掠角反應(yīng)沉積設(shè)備及其運(yùn)行方法
【專利摘要】本發(fā)明公開掠角反應(yīng)沉積設(shè)備及其運(yùn)行方法，高真空腔室與腔室門活動(dòng)連接，在高真空腔室一側(cè)設(shè)置高真空擋板閥，高真空擋板閥與第一泵入口相連，第一泵出口通過第一管路與第二泵相連，高真空腔室通過第二管路與第二泵相連，在高真空腔室中設(shè)置真空表和活性氣體微調(diào)閥，樣品操縱桿貫穿高真空腔室的室壁并密封，位于高真空腔室內(nèi)的一端設(shè)置固定夾，膜厚監(jiān)測(cè)儀貫穿高真空腔室的室壁并密封，位于高真空腔室內(nèi)的一端設(shè)置膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭，電子束轟擊蒸發(fā)源設(shè)置在高真空腔室的底部，并與靶材相連，在運(yùn)行時(shí)待測(cè)定沉積速率后再進(jìn)行基底沉積。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，操作簡(jiǎn)單，能夠制備較高質(zhì)量的多孔結(jié)構(gòu)薄膜材料。
【專利說明】掠角反應(yīng)沉積設(shè)備及其運(yùn)行方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于化工設(shè)備領(lǐng)域，具體來說，涉及一種掠角反應(yīng)沉積設(shè)備及其運(yùn)行方法。

【背景技術(shù)】
[0002]掠角反應(yīng)沉積(Reactive Ballistic Deposit1n)是一種高真空條件下，在活性氣體氛圍中，利用電子束高溫轟擊金屬靶材，在冷基底上沉積并且反應(yīng)的生成薄膜的方法。具體來說，掠角反應(yīng)沉積是通過電子束高溫轟擊，加熱金屬靶材，使金屬原子束流在活性氣體氛圍中，沿著一定角度撞擊在低溫基底上，發(fā)生吸附以及化學(xué)反應(yīng)而形成化合物薄膜。在冷基底表面會(huì)形成活性氣體吸附層，當(dāng)高溫金屬原子束流到達(dá)基底表面，會(huì)在基地表面附著，并且與表面的吸附活性氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。掠角反應(yīng)沉積的條件，只需要滿足達(dá)到被蒸發(fā)靶材在相應(yīng)真空度下的升華溫度，就可以進(jìn)行沉積反應(yīng)。它是一種自下而上的納米制備技術(shù)，能夠制備結(jié)構(gòu)規(guī)整，比表面積大的多孔結(jié)構(gòu)薄膜。掠角反應(yīng)沉積制備的納米結(jié)構(gòu)薄膜具有獨(dú)特的物理、光學(xué)特性，細(xì)微的薄膜結(jié)構(gòu)，能夠控制薄膜特性的連續(xù)變化，內(nèi)部結(jié)構(gòu)極大地增大了制備薄膜的比表面積。掠角反應(yīng)沉積技術(shù)在太陽能光電轉(zhuǎn)化，燃料電池，氣體傳感器，催化材料以及電容器等領(lǐng)域都有重要應(yīng)用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了簡(jiǎn)單便捷、高效利用掠角反應(yīng)沉積技術(shù)制備多孔結(jié)構(gòu)薄膜材料，本發(fā)明提供了一種新型的掠角反應(yīng)沉積設(shè)備及其運(yùn)行方法，其使用操作簡(jiǎn)單有效，成本低廉，能夠制備較高質(zhì)量的多孔結(jié)構(gòu)薄膜材料。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)目的可通過下述技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0005]掠角反應(yīng)沉積設(shè)備，包括高真空腔室、第一泵、第二泵、樣品操縱桿、活性氣體微調(diào)閥、電子束轟擊蒸發(fā)源和膜厚監(jiān)測(cè)儀，其中:
[0006]所述高真空腔室與腔室門活動(dòng)連接，在高真空腔室的一側(cè)設(shè)置有高真空擋板閥，所述高真空擋板閥與第一泵的入口相連，第一泵的出口通過第一管路與第二泵相連，所述高真空腔室通過第二管路與第二泵相連，在所述高真空腔室上設(shè)置樣品操縱桿、活性氣體微調(diào)閥、電子束轟擊蒸發(fā)源、真空表和膜厚監(jiān)測(cè)儀；所述活性氣體微調(diào)閥通過管路，與外部?jī)?chǔ)氣罐相連，用于高真空腔室內(nèi)的氣體組分調(diào)節(jié)，可對(duì)高真空腔室的真空度從大氣到高真空范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)；
