真空蒸鍍設(shè)備及真空蒸鍍方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種真空蒸鍍設(shè)備及真空蒸鍍方法，屬于真空蒸鍍領(lǐng)域。其中，真空蒸鍍設(shè)備包括蒸鍍腔室和設(shè)置在所述蒸鍍腔室內(nèi)的M個相互獨立的蒸發(fā)源裝置，M為大于1的整數(shù)，所述蒸發(fā)源裝置包括：子腔室；位于所述子腔室內(nèi)的蒸發(fā)源；位于所述蒸發(fā)源上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第一擋板；位于所述第一擋板上方的第一晶振片；位于所述第一晶振片上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第二擋板，其中，所述第一擋板和第二擋板均具有與所述蒸發(fā)源對應(yīng)的用于使蒸鍍物質(zhì)通過的擋板開口。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠提高蒸鍍流片的效率，縮短蒸鍍流片的時間，同時能夠?qū)υ床牧线M行回收，從而降低蒸鍍流片的成本。
【專利說明】真空蒸鍍設(shè)備及真空蒸鍍方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及真空蒸鍍領(lǐng)域，特別是指一種真空蒸鍍設(shè)備及真空蒸鍍方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，蒸鍍工藝被廣泛地應(yīng)用于電子器件的鍍膜生產(chǎn)過程中，其原理是將待成膜的源材料放置于真空環(huán)境中，通過電阻加熱或電子束加熱使源材料加熱到一定溫度發(fā)生蒸發(fā)或升華，氣化后的源材料凝結(jié)沉積在待成膜的基板表面而完成鍍膜。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中真空蒸鍍設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，真空蒸鍍設(shè)備包括基板1，放置在基板I朝向蒸鍍腔室4 一側(cè)上的掩膜板2，蒸鍍腔室4設(shè)有主擋板3，蒸鍍腔室4中設(shè)置有兩個以上的蒸發(fā)源7，每個蒸發(fā)源7對應(yīng)設(shè)置有擋板6和晶振片5，晶振片5的振動頻率變化與晶振片5沉積膜的厚度有關(guān)，因此可以根據(jù)晶振片5振動頻率的變化計算得到蒸發(fā)源7的實時蒸鍍速率，從而控制沉積到基板上的膜厚。
[0004]在利用蒸發(fā)源7進行蒸鍍時，打開蒸發(fā)源7對應(yīng)的擋板6的擋板開口，對蒸發(fā)源7進行加熱，之后蒸發(fā)源7進入控速階段，利用對應(yīng)的晶振片5監(jiān)控蒸發(fā)源7的蒸鍍速率，在加熱控速階段主擋板3的擋板開口關(guān)閉，在蒸發(fā)源7的蒸鍍速率穩(wěn)定后，打開主擋板3的擋板開口，蒸發(fā)源7中的源材料蒸出沉積到基板I上，蒸發(fā)源7處于蒸鍍階段，蒸鍍完成后，主擋板3的擋板開口關(guān)閉，蒸發(fā)源7進入降溫階段，即蒸發(fā)源7需依次經(jīng)歷加熱控速、蒸鍍、降溫等階段。
[0005]在利用同一個蒸鍍腔室中的多個蒸發(fā)源依次蒸鍍多層膜時，為了避免源材料之間相互污染，需要在前一個蒸發(fā)源降溫完畢后，再對下一個蒸發(fā)源進行加熱，利用下一個蒸發(fā)源進行蒸鍍，只能依次完成每一個蒸發(fā)源的加熱控速、蒸鍍、降溫等步驟，在需要蒸鍍的膜層較多時，在不同蒸發(fā)源之間切換時需要較長時間等待，限制了蒸鍍流片的效率，延長了蒸鍍流片的時間；另外，加熱、控速、降溫等階段蒸發(fā)源蒸發(fā)出源材料將會沉積到蒸鍍腔室壁上，一方面對蒸鍍腔室造成污染，增加蒸鍍腔室清洗的頻次和成本，另一方面，造成昂貴的源材料的極大浪費，使得源材料的利用率往往不到5%。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種真空蒸鍍設(shè)備及真空蒸鍍方法，能夠提高蒸鍍流片的效率，縮短蒸鍍流片的時間，同時能夠?qū)υ床牧线M行回收，從而降低蒸鍍流片的成本。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下:
[0008]一方面，提供一種真空蒸鍍設(shè)備，包括蒸鍍腔室和設(shè)置在所述蒸鍍腔室內(nèi)的M個相互獨立的蒸發(fā)源裝置，M為大于I的整數(shù)，所述蒸發(fā)源裝置包括:
[0009]子腔室；
[0010]位于所述子腔室內(nèi)的蒸發(fā)源；
[0011]位于所述蒸發(fā)源上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第一擋板；
[0012]位于所述第一擋板上方的第一晶振片；
[0013]位于所述第一晶振片上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第二擋板，其中，所述第一擋板和第二擋板均具有與所述蒸發(fā)源對應(yīng)的用于使蒸鍍物質(zhì)通過的擋板開口。
[0014]進一步地，所述蒸發(fā)源裝置還包括:
[0015]位于所述第二擋板上方的第二晶振片。
[0016]進一步地，所述蒸發(fā)源裝置還包括:
[0017]設(shè)置于所述子腔室側(cè)壁上、承載所述第一晶振片的第一可移動支架。
[0018]進一步地，所述蒸發(fā)源裝置還包括:
[0019]承載所述第二晶振片的第二可移動支架。
[0020]進一步地，所述真空蒸鍍設(shè)備還包括:
[0021]能夠封閉所述蒸鍍腔室的主擋板。
[0022]本發(fā)明實施例還提供了一種真空蒸鍍方法，使用如上所述的真空蒸鍍設(shè)備進行蒸鍍，所述方法包括:
[0023]按照蒸鍍的先后順序依次利用所述M個蒸發(fā)源裝置進行蒸鍍，在利用第N-1個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍時，控制第N個蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段，其中，N不大于M，第N個蒸發(fā)源裝置排在第N-1個蒸發(fā)源裝置之后。
[0024]進一步地，利用第N-1個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍之后還包括:
[0025]利用第N個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍，同時控制第N-1個蒸發(fā)源進入降溫階段。
[0026]進一步地，利用第N-1個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍之前還包括:
[0027]打開所述蒸鍍腔室的主檔板的擋板開口，控制所述第N-1個蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段。
[0028]進一步地，控制蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段包括:
[0029]打開所述蒸發(fā)源裝置的第一擋板的擋板開口，移動所述第一可移動支架使所述第一晶振片位于所述蒸發(fā)源裝置的蒸發(fā)源的上方；
[0030]對所述蒸發(fā)源進行加熱，并利用所述第一晶振片監(jiān)控所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率。
[0031]進一步地，利用蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍包括:
[0032]在所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率達到預(yù)設(shè)速率后，打開所述蒸發(fā)源裝置的第二擋板的擋板開口，使所述蒸發(fā)源中的源材料蒸出沉積到待蒸鍍基板上。
[0033]進一步地，利用蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍包括:
[0034]在所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率達到預(yù)設(shè)速率后，移動所述第一可移動支架使所述第一晶振片遠離所述蒸發(fā)源的上方；
[0035]打開所述蒸發(fā)源裝置的第二擋板的擋板開口 ；
