磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置及磁控濺射設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置及使用該進(jìn)氣裝置的磁控濺射設(shè)備，該磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置包括用于接收并混合氣體的混氣盒、將氣體通入真空室內(nèi)的進(jìn)氣盒以及連接兩者的連接管，所述混氣盒具有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣管。該進(jìn)氣裝置可提高氣體進(jìn)入真空室后分布的均勻性，可提高在通入混合氣體時(shí)氣體混合的效果；還可有效地降低在磁控濺射鍍膜進(jìn)氣過(guò)程中氣體對(duì)真空室內(nèi)精密設(shè)備的沖擊力，從而延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。
【專(zhuān)利說(shuō)明】磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置及磁控濺射設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置及磁控濺射設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)面板的生產(chǎn)主要包括陣列制程、組立制程和模組制程三個(gè)階段。陣列制程(Array Process)是在潔凈的玻璃基板上利用鍍膜設(shè)備鍍上一層金屬膜，接著鍍上不導(dǎo)電層以及半導(dǎo)體層；再通過(guò)曝光、顯影、去光阻等步驟在玻璃基板上制作電路圖案，最后進(jìn)行蝕刻形成所需要的電路圖案(包括薄膜晶體管)；重復(fù)前面所述過(guò)程5-7次就完成了陣列制程。
[0003]派射技術(shù)中應(yīng)用最為廣泛的一種是磁控派射(Magnetron Sputtering)技術(shù)，磁控濺射技術(shù)的原理是:電子e在外加電場(chǎng)E的作用下做加速運(yùn)動(dòng)，撞擊真空室(真空腔體)中的氣氛氣體原子，使其電離成正離子和電子。正離子在外加電場(chǎng)E的作用下加速轟擊靶材，靶材中的粒子(原子或離子)濺射出來(lái)沉積在基板上形成薄膜?？紤]到惰性氣體的保護(hù)性、濺射率以及工業(yè)成本，氬氣是最理想的濺射氣體。
[0004]一種磁控濺射鍍膜設(shè)備通氣裝置結(jié)構(gòu)如圖1所示。該通氣裝置包括進(jìn)氣口 71、氣體盒7、通氣管72。例如，鍍膜設(shè)備工作過(guò)程中，以Ar氣作為濺射氣體，則Ar氣由進(jìn)氣口71進(jìn)入氣體盒7，再由通氣管72分流進(jìn)入真空室內(nèi)。雖然已經(jīng)通過(guò)數(shù)個(gè)通氣管72對(duì)Ar氣進(jìn)行了分流，但這種進(jìn)氣方式難免會(huì)對(duì)真空室內(nèi)的精密設(shè)備產(chǎn)生沖擊，造成一定的損害。再者，通氣管72出口周?chē)嬖诘臍饬?，?huì)造成真空室內(nèi)Ar氣分布不均勻，直接影響到等離子體的均勻性，最終影響到沉積到基板上薄膜(例如S12層或ITO層)的均勻性。此外，在真空室定期的維護(hù)與檢修過(guò)程中，由于真空室內(nèi)真空環(huán)境與大氣之間巨大的壓強(qiáng)差，空氣急速流進(jìn)真空室的過(guò)程對(duì)真空室中的設(shè)備沖擊力更是會(huì)直接導(dǎo)致其中的裝置產(chǎn)生震動(dòng)，造成傷害。
[0005]進(jìn)一步地，在磁控濺射鍍膜時(shí)，有時(shí)需要鍍膜過(guò)程在某種混合氣氛下進(jìn)行，此時(shí)便需要向鍍膜真空室內(nèi)通入兩種或者兩種以上的氣體?？赏ㄟ^(guò)設(shè)置若干個(gè)通氣管道直接向真空室內(nèi)通氣，這種直接通氣的方式對(duì)設(shè)備內(nèi)部的精密部件造成的傷害已經(jīng)如上所述。真空室壁上需要設(shè)置若干個(gè)進(jìn)氣口，但是真空室壁上開(kāi)口太多會(huì)嚴(yán)重影響到整個(gè)真空設(shè)備的致密性，影響到真空室所能達(dá)到的真空度。當(dāng)需要對(duì)鍍膜真空室內(nèi)通入混合氣體時(shí)，以2種氣體混合(A+B)為例，如圖2所示，在第一進(jìn)氣口 41中通入氣體A，在第二進(jìn)氣口 42中通入氣體B，由于進(jìn)氣口口徑不宜過(guò)大，一般5-8_，這樣混合氣體進(jìn)入真空室后的混合效果很難保證。而且，即便像如圖1中所示的那樣，在真空室內(nèi)部設(shè)置若干個(gè)分流管，混合效果也很難理想。此外，由于真空室內(nèi)空間有限，設(shè)備在設(shè)計(jì)制造時(shí)也不允許在內(nèi)部的通氣裝置上設(shè)置過(guò)多的分流裝置。由于通氣管道口徑相對(duì)于鍍膜真空室內(nèi)空間來(lái)說(shuō)有限，很難使得鍍膜過(guò)程中混合氣體均勻存在于沉積薄膜的基片附近。而混合氣體分布不均勻會(huì)直接影響到薄膜電晶體的質(zhì)量，影響產(chǎn)品的性能(如薄膜晶體管的表面平整度、導(dǎo)電性能等等)。此外，這些裝置無(wú)法滿(mǎn)足更多種氣體均勻通入真空室內(nèi)的鍍膜環(huán)境中。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置及磁控濺射設(shè)備，以克服前述技術(shù)問(wèn)題。該進(jìn)氣裝置可提高氣體進(jìn)入真空室后分布的均勻性，可提高在通入混合氣體時(shí)氣體混合的效果。采用了該進(jìn)氣裝置的磁控濺射設(shè)備，可有效地降低在磁控濺射鍍膜進(jìn)氣過(guò)程中氣體對(duì)真空室內(nèi)精密設(shè)備的沖擊力，從而延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。
