技術(shù)總結(jié)
一種利用PECVD工藝淀積薄膜的方法和PECVD裝置，該方法包括：將硅片置于反應(yīng)腔室內(nèi)，PECVD裝置具有第一、二射頻發(fā)生器，第一射頻發(fā)生器的射頻頻率大于第二射頻發(fā)生器；向反應(yīng)腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體，并使第一射頻發(fā)生器產(chǎn)生第一射頻信號(hào)、第二射頻發(fā)生器在選定射頻功率下產(chǎn)生第二射頻信號(hào)，以在硅片上淀積薄膜，選定射頻功率大于等于下限射頻功率、小于等于上限射頻功率，且根據(jù)硅片的曲率半徑來(lái)確定：硅片的曲率半徑大于第一預(yù)設(shè)值時(shí)，選定射頻功率等于上限射頻功率；硅片的曲率半徑小于等于第一預(yù)設(shè)值時(shí)，選定射頻功率小于上限射頻功率。本方案減少了薄膜剝落、薄膜形成裂紋、形成空洞、甚至斷片等問(wèn)題發(fā)生的可能。

技術(shù)研發(fā)人員：劉俊;劉祥杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號(hào)碼：201510158382
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.03
技術(shù)公布日：2016.11.23