本發(fā)明涉及可用于半導體制造應用(諸如蝕刻半導體)中并且用作用于清除CVD室和PECVD室中的表面沉積物的清潔氣體的全氟炔烴組合物。本發(fā)明進一步涉及通過使用活化的氣體混合物從化學氣相沉積室的內(nèi)部清除表面沉積物的方法，該活化的氣體混合物通過活化該室中或遠距室中的氣體混合物來產(chǎn)生，其中氣體混合物包括氟烯烴，諸如全氟炔烴和氧氣。
背景技術：
蝕刻氣體和清潔氣體用于制造半導體。例如，化學氣相沉積(CVD)室和等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)室需要定期清潔，以清除室壁和臺板的沉積物。由于在清潔循環(huán)中室停止活性服務，所以這一清潔過程降低了室的生產(chǎn)能力。清潔過程可包括，例如反應物氣體的排空及使用清潔氣體替換反應物氣體、該氣體的活化以及接下來使用惰性載氣去除室中清潔氣體的沖洗步驟。清潔氣體通常通過蝕刻內(nèi)表面積聚的污染物來工作，因此在氣體的實用性和商業(yè)用途中清潔氣體的蝕刻速率是一項重要參數(shù)，并且一些清潔氣體還可用作蝕刻氣體。另外，現(xiàn)有清潔氣體含有大量具有較高全球變暖潛能值的組分。例如，美國專利6,449,521公開了54％氧氣、40％全氟乙烷和6％NF3的混合物作為CVD室的清潔氣體。然而，全氟乙烷具有相對較高的GWP，估計其量值在20年的時間范圍內(nèi)為大約6200，在500年的時間范圍內(nèi)為大約14000。其他清潔氣體包括C3F8，其也具有顯著的全球變暖潛能值。其他氣體包括例如美國專利6,242,359中描述的那些，該專利公開了含有不飽和氟的氧化物，例如六氟環(huán)氧丙烷(CF3CFOCF2)、全氟丙烷-二醇(CFOCF2CFO)、三氟甲醇(CF3OH)、二氟甲醇(CHF2OH)、二氟氧基氟甲烷(CHF2OF)、全氟二乙基醚(C2F5OC2F5)、1，1，3，3-四氟二甲基醚(CHF2OCHF2)等。此外，即使對工藝進行優(yōu)化，清潔氣體也具有釋放的可能。最后，鑒于這些氣體的化學穩(wěn)定性，其活化可為高耗能的。各種反應器可用于使用蝕刻和清潔氣體產(chǎn)生半導體。
蝕刻氣體用于將結構蝕刻到半導體中。氣體被引入到室中，轉換成等離子體，然后等離子體與掩蔽半導體的暴露表面反應以從沉積在襯底上的膜清除暴露的材料。對于特定襯底上的給定膜而言，氣體可為可選擇的。例如，CF4/O2、SF6和CHF3可用于蝕刻多晶硅、CF4、CF4/O2和CH2F2可用于蝕刻Si3N4膜。
然而，應當理解，這些氣體可生成相對較高含量的有毒廢氣，除清潔或蝕刻氣體本身的GWP之外，這可帶來另外的GWP或環(huán)境、健康和安全(EHS)問題。因此，在本領域中有必要使用比現(xiàn)有氣體具有更高蝕刻速率及更低GWP和ESH影響的有效且價廉的清潔/蝕刻氣體，以減少清潔和操作CVD反應器造成的全球變暖的危害。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供了一種具有低EHS和GWP的清潔或蝕刻氣體混合物，使得即使未反應的氣體釋放，其也具有降低的環(huán)境影響。在本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明包括含有至少一種氟烯烴和氧氣的蝕刻氣體混合物，其中氟烯烴基本上選自CHF＝CF2、Z-CF3-CF＝CHF、Z-CF3-CF＝CHF、CF3-CH＝CF2、CF3-CF＝CH2、CF3-CH＝CHF、CF2＝CH-CHF、CF2＝CF-CF3、Z-CF3-CH＝CH-CF3、E-CF3-CH＝CHCF3、CF3-CF2-CH＝CHF、CF3-CF2-CH＝CHF、CH2＝CF-CF2-CF3、CHF2-CF＝CF-CHF2、Z-CF3-CF＝CF-CF3、E-CF3-CF＝CF-CF3、CF3-CF＝CH-CF3、CF3-CF＝CH-CF3、CHF＝CF-CF2-CF3、CHF＝CF-CF2-CF3、CF2＝CF-CHF-CF3、CF2＝CF-CF＝CF2、CHF＝C(CF3)2、CF2＝C(CF3)(CHF2)、CF2＝CH-CH2-CF3、CH2＝CF-CF2-CHF2、CF2＝CF-CHF-CH2F、CF2＝CFCH2CHF2、CHF＝CF-CHF-CHF2、CHF2-CF＝CH-CHF2、CHF2-CF＝CF-CH2F、CHF2-CF＝CF-CH2F、CHF2-CH＝CF-CHF2、CHF2-CH＝CF-CHF2，以及CF3C≡CCF3、CHC1＝CH-CF3。