[0007]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，該裝置包括用于接收并混合氣體的混氣盒、將氣體通入真空室內(nèi)的進(jìn)氣盒以及連接兩者的連接管，所述混氣盒具有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣管。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，在所述進(jìn)氣盒內(nèi)相對(duì)于所述連接管的開(kāi)口處設(shè)置緩沖擋板。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述緩沖擋板形狀為圓形平板或傘狀的弧形面板。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述的進(jìn)氣盒至少包括內(nèi)盒和外盒，所述內(nèi)盒嵌套在所述外盒內(nèi)，所述內(nèi)盒和外盒之間具有間隔，且所述連接管的開(kāi)口設(shè)置在所述內(nèi)盒內(nèi)，所述內(nèi)盒和外盒上均分布有氣流孔。
[0011 ] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述內(nèi)盒和外盒上的氣流孔交錯(cuò)排布。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述內(nèi)盒和外盒上的氣流孔均勻分布于其側(cè)面及1? 曲.。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述內(nèi)盒和外盒上的氣流孔的孔徑是不同的。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述進(jìn)氣盒中，由所述內(nèi)盒到所述外盒，所述氣流孔的孔徑依次增大。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述連接管包括連接混氣盒的上部連接管和連接進(jìn)氣盒的下部連接管。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述上部連接管直徑大于所述下部連接管直徑。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述上部連接管與所述下部連接管通過(guò)螺紋或焊接連接。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，可在所述連接管中設(shè)置濾網(wǎng)。當(dāng)所述連接管包括連接混氣盒的上部連接管和連接進(jìn)氣盒的下部連接管時(shí)，濾網(wǎng)可設(shè)置在上部連接管和/或下部連接管中。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，當(dāng)所述混氣盒的進(jìn)氣管為多個(gè)時(shí)，部分或全部的進(jìn)氣管在所述混氣盒上具有高度差。
[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，例如，所述多個(gè)進(jìn)氣管分布在所述混氣盒的相對(duì)側(cè)面上。
[0021]本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種磁控濺射設(shè)備，其包括真空室及以上任一實(shí)施例所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，所述混氣盒置于所述真空室外，所述進(jìn)氣盒置于所述真空室內(nèi)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。
[0023]圖1為一種磁控濺射鍍膜設(shè)備通氣裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為一種可充入混合氣體的磁控濺射鍍膜設(shè)備真空室結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置示意圖；
[0026]圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置中進(jìn)氣盒示意圖；
[0027]圖5為圖4的進(jìn)氣盒沿側(cè)面橫剖后的立體示意圖；
[0028]圖6為圖4的進(jìn)氣盒沿側(cè)面橫剖并縱剖后的立體示意圖；
[0029]圖7本發(fā)明一實(shí)施例的磁控濺射設(shè)備示意圖；
[0030]附圖標(biāo)記:
[0031]1:混氣盒；11:第一進(jìn)氣管；
[0032]12:第二進(jìn)氣管；13:第三進(jìn)氣管；
[0033]2:進(jìn)氣盒；21:內(nèi)盒；
