一種用于制備兩層兩點發(fā)光oled器件的掩膜板的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種用于制備兩層兩點發(fā)光OLED器件的掩膜板，包括玻璃基板、銦錫氧化物（ITO）陽極、有機物掩膜板、底層電極掩膜板和頂層電極掩膜板。底層電極掩膜板所蒸鍍的電極在不同情況下分別作為底層發(fā)光器件的陰極或頂層發(fā)光器件的陽極，ITO基板和底層電極掩膜板之間通過有機物掩膜板依次蒸鍍各有機功能材料；底層電極掩膜板采用兩個尺寸不同的矩形鏤空設(shè)計，頂層電極的掩膜板與底層電極掩膜板呈中心對稱，即可在垂直方向上制備兩個發(fā)光器件。該實用新型不僅能夠?qū)崿F(xiàn)兩層有機發(fā)光二極管器件的制備，提高器件的發(fā)光亮度發(fā)光效率，而且能夠在30mm*30mm基板上一次性制備兩個發(fā)光器件，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說明】—種用于制備兩層兩點發(fā)光OLED器件的掩膜板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型具體涉及一種用于制備兩層兩點發(fā)光OLED器件的掩膜板。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，公知的OLED器件掩膜板都是基于OLED的基本結(jié)構(gòu)而設(shè)計的。其基本結(jié)構(gòu)一般由一層薄而透明的銦錫氧化物(ITO)陽極，空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層和金屬陰極構(gòu)成，包成如三明治的結(jié)構(gòu)。因此公知的OLED掩膜板只包括一個陰極掩膜板和有機物掩膜板，用于制作單層發(fā)光的OLED器件，如單層紅光器件、小分子綠光器件等。而且，目前的OLED器件掩膜板一般無法一次性制作多個器件，難以實現(xiàn)高效率的器件生產(chǎn)和制備，從而導(dǎo)致研究人員需要進行多次蒸鍍等相對較復(fù)雜的操作步驟，造成生產(chǎn)滯后和科研效率降低的后果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)兩層OLED發(fā)光器件制備的掩膜板,且能夠在30mm*30mm基板上一次性制備兩個發(fā)光器件,提高了生產(chǎn)效率。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種用于制備兩層兩點發(fā)光OLED器件的掩膜板，包括玻璃基板，位于玻璃基底上的銦錫氧化物(ΙΤ0)陽極，有機物掩膜板，底層電極掩膜板和頂層電極掩膜板；所述的ITO陽極，有機物掩膜板，底層電極掩膜板蒸鍍底層發(fā)光器件；所述的底層電極掩膜板，有機物掩膜板和頂層電極掩膜板蒸鍍頂層發(fā)光器件；所述的底層電極掩膜板采用兩個尺寸不同的矩形鏤空設(shè)計，所述的頂層電極的掩膜板與底層電極掩膜板呈中心對稱。
[0005]作為本發(fā)明的進一步改進，上述的底層電極掩膜板蒸鍍的底層電極，在不同條件下，可分別作為底層發(fā)光器件的陰極或頂層發(fā)光器件的陽極。
[0006]作為本發(fā)明的進一步改進，上述的ITO玻璃基板尺寸為30mm*30mm正方形，基板上設(shè)計呈軸對稱的兩列矩形ΙΤ0，各矩形ITO之后彼此隔斷。
[0007]作為本發(fā)明的進一步改進，ITO玻璃基板由8塊矩形ITO構(gòu)成，ITO按照尺寸不同可分為2類，此處分別以大矩形和小矩形命名。其中，大矩形位于玻璃基板的四角，尺寸為14mm*8mm ;小矩形位于玻璃基板的兩側(cè),相鄰大矩形中間，尺寸為即兩列ITO矩形成軸對稱布置，便于實現(xiàn)在水平方向的同一層ITO上蒸鍍兩個OLED發(fā)光器件。
[0008]作為本發(fā)明的進一步改進,上述的底層電極掩膜板為30mm*30mm正方形基板,基板采用兩個尺寸不同的矩形鏤空設(shè)計，鏤空的矩形尺寸分別為4mm*14mm和4mm*8mm。
[0009]作為本發(fā)明的進一步改進，上述的頂層電極掩膜板用于蒸鍍頂層OLED器件的陰極，頂層電極掩膜板為30mm*30mm正方形基板，鏤空形狀與底層電極掩膜板呈中心對稱。
[0010]作為本發(fā)明的進一步改進，上述的有機物掩膜板為30mm*30mm正方形基板,基板采用中心位置的一個矩形鏤空設(shè)計，鏤空的矩形尺寸為20mm*12mm;有機物掩膜板用于蒸鍍ITO陽極與底層電極掩膜板之間或底層電極掩膜板與頂層電極掩膜板間的各層有機功能材料，即有機物掩膜板蒸鍍底層器件或頂層器件的有機發(fā)光層。
[0011]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下技術(shù)效果:該實用新型不僅能夠?qū)崿F(xiàn)兩層有機發(fā)光二極管器件的制備，提高器件的發(fā)光亮度發(fā)光效率，而且能夠在30mm*30mm基板上一次性制備兩個發(fā)光器件，提高了生產(chǎn)效率，且機械結(jié)構(gòu)簡單。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型制備OLED器件的掩膜板平面示意圖。
[0013]圖2是本實用新型制備OLED器件的掩膜板立體示意圖。