本發(fā)明還提供了將這些氣體用作蝕刻氣體的方法，其中氣體用于蝕刻半導體上的膜。在替代形式中，利用另外的氣體和氧氣，本發(fā)明提供了使用氣體從處理室清除沉積物的方法。本發(fā)明還包括用于清潔材料的沉積物的處理室的方法，包括活化處于遠距室中或原位處于處理室中的氣體，其中氣體混合物包括氧源和氫氟烯烴；以及使活化的氣體與表面沉積物接觸足以清除所述沉積物的時間。可通過RF源使用足夠功率、足夠時間活化氣體混合物，使得所述氣體混合物達到約800-3,000K的中性溫度以形成活化氣體混合物，或另選地使用輝光放電活化氣體，然后使所述活化氣體混合物與表面沉積物接觸從而清除至少一些所述表面沉積物。氣體混合物包含具有至多4個碳原子(C4)、且氟的百分比等于或大于65％的氫氟烯烴。氣體混合物還可具有等于或小于60％的H比F比率。
具體實施方式
使用本發(fā)明清除的表面沉積物包括通常通過化學氣相沉積(CVD)或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)或類似工藝沉積的那些材料。此類材料包括含氮沉積物，例如但不限于氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅(SiCN)、硼氮化硅(SiBN)，以及金屬氮化物如氮化鎢、氮化鈦或氮化鉭。在本發(fā)明的一個實施例中，優(yōu)選的表面沉積物是氮化硅。
在本發(fā)明的一個實施例中，表面沉積物是從用于制造電子器件的處理室內(nèi)部清除的。這一處理室可為CVD室或PECVD室。本發(fā)明的其他實施例包括但不限于清除金屬的表面沉積物、清潔等離子體蝕刻室和從晶片清除含氮薄膜。在一個實施例中，氣體用于蝕刻應用。例如，美國專利8,187,415(以引用方式并入本文)描述了具有帶有用于蝕刻和清潔氣體組分的多個人口的處理室的反應器，作為用于工件(諸如半導體晶片)的等離子體增強蝕刻的“等離子體蝕刻反應器包括限定處理室的外殼、被配置成在處理期間將工件支撐在室內(nèi)并且包括等離子體偏置功率電極的工件支撐件。反應器還包括耦合以主要接收純氧氣的第一處理氣體人口，以及耦合以接收聚合蝕刻處理氣體的第二處理氣體入口。反應器具有頂板等離子體源功率電極，該電極包括被配置成從第一處理氣體入口接收處理氣體并且將處理氣體分布到工件上的室中的中央圓形氣體分散器，以及以中央氣體分散器為中心的被配置成從第二處理氣體入口接收處理氣體并且將處理氣體通過內(nèi)部多個注射端口分布到工件上的室中的內(nèi)部環(huán)形氣體分散器”。
在一個實施例中，本發(fā)明的方法涉及活化步驟，其中在遠距室中活化清潔氣體混合物。活化可通過實現(xiàn)大部分原料氣離解的任何方式來完成，諸如：射頻(RF)能量、直流(DC)能量、激光照射和微波能量。本發(fā)明的一個實施例使用變壓器耦合的電感耦合低頻RF功率源，其中等離子體具有環(huán)形構造，并起到次級變壓器的作用。使用較低頻率RF功率，便允許使用相對于電容耦合增強電感耦合的磁芯；從而允許更有效地將能量轉化為等離子體而不會產(chǎn)生過多的限制遠程等離子體源室內(nèi)部壽命的離子轟擊。本發(fā)明使用的典型RF功率具有低于1000kHz的頻率。在本發(fā)明的另一個實施例中，功率源為遠程微波、電感或電容耦合等離子體源。在本發(fā)明的又一個實施例中，氣體使用輝光放電活化。
清潔氣體混合物的活化使用足夠功率進行足夠時間，以形成活化氣體混合物。在本發(fā)明的一個實施例中，活化氣體混合物具有至少約1000-3,000K量級的中性溫度。所得等離子體的中性溫度取決于功率和氣體混合物在遠距室中的停留時間。在某些功率輸入和條件下，中性溫度將隨停留時間的增長而升高。在本發(fā)明的一個實施例中，活化氣體混合物的優(yōu)選的中性溫度高于約3,000K。在適當條件下(考慮到功率、氣體組成、氣體壓力和氣體停留時間)，可實現(xiàn)至少約1000-5,000K的中性溫度。