[0036]移動所述第二可移動支架使所述第二晶振片位于所述蒸發(fā)源的上方，利用所述第二晶振片監(jiān)控所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率。
[0037]進一步地，控制蒸發(fā)源裝置進入降溫階段包括:
[0038]關(guān)閉所述蒸發(fā)源裝置的第二擋板的擋板開口 ；
[0039]對所述蒸發(fā)源裝置的蒸發(fā)源進行冷卻。
[0040]本發(fā)明的實施例具有以下有益效果:
[0041]上述方案中，真空蒸鍍設(shè)備包括設(shè)置在蒸鍍腔室內(nèi)的多個相互獨立的蒸發(fā)源裝置，每個蒸發(fā)源裝置的蒸發(fā)源上方依次設(shè)置有第一擋板、第一晶振片和第二擋板，這樣在上一蒸發(fā)源裝置進行蒸鍍時，該蒸發(fā)源裝置可以打開第一擋板的擋板開口，對蒸發(fā)源進行加熱，并利用第一晶振片對蒸發(fā)源進行控速，由于蒸發(fā)源上方還設(shè)置有第二擋板，因此，該蒸發(fā)源的源材料并不會擴散到蒸鍍腔室中，待上一蒸發(fā)源蒸鍍完畢后，關(guān)閉上一蒸發(fā)源的第二擋板，控制上一蒸發(fā)源進行降溫階段，同時該蒸發(fā)源的蒸鍍速率已經(jīng)達到預(yù)設(shè)速率，可以直接打開該蒸發(fā)源對應(yīng)的第二擋板，利用該蒸發(fā)源進行蒸鍍，從而減少了在蒸鍍形成多個膜層時在不同蒸發(fā)源之間切換等待的時間，提高了蒸鍍流片的效率，縮短了蒸鍍流片的時間；同時在加熱控速階段和降溫階段，蒸發(fā)源蒸發(fā)出的源材料將沉積在第二擋板上，可以對第二擋板上的源材料進行回收，提高源材料的利用率，降低蒸鍍流片的成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0042]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中真空蒸鍍設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖2為本發(fā)明實施例真空蒸鍍設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]附圖標(biāo)記
[0045]I基板 2掩膜板 3主擋板 4蒸鍍腔室
[0046]5晶振片 6擋板 7、17、27蒸發(fā)源 18、28第二晶振片
[0047]19、29第二擋板 110、210第一晶振片 111、211第一擋板

【具體實施方式】
[0048]為使本發(fā)明的實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0049]本發(fā)明的實施例提供一種真空蒸鍍設(shè)備及真空蒸鍍方法，能夠提高蒸鍍流片的效率，縮短蒸鍍流片的時間，同時能夠?qū)υ床牧线M行回收，從而降低蒸鍍流片的成本。
[0050]本發(fā)明實施例提供了一種真空蒸鍍設(shè)備，包括蒸鍍腔室和設(shè)置在所述蒸鍍腔室內(nèi)的M個相互獨立的蒸發(fā)源裝置，M為大于I的整數(shù)，所述蒸發(fā)源裝置包括:
[0051]子腔室；
[0052]位于所述子腔室內(nèi)的蒸發(fā)源，該蒸發(fā)源可以為坩禍或蒸發(fā)舟；
[0053]位于所述蒸發(fā)源上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第一擋板；
[0054]位于所述第一擋板上方的第一晶振片，晶振片沉積膜的厚度與晶振片的振動頻率變化有關(guān)，因此可以根據(jù)晶振片振動頻率變化計算得到蒸發(fā)源的實時蒸鍍速率，從而控制蒸鍍膜厚；
[0055]位于所述第一晶振片上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第二擋板，其中，所述第一擋板和第二擋板均具有與所述蒸發(fā)源對應(yīng)的用于使蒸鍍物質(zhì)通過的擋板開口。
