片102的支撐架242輸送至主腔體21中鍍膜的預(yù)定 位置；（2)開(kāi)啟真空泵281 (此時(shí)兩真空閥283均處于打開(kāi)狀態(tài)）對(duì)主腔體21和小腔體23 進(jìn)行抽真空操作，直至主腔體21和小腔體23內(nèi)的真空度達(dá)到預(yù)定值時(shí)停止抽真空（3)加 熱線性蒸發(fā)源26,并打開(kāi)閥門29,蒸發(fā)材料分子通過(guò)蒸發(fā)管道27傳輸?shù)剿鼍д駵y(cè)試儀 30的晶振片231上；(4)檢測(cè)機(jī)構(gòu)232測(cè)量晶振片231的頻率變化并計(jì)算出接近實(shí)際鍍膜 厚度的測(cè)量鍍膜厚度，并根據(jù)所述測(cè)量鍍膜厚度計(jì)算得到接近實(shí)際膜厚速率的測(cè)量膜厚速 率；（5)當(dāng)測(cè)量膜厚速率穩(wěn)定后打開(kāi)擋板25,從而將材料蒸鍍到玻璃基片102上，完成玻璃 基片102的鍍膜制程。
[0033] 較佳者，參考圖4,描述檢測(cè)機(jī)構(gòu)232通過(guò)晶振片231的頻率變化計(jì)算出接近實(shí)際 鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度和相應(yīng)的測(cè)量膜厚速率的具體步驟：(A1)輸入單元31將測(cè)得的 晶振片231的本身頻率轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的包含有晶振片231本身頻率信息的初始信號(hào)輸送至比 較處理單元32 ; (A2)比較處理單元32接受所述初始信號(hào)后進(jìn)行比較處理得出所述晶振片 231的頻率變化，再通過(guò)晶振片231的頻率變化計(jì)算得出接近實(shí)際鍍膜厚度和膜厚速率的 測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)和測(cè)量膜厚速率信號(hào)，并在所述測(cè)量膜厚速率信號(hào)穩(wěn)定后向命令單元33 輸送鍍膜信號(hào)；(A3)命令單元33接受所述鍍膜信號(hào)，并向所述擋板25發(fā)出打開(kāi)命令，控制 所述擋板打開(kāi)。
[0034] 具體地，參考圖4,詳細(xì)描述比較處理單元32將初始信號(hào)計(jì)算轉(zhuǎn)換為接近實(shí)際鍍 膜厚度和膜厚速率的測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)和測(cè)量膜厚速率信號(hào)的方法，具體步驟如下：(B1) 所述比較處理單元32的比較單元321接受所述初始信號(hào)后將所述初始信號(hào)與存儲(chǔ)單元34 中存儲(chǔ)的在先初始信號(hào)進(jìn)行比對(duì)后得出包含晶振片231頻率變化信息的頻率變化信號(hào)，并 將所述頻率變化信號(hào)231輸送到計(jì)算單元322 ; (B2)所述計(jì)算單元322接受所述頻率變化 信號(hào)后根據(jù)晶振片231的頻率變化計(jì)算得到包含有晶振片231鍍膜厚度信息的原始鍍膜厚 度信號(hào)，并將所述原始鍍膜厚度信號(hào)輸送至校正單元323 ;(B3)校正單元323根據(jù)蒸發(fā)材料 分子從線性蒸發(fā)源26傳輸?shù)剿鼍д衿?31上的輸送狀況對(duì)所述原始鍍膜厚度信號(hào)進(jìn)行 校正，得到接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)，并將上述測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)輸送回所 述計(jì)算單元322 ; (B4)計(jì)算單元322接受所述測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)后計(jì)算得到相應(yīng)的測(cè)量膜 厚速率信號(hào)，并在所述膜厚速率信號(hào)穩(wěn)定后向命令單元33發(fā)出鍍膜信號(hào)。
[0035] 更具體地，上述步驟（B3)具體包括以下步驟：（C1)所述校正單元323的距離校正 單元（圖中未示）接受所述原始鍍膜厚度信號(hào)并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源26傳輸 到所述晶振片231上的距離偏差對(duì)上述原始鍍膜厚度信號(hào)進(jìn)行校正，得到初始校正信號(hào)； (C2)角度校正單元（圖中未示）接受所述初始校正信號(hào)并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā) 源26傳輸?shù)剿鼍д衿?31上的角度偏差，對(duì)初始校正信號(hào)進(jìn)行校正，得到接近實(shí)際鍍膜 厚度的測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)，并將所述測(cè)量鍍膜信號(hào)傳回所述計(jì)算單元322。
[0036] 以上所揭露的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利 范圍，因此依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種真空鍍膜裝置，適用于對(duì)玻璃基片的真空鍍膜，其特征在于：包括主腔體、小腔 體、蒸發(fā)管道、真空泵、晶振檢測(cè)儀和設(shè)置有線性蒸發(fā)源的副腔體，所述主腔體內(nèi)設(shè)置有用 于玻璃基片傳輸?shù)幕瑐鬏敊C(jī)構(gòu)，所述主腔體位于所述副腔體上方并通過(guò)一可開(kāi)閉的擋板 與所述副腔體隔開(kāi)，所述小腔體位于所述主腔體上方并通過(guò)一閥門與所述主腔體隔開(kāi)，所 述蒸發(fā)管道的入口與所述線性蒸發(fā)源相接觸，所述蒸發(fā)管道的出口穿過(guò)所述擋板和主腔體 朝向并臨近所述閥門；所述晶振測(cè)試儀包括晶振片和檢測(cè)機(jī)構(gòu)，所述晶振片安裝在所述小 腔體內(nèi)且位于所述蒸發(fā)管道出口的上方，所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)測(cè)量晶振片本身的頻率變化并計(jì)算 出接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度和相應(yīng)的測(cè)量膜厚速率；所述真空泵通過(guò)兩條真空管 道分別與主腔體和小腔體相連。