表1示出了蝕刻氣體應用中使用的氟烯烴，包括氫氟烯烴(HFO)。優(yōu)選的HFO具有至多四個碳原子(C4)，氟的百分比等于或大于65％(F％＞65％)。優(yōu)選地，HFO具有等于或小于60％的H比F比率。優(yōu)選地，HFO可以0.1-3∶1.0-0.1的HFO/O2比率與氧氣共混，或與現(xiàn)有蝕刻/清潔氣體或兩者共混。優(yōu)選地，共混物進一步與載氣混合，所述載氣如氬氣、氦氣或氮氣。
表1
氫氯氟烯烴，如HFO-1233zd、1-氯-3，3，3-三氟丙烯也可用作氫氟烯烴。
活化氣體可在處理室外的單獨的遠距室中形成，但應緊鄰處理室。在本發(fā)明中，遠距室是指除清潔或處理室之外的室，其中可生成活化氣體等離子體，而處理室是指表面沉積物所在的室。遠距室通過導管或其他允許活化氣體從遠距室傳輸至處理室的裝置連接至處理室。例如，傳輸通道可包括一根短的連接管和CVD/PECVD處理室的噴頭。遠距室以及用于將遠距室與處理室連接的裝置由本領域中已知的能夠容納活化的氣體混合物的材料構成。例如，陶瓷、鋁和陽極氧化鋁都常常用于室部件。有時將Al2O3涂覆在內(nèi)表面以減少表面復合。在本發(fā)明的其他實施例中，活化氣體混合物可直接在處理室內(nèi)形成。
被活化以形成活化氣體的蝕刻氣體或蝕刻氣體混合物包含至少一種氟烯烴。如本文所用，蝕刻氣體或蝕刻氣體混合物被定義為用于半導體制造中被活化以形成等離子體的氣體或氣體的混合物，其中等離子體可用于蝕刻半導體的表面，將聚合物層沉積在半導體的表面上，或者清潔用于半導體制造中的裝置的處理室。當用于蝕刻表面或清潔室時，蝕刻氣體還可包含氧源、氮源或無機氟源。典型的無機氟源包括NF3和SF6。本發(fā)明的氟烯烴被定義為包含C和F并且包含至少一個不飽和位點(即，碳碳雙鍵或三鍵)的化合物。類似地，本發(fā)明的氫氟烯烴在本文中是指包含C、H和F并具有至少不飽和位點即碳碳雙鍵或三鍵的化合物。在本發(fā)明的一個實施例中，該氣體混合物還包含全氟化碳或氫氟烴。本發(fā)明中所指的全氟化碳化合物是包含C、F及任選地O的化合物。本發(fā)明中所指的氫氟烴化合物是包含C、F、H及任選地O的化合物。全氟化碳化合物包括但不限于四氟甲烷、六氟乙烷、八氟丙烷、六氟環(huán)丙烷、十氟丁烷、八氟環(huán)丁烷、六氟丙烯、六氟環(huán)氧丙烷、氫氟丙酮(hydrofluoroacetone)、2，3，3-三氟-3-(三氟甲基)環(huán)氧乙烷、1，1，1，3，3，3-六氟-2-丙酮、八氟-2-丁烯、六氟-1，3-二丁烯、C5F8、C4F10以及八氟四氫呋喃，氫氟烴包括CHF3、CH2F2、HFC-134a、HFC-125和HFC-152a。氫氯氟烯烴，如HFO-1233zd、1-氯-3，3，3-三氟丙烯也可用作氫氟烯烴。任何上述物質(zhì)的共混物也可與氫氟烯烴混合。
不希望受限于任何特定理論，申請人認為，氣體混合物的氫氟烯烴以更優(yōu)選的氫與氟比率以及更優(yōu)選的氟與碳比率在活化氣體混合物中用作原子源。在某些包含氮的共混物中，典型氮源包括分子態(tài)氮(N2)和NF3。NF3作為無機氟源時，其還可同時作為氮源。典型氧源包括分子態(tài)氧(O2)。當氟烴為八氟四氫呋喃或其他含氧氟烴時，其還可同時作為氧源。在本發(fā)明的一個實施例中，氧氣∶氫氟烯烴摩爾比為至少0.3∶1。在本發(fā)明的另一個實施例中，氧氣∶氫氟烯烴的摩爾比為至少0.5∶1。在另一個實施例中，氧氣與氫氟烯烴比率為至少1-3∶1。取決于選擇的氫氟烯烴，在本發(fā)明的其他實施例中，氧氣∶氫氟烯烴的摩爾比可為1-4∶1。
本發(fā)明的被活化以形成活化氣體混合物的氣體混合物還可包含載氣。合適載氣的例子包括稀有氣體如氬氣和氦氣。
在本發(fā)明的實施例中，在蝕刻半導體表面或沉積聚合物層的過程中，處理室中的溫度可從約-50℃至約150℃。
在本發(fā)明的一個實施例中，清除表面沉積物過程中處理室內(nèi)的溫度可為從約50℃至約150℃。
在活化步驟過程中，使用Astron源，遠距室內(nèi)的總壓力可在約0.5托和約20托之間。處理室內(nèi)的總壓力可在約0.5托和約15托之間。使用其他類型的遠程等離子體源或原位等離子體，壓力也會變化。
