本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體零件，尤其涉及一種工件夾持器。

背景技術(shù)：

薄膜沉積技術(shù)已是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所廣泛應(yīng)用的技術(shù)之一。薄膜沉積技術(shù)可分為物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)以及化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)。前者主要是通過物理現(xiàn)象進行薄膜沉積，而后者主要是以化學反應(yīng)的方式進行薄膜沉積。而無論是何種方式的氣相沉積均需于一沉積機臺上進行相關(guān)處理。

通常，沉積機臺上的晶片夾持器會先固持晶片，而后進行晶片表面的沉積處理。然而，當沉積機臺的晶片夾持器產(chǎn)生偏移時，會造成壓邊異常而影響晶片的沉積結(jié)果，甚至造成良率降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種改良的工件夾持器，通過控制其內(nèi)環(huán)的平邊為特定角度，可有效改善現(xiàn)有的壓邊異?，F(xiàn)象。

本發(fā)明提供一種工件夾持器，包括一內(nèi)環(huán)，其中內(nèi)環(huán)的一內(nèi)緣分為一圓弧部與二第一直線部，第一直線部彼此相連且位于圓弧部的缺口，圓弧部具有一圓心，第一直線部在一連接點彼此相連，圓心至連接點的連接線與各第一直線部的夾角為大于約90度且小于約93度。

在本發(fā)明的一實施例中，上述圓心至連接點的連接線與各第一直線部的夾角為大于約90度且小于等于約92度。

本發(fā)明的一實施例中，上述圓心至連接點的連接線與各第一直線部的夾角為約91～92度。

本發(fā)明的一實施例中，上述內(nèi)環(huán)的一底面包括鄰接內(nèi)緣的環(huán)狀平面與自環(huán)狀平面的外側(cè)延伸的環(huán)狀斜面。

本發(fā)明的一實施例中，上述環(huán)狀平面與環(huán)狀斜面之間的夾角為約115～125度。

本發(fā)明的一實施例中，上述內(nèi)環(huán)的一外緣具有分開的二第二直線部。

本發(fā)明的一實施例中，上述第一直線部與第二直線部的一個相對配置。

本發(fā)明的一實施例中，上述第一直線部的長度相同。

本發(fā)明的一實施例中，上述第一直線部的長度不同。

本發(fā)明的一實施例中，上述工件夾持器還包括一外環(huán)，用以接合內(nèi)環(huán)。

基于上述，本發(fā)明通過限定工件夾持器的內(nèi)環(huán)的平邊為特定角度，可減少內(nèi)環(huán)偏移，進而減少產(chǎn)品異常、降低維修成本、并提高機臺穩(wěn)定性。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A是依照本發(fā)明一實施例所示出的一種工件夾持器的內(nèi)環(huán)的上視示意圖；

圖1B沿圖1A的I-I線所示出的剖面示意圖，其下方為局部放大圖；

圖2A是依照本發(fā)明一實施例所示出的工件夾持器于機臺閑置位置時的剖面示意圖；

圖2B是依照本發(fā)明一實施例所示出的工件夾持器于機臺操作位置時的剖面示意圖；

圖3A是依照本發(fā)明一實施例所示出的工件與工件夾持器的內(nèi)環(huán)于無偏移狀態(tài)時的上視示意圖；

圖3B是依照本發(fā)明一實施例所示出的工件與工件夾持器的內(nèi)環(huán)于偏移狀態(tài)時的上視示意圖。

附圖標記說明：

1：氣相沉積機臺；

10：工件夾持器；

12：工件承載臺；

14：工件；

14a：平邊；

100：內(nèi)環(huán)；

100a：內(nèi)緣；

100b：外緣；

100c：底面；

102、110、112：圓弧部；

103：圓心；

104、106：第一直線部；

105：連接點；

108：連接線；

114、116：第二直線部；

118、122：環(huán)狀平面；

120：環(huán)狀斜面；

123：階梯部；

200：外環(huán)；

θ₁、θ₂：夾角；

D：直徑。

具體實施方式

圖1A是依照本發(fā)明一實施例所示出的一種工件夾持器的內(nèi)環(huán)的上視示意圖。圖1B沿圖1A的I-I線所示出的剖面示意圖，其下方為局部放大圖。

