一種板式pecvd的特氣管路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種板式PECVD的特氣管路，其包含三組氣路，每組氣路上設置兩個質量流量控制器MFC，前面兩組氣路上每組設置兩組特氣孔，后面一組氣路上設置四組特氣孔，每組特氣孔包含兩個硅烷特氣孔和一個氨氣特氣孔。該特氣管路供給板式PECVD設備中每小組的氣體流量更加均勻，也增加了設備工藝參數(shù)的調整范圍，能夠實現(xiàn)三層及更多層減反射膜的鍍膜工藝，提高了電池的轉化效率，且膜的顏色均勻性好，成品良率高，顯著降低了電池片的生產成本。
【專利說明】—種板式PECVD的特氣管路

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種板式PECVD的特氣管路。

【背景技術】
[0002]板式PECVD鍍膜設備是石英管在兩端通微波源，表面抽真空的條件下將氨氣和硅烷分解成高能離子狀態(tài)，經過一系列化學反應，在硅片表面沉積氮化硅固態(tài)薄膜，同時分解出來的氫離子，將硅片表面原有缺陷鈍化的設備。隨著晶體硅電池品質和光電轉換效率的不斷提升，傳統(tǒng)的一層鍍膜工藝已經不能滿足工藝要求，兩層、三層及更多層減反射膜工藝成為了晶體硅電池鍍膜工藝研究的主流方向。原來板式PECVD鍍膜設備是只有兩組氣路(如圖1)，每組特氣管路包含兩個質量流量控制器(MFC)，分別控制氨氣和硅烷的氣體流量。如圖1所示，每組特氣管路分別控制4組共8組特氣孔1、2、3、4、5、6、7和8 (4-4模式)，每組特氣孔1、2、3、4、5、6、7或8包含2個硅烷特氣孔9和一個氨氣特氣孔10。這樣4組特氣孔由一組兩個MFC控制，不能保證進入到設備中每小組的氣體流量的均勻性和可分配性；由于現(xiàn)有PECVD設備工藝參數(shù)調整范圍的局限性和供氣的均勻性差，使其鍍出的每層膜的膜厚較厚，一般每層膜的膜厚均在3(T45nm之間，其只能實現(xiàn)雙層鍍膜，對于三層及更多層減反射膜則由于對每層膜的厚度要求更薄，更不能保證每層膜厚薄的要求和均勻性，所以，采用現(xiàn)有特氣管路控制供氣基本不能實現(xiàn)，不能再提高電池的轉化效率；且即便兩層膜由于進氣均勻性差，膜的顏色均勻性不好控制，造成成品良率降低，增加了生產成本。


【發(fā)明內容】

[0003]本實用新型的目的就是解決現(xiàn)有技術中存在的上述問題，提供一種板式PECVD的特氣管路，該特氣管路供給板式PECVD設備中每小組的氣體流量更加均勻，也增加了設備工藝參數(shù)的調整范圍，能夠實現(xiàn)三層及更多層減反射膜的鍍膜工藝，提高了電池的轉化效率，且膜的顏色均勻性好，成品良率高，顯著降低了電池片的生產成本。
[0004]為完成上述目的，本實用新型的技術解決方案是:一種板式PECVD的特氣管路，其包含三組氣路，每組氣路上設置兩個質量流量控制器MFC，前面兩組氣路上每組設置兩組特氣孔，后面一組氣路上設置四組特氣孔，每組特氣孔包含兩個硅烷特氣孔和一個氨氣特氣孔。
[0005]由于本實用新型采用了上述方案，將板式PECVD的特氣管路按照上述連接方式連接好，將八組特氣孔由三組質量流量控制器MFC控制，第一二組特氣孔由一組MFC控制，第三四組特氣孔由一組MFC控制，后四組特氣孔由一組MFC控制，這樣就增加了前四組特氣孔進入氨氣和硅烷流量的均勻性和穩(wěn)定性；且三個質量流量控制器MFC獨立控制，增加了設備工藝參數(shù)的調整范圍，能夠實現(xiàn)三層及更多層減反射膜的鍍膜工藝，提高了電池的轉化效率，成品電池的轉換效率提升了 0.2^0.3%，進而節(jié)約了生產成本。且膜的顏色均勻性好，成品良率高，顯著降低了電池片的生產成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1為現(xiàn)有的板式PECVD的特氣管路的結構示意圖；
[0007]圖2為本實用新型的板式PECVD的特氣管路的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0008]下面結合附圖和具體實施實例對本實用新型作進一步的描述。
[0009]如圖2所示，本實施例包含三組氣路11、12和13，每組氣路11、12或13上設置兩個質量流量控制器MFC，前面第一組11和第二組12氣路上每組設置兩組特氣孔:第一組11上設置第一組、第二組特氣孔I和2，第二組12上設置第三組、第四組特氣孔3和4，后面一組氣路13上設置四組特氣孔:第五至第八組特氣孔5、6、7和8，每組特氣孔1、2、3、4、5、6、7或8包含兩個硅烷特氣孔9和一個氨氣特氣孔10。
[0010]具體的管路連接:氨氣NH3氣源通過氨氣總管道由四通分為三路氨氣分管道，每路氨氣分管道上安裝一個質量流量控制器MFC ;前面第一路的氨氣分管道的出口分別連接一組和二組I和2氨氣特氣孔10，第二路的氨氣分管道的出口分別連接三組和四組3和4的氨氣特氣孔10，最后一路氨氣分管道的出口分別連接五組至八組5、6、7和8的氨氣特氣孔10。硅烷SiH4氣源通過氨氣總管道由四通分為三路硅烷分管道，每路硅烷分管道上安裝一個質量流量控制器MFC ;前面第一路的硅烷分管道的出口分別連接一組和二組I和2的硅烷特氣孔9，第二路的硅烷分管道的出口分別連接三組和四組3和4的硅烷特氣孔9，最后一路硅烷分管道的出口分別連接五組至八組5、6、7和8的硅烷特氣孔9。每組特氣孔包含兩個硅烷特氣孔9和一個氨氣特氣孔10。
[0011]當然，本實用新型還有其它多種實例，在不違背本實用新型精神和實質的情況下，熟悉本領域的技術人員可根據(jù)本實用新型做出等同技術的改變和變形，這些等同技術的改變和變形都應在本實用新型權利要求的保護范圍內。
【權利要求】
1.一種板式PECVD的特氣管路，其特征在于:其包含三組氣路，每組氣路上設置兩個 質量流量控制器MFC，前面兩組氣路上每組設置兩組特氣孔，后面一組氣路上設置四組特氣 孔，每組特氣孔包含兩個硅烷特氣孔和一個氨氣特氣孔。
【文檔編號】C23C16/455GK204162784SQ201420598574
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月16日 優(yōu)先權日:2014年10月16日
【發(fā)明者】王志勇, 田娜, 張大雨, 王春燕, 楊雄磊 申請人:巨力新能源股份有限公司