在本發(fā)明中發(fā)現(xiàn)，氧氣和氟烯烴的組合會得到較高的氮化物膜(諸如氮化硅)的蝕刻速率。這些增長還提供對于源氣體壓力、室壓和溫度的變化而言較低的蝕刻速率靈敏度。
以下實例意在示出本發(fā)明，而并非意在限制。
實例1至實例7
在實例1至7中，遠程等離子體源是一種商用超環(huán)類型MKS反應性氣體發(fā)生器單元，由美國馬薩諸塞州安多佛的萬機儀器(MKS Instruments，Andover，MA，USA)制造。將原料氣(例如氧氣、氫氟烯烴和載氣)進料到遠程等離子體源并穿過環(huán)形放電室，使其在此接受400kHz射頻功率的放電以形成活化氣體混合物。氧氣由艾加斯公司(Airgas)制造，純度為99.999％。氫氟烯烴選自表1。氬氣由艾加斯公司(Airgas)制造，等級為5.0。通常，Ar氣用于激發(fā)等離子體，然后，在Ar流動停止后啟動原料氣的定時流動。然后使活化氣體混合物穿過鋁水冷卻的換熱器以降低鋁處理室的熱負荷。表面沉積物包覆的晶片位于處理室中的溫控裝置上。通過光發(fā)射光譜(OES)測量中性溫度，通過理論擬合雙原子物質(zhì)如C2和N2的振轉躍遷譜帶，得到中性溫度。通過干涉儀在處理室內(nèi)測量活化氣體對表面沉積物的蝕刻速率。在真空泵人口添加任意N2氣體，既可將產(chǎn)品稀釋至適當濃度以進行FTIR測量，還可減少泵中的產(chǎn)品懸布。使用FTIR測量泵排氣中物質(zhì)的濃度。
實例1
該實例示出了加入氫氟烯烴HFO-1234yf與氧氣對氮化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由氧氣和HFO-1234yf構成，O2與HFO的摩爾比為0.4比1、0.6比1、1比1和1.2比1。處理室壓力為5托?？倸怏w流速為1500-2000sccm，根據(jù)每個實驗需要按比例為各氣體設置流速。使用400kHz 5.9-8.7kW RF功率活化原料氣達到有效中性溫度。然后活化氣體進入處理室并蝕刻裝置上的氮化硅表面沉積物，溫度控制在50℃。蝕刻速率超過1900A/min。在所有晶片測試溫度：50℃、100℃和150℃下都觀察到相同的現(xiàn)象。
實例2
該實例示出了加入氫氟烯烴HFO-1336mzz與氧氣對氮化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由氧氣和HFO-1336mzz構成，O2與HFO的摩爾比為0.4比1、0.6比1、1比1和1.2比1。處理室壓力為5托。總氣體流速為1500-2000sccm，根據(jù)每個實驗需要按比例為各氣體設置流速。使用400kHz 5.9-8.7kW RF功率活化原料氣達到有效中性溫度。然后活化氣體進入處理室并蝕刻裝置上的氮化硅表面沉積物，溫度控制在50℃。蝕刻速率超過2050A/min。在所有晶片測試溫度：50℃、100℃和150℃下都觀察到相同的現(xiàn)象。
實例3
該實例示出了加入包含氫氟烯烴HFO-1336mzz和CF4的高氟共混物與氧氣對氮化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由氧氣和1∶1HFO-1336mzz：CF4構成，O2與高氟共混物的摩爾比為0.4比1、0.6比1、1比1和1.2比1。處理室壓力為5托?？倸怏w流速為1500-2000sccm，根據(jù)每個實驗需要按比例為各氣體設置流速。使用400kHz 5.9-8.7kW RF功率活化原料氣達到有效中性溫度。然后活化氣體進入處理室并蝕刻裝置上的氮化硅表面沉積物，溫度控制在50℃。蝕刻速率超過2100A/min。在所有晶片測試溫度：50℃、100℃和150℃下都觀察到相同的現(xiàn)象。
實例4