請參照圖1A與1B，工件夾持器10包括一內(nèi)環(huán)100。內(nèi)環(huán)100的一內(nèi)緣100a分為一圓弧部102與兩個第一直線部104、106。

第一直線部104、106彼此相連且位于圓弧部102的缺口。圓弧部102具有一圓心103。第一直線部104、106在一連接點105彼此相連。圓心103至連接點105的連接線108與第一直線部104、106的每一個的夾角θ₁為大于約90度且小于約93度。在一實施例中，夾角θ₁為大于約90度且小于等于約92度。在另一實施例中，夾角θ₁為約91～92度。更具體地說，夾角θ₁可為90.1度、90.2度、90.3度、90.4度、90.5度、90.6度、90.7度、90.8度、90.9度、91.0度、91.1度、91.2度、91.3度、91.4度、91.5度、91.6度、91.7度、91.8度、91.9度、92.0度、92.1度、92.2度、92.3度、92.4度、92.5度、 92.6度、92.7度、92.8度或92.9度，或者上述任意兩端點之間的任意數(shù)值。

在本發(fā)明中，第一直線部104、106構(gòu)成本發(fā)明的內(nèi)環(huán)100的“平邊”。雖然實質(zhì)上第一直線部104、106并非構(gòu)成直線狀平邊而是構(gòu)成略為內(nèi)凹狀的V形，但本文中仍以平邊來描述。

在一實施例中，第一直線部104、106的長度可相同，則圓心103至連接點105的連接線108與第一直線部104、106的每一個的夾角θ₁相同。換言之，第一直線部104、106相對于連接線108為對稱配置。此時，第一直線部104、106之間的夾角可為2×θ₁。然而，本發(fā)明并不以此為限。

在另一實施例中，第一直線部104、106的長度可不同，則圓心103至連接點105的連接線108與第一直線部104、106的每一個的夾角θ₁不同。換言之，第一直線部104、106相對于連接線108為非對稱配置。

當本發(fā)明的工件夾持器10應(yīng)用于六寸工件(例如六寸晶片)時，第一直線部104、106的每一個的長度為約33～35微米(例如約34微米)，且圓弧部102的直徑D為約143～146微米(例如約144微米)。當然，若本發(fā)明的工件夾持器10應(yīng)用于其他尺寸的工件時，第一直線部104、106的長度與圓弧部102的直徑也可以因應(yīng)調(diào)整。

此外，如圖1B所示，內(nèi)環(huán)100的一底面100c包括環(huán)狀平面118、環(huán)狀斜面120以及環(huán)狀平面122。環(huán)狀平面118鄰接內(nèi)緣100a。環(huán)狀斜面120自環(huán)狀平面118的外側(cè)延伸且與另一環(huán)狀平面122鄰接。此外，環(huán)狀平面118與環(huán)狀斜面120之間的夾角θ₂為約115～125度，例如約120度。環(huán)狀斜面120的設(shè)置是為了工件對準用。當工件上升至機臺操作位置時，若未直接定位到環(huán)狀平面118與環(huán)狀斜面120的交界處(可視為對準點)，仍可通過環(huán)狀斜面120而滑至對準點，使工件的邊緣與環(huán)狀平面118接觸。

另外，如圖1A所示，內(nèi)環(huán)100的一外緣100b可分為彼此分開的圓弧部110、112以及第二直線部114、116。圓弧部110、112與第二直線部114、116交替配置。更具體地說，外緣100b具有依序配置的圓弧部110、第二直線部114、圓弧部112以及第二直線部116。

在一實施例中，外緣100b的圓弧部110、112的圓心即為內(nèi)緣100a的圓弧部102的圓心，如圖1A所示，但本發(fā)明并不以此為限。在另一實施例中，外緣100b的圓弧部110、112的圓心與內(nèi)緣100a的圓弧部102的圓心并不重 疊。此外，內(nèi)環(huán)100的內(nèi)緣100a的第一直線部104、106與外緣100b的第二直線部114相對配置。