2. 如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：所述晶振片正對(duì)所述蒸發(fā)管道出 □。
3. 如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：兩所述真空管道上均安裝有真空 閘閥。
4. 如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)包括與所述晶振片 相連的輸入單元、與所述輸入單元相連的比較處理單元、與所述比較處理單元相連的存儲(chǔ) 單元，以及與所述比較處理單元輸出端相連的命令單元，所述命令單元的輸出端與所述擋 板相連并用于控制所述擋板的開(kāi)閉。
5. 如權(quán)利要求4所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：所述比較處理單元包括與所述輸 入單元相連的比較單元、與所述比較單元相連的計(jì)算單元，以及與所述計(jì)算單元相連的校 正單元。
6. 如權(quán)利要求5所述的真空鍍膜裝置，其特征在于：所述校正單元包括距離校正單元 和角度校正單元。
7. 使用如權(quán)利要求6所述的真空鍍膜裝置對(duì)玻璃基片進(jìn)行的真空鍍膜的真空鍍膜方 法，其特征在于：包括以下步驟： (1) 將待鍍膜的玻璃基片輸送至主腔體的預(yù)定位置； (2) 開(kāi)啟真空泵對(duì)主腔體和小腔體抽真空，直至主腔體和小腔體內(nèi)的真空度達(dá)到預(yù)定 值時(shí)停止抽真空； (3) 加熱線性蒸發(fā)源，并打開(kāi)閥門，通過(guò)蒸發(fā)管道將蒸發(fā)材料分子傳輸?shù)剿鼍д衿?上； (4) 所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)上測(cè)量晶振片的頻率變化并計(jì)算出接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚 度及其相應(yīng)的測(cè)量鍍膜速率； (5) 當(dāng)測(cè)量膜厚速率穩(wěn)定后打開(kāi)擋板，從而將蒸發(fā)材料蒸鍍到玻璃基片上。
8. 如權(quán)利要求7所述的真空鍍膜方法，其特征在于：步驟（4)具體包括以下步驟： (A1)輸入單元將測(cè)得的晶振片的本身頻率轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的初始信號(hào)輸送至比較處理單 元； (A2)比較處理單元接受所述初始信號(hào)后進(jìn)行比較處理得出所述晶振片的頻率變化，再 通過(guò)晶振片的頻率變化計(jì)算得出接近實(shí)際鍍膜厚度和膜厚速率的測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)和測(cè) 量膜厚速率信號(hào)，并在所述測(cè)量膜厚速率信號(hào)穩(wěn)定后向命令單元輸送鍍膜信號(hào)； (A3)命令單元接受所述鍍膜信號(hào)，并向所述擋板發(fā)出打開(kāi)命令，控制所述擋板打開(kāi)。
9. 如權(quán)利要求8所述的真空鍍膜的方法，其特征在于：步驟（A2)具體包括以下步驟： (B1)所述比較處理單元的比較單元接受所述初始信號(hào)后將所述初始信號(hào)與存儲(chǔ)單元 中存儲(chǔ)的在先初始信號(hào)進(jìn)行比對(duì)并得到包含晶振片頻率變化信息的頻率變化信號(hào)，并將所 述頻率變化信號(hào)輸送到計(jì)算單元； (B2)所述計(jì)算單元接受所述頻率變化信號(hào)后根據(jù)晶振片的頻率變化計(jì)算得到包含晶 振片鍍膜厚度信息的原始鍍膜厚度信號(hào)，并將所述原始鍍膜厚度信號(hào)輸送至校正單元； (B3)校正單元根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系妮斔蜖顩r對(duì)所 述原始鍍膜厚度信號(hào)進(jìn)行校正，得到接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)并將所述測(cè)量 鍍膜厚度信號(hào)輸送回所述計(jì)算單元； (B4)計(jì)算單元接受所述測(cè)量鍍膜厚度信號(hào)后計(jì)算得到相應(yīng)的測(cè)量膜厚速率信號(hào)，并在 所述膜厚速率信號(hào)穩(wěn)定后向命令單元發(fā)出鍍膜信號(hào)。
10. 如權(quán)利要求9所述的真空鍍膜的方法，其特征在于：步驟（B3)具體包括以下步驟： (C1)所述校正單元的距離校正單元接受所述原始鍍膜厚度信號(hào)并根據(jù)蒸發(fā)材料分子 從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)剿鼍д衿系木嚯x偏差對(duì)上述原始鍍膜厚度信號(hào)進(jìn)行校正，得到初 始校正信號(hào)； (C2)角度校正單元接受所述初始校正信號(hào)并根據(jù)蒸發(fā)材料分子從線性蒸發(fā)源傳輸?shù)?所述晶振片上的角度偏差，對(duì)初始校正信號(hào)進(jìn)行校正，得到接近實(shí)際鍍膜厚度的測(cè)量鍍膜 厚度信號(hào)，并將所述測(cè)量鍍膜信號(hào)傳回所述計(jì)算單元。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK104120399SQ201410379918
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年8月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月4日
【發(fā)明者】熊丹 申請(qǐng)人:熊丹