該實例示出了加入高氟共混物、氫氟烯烴HFO-1234yf和NF3與氧氣對氮化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由氧氣和1∶1HFO-1234yf：NF3構成，O2與高氟共混物的摩爾比為0.4比1、0.6比1、1比1和1.2比1。處理室壓力為5托?？倸怏w流速為1500-2000sccm，根據(jù)每個實驗需要按比例為各氣體設置流速。使用400kHz 5.9-8.7kW RF功率活化原料氣達到有效中性溫度。然后活化氣體進入處理室并蝕刻裝置上的氮化硅表面沉積物，溫度控制在50℃。蝕刻速率超過2000A/min。在所有晶片測試溫度：50℃、100℃和150℃下都觀察到相同的現(xiàn)象。
實例5
該實例示出了加入高氟共混物、氫氟烯烴HFO-1234yf和C2F6與氧氣對氮化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由氧氣和1∶1HFO-1234yf：C2F6構成，O2與高氟共混物的摩爾比為0.4比1、0.6比1、1比1和1.2比1。處理室壓力為5托。總氣體流速為1500-2000sccm，根據(jù)每個實驗需要按比例為各氣體設置流速。使用400kHz 5.9-8.7kW RF功率活化原料氣達到有效中性溫度。然后活化氣體進入處理室并蝕刻裝置上的氮化硅表面沉積物，溫度控制在50℃。蝕刻速率超過2000A/min。在所有晶片測試溫度：50℃、100℃和150℃下都觀察到相同的現(xiàn)象。
實例6
該實例示出了加入高氟共混物、氫氟烯烴HFO-1234yf和SF6與氧氣對氮化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由氧氣和1∶1HFO-1234yf：SF6構成，O2與高氟共混物的摩爾比為0.4比1、0.6比1、1比1和1.2比1。處理室壓力為5托?？倸怏w流速為1500-2000sccm，根據(jù)每個實驗需要按比例為各氣體設置流速。使用400kHz 5.9-8.7kW RF功率活化原料氣達到有效中性溫度。然后活化氣體進入處理室并蝕刻裝置上的氮化硅表面沉積物，溫度控制在50℃。蝕刻速率超過2000A/min。在所有晶片測試溫度：50℃、100℃和150℃下都觀察到相同的現(xiàn)象。
實例7
該實例示出了加入氫氟烯烴HFO-1234yf和NF3與氧氣對氮化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由氧氣和1∶1HFO-1234yf：NF3構成，O2與高氟共混物的摩爾比為0.4比1、0.6比1、1比1和1.2比1。處理室壓力為5托?？倸怏w流速為1500-2000sccm，根據(jù)每個實驗需要按比例為各氣體設置流速。使用400kHz 5.9-8.7kW RF功率活化原料氣達到有效中性溫度。然后活化氣體進入處理室并蝕刻裝置上的氮化硅表面沉積物，溫度控制在50℃。蝕刻速率超過2000A/min。在所有晶片測試溫度：50℃、100℃和150℃下都觀察到相同的現(xiàn)象。
實例8至實例12
在實例8至12中，RF等離子體源為由ASTECH公司(ASTECH)制造的商用環(huán)型發(fā)電機單元。將原料氣(例如氧氣、氬氣、1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔)進料到RF等離子體源并穿過環(huán)形放電室，使其在此接受80MHz射頻功率的放電以形成活化氣體混合物。所使用的氧氣和氬氣由三福氣體產(chǎn)品有限公司(Air Products San FU Co.Ltd.)以99.999％純度制造。然后使活化氣體混合物穿過水冷卻的鋁換熱器以降低鋁處理室的熱負荷。表面沉積物包覆的晶片位于處理室中的溫控裝置上。
實例8
該實例示出了加入1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔與氧氣在CVD室清潔應用時對氮化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由氧氣和1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔構成，O2與HFO的摩爾比為1比1、1.5比1、2.3比1、4比1和9比1。處理室壓力為1托?？倸怏w流速固定為200sccm，根據(jù)每個實驗需要為各氣體設置流速。原料氣由400W RF功率活化。然后活化氣體進入處理室并蝕刻裝置上的氮化硅表面沉積物，溫度控制在200℃。在90％氧氣混合物下，最佳蝕刻速率為3,000A/min。