[0056]本發(fā)明的真空蒸鍍設(shè)備包括設(shè)置在蒸鍍腔室內(nèi)的多個相互獨立的蒸發(fā)源裝置，每個蒸發(fā)源裝置的蒸發(fā)源上方依次設(shè)置有第一擋板、第一晶振片和第二擋板，這樣在上一蒸發(fā)源裝置進行蒸鍍時，該蒸發(fā)源裝置可以打開第一擋板的擋板開口，對蒸發(fā)源進行加熱，并利用第一晶振片對蒸發(fā)源進行控速，由于蒸發(fā)源上方還設(shè)置有第二擋板，因此，該蒸發(fā)源的源材料并不會擴散到蒸鍍腔室中，待上一蒸發(fā)源蒸鍍完畢后，關(guān)閉上一蒸發(fā)源的第二擋板，控制上一蒸發(fā)源進行降溫階段，同時該蒸發(fā)源的蒸鍍速率已經(jīng)達到預(yù)設(shè)速率，可以直接打開該蒸發(fā)源對應(yīng)的第二擋板，利用該蒸發(fā)源進行蒸鍍，從而減少了在蒸鍍形成多個膜層時在不同蒸發(fā)源之間切換等待的時間，提高了蒸鍍流片的效率，縮短了蒸鍍流片的時間；同時在加熱控速階段和降溫階段，蒸發(fā)源蒸發(fā)出的源材料將沉積在第二擋板上，可以對第二擋板上的源材料進行回收，提高源材料的利用率，降低蒸鍍流片的成本。
[0057]進一步地，所述蒸發(fā)源裝置還包括:
[0058]位于所述第二擋板上方的第二晶振片。
[0059]進一步地，所述蒸發(fā)源裝置還包括:
[0060]設(shè)置于所述子腔室側(cè)壁上、承載所述第一晶振片的第一可移動支架。
[0061]進一步地，所述蒸發(fā)源裝置還包括:
[0062]承載所述第二晶振片的第二可移動支架。
[0063]這樣在蒸發(fā)源完成加熱控速階段后，可以控制第一可移動支架使第一晶振片遠離蒸發(fā)源的上方，并控制第二可移動支架使第二晶振片位于蒸發(fā)源的上方，即可利用第二晶振片在蒸鍍階段監(jiān)控蒸發(fā)源的實時蒸鍍速率。在源材料蒸發(fā)附著到晶振片上時，會對晶振片造成損耗，在更換晶振片時需要對真空蒸鍍腔室破真空，使得更換晶振片的成本比較大，并且會降低生產(chǎn)效率，而本實施例在蒸鍍階段控制第一可移動支架使第一晶振片遠離蒸發(fā)源的上方，可以減少對第一晶振片的損耗，從而降低更換晶振片的頻率和成本。
[0064]進一步地，所述真空蒸鍍設(shè)備還包括:
[0065]能夠封閉所述蒸鍍腔室的主擋板，在對待蒸鍍基板進行蒸鍍時，需要首先打開主擋板的擋板開口。
[0066]本發(fā)明實施例還提供了一種真空蒸鍍方法，使用如上所述的真空蒸鍍設(shè)備進行蒸鍍，所述方法包括:
[0067]按照蒸鍍的先后順序依次利用所述M個蒸發(fā)源裝置進行蒸鍍，在利用第N-1個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍時，控制第N個蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段，其中，N不大于M，第N個蒸發(fā)源裝置排在第N-1個蒸發(fā)源裝置之后。
[0068]進一步地，利用第N-1個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍之后還包括:
[0069]利用第N個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍，同時控制第N-1個蒸發(fā)源進入降溫階段。
[0070]進一步地，利用第N-1個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍之前還包括:
[0071]打開所述蒸鍍腔室的主檔板的擋板開口，控制所述第N-1個蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段。
[0072]進一步地，控制蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段包括:
[0073]打開所述蒸發(fā)源裝置的第一擋板的擋板開口，移動所述第一可移動支架使所述第一晶振片位于所述蒸發(fā)源裝置的蒸發(fā)源的上方；
[0074]對所述蒸發(fā)源進行加熱，并利用所述第一晶振片監(jiān)控所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率。
[0075]進一步地，利用蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍包括:
[0076]在所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率達到預(yù)設(shè)速率后，打開所述蒸發(fā)源裝置的第二擋板的擋板開口，使所述蒸發(fā)源中的源材料蒸出沉積到待蒸鍍基板上。
