一種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，對(duì)銅箔的非鍍面設(shè)置保護(hù)層，對(duì)銅箔進(jìn)行前處理，最后通過(guò)化學(xué)鍍鍍上阻抗材料層。通過(guò)在非鍍面貼上感光干膜或微粘膜，或者鍍上作為保護(hù)層的阻抗材料，能夠?qū)Ψ清兠孢M(jìn)行保護(hù)，從而使后續(xù)的工藝過(guò)程不會(huì)發(fā)生誤差，使非鍍面的后續(xù)加工質(zhì)量更好。對(duì)鍍面進(jìn)行前處理能夠使鍍面進(jìn)行化學(xué)鍍時(shí)，鍍層質(zhì)量更好。采用化學(xué)鍍鍍上阻抗材料層，工藝操作方便，并且鍍層均勻、穩(wěn)定，技術(shù)條件要求較為簡(jiǎn)單，成本較低。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及應(yīng)用于PCB領(lǐng)域的銅箔，特別涉及一種鍍有阻性材料的銅箔的制造方 法。

【背景技術(shù)】
[0002] 電路板上的銅箔一般都需要對(duì)其進(jìn)行表面處理，即常常在其接觸PI的面鍍上 合金層。銅箔厚度通常只有9_35μπι，只對(duì)其一面進(jìn)行鍍層處理，技術(shù)難度很大。美國(guó)的 Omega-ply公司采用電鍍的方式在銅箔表面鍍上Ni-P合金層，但通過(guò)這方式鍍上的合金層 易脫落、難以滿足環(huán)保要求，而且存在均勻性問(wèn)題，厚度均勻性直接關(guān)系到電阻值。美國(guó)的 Ticer公司采用真空鍍?cè)阢~箔表面鍍Ni-Cr合金層，其中Cr占比20% -30%，所能實(shí)現(xiàn)的方 阻與上述相近，但真空鍍對(duì)技術(shù)條件要求苛刻，成本高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種鍍有阻性材料的銅箔的制造方 法，其工藝流程操作方便，而且鍍層質(zhì)量良好。
[0004] 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：
[0005] -種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，包括以下步驟：
[0006] a、在銅箔的非鍍面上貼上一層隔離膜；
[0007] b、對(duì)銅箔的鍍面進(jìn)行預(yù)處理：將銅箔進(jìn)行除油及酸洗處理，隨后將銅箔浸入微蝕 液中進(jìn)行微蝕，然后對(duì)已被微蝕的銅箔活化及酸侵，最后把銅箔水洗，并烘干備用；
[0008] c、在銅箔的鍍面通過(guò)化學(xué)鍍的方式鍍上一層阻抗材料層；
[0009] d、移除非鍍面上的隔離膜。
[0010] 作為優(yōu)選，所述阻抗材料層為Ni-P合金層，Ni-P合金層的厚度范圍為 0.01-0. Ιμ--;其中，P 質(zhì)量占比為 10% -14%。
[0011] 作為優(yōu)選，C步驟應(yīng)用的化學(xué)鍍液中包括：硫酸鎳20-22g/L、次亞磷酸鈉25-27g/ L、檸檬酸鈉20-25g/L、甘氨酸10-15g/L、五水醋酸鈉4-6g/L、醋酸鉛0. 1-0. 3PPM及EDTA鹽 5-10g/L。
[0012] 作為優(yōu)選，所述化學(xué)鍍的過(guò)程中：溫度控制在75°C -88°c，鍍層的沉積時(shí)間控制在 1.5分鐘。
[0013] 作為優(yōu)選，所述化學(xué)鍍的過(guò)程中：溫度控制在80°C，鍍層的沉積速度為 0. 01-0. 02 μ m/min，pH值控制在3. 5-4. 5 ;所述阻抗材料層為Ni-P合金層；所述Ni-P合金 層的P質(zhì)量占比為13% -14%。
[0014] 作為優(yōu)選，所述隔離膜為感光干膜或微粘膜。
[0015] 一種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，包括以下步驟：
[0016] a、對(duì)銅箔的兩個(gè)側(cè)面進(jìn)行預(yù)處理：將銅箔進(jìn)行除油及酸洗處理，隨后將銅箔浸入 微蝕液中進(jìn)行微蝕，然后對(duì)已被微蝕的銅箔活化及酸侵，最后把銅箔水洗，并烘干備用；
[0017] b、在銅箔的兩個(gè)側(cè)面上通過(guò)化學(xué)鍍的方式分別鍍上一層阻抗材料層，所述銅箔的 兩個(gè)側(cè)面分別為鍍面及非鍍面；