[0007]所述高真空腔室為球形，樣品操縱桿貫穿高真空腔室的室壁并密封，位于高真空腔室內(nèi)的一端設(shè)置固定夾，用于夾持和固定基底材料，所述樣品操縱桿能夠進(jìn)行360度角的旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而帶動(dòng)固定夾進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以使基底材料滿足不同沉積角度，所述樣品操縱桿沿高真空腔室徑向進(jìn)行直線運(yùn)動(dòng)，以將固定夾穩(wěn)定在球形高真空腔室的中心位置；
[0008]膜厚監(jiān)測(cè)儀貫穿高真空腔室的室壁并密封，位于高真空腔室內(nèi)的一端設(shè)置膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭，所述膜厚監(jiān)測(cè)儀沿高真空腔室徑向進(jìn)行直線運(yùn)動(dòng)，以將膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭穩(wěn)定在球形高真空腔室的中心位置，用于監(jiān)測(cè)這一位置的薄膜沉積速率；
[0009]電子束轟擊蒸發(fā)源設(shè)置在高真空腔室的底部，并與靶材相連，所述靶材正對(duì)球形高真空腔室的中心位置，利用高能量電子束轟擊金屬靶材，使金屬靶材局部溫度升高，達(dá)到熔點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)金屬的蒸發(fā)。
[0010]在上述技術(shù)方案中，所述第一泵為渦輪分子泵；所述第二泵為機(jī)械泵。
[0011 ] 在上述技術(shù)方案中，在所述第二泵上設(shè)置第二泵出氣口。
[0012]在上述技術(shù)方案中，所述腔室門與高真空腔室通過密封膠圈進(jìn)行密封連接，腔室門的內(nèi)徑優(yōu)選大于200毫米且小于500mm。
[0013]在上述技術(shù)方案中，所述真空表用于測(cè)量高真空腔室的真空度，量程從I個(gè)大氣到 5.0 X 10 10mbaro
[0014]在本發(fā)明的技術(shù)方案中，高真空腔室通過高真空擋板閥與渦輪分子泵相連，機(jī)械泵作為系統(tǒng)的前級(jí)泵，有兩個(gè)支路，分別與渦輪分子泵和高真空腔室相接；腔室門在高真空腔室的正面，作為樣品進(jìn)出制備系統(tǒng)的開口 ；樣品操縱桿安裝在高真空腔室的右側(cè)，操縱樣品在真空腔室內(nèi)的位置；膜厚監(jiān)測(cè)儀安裝在高真空腔室的右后方，檢測(cè)沉積反應(yīng)時(shí)，薄膜的沉積厚度；真空表安裝在高真空腔室的右前方，檢測(cè)制備系統(tǒng)的真空度；活性氣體微調(diào)閥安裝在真空腔室的右下方，控制活性氣體通入制備系統(tǒng)內(nèi)的量；兩套電子束轟擊蒸發(fā)源安裝在高真空腔室的底部，作為金屬靶材的蒸發(fā)源。
[0015]上述掠角反應(yīng)沉積設(shè)備的運(yùn)行方法，即利用上述掠角反應(yīng)沉積設(shè)備進(jìn)行薄膜制備的方法，按照下述步驟進(jìn)行:
[0016]步驟I，將基底材料固定在位于尚真空腔室內(nèi)的樣品操縱桿一端的固定夾上，關(guān)閉腔室門，啟動(dòng)第二泵對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行抽真空，當(dāng)真空腔室內(nèi)的壓力小于1.0X 1-2Hibar時(shí)啟動(dòng)第一泵；
[0017]步驟2，當(dāng)高真空腔室內(nèi)的底真空達(dá)到5.0X 10_7mbar時(shí)，通過活性氣體微調(diào)閥向高真空腔室內(nèi)導(dǎo)入外界氣體，使高真空腔室內(nèi)真空度維持在1.0X 10_6mbar，所述外界氣體既可以是參與反應(yīng)的氣體，例如氧氣；也可以是穩(wěn)定的惰性氣體，例如氦氣、氬氣或者氮?dú)?