實例9
該實例示出氫氟烯烴HFO-1234yf和1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔的混合物在蝕刻應用時對氧化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由20sccm HFO-1234yf、20sccm 1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔、20sccm O2和200sccm Ar構成。處理室壓力為15毫托。原料氣由1800W RF功率活化。然后活化氣體進入處理室并且在硅層上的氧化硅層上蝕刻具有孔直徑為0.2微米的酚醛清漆型光致抗蝕劑圖案的襯底。襯底的溫度被控制在20℃。利用上述制法的蝕刻速率為5,300A/min，并且SiO2/光致抗蝕劑的選擇性為10。
實例10
該實例示出氫氟烯烴HFO-1234yf和六氟-1，3-丁二烯的混合物在蝕刻應用時對氧化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由20sccm HFO-1234yf、20sccm六氟-1，3-丁二烯、20sccm O2和200sccm Ar構成。處理室壓力為15毫托。原料氣由1800W RF功率活化。然后活化氣體進入處理室并且在硅層上的氧化硅層上蝕刻具有孔直徑為0.2微米的酚醛清漆型光致抗蝕劑圖案的襯底。襯底的溫度被控制在20℃。利用上述制法的蝕刻速率為5,300A/min，并且SiO2/光致抗蝕劑的選擇性為8。
實例11
該實例示出1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔和六氟-1，3-丁二烯的混合物在蝕刻應用時對氧化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由20sccm1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔、20sccm六氟-1，3-丁二烯、20sccm O2和200sccm Ar構成。處理室壓力為15毫托。原料氣由1800W RF功率活化。然后活化氣體進入處理室并且在硅層上的氧化硅層上蝕刻具有孔直徑為0.2微米的酚醛清漆型光致抗蝕劑圖案的襯底。襯底的溫度被控制在20℃。利用上述制法的蝕刻速率為5,500A/min，并且SiO2/光致抗蝕劑的選擇性為5。
實例12
該實例示出1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔和反式-1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁烯的混合物在蝕刻應用時對氧化硅蝕刻速率的影響。在該實驗中，原料氣由20sccm 1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔、20sccm反式-1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁烯、20sccm O2和200sccm Ar構成。處理室壓力為15毫托。原料氣由1800W RF功率活化。然后活化氣體進入處理室并且在硅層上的氧化硅層上蝕刻具有孔直徑為0.2微米的酚醛清漆型光致抗蝕劑圖案的襯底。襯底的溫度被控制在20℃。利用上述制法的蝕刻速率為5,300A/min，并且SiO2/光致抗蝕劑的選擇性為10。代替反式-1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁烯，六氟-2-丁炔和順式-1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁烯的混合物指示了上述混合物的類似結果。
雖然已示出和描述了本發(fā)明的具體實施例，但本領域技術人員仍可進行另外的修改和改進。因此期望的是，應當理解，本發(fā)明不限于所示的特定形式，并意在通過以下附加權利要求涵蓋不脫離本發(fā)明精神和范圍的所有修改。