[0018] c、銅箔的鍍面與PI粘合后，將銅箔的非鍍面上的阻抗材料層移除。
[0019] 作為優(yōu)選，所述阻抗材料層為Ni-p合金層；所述銅箔的鍍面上的Ni-p合金層的厚 度范圍為0.01-0. 1 μ m，P質(zhì)量占比為10% -14%。
[0020] 作為優(yōu)選，b步驟應(yīng)用的化學(xué)鍍液中包括：硫酸鎳20-22g/L、次亞磷酸鈉25-27g/ L、檸檬酸鈉20-25g/L、甘氨酸10-15g/L、五水醋酸鈉4-6g/L、醋酸鉛0. 1-0. 3PPM及EDTA鹽 5-10g/L。
[0021] 作為優(yōu)選，所述化學(xué)鍍的過(guò)程中：溫度控制在75°C -88°c，鍍層的沉積時(shí)間控制在 1.5分鐘。
[0022] 作為優(yōu)選，所述化學(xué)鍍的過(guò)程中：溫度控制在80°C，鍍層的沉積速度為 0. 01-0. 02 μ m/min，pH值控制在3. 5-4. 5 ;所述阻抗材料層為Ni-P合金層；所述銅箔鍍面 上的Ni-P合金層的P質(zhì)量占比為13% -14%。
[0023] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：
[0024] 通過(guò)在非鍍面貼上感光干膜或微粘膜，或者鍍上作為保護(hù)層的阻抗材料，能夠?qū)?非鍍面進(jìn)行保護(hù)，從而使后續(xù)的工藝過(guò)程不會(huì)發(fā)生誤差，使非鍍面的后續(xù)加工質(zhì)量更好。對(duì) 鍍面進(jìn)行前處理能夠使鍍面進(jìn)行化學(xué)鍍時(shí)，鍍層質(zhì)量更好。采用化學(xué)鍍鍍上阻抗材料層，工 藝操作方便，并且鍍層均勻、穩(wěn)定，技術(shù)條件要求較為簡(jiǎn)單，成本較低。

【具體實(shí)施方式】
[0025] 實(shí)施例1
[0026] -種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，包括以下步驟：
[0027] a、在銅箔的非鍍面上貼上一層作為保護(hù)層的隔離膜，隔離膜為感光干膜或微粘 膜；采用roll-to-roll的方式將銅箔及隔離膜粘合。
[0028] b、對(duì)銅箔的鍍面進(jìn)行預(yù)處理：將銅箔進(jìn)行除油及酸洗處理，隨后將銅箔浸入微蝕 液中進(jìn)行微蝕，然后對(duì)已被微蝕的銅箔活化及酸侵，最后把銅箔水洗，并烘干備用。
[0029] c、在銅箔的鍍面上通過(guò)化學(xué)鍍的方式鍍上一層阻抗材料層；其中：
[0030] 應(yīng)用的化學(xué)鍍液中包括：硫酸鎳20g/L、次亞磷酸鈉25g/L、檸檬酸鈉20g/L、甘氨 酸l〇g/L、五水醋酸鈉4g/L、醋酸鉛0· 1PPM及EDTA鹽5g/L。
[0031] 化學(xué)鍍的過(guò)程中，溫度控制在75°C -88°C，鍍層的沉積時(shí)間控制在1. 5分鐘。
[0032] 阻抗材料層為Ni-P合金層，Ni-P合金層的厚度為0.01 μ m;其中，P質(zhì)量占比為 10%。
[0033] d、使用退膜液將非鍍面上的隔離膜移除。
[0034] 實(shí)施例2
[0035] -種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法。本實(shí)施例的制造方法與實(shí)施例1基本相 同，不同之處在于：
[0036] 應(yīng)用的化學(xué)鍍液中包括：硫酸鎳22g/L、次亞磷酸鈉27g/L、檸檬酸鈉25g/L、甘氨 酸15g/L、五水醋酸鈉6g/L、醋酸鉛0· 3PPM及EDTA鹽10g/L。
[0037] 得到Ni-P合金層的厚度為0· 1μπι;Ρ質(zhì)量占比為14%。
[0038] 實(shí)施例3
[0039] -種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法。本實(shí)施例的制造方法與實(shí)施例2基本相 同，不同之處在于：
[0040] 化學(xué)鍍的過(guò)程中：溫度控制在80°C，鍍層的沉積速度為0. 01-0. 02 μ m/min，pH值 控制在3. 5-4. 5。
[0041] 采用本實(shí)施例的制造方法，可以得到Ni-P合金層的P質(zhì)量占比為13%。
[0042] 實(shí)施例4