[0014]圖3是本實用新型的ITO玻璃基板平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖4是本實用新型的底層電極掩膜板平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖5是本實用新型的有機物掩膜板平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖6是本實用新型的頂層電極掩膜板平面結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0018]現(xiàn)結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0019]如圖1飛所示，一種用于制備兩層兩點發(fā)光OLED器件的掩膜板，包括玻璃基板1、位于玻璃基板上的銦錫氧化物(ITO)陽極2，有機物掩膜板6，底層電極掩膜板4和頂層電極掩膜板5，底層電極掩膜板矩形鏤空7，有機物掩膜板矩形鏤空8和頂層電極掩膜板矩形鏤空9。
[0020]位于ITO陽極與底層電極掩膜板間的有機物掩膜板用于蒸鍍器件的各有機物發(fā)光層，底層電極掩膜板在不同電極的控制條件下，可用于蒸鍍發(fā)光器件的陰極或陽極，所述的ITO陽極，有機物掩膜板，底層電極掩膜板蒸鍍底層發(fā)光器件，當?shù)讓悠骷翦兺旰?，有機物掩膜板又可用于蒸鍍頂層器件的有機放光層，則底層電極掩膜板，有機物掩膜板和頂層電極掩膜板蒸鍍制備頂層發(fā)光器件。
[0021]底層器件和頂層器件3結(jié)構(gòu)均為三明治結(jié)構(gòu)，底層器件由下至上分別為玻璃基板、ITO陽極、有機物層、底層電極；而頂層電極由下至上分別為底層電極、有機物層和頂層電極。其中，ITO為底層器件的陽極，底層電極為底層器件的陰極，當電力供應(yīng)至適當電壓時，陽極ITO提供的空穴與陰極電荷就會在發(fā)光層中結(jié)合，底層器件發(fā)光；對于頂層器件，底層電極為陽極，頂層電極為陰極，當電力供應(yīng)至適當電壓時，頂層器件發(fā)光，即在垂直方向上，可以一次性蒸鍍兩個OLED發(fā)光器件。
[0022]玻璃基板上分別刻蝕了特定形狀的ITO電極，如圖3所示，玻璃基板尺寸為30mm*30mm,電極由8塊矩形ITO構(gòu)成，ITO按照尺寸不同可分為2類，此處分別以大矩形和小矩形命名。其中，大矩形位于玻璃基板的四角，尺寸為小矩形位于玻璃基板的兩側(cè)，相鄰大矩形中間，尺寸為14_*4_ ;即兩列ITO矩形成軸對稱布置，便于實現(xiàn)在水平方向的同一層ITO上蒸鍍兩個OLED發(fā)光器件。
[0023]圖4中，底層電極掩膜板為30mm*30mm正方形基板，基板采用兩個尺寸不同的矩形鏤空7設(shè)計,鏤空的矩形尺寸分別為4mm*14_和4mm*8mm ;用于蒸鍍底層電極,底層電極分別用作底層器件的陰極和頂層器件的陽極。
[0024]圖5中，有機物掩膜板為30mm*30mm正方形基板,基板采用中心位置的一個矩形鏤空設(shè)計8，鏤空的矩形尺寸為20mm*12mm ;有機物掩膜板用于蒸鍍ITO陽極與底層電極掩膜板之間或底層電極掩膜板與頂層電極掩膜板間的各層有機功能材料，即有機物掩膜板蒸鍍底層器件或頂層器件的有機發(fā)光層。
[0025]圖6中，頂層電極掩膜板上設(shè)置有兩個呈鏡面對稱且形狀相同的頂層電極掩膜板矩形鏤空9，用于蒸鍍頂層電極，頂層電極用作頂層器件的陰極，且鏤空形狀與底層電極掩膜板呈中心對稱。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制備兩層兩點發(fā)光OLED器件的掩膜板,包括玻璃基板,位于玻璃基底上的銦錫氧化物ITO陽極，有機物掩膜板，底層電極掩膜板和頂層電極掩膜板，其特征在于:所述的ITO陽極，有機物掩膜板，底層電極掩膜板蒸鍍底層發(fā)光器件；所述的底層電極掩膜板，有機物掩膜板和頂層電極掩膜板蒸鍍制備頂層發(fā)光器件；所述的底層電極掩膜板采用兩個尺寸不同的矩形鏤空設(shè)計，所述的頂層電極的掩膜板與底層電極掩膜板呈中心對稱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于:所述的底層電極掩膜板蒸鍍的底層電極，作為底層發(fā)光器件的陰極或頂層發(fā)光器件的陽極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于:所述的ITO玻璃基板尺寸為30mm*30mm正方形，基板上設(shè)計呈軸對稱的兩列矩形ΙΤ0，各矩形ITO之后彼此隔斷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述OLED器件的掩膜板，其特征在于:所述的ITO玻璃基板由8塊矩形ITO構(gòu)成，ITO按照尺寸不同可分為2類，此處分別以大矩形和小矩形命名。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述OLED器件的掩膜板，其特征在于:大矩形位于玻璃基板的四角，尺寸為小矩形位于玻璃基板的兩側(cè)，相鄰大矩形中間，尺寸為14mm*4mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于:所述的底層電極掩膜板為30mm*30mm正方形基板，兩個鏤空的矩形尺寸分別為4mm*14mm和4mm*8mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于:所述有機物掩膜板為30mm*30mm正方形基板，基板采用中心位置的一個矩形鏤空設(shè)計，鏤空的矩形尺寸為20mm* 12mm ο
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于:所述頂層電極掩膜板為30mm*30mm正方形基板,基板的鏤空形狀與底層電極掩膜板呈中心對稱。
【文檔編號】C23C14/04GK204045637SQ201420515858
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月10日
【發(fā)明者】閔永剛, 王劍, 楊文斌, 苑春秋, 劉屹東, 宋建軍 申請人:南京新月材料科技有限公司, 鹽城增材科技有限公司, 鑫月華科技（杭州）有限公司