[0018]步驟3，調(diào)節(jié)膜厚監(jiān)測(cè)儀以使膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭穩(wěn)定在球形高真空腔室的中心位置，并調(diào)節(jié)電子束轟擊蒸發(fā)源的輸出功率，以使靶材穩(wěn)定蒸鍍?cè)谀ず癖O(jiān)測(cè)儀探頭上，利用膜厚監(jiān)測(cè)儀監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，調(diào)節(jié)輸出功率達(dá)到目標(biāo)沉積速率；
[0019]步驟4，調(diào)整樣品操縱桿和膜厚監(jiān)測(cè)儀，以使固定夾帶動(dòng)基底材料穩(wěn)定在步驟3中膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭所在的球形高真空腔室的中心位置上，根據(jù)目標(biāo)沉積速率利用沉積時(shí)間控制薄膜生長(zhǎng)的厚度。
[0020]本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，操作簡(jiǎn)單。在進(jìn)行鍍膜沉積前，先將沉積基底安裝在操縱桿連接的樣品夾上，依次開啟前級(jí)機(jī)械泵以及渦輪分子泵，使高真空腔室達(dá)到一個(gè)較高且穩(wěn)定的真空度。利用活性氣體微調(diào)閥控制反應(yīng)所需的活性氣體達(dá)到所需要的分壓。通過控制高溫電子束轟擊蒸發(fā)源的輸出功率，根據(jù)膜厚監(jiān)測(cè)儀監(jiān)測(cè)信號(hào)，調(diào)整所需要沉積材料的蒸發(fā)束流。在沉積系統(tǒng)內(nèi)，沉積基底處于一個(gè)穩(wěn)定的高真空環(huán)境中，并且在基底表面發(fā)生穩(wěn)定的薄膜沉積過程，并伴隨化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生。沉積速率可以穩(wěn)定控制在一定的數(shù)值，通過控制沉積反應(yīng)的時(shí)間，可以控制薄膜沉積的厚度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖(I)，其中I為高真空腔室，2為第一泵，3為高真空擋板閥，4為樣品操縱桿，5為腔室門，6為真空表，9為膜厚監(jiān)測(cè)儀，10為第一管路，11為第二管路，12為第二泵，13為第二泵出氣口。
[0022]圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖(2)，其中I為高真空腔室，2為第一泵，3為高真空擋板閥，4為樣品操縱桿，5為腔室門，6為真空表，7為活性氣體微調(diào)閥，8為電子束轟擊蒸發(fā)源。
[0023]圖3是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖(3)，其中I為高真空腔室，4為樣品操縱桿，7為活性氣體微調(diào)閥，8為電子束轟擊蒸發(fā)源，14為固定夾，16為革巴材。
[0024]圖4是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖(4)，其中I為高真空腔室，4為樣品操縱桿，9為膜厚監(jiān)測(cè)儀，14為固定夾，15為膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭。
[0025]圖5是利用本發(fā)明的掠角反應(yīng)沉積設(shè)備制備的三氧化二鐵薄膜的掃描電鏡照片。

【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0027]如附圖1和2所示分別為本發(fā)明掠角反應(yīng)沉積設(shè)備的俯視圖和主視圖，包括高真空腔室、第一泵、第二泵、樣品操縱桿、活性氣體微調(diào)閥、電子束轟擊蒸發(fā)源和膜厚監(jiān)測(cè)儀，其中:
[0028]所述高真空腔室與腔室門活動(dòng)連接，在高真空腔室的一側(cè)設(shè)置有高真空擋板閥，所述高真空擋板閥與第一泵的入口相連，第一泵的出口通過第一管路與第二泵相連，所述高真空腔室通過第二管路與第二泵相連，在所述高真空腔室上設(shè)置樣品操縱桿、活性氣體微調(diào)閥、電子束轟擊蒸發(fā)源、真空表和膜厚監(jiān)測(cè)儀；所述活性氣體微調(diào)閥通過管路，與外部?jī)?chǔ)氣罐相連，用于高真空腔室內(nèi)的氣體組分調(diào)節(jié)，可對(duì)高真空腔室的真空度從大氣到高真空范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)；
[0029]如附圖3和4所示，本發(fā)明掠角反應(yīng)沉積設(shè)備中高真空腔室、膜厚監(jiān)測(cè)儀、樣品操縱桿和電子束轟擊蒸發(fā)源的位置關(guān)系，具體來說:
[0030]所述高真空腔室為球形，樣品操縱桿貫穿高真空腔室的室壁并密封，位于高真空腔室內(nèi)的一端設(shè)置固定夾，用于夾持和固定基底材料，所述樣品操縱桿能夠進(jìn)行360度角的旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而帶動(dòng)固定夾進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以使基底材料滿足不同沉積角度，所述樣品操縱桿沿高真空腔室徑向進(jìn)行直線運(yùn)動(dòng)，以將固定夾穩(wěn)定在球形高真空腔室的中心位置；
[0031]膜厚監(jiān)測(cè)儀貫穿高真空腔室的室壁并密封，位于高真空腔室內(nèi)的一端設(shè)置膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭，所述膜厚監(jiān)測(cè)儀沿高真空腔室徑向進(jìn)行直線運(yùn)動(dòng)，以將膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭穩(wěn)定在球形高真空腔室的中心位置，用于監(jiān)測(cè)這一位置的薄膜沉積速率；
[0032]電子束轟擊蒸發(fā)源設(shè)置在高真空腔室的底部，并與靶材相連，所述靶材正對(duì)球形高真空腔室的中心位置，利用高能量電子束轟擊金屬靶材，使金屬靶材局部溫度升高，達(dá)到熔點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)金屬的蒸發(fā)。
[0033]在上述技術(shù)方案中，所述第一泵為渦輪分子泵；所述第二泵為機(jī)械泵。
[0034]在上述技術(shù)方案中，在所述第二泵上設(shè)置第二泵出氣口。
[0035]在上述技術(shù)方案中，所述腔室門與高真空腔室通過密封膠圈進(jìn)行密封連接，腔室門的內(nèi)徑優(yōu)選大于200毫米且小于500mm。
[0036]在上述技術(shù)方案中，所述真空表用于測(cè)量高真空腔室的真空度，量程從I個(gè)大氣到 5.0 X 10 10mbaro
[0037]在本發(fā)明的技術(shù)方案中，高真空腔室通過高真空擋板閥與渦輪分子泵相連，機(jī)械泵作為系統(tǒng)的前級(jí)泵，有兩個(gè)支路，分別與渦輪分子泵和高真空腔室相接；腔室門在高真空腔室的正面，作為樣品進(jìn)出制備系統(tǒng)的開口 ；樣品操縱桿安裝在高真空腔室的右側(cè)，操縱樣品在真空腔室內(nèi)的位置；膜厚監(jiān)測(cè)儀安裝在高真空腔室的右后方，檢測(cè)沉積反應(yīng)時(shí)，薄膜的沉積厚度；真空表安裝在高真空腔室的右前方，檢測(cè)制備系統(tǒng)的真空度；活性氣體微調(diào)閥安裝在真空腔室的右下方，控制活性氣體通入制備系統(tǒng)內(nèi)的量；兩套電子束轟擊蒸發(fā)源安裝在高真空腔室的底部，作為金屬靶材的蒸發(fā)源。
[0038]下面以制備多孔結(jié)構(gòu)氧化鐵薄膜為例說明本發(fā)明的運(yùn)行方法，使用的膜厚監(jiān)測(cè)儀(制造商:上海泰堯真空科技有限公司)，又名石英晶體微天平，安裝在高真空腔室的右后方，檢測(cè)沉積反應(yīng)時(shí)，薄膜的沉積厚度。其工作原理為，利用石英晶體的壓電效應(yīng)，與外加交變電壓形成壓電諧振。通過將諧振頻率轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，可以模擬出晶體探頭表面的質(zhì)量變化，進(jìn)而計(jì)算出薄膜的沉積速率以及沉積厚度；高溫電子束轟擊蒸發(fā)源(制造商:大連齊維科技發(fā)展有限公司)安裝在高真空腔室的底部，作為金屬靶材的蒸發(fā)源。其工作原理為，利用高能量電子束轟擊金屬靶材，使金屬靶材局部溫度升高，達(dá)到熔點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)金屬的蒸發(fā)，蒸發(fā)溫度可達(dá)2000 °C。