[0034]211:內(nèi)盒氣流孔；22:外盒；
[0035]221:外盒氣流孔；3:連接管；
[0036]31:上部連接管；32:下部連接管；
[0037]4:真空室；41:第一進(jìn)氣口 ；
[0038]42:第二進(jìn)氣口； 5:緩沖擋板；
[0039]6:進(jìn)氣盒的進(jìn)氣孔；
[0040]7:氣體盒；71:氣體盒的進(jìn)氣口 ；
[0041]72:通氣管；8:濾網(wǎng)。

【具體實(shí)施方式】
[0042]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0043]除非另作定義，本公開(kāi)所使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)以及權(quán)利要求書(shū)中使用的“第一”、“第二”以及類(lèi)似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。
[0044]圖3示出了本發(fā)明一實(shí)施例的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，該裝置包括用于接收并混合氣體的混氣盒1、將氣體通入真空室內(nèi)的進(jìn)氣盒2以及連接兩者的連接管3，混氣盒I具有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣管11-13。值得一提的是，混氣盒上設(shè)置的進(jìn)氣管的數(shù)量可依據(jù)需通入氣體的種類(lèi)來(lái)定。
[0045]氣體通過(guò)混氣盒I上的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣管進(jìn)入混氣盒I，預(yù)混合后經(jīng)連接管3再進(jìn)入進(jìn)氣盒2。因?yàn)樵谶M(jìn)氣盒2之前設(shè)置了混氣盒1，氣體在進(jìn)氣盒2之前經(jīng)過(guò)了預(yù)混合，可提高氣體進(jìn)入真空室后分布的均勻性，亦可減小氣體對(duì)磁控濺射真空室內(nèi)的精密設(shè)備產(chǎn)生的沖擊，從而延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。
[0046]采用本實(shí)施例上述方案的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，可提高進(jìn)入磁控濺射真空室內(nèi)氣體(單一氣體或混合氣體)的分布均勻性，當(dāng)混氣盒I上設(shè)置多個(gè)進(jìn)氣管11-13時(shí)，可經(jīng)不同進(jìn)氣管11-13通入不同氣體，從而可以解決多種氣體通入真空室的問(wèn)題，亦可提高混合氣體的混合效果。
[0047]如圖4所示，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，可在進(jìn)氣盒2內(nèi)相對(duì)于連接管3的開(kāi)口處設(shè)置緩沖擋板5。連接管3設(shè)置于進(jìn)氣盒的進(jìn)氣孔6處。緩沖擋板5相對(duì)于該進(jìn)氣孔6設(shè)置，可進(jìn)一步緩沖氣體，使氣體分布更均勻。
[0048]緩沖擋板5形狀可為圓形平板。值得一提的是，本發(fā)明的實(shí)施例中，緩沖擋板形狀并不限于圓形平板一種，例如傘狀的弧形板或其他多邊形板也可達(dá)到很好的氣流緩沖效果O
[0049]如圖5所示，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，進(jìn)氣盒2包括內(nèi)盒21和外盒22，共兩層。內(nèi)盒21嵌套在外盒22內(nèi)，內(nèi)盒21和外盒22之間具有間隔，且連接管3的開(kāi)口設(shè)置在內(nèi)盒21內(nèi)。內(nèi)盒21和外盒22上均分布有氣流孔。經(jīng)過(guò)該結(jié)構(gòu)的進(jìn)氣盒后的氣體(單一氣體或者混合氣體)，再進(jìn)入真空室后，其分布均勻性進(jìn)一步得到了改善，從而提高了磁控濺射鍍膜過(guò)程中參與成膜過(guò)程的氣體分布的均勻性，提高了產(chǎn)品的品質(zhì)。
[0050]例如，內(nèi)盒21和外盒22上的氣流孔可交錯(cuò)排布，彼此無(wú)重疊或部分重疊，從而可防止氣體直接通過(guò)內(nèi)外盒的氣流孔沖進(jìn)鍍膜真空室內(nèi)。利用該實(shí)施例所述方案向真空室內(nèi)通氣的過(guò)程中，氣體(單一氣體或者混合氣體)由進(jìn)氣口進(jìn)入內(nèi)盒21內(nèi)，通過(guò)內(nèi)盒21上的氣流孔211進(jìn)入內(nèi)外層盒之間的“回”字形空間區(qū)域，再通過(guò)外盒22上的氣流孔221流入真空室內(nèi)參與鍍膜過(guò)程。相較于此前的直接通過(guò)管道將氣體通入鍍膜真空室內(nèi)，由于氣體已通過(guò)進(jìn)氣盒2內(nèi)外盒上的若干氣流孔進(jìn)入真空室，氣流對(duì)真空室的沖擊力大大降低；而對(duì)于混合氣體來(lái)說(shuō)，氣體的混合效果將得到很好的提升。
[0051]如圖5、圖6所示，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，內(nèi)盒21和外盒22上的氣流孔均勻分布于其側(cè)面及底面，其中為了清楚起見(jiàn)底面上的氣流孔未示出。