[0077]進一步地，利用蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍包括:
[0078]在所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率達到預(yù)設(shè)速率后，移動所述第一可移動支架使所述第一晶振片遠離所述蒸發(fā)源的上方；
[0079]打開所述蒸發(fā)源裝置的第二擋板的擋板開口 ；
[0080]移動所述第二可移動支架使所述第二晶振片位于所述蒸發(fā)源的上方，利用所述第二晶振片監(jiān)控所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率。
[0081]進一步地，控制蒸發(fā)源裝置進入降溫階段包括:
[0082]關(guān)閉所述蒸發(fā)源裝置的第二擋板的擋板開口 ；
[0083]對所述蒸發(fā)源裝置的蒸發(fā)源進行冷卻。
[0084]下面以真空蒸鍍設(shè)備的蒸鍍腔室中設(shè)置有兩個相互獨立的蒸發(fā)源裝置為例，結(jié)合圖2對本發(fā)明的真空蒸鍍設(shè)備及真空蒸鍍方法進行進一步地介紹:
[0085]如圖2所示，真空蒸鍍設(shè)備包括蒸鍍腔室4，能夠封閉蒸鍍腔室4的主擋板3，位于蒸鍍腔室4開口處的基板I和掩膜板2，蒸鍍腔室4中設(shè)置有兩個相互獨立的蒸發(fā)源裝置，按照蒸鍍的先后順序?qū)φ翦兦皇抑械膬蓚€蒸發(fā)源裝置進行排序，先進行蒸鍍的為第一個蒸發(fā)源裝置，后進行蒸鍍的為第二個蒸發(fā)源裝置。第一蒸發(fā)源裝置包括:子腔室；位于子腔室內(nèi)的蒸發(fā)源17 ;位于蒸發(fā)源17上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第一擋板111 ;位于第一擋板111上方的第一晶振片110 ;位于第一晶振片110上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第二擋板19 ;位于第二擋板19上方的第二晶振片18，其中，第一擋板111和第二擋板19均具有與蒸發(fā)源17對應(yīng)的用于使蒸鍍物質(zhì)通過的擋板開口，第一晶振片110被設(shè)置于子腔室側(cè)壁上的第一可移動支架承載，第二晶振片18被第二可移動支架承載。
[0086]在初始階段，第一擋板111、211的擋板開口、第二擋板19、29的擋板開口和主擋板3的擋板開口均處于關(guān)閉狀態(tài)。
[0087]在對基板I進行蒸鍍時，首先打開主檔板3的擋板開口，對蒸發(fā)源17進行加熱，同時打開第一擋板111的擋板開口，移動第一可移動支架使第一晶振片110位于蒸發(fā)源17的上方，使第一晶振片110監(jiān)控蒸發(fā)源17的蒸鍍速率，第一個蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段。
[0088]在蒸發(fā)源17的蒸鍍速率達到預(yù)設(shè)速率后，打開第二擋板19的擋板開口，使蒸發(fā)源17中的源材料蒸出，經(jīng)過第一擋板111的擋板開口、第二擋板19的擋板開口和主擋板3的擋板開口沉積到基板I上，第一個蒸發(fā)源裝置進入蒸鍍階段。在第一個蒸發(fā)源裝置進入蒸鍍階段的同時，控制第二個蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段，對蒸發(fā)源27進行加熱，同時打開第一擋板211的擋板開口，移動第一可移動支架使第一晶振片210位于蒸發(fā)源27的上方，使第一晶振片210監(jiān)控蒸發(fā)源27的蒸鍍速率，第二個蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段。
[0089]在第一個蒸發(fā)源裝置進入蒸鍍階段時，可以控制第一可移動支架使第一晶振片110遠離蒸發(fā)源17的上方，并控制第二可移動支架使第二晶振片18位于蒸發(fā)源17的上方，利用第二晶振片18在蒸鍍階段監(jiān)控蒸發(fā)源17的實時蒸鍍速率，在源材料蒸發(fā)附著到晶振片上時，會對晶振片造成損耗，在更換晶振片時需要對真空蒸鍍腔室破真空，使得更換晶振片的成本比較大，而本實施例在蒸鍍階段控制第一可移動支架使第一晶振片遠離蒸發(fā)源的上方，可以減少對第一晶振片的損耗，從而降低更換晶振片的頻率和成本。