[0039]在高真空腔室內(nèi)，將沉積基底安裝在操縱桿的樣品夾上，機(jī)械泵以及渦輪分子泵保持正常工作狀態(tài)，使高真空腔室維持穩(wěn)定的高真空狀態(tài)下，真空度在5.0X 10_7mbar左右(約5.0X 10_5Pa)。外接高純氧提供給活性氣體微調(diào)閥的壓力是0.8MPa?高溫電子束轟擊蒸發(fā)源安裝高純鐵棒，作為沉積金屬。通過電源控制高溫電子束轟擊蒸發(fā)源控制高純鐵棒加熱功率，調(diào)節(jié)沉積速率。
[0040]采用掠角反應(yīng)沉積系統(tǒng)進(jìn)行多孔結(jié)構(gòu)氧化鐵薄膜的沉積，制備的三氧化鐵薄膜的形貌如附圖5所示，主要包括以下四個(gè)步驟:
[0041](I)將需要沉積的基底安裝在高真空腔室內(nèi)的樣品操縱桿一端的固定夾上，關(guān)閉好腔室門以及高真空腔室連接機(jī)械泵的旁路。先啟動(dòng)機(jī)械泵對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行抽真空，當(dāng)系統(tǒng)真空腔室內(nèi)的壓力小于1.0X 10_2mbar時(shí)，才能啟動(dòng)分子泵。
[0042](2)當(dāng)高真空腔室內(nèi)的底真空優(yōu)于5.0X l(T7mbar時(shí)，通過活性氣體微調(diào)閥向高真空腔室內(nèi)導(dǎo)入高純氧氣，使高真空腔室內(nèi)真空度維持在1.0 X 10_6mbar。
[0043](3)調(diào)節(jié)高溫電子束轟擊蒸發(fā)源的輸出功率，使高純鐵金屬(純度99.9999% )穩(wěn)定蒸鍍?cè)谀ず癖O(jiān)測(cè)儀探頭上，利用膜厚監(jiān)測(cè)儀監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，調(diào)節(jié)輸出功率達(dá)到目標(biāo)沉積速率。
[0044](4)調(diào)整樣品操縱桿和膜厚監(jiān)測(cè)儀的位置，以使固定夾位于步驟(3)中膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭的位置上，根據(jù)基底上的薄膜沉積速率，利用沉積時(shí)間控制薄膜生長(zhǎng)的厚度。
[0045]以上對(duì)本發(fā)明做了示例性的描述，應(yīng)該說明的是，在不脫離本發(fā)明的核心的情況下，任何簡(jiǎn)單的變形、修改或者其他本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠不花費(fèi)創(chuàng)造性勞動(dòng)的等同替換均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.掠角反應(yīng)沉積設(shè)備，其特征在于，包括高真空腔室、第一泵、第二泵、樣品操縱桿、活性氣體微調(diào)閥、電子束轟擊蒸發(fā)源和膜厚監(jiān)測(cè)儀，其中: 所述高真空腔室與腔室門活動(dòng)連接，在高真空腔室的一側(cè)設(shè)置有高真空擋板閥，所述高真空擋板閥與第一泵的入口相連，第一泵的出口通過第一管路與第二泵相連，所述高真空腔室通過第二管路與第二泵相連，在所述高真空腔室上設(shè)置樣品操縱桿、活性氣體微調(diào)閥、電子束轟擊蒸發(fā)源、真空表和膜厚監(jiān)測(cè)儀；所述活性氣體微調(diào)閥通過管路與外部?jī)?chǔ)氣罐相連； 