圖2A是依照本發(fā)明一實施例所示出的工件夾持器在機臺閑置位置時的剖面示意圖。圖2B是依照本發(fā)明一實施例所示出的工件夾持器在機臺操作位置時的剖面示意圖。

氣相沉積機臺1可包括工件夾持器10以及工件承載臺12。工件夾持器10位于工件承載臺12上方。氣相沉積機臺1可為物理氣相沉積機臺或化學氣相沉積機臺。在一實施例中，氣相沉積機臺1可為鎢金屬化學氣相沉積機臺(tungsten(wolfram)chemical vapor deposition；WCVD)。工件夾持器10可包括內(nèi)環(huán)100以及外環(huán)200。內(nèi)環(huán)100以及外環(huán)200的材料可包括陶瓷。

當氣相沉積機臺1處于閑置(idle)狀態(tài)時，如圖2A所示，工件14處于機臺閑置位置，即位于工件承載臺12上，且內(nèi)環(huán)100坐落在外環(huán)200上。更具體地說，內(nèi)環(huán)100的外側(cè)的階梯部123(如圖1B的放大圖所示)與外環(huán)200的內(nèi)側(cè)的階梯部彼此對應(yīng)，使內(nèi)環(huán)100以及外環(huán)200接合在一起。在一實施例中，工件14可為具有平邊的六寸晶片，且當工件14處于機臺閑置位置時，工件14的平邊對應(yīng)于內(nèi)環(huán)100的內(nèi)緣100a的第一直線部104、106。

當氣相沉積機臺1處于操作(active)狀態(tài)時，如圖2B所示，工件承載臺12承載著其上的工件14一起上升，直到接觸到內(nèi)環(huán)100的環(huán)狀平面118后，工件14舉起內(nèi)環(huán)100一起上升到機臺操作位置，以進行工件14的表面沉積處理。

特別要說明的是，當工件14舉起工件夾持器10的內(nèi)環(huán)100一起上升到機臺操作位置時，內(nèi)環(huán)100可能會因與工件14之間的撞擊而略微移動，但因為其內(nèi)緣100a的第一直線部104、106的特殊設(shè)置，內(nèi)環(huán)100的偏移程度受限，故不會偏移到造成產(chǎn)品的壓痕異常，如無壓痕或壓痕面積太大。

更具體地說，當工件14與工件夾持器10的內(nèi)環(huán)100均處于無偏移狀態(tài)時，工件14的平邊14a與內(nèi)環(huán)100的第一直線部104、106大致對應(yīng)，如圖3A所示。此外，雖未示出于圖3A，外緣的第二直線部114與工件14的平邊14a也大致對應(yīng)。

而當工件14和/或工件夾持器10的內(nèi)環(huán)100處于偏移狀態(tài)時，因內(nèi)環(huán)100的外緣100b的第二直線部114、116會頂?shù)酵猸h(huán)200停住，因此停止內(nèi)環(huán)100 的旋轉(zhuǎn)，且因為內(nèi)環(huán)100的第一直線部104、106的特殊設(shè)置，使其生產(chǎn)的工件14得已在規(guī)格內(nèi)，如圖3B所示。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如圖1A所示，當連接線108與第一直線部104、106的每一個的夾角θ₁為90度時(即內(nèi)環(huán)100的平邊呈直線狀時)，改善效果有限，仍會有內(nèi)環(huán)偏移發(fā)生。當連接線108與第一直線部104、106的每一個的夾角θ₁為91～92度時(即內(nèi)環(huán)100的平邊呈略為內(nèi)凹狀時)，改善效果佳。而當連接線108與第一直線部104、106的每一個的夾角θ₁為93度時，會造成產(chǎn)品的部分邊緣無壓痕。因此，當連接線108與第一直線部104、106的每一個的夾角θ₁為大于約90度且小于約93度時，具有不可預(yù)期的功效，可明顯改善工件夾持器10的內(nèi)環(huán)偏移現(xiàn)象。

綜上所述，本發(fā)明通過限定工件夾持器的內(nèi)環(huán)的平邊為特定角度，可減少內(nèi)環(huán)偏移，進而減少產(chǎn)品異常、降低維修成本、并提高機臺穩(wěn)定性。

最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。