[0090]在利用第一個蒸發(fā)源裝置完成蒸鍍后，關(guān)閉第二擋板19的擋板開口，并對蒸發(fā)源17進行冷卻，第一個蒸發(fā)源裝置進入降溫階段。同時，第二個蒸發(fā)源裝置中的蒸發(fā)源27的蒸鍍速率已經(jīng)達到預(yù)設(shè)速率，打開第二擋板29的擋板開口，使蒸發(fā)源27中的源材料蒸出，經(jīng)過第一擋板211的擋板開口、第二擋板29的擋板開口和主擋板3的擋板開口沉積到基板I上，第二個蒸發(fā)源裝置進入蒸鍍階段。
[0091]在第二個蒸發(fā)源裝置進入蒸鍍階段時，可以控制第一可移動支架使第一晶振片210遠離蒸發(fā)源27的上方，并控制第二可移動支架使第二晶振片28位于蒸發(fā)源27的上方，利用第二晶振片28在蒸鍍階段監(jiān)控蒸發(fā)源27的實時蒸鍍速率，在源材料蒸發(fā)附著到晶振片上時，會對晶振片造成損耗，在更換晶振片時需要破開真空蒸鍍腔室來更換晶振片，使得更換晶振片的成本比較大，而本實施例在蒸鍍階段控制第一可移動支架使第一晶振片遠離蒸發(fā)源的上方，可以減少對第一晶振片的損耗，從而降低更換晶振片的頻率和成本。
[0092]進一步地，本發(fā)明的真空蒸鍍設(shè)備還可以包括三個以上相互獨立的蒸發(fā)源裝置，在真空蒸鍍設(shè)備包括三個以上相互獨立的蒸發(fā)源裝置時，在上一蒸發(fā)源裝置進入蒸鍍階段時，下一蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段，并且當(dāng)上一蒸發(fā)源裝置進入降溫階段時，下一蒸發(fā)源裝置進入蒸鍍階段，以此類推，具體的真空蒸鍍方法與上述實施例類似，在此不再贅述。
[0093]本實施例中引入第二擋板，在升溫控速階段和降溫階段可以避免不同源材料之間的交叉污染，在上一蒸發(fā)源裝置進行蒸鍍時，下一蒸發(fā)源裝置可以打開第一擋板的擋板開口，對蒸發(fā)源進行加熱，并利用第一晶振片對蒸發(fā)源進行控速，由于蒸發(fā)源上方還設(shè)置有第二擋板，因此，下一蒸發(fā)源的源材料并不會擴散到蒸鍍腔室中，待上一蒸發(fā)源蒸鍍完畢后，關(guān)閉上一蒸發(fā)源的第二擋板，控制上一蒸發(fā)源進行降溫階段，同時下一蒸發(fā)源的蒸鍍速率已經(jīng)達到預(yù)設(shè)速率，可以直接打開該蒸發(fā)源對應(yīng)的第二擋板，利用該蒸發(fā)源進行蒸鍍，從而減少了在蒸鍍形成多個膜層時在不同蒸發(fā)源之間切換等待的時間，提高了蒸鍍流片的效率，縮短了蒸鍍流片的時間，減少腔室中少量氧氣和水分子浸入到器件結(jié)構(gòu)內(nèi)部的可能，避免顯示黑點等缺陷，提高器件良率和壽命；同時在加熱控速階段和降溫階段，蒸發(fā)源蒸發(fā)出的源材料將沉積在第二擋板上，可以對第二擋板上的源材料進行回收并提純，從而提高了源材料的利用率，降低了蒸鍍流片的成本。本實施例同時還引入第二晶振片，可以降低更換晶振片的頻率和成本。
[0094]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種真空蒸鍍設(shè)備，其特征在于，包括蒸鍍腔室和設(shè)置在所述蒸鍍腔室內(nèi)的M個相互獨立的蒸發(fā)源裝置，M為大于I的整數(shù)，所述蒸發(fā)源裝置包括: 子腔室； 位于所述子腔室內(nèi)的蒸發(fā)源； 位于所述蒸發(fā)源上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第一擋板； 位于所述第一擋板上方的第一晶振片； 位于所述第一晶振片上方、能夠阻擋蒸發(fā)源的源材料排出的第二擋板，其中，所述第一擋板和第二擋板均具有與所述蒸發(fā)源對應(yīng)的用于使蒸鍍物質(zhì)通過的擋板開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源裝置還包括: 位于所述第二擋板上方的第二晶振片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空蒸鍍設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源裝置還包括: 設(shè)置于所述子腔室側(cè)壁上、承載所述第一晶振片的第一可移動支架。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空蒸鍍設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源裝置還包括: 承載所述第二晶振片的第二可移動支架。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的真空蒸鍍設(shè)備，其特征在于，所述真空蒸鍍設(shè)備還包括: 能夠封閉所述蒸鍍腔室的主擋板。
