本發(fā)明涉及一種陶瓷材料，特別是涉及一種半導(dǎo)體陶瓷材料。

背景技術(shù)：

目前，在電子元器件制造領(lǐng)域和電子產(chǎn)品領(lǐng)域中，陶瓷半導(dǎo)體材料作為具有優(yōu)秀半導(dǎo)體性能的材料，被越來越多的應(yīng)用在熱敏電阻中，但是隨著時(shí)代的進(jìn)步，對(duì)陶瓷半導(dǎo)體材料的需求量越來越大，現(xiàn)在工業(yè)上使用的半導(dǎo)體陶瓷元件，要求材料具有半導(dǎo)體性能好、能夠在高溫下工作，同時(shí)又要求具有高溫條件下電阻率較低的性能，同時(shí)具有這些優(yōu)秀性能的半導(dǎo)體陶瓷材料還沒有被發(fā)現(xiàn)?，F(xiàn)階段研究一種具有有半導(dǎo)體性能好、能夠在高溫下工作，同時(shí)又具有高溫條件下電阻率較低的優(yōu)秀性能的半導(dǎo)體陶瓷材料十分的重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有陶瓷材料的不足之處，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體陶瓷材料。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的。

本方案的一種半導(dǎo)體陶瓷材料，所述半導(dǎo)體陶瓷由質(zhì)量百分比為10-25％的鋇、78-85％的鈦、1-5％的錳混合制成。

本發(fā)明的有益之處在于：本半導(dǎo)體陶瓷材料具有有半導(dǎo)體性能好、能夠在高溫下工作，同時(shí)又具有高溫條件下電阻率較低的優(yōu)秀性能。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

一種半導(dǎo)體陶瓷材料，由15kg的鋇、80kg的鈦、5kg的錳混合制成100kg半導(dǎo)體陶瓷材料，本半導(dǎo)體陶瓷材料具有有半導(dǎo)體性能好、能夠在高溫下工作，同時(shí)又具有高溫條件下電阻率較低的優(yōu)秀性能。

實(shí)施例2

一種半導(dǎo)體陶瓷材料，由20kg的鋇、78kg的鈦、2kg的錳混合制成100kg半導(dǎo)體陶瓷材料，本半導(dǎo)體陶瓷材料具有有半導(dǎo)體性能好、能夠在高溫下工作，同時(shí)又具有高溫條件下電阻率較低的優(yōu)秀性能。

實(shí)施例3

一種半導(dǎo)體陶瓷材料，由17kg的鋇、80kg的鈦、3kg的錳混合制成100kg半導(dǎo)體陶瓷材料，本半導(dǎo)體陶瓷材料具有有半導(dǎo)體性能好、能夠在高溫下工作，同時(shí)又具有高溫條件下電阻率較低的優(yōu)秀性能。

本發(fā)明的有益之處在于：本半導(dǎo)體陶瓷材料具有有半導(dǎo)體性能好、能夠在高溫下工作，同時(shí)又具有高溫條件下電阻率較低的優(yōu)秀性能。

以上對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但所述內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，不能被認(rèn)為用于限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。凡依本發(fā)明申請(qǐng)范圍所作的均等變化與改進(jìn)等，均應(yīng)仍歸屬于本發(fā)明的專利涵蓋范圍之內(nèi)。