[0052]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，內(nèi)盒21和外盒22上的氣流孔的孔徑是不同的。例如，在進(jìn)氣盒2中，由內(nèi)盒21到外盒22，氣流孔的孔徑依次增大。即外盒氣流孔221的孔徑大于內(nèi)盒氣流孔211的孔徑。因此，可在不影響鍍膜過(guò)程中等離子體濃度的前提下，盡量減小通入氣體對(duì)真空室內(nèi)設(shè)備的沖擊力。
[0053]如圖5、圖6所示，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，在進(jìn)氣盒2的內(nèi)盒21內(nèi)相對(duì)于連接管3的開(kāi)口處設(shè)置緩沖擋板5。氣體進(jìn)入內(nèi)盒21后，氣流經(jīng)緩沖擋板5緩沖，然后通過(guò)內(nèi)盒21上的氣流孔211進(jìn)入內(nèi)外層盒之間的“回”字形空間區(qū)域，再通過(guò)外盒22上的氣流孔221流入真空室。
[0054]例如，進(jìn)氣盒2除了包括內(nèi)盒21和外盒22，還可以含有若干中間盒，從而形成多層盒的嵌套模式，中間盒上亦分布有氣流孔，例如，有一層中間盒時(shí)，形成3層，有內(nèi)到外依次為:內(nèi)盒21、中間盒、外盒22，內(nèi)盒21、中間盒和外盒22上的氣流孔可交錯(cuò)排布，彼此無(wú)重疊或部分重疊。因2層嵌套模式已經(jīng)達(dá)到較好的氣體分布均勻性，考慮到真空室內(nèi)的空間有限，一般進(jìn)氣盒以2層或3層為宜。
[0055]如圖7所示，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，連接管3包括連接混氣盒的上部連接管31和連接進(jìn)氣盒的下部連接管32。
[0056]例如，上部連接管的直徑大于下部連接管的直徑。這樣使得混合氣體在流向下部連接管的過(guò)程中在相對(duì)大些的空間內(nèi)再混合充分一些。
[0057]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，可在連接管3中設(shè)置濾網(wǎng)8，以過(guò)濾氣氛中可能存在的固態(tài)雜質(zhì)。例如，當(dāng)連接管3包括連接混氣盒的上部連接管31和連接進(jìn)氣盒的下部連接管32時(shí)，濾網(wǎng)8可設(shè)置在上部連接管31和/或下部連接管32中。
[0058]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，例如，上部連接管與下部連接管通過(guò)螺紋、焊接等方式連接。通過(guò)螺紋連接，混氣盒可在上下部連接管的連接處被拆卸下來(lái)，以實(shí)現(xiàn)定期的設(shè)備維護(hù)(如雜質(zhì)清理，濾網(wǎng)疏通等)。
[0059]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，當(dāng)混氣盒I上的進(jìn)氣管為多個(gè)時(shí)，部分或全部的進(jìn)氣管在混氣盒I上具有高度差。例如，如圖3所示，可在混氣盒I上設(shè)有3個(gè)進(jìn)氣管，第一進(jìn)氣管11、第二進(jìn)氣管12和第三進(jìn)氣管13 ;根據(jù)需要還可以增加若干，在向真空室內(nèi)通入氣體時(shí)可根據(jù)氣體種類(lèi)自由選擇其中的配置。圖中的3個(gè)進(jìn)氣管高度不一致，即在混氣盒上具有高度差，在Y方向第一進(jìn)氣管11最高，第三進(jìn)氣管13處于最低位置，其中，沿紙面豎直向上為Y方向。由于當(dāng)需要對(duì)真空室內(nèi)通入混合氣體時(shí)，各種氣體的密度并不一致，例如通入混合氣體A+B+C，氣體密度々> B > Co為了使氣體的混合效果更好，可使用位置低的第三進(jìn)氣管13通密度最小氣體C，位置最高的第一進(jìn)氣管11通密度最大的氣體A，第二進(jìn)氣管12用來(lái)通氣體B。進(jìn)一步地，為了使得氣體在混氣盒內(nèi)混合充分，用來(lái)通各組分氣體的進(jìn)氣管距離要適合，這個(gè)距離與通氣的速率有關(guān)，混合氣體中各氣體所占比例通過(guò)各進(jìn)氣管的通氣速率(流量計(jì))來(lái)控制。
[0060]例如在鍍膜過(guò)程中需要通入混合氣體氬氣(Ar)、氮?dú)?N2)和氫氣(H2)，要求體積比為1:2:3，考慮到3種氣體的密度關(guān)系，則圖3中所示的第一進(jìn)氣管11通入Ar氣，第二進(jìn)氣管12通入N2，第三進(jìn)氣管13通入H2，再利用三個(gè)進(jìn)氣口的流量計(jì)控制流量比為1:2:3即可；若鍍膜過(guò)程中只需通入Ar氣，則通過(guò)第一進(jìn)氣管11通入即可。
[0061]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，多個(gè)進(jìn)氣管分布在混氣盒I的相對(duì)側(cè)面上。
[0062]圖7示出了本發(fā)明一實(shí)施例的磁控濺射設(shè)備，包括真空室4及以上任一實(shí)施例中任一方案所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置?；鞖夂蠭置于真空室4外，進(jìn)氣盒2置于真空室4內(nèi)。
