技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種真空蒸鍍方法，包括以下步驟：提供一真空蒸鍍用蒸發(fā)源及待鍍基底，該真空蒸鍍用蒸發(fā)源包括蒸發(fā)材料、碳納米管膜結(jié)構(gòu)、第一電極及第二電極，該第一電極及第二電極相互間隔并分別與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)電連接，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)為一載體，該蒸發(fā)材料設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面，通過該碳納米管膜結(jié)構(gòu)承載；將該蒸發(fā)源與待鍍基底相對(duì)且間隔設(shè)置在真空室中并抽真空；以及向該碳納米管膜結(jié)構(gòu)中輸入電信號(hào)，使該蒸發(fā)材料氣化，在該待鍍基底的待鍍表面形成蒸鍍層。

技術(shù)研發(fā)人員：魏洋;范守善
受保護(hù)的技術(shù)使用者：清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
文檔號(hào)碼：201510764078
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.11
技術(shù)公布日：2017.05.17