所述高真空腔室為球形，樣品操縱桿貫穿高真空腔室的室壁并密封，位于高真空腔室內(nèi)的一端設(shè)置固定夾，所述樣品操縱桿能夠進(jìn)行360度角的旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而帶動(dòng)固定夾進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，所述樣品操縱桿沿高真空腔室徑向進(jìn)行直線運(yùn)動(dòng)，以將固定夾穩(wěn)定在球形高真空腔室的中心位置；所述膜厚監(jiān)測(cè)儀貫穿高真空腔室的室壁并密封，位于高真空腔室內(nèi)的一端設(shè)置膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭，所述膜厚監(jiān)測(cè)儀沿高真空腔室徑向進(jìn)行直線運(yùn)動(dòng)，以將膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭穩(wěn)定在球形高真空腔室的中心位置；所述電子束轟擊蒸發(fā)源設(shè)置在高真空腔室的底部，并與靶材相連，所述靶材正對(duì)球形高真空腔室的中心位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掠角反應(yīng)沉積設(shè)備，其特征在于，所述第一泵為渦輪分子泵；所述第二泵為機(jī)械泵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掠角反應(yīng)沉積設(shè)備，其特征在于，在所述第二泵上設(shè)置第二泵出氣口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掠角反應(yīng)沉積設(shè)備，其特征在于，所述腔室門與高真空腔室通過密封膠圈進(jìn)行密封連接。
5.如權(quán)利要求1一4之一所述的掠角反應(yīng)沉積設(shè)備的運(yùn)行方法，其特征在于，按照下述步驟進(jìn)行: 步驟1，將基底材料固定在位于高真空腔室內(nèi)的樣品操縱桿一端的固定夾上，關(guān)閉腔室門，啟動(dòng)第二泵對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行抽真空，當(dāng)真空腔室內(nèi)的壓力小于1.0X 10_2mbar時(shí)啟動(dòng)第一泵; 步驟2，當(dāng)高真空腔室內(nèi)的底真空達(dá)到5.0X l(T7mbar時(shí)，通過活性氣體微調(diào)閥向高真空腔室內(nèi)導(dǎo)入外界氣體，使高真空腔室內(nèi)真空度維持在1.0X10_6mbar ; 步驟3，調(diào)節(jié)膜厚監(jiān)測(cè)儀以使膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭穩(wěn)定在球形高真空腔室的中心位置，并調(diào)節(jié)電子束轟擊蒸發(fā)源的輸出功率，以使靶材穩(wěn)定蒸鍍?cè)谀ず癖O(jiān)測(cè)儀探頭上，利用膜厚監(jiān)測(cè)儀監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，調(diào)節(jié)輸出功率達(dá)到目標(biāo)沉積速率； 步驟4，調(diào)整樣品操縱桿和膜厚監(jiān)測(cè)儀，以使固定夾帶動(dòng)基底材料穩(wěn)定在步驟3中膜厚監(jiān)測(cè)儀探頭所在的球形高真空腔室的中心位置上，根據(jù)目標(biāo)沉積速率利用沉積時(shí)間控制薄膜生長(zhǎng)的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的運(yùn)行方法，其特征在于，在步驟2中，所述外界氣體為氧氣、氮?dú)狻鍤饣蛘叩獨(dú)狻?br> 7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的運(yùn)行方法，其特征在于，所述靶材為純度99.9999 %的金屬鐵。
【文檔編號(hào)】C23C14/30GK104513951SQ201410820281
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月25日
【發(fā)明者】鞏金龍, 羅志斌, 王拓, 李澄澄 申請(qǐng)人:天津大學(xué)