6.一種真空蒸鍍方法，其特征在于，使用如權(quán)利要求1-5中任一項所述的真空蒸鍍設(shè)備進行蒸鍍，所述方法包括: 按照蒸鍍的先后順序依次利用所述M個蒸發(fā)源裝置進行蒸鍍，在利用第N-1個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍時，控制第N個蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段，其中，N不大于M，第N個蒸發(fā)源裝置排在第N-1個蒸發(fā)源裝置之后。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，利用第N-1個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍之后還包括: 利用第N個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍，同時控制第N-1個蒸發(fā)源進入降溫階段。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，利用第N-1個蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍之前還包括: 打開所述蒸鍍腔室的主檔板的擋板開口，控制所述第N-1個蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，控制蒸發(fā)源裝置進入加熱控速階段包括: 打開所述蒸發(fā)源裝置的第一擋板的擋板開口，移動所述第一可移動支架使所述第一晶振片位于所述蒸發(fā)源裝置的蒸發(fā)源的上方； 對所述蒸發(fā)源進行加熱，并利用所述第一晶振片監(jiān)控所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，利用蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍包括: 在所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率達到預(yù)設(shè)速率后，打開所述蒸發(fā)源裝置的第二擋板的擋板開口，使所述蒸發(fā)源中的源材料蒸出沉積到待蒸鍍基板上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，利用蒸發(fā)源裝置對待蒸鍍基板進行蒸鍍包括: 在所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率達到預(yù)設(shè)速率后，移動所述第一可移動支架使所述第一晶振片遠離所述蒸發(fā)源的上方； 打開所述蒸發(fā)源裝置的第二擋板的擋板開口； 移動所述第二可移動支架使所述第二晶振片位于所述蒸發(fā)源的上方，利用所述第二晶振片監(jiān)控所述蒸發(fā)源的蒸鍍速率。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，控制蒸發(fā)源裝置進入降溫階段包括: 關(guān)閉所述蒸發(fā)源裝置的第二擋板的擋板開口； 對所述蒸發(fā)源裝置的蒸發(fā)源進行冷卻。
【文檔編號】C23C14/24GK104451554SQ201510004716
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2015年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2015年1月6日
【發(fā)明者】張永峰 申請人:京東方科技集團股份有限公司