[0063]如圖7所示，混氣盒I上設(shè)有3個(gè)進(jìn)氣管:第一進(jìn)氣管11、第二進(jìn)氣管12和第三進(jìn)氣管13 ;根據(jù)需要可以增加至若干，在向真空室內(nèi)通入氣體時(shí)可根據(jù)氣體種類(lèi)自由選擇其中的配置，關(guān)于氣體組分的進(jìn)氣管選擇前面已經(jīng)敘述過(guò)，這里不再重復(fù)。由于采用此進(jìn)氣裝置后，通入混合氣體時(shí)，氣體的混合是在真空室外面的空間進(jìn)行的，在真空室的壁上只需一個(gè)開(kāi)口(連接管3穿過(guò)真空室4頂面)，相比較于在真空室壁上直接設(shè)若干開(kāi)口的方式，改善了真空設(shè)備的致密性。此外，由于整個(gè)進(jìn)氣裝置中的混氣過(guò)程是在真空室外完成的，相比于例如圖1或圖2所示的進(jìn)氣方式，不會(huì)占用更多的真空室內(nèi)的空間。
[0064]通過(guò)采用本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，氣體在進(jìn)入進(jìn)氣盒并經(jīng)緩沖過(guò)后，氣體(單一氣體或者混合氣體)對(duì)磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的沖擊得到了降低，破壞性下降，延長(zhǎng)了整個(gè)設(shè)備的使用壽命。
[0065]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中包括用于接收并混合氣體的混氣盒、將氣體通入真空室內(nèi)的進(jìn)氣盒以及連接兩者的連接管，所述混氣盒具有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，在所述進(jìn)氣盒內(nèi)相對(duì)于所述連接管的開(kāi)口處設(shè)置緩沖擋板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述緩沖擋板形狀為圓形平板或傘狀的弧形面板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述的進(jìn)氣盒至少包括內(nèi)盒和外盒，所述內(nèi)盒嵌套在所述外盒內(nèi)，所述內(nèi)盒和外盒之間具有間隔，且所述連接管的開(kāi)口設(shè)置在所述內(nèi)盒內(nèi)，所述內(nèi)盒和外盒上均分布有氣流孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述內(nèi)盒和外盒上的氣流孔交錯(cuò)排布。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述內(nèi)盒和外盒上的氣流孔均勻分布于其側(cè)面及底面。
7.根據(jù)權(quán)利要求4-6任一所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述內(nèi)盒和外盒上的氣流孔的孔徑是不同的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述進(jìn)氣盒中，由所述內(nèi)盒到所述外盒，所述氣流孔的孔徑依次增大。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述連接管包括連接混氣盒的上部連接管和連接進(jìn)氣盒的下部連接管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述上部連接管直徑大于所述下部連接管直徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述上部連接管與所述下部連接管通過(guò)螺紋或焊接連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任一所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，在所述連接管中設(shè)置濾網(wǎng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12任一所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，當(dāng)所述混氣盒的進(jìn)氣管為多個(gè)時(shí)，部分或全部的進(jìn)氣管在所述混氣盒上具有高度差。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述多個(gè)進(jìn)氣管分布在所述混氣盒的相對(duì)側(cè)面上。
15.一種磁控濺射設(shè)備，包括真空室及權(quán)利要求1-14任一所述的磁控濺射真空室進(jìn)氣裝置，其中，所述混氣盒置于所述真空室外，所述進(jìn)氣盒置于所述真空室內(nèi)。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK104451583SQ201510003435
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2015年1月5日 優(yōu)先權(quán)日:2015年1月5日
【發(fā)明者】張啟平, 孫文波 申請(qǐng)人:合肥京東方顯示光源有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司