[0043] 一種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，包括以下步驟：
[0044] a、對(duì)銅箔的兩個(gè)側(cè)面（即鍍面及非鍍面）進(jìn)行預(yù)處理：將銅箔進(jìn)行除油及酸洗處 理，隨后將銅箔浸入微蝕液中進(jìn)行微蝕，然后對(duì)已被微蝕的銅箔活化及酸侵，最后把銅箔水 洗，并烘干備用；
[0045] b、在銅箔的兩個(gè)側(cè)面（即鍍面及非鍍面）通過(guò)化學(xué)鍍的方式分別鍍上一層阻抗材 料層；其中：
[0046] 化學(xué)鍍應(yīng)用的化學(xué)鍍液中包括：硫酸鎳20g/L、次亞磷酸鈉25g/L、檸檬酸鈉20g/ L、甘氨酸10g/L、五水醋酸鈉4g/L、醋酸鉛0. 1PPM及EDTA鹽5g/L。
[0047] 化學(xué)鍍的過(guò)程中：溫度控制在75°C -88°C，鍍層的沉積時(shí)間為1. 5分鐘。
[0048] 阻抗材料層為Ni-P合金層；鍍面上的Ni-P合金層的厚度為0. 01 μ m，P質(zhì)量占比 為 10%。
[0049] c、銅箔的鍍面與PI粘合后，移除銅箔非鍍面上的阻抗材料層。
[0050] 實(shí)施例5
[0051] 一種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法。本實(shí)施例的制造方法與實(shí)施例4基本相 同，不同之處在于：
[0052] 應(yīng)用的化學(xué)鍍液中包括：硫酸鎳22g/L、次亞磷酸鈉27g/L、檸檬酸鈉25g/L、甘氨 酸15g/L、五水醋酸鈉6g/L、醋酸鉛0· 3PPM及EDTA鹽10g/L。
[0053] 得到鍍面上的Ni-P合金層的厚度為0. Ιμπι，其中P質(zhì)量占比為14%。
[0054] 實(shí)施例6
[0055] -種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法。本實(shí)施例的制造方法與實(shí)施例5基本相 同，不同之處在于：
[0056] 化學(xué)鍍的過(guò)程中：溫度控制在80°C，鍍層的沉積速度為0. 01-0. 02 μ m/min，pH值 控制在3. 5-4. 5。
[0057] 采用本實(shí)施例的制造方法，可以得到銅箔鍍面上的Ni-P合金層的P質(zhì)量占比為 13%。
[0058] 本發(fā)明所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法中：
[0059] 隔離膜使非鍍面保持完好，能讓以后對(duì)非鍍面進(jìn)行加工更為簡(jiǎn)單，效果良好。
[0060] 非鍍面上的阻抗材料層是作為保護(hù)層應(yīng)用，使非鍍面保持完好，能讓以后對(duì)非鍍 面進(jìn)行加工更為簡(jiǎn)單，效果良好。
[0061] 化學(xué)鍍的過(guò)程中，溫度控制在75°C -88°C這一較低的溫度，保證鍍層的沉積保持 較慢的速度，使Ni-P合金層鍍層為10% -14%的高磷狀態(tài)。
[0062] Ni-P合金層厚度0· 01-0. 1 μ m，是為了滿足材料對(duì)方阻的要求。
[0063] 化學(xué)鍍液中，甘氨酸作為絡(luò)合劑，五水醋酸鈉作為pH緩沖劑使用，EDTA鹽作為電 阻值調(diào)整劑使用；醋酸鉛可以讓阻抗材料層（即鍍層）更加穩(wěn)定。
[0064] 實(shí)施例1至實(shí)施例4是本發(fā)明所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法的四個(gè)實(shí)施 例。本發(fā)明所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，通過(guò)在非鍍面貼上感光干膜或微粘膜， 或者鍍上作為保護(hù)層的阻抗材料，能夠?qū)Ψ清兠孢M(jìn)行保護(hù)，從而使后續(xù)的工藝過(guò)程不會(huì)發(fā) 生誤差，使非鍍面的后續(xù)加工質(zhì)量更好。對(duì)鍍面進(jìn)行前處理能夠使鍍面進(jìn)行化學(xué)鍍時(shí)，鍍層 質(zhì)量更好。采用化學(xué)鍍鍍上阻抗材料層，工藝操作方便，并且鍍層均勻、穩(wěn)定，技術(shù)條件要求 較為簡(jiǎn)單，成本較低。工藝流程操作方便，鍍層質(zhì)量良好。
[0065] 本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，如果對(duì)本發(fā)明的各種改動(dòng)或變型不脫離本發(fā)明 的精神和范圍，倘若這些改動(dòng)和變型屬于本發(fā)明的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本發(fā) 明也意圖包含這些改動(dòng)和變動(dòng)。
【權(quán)利要求】
1. 一種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： a、 在銅箔的非鍍面上貼上一層隔離膜； b、 對(duì)銅箔的鍍面進(jìn)行預(yù)處理：將銅箔進(jìn)行除油及酸洗處理，隨后將銅箔浸入微蝕液中 進(jìn)行微蝕，然后對(duì)已被微蝕的銅箔活化及酸侵，最后把銅箔水洗，并烘干備用； c、 在銅箔的鍍面通過(guò)化學(xué)鍍的方式鍍上一層阻抗材料層； d、 移除非鍍面上的隔離膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，所述阻 抗材料層為Ni-P合金層，Ni-P合金層的厚度范圍為0.01-0. Ιμπι;其中，P質(zhì)量占比為 10% -14%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，c步驟應(yīng)用 的化學(xué)鍍液中包括：硫酸鎳20-22g/L、次亞磷酸鈉25-27g/L、檸檬酸鈉20-25g/L、甘氨酸 10-15g/L、五水醋酸鈉 4-6g/L、醋酸鉛(λ 1-0. 3PPM 及 EDTA 鹽 5-10g/L。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，所述化學(xué)鍍的過(guò)程 中：溫度控制在75°C -88°C，鍍層的沉積時(shí)間控制在1. 5min。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，所述隔離膜 為感光干膜或微粘膜。
6. -種鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： a、 對(duì)銅箔的兩個(gè)側(cè)面進(jìn)行預(yù)處理：將銅箔進(jìn)行除油及酸洗處理，隨后將銅箔浸入微蝕 液中進(jìn)行微蝕，然后對(duì)已被微蝕的銅箔活化及酸侵，最后把銅箔水洗，并烘干備用； b、 在銅箔的兩個(gè)側(cè)面上通過(guò)化學(xué)鍍的方式分別鍍上一層阻抗材料層，所述銅箔的兩個(gè) 側(cè)面分別為鍍面及非鍍面； c、 銅箔的鍍面與PI粘合后，將銅箔的非鍍面上的阻抗材料層移除。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，所述阻抗材 料層為Ni-P合金層；所述銅箔的鍍面上的Ni-P合金層的厚度范圍為0. 01-0. 1 μ m，P質(zhì)量 占比為10% -14%。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，b步驟應(yīng)用 的化學(xué)鍍液中包括：硫酸鎳20-22g/L、次亞磷酸鈉25-27g/L、檸檬酸鈉20-25g/L、甘氨酸 10-15g/L、五水醋酸鈉 4-6g/L、醋酸鉛(λ 1-0. 3PPM 及 EDTA 鹽 5-10g/L。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，所述化學(xué)鍍 的過(guò)程中：溫度控制在75°C -88°C，鍍層的沉積時(shí)間控制在1. 5分鐘。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的鍍有阻性材料的銅箔的制造方法，其特征在于，所述 化學(xué)鍍的過(guò)程中：溫度控制在80°C，鍍層的沉積速度為0.01-0. 02 μ m/min，pH值控制在 3. 5-4. 5 ;所述阻抗材料層為Ni-P合金層；所述Ni-P合金層的P質(zhì)量占比為13% -14%。
【文檔編號(hào)】C23C18/36GK104152879SQ201410424188
【公開(kāi)日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
【發(fā)明者】崔成強(qiáng) 申請(qǐng)人:安捷利電子科技（蘇州）有限公司