本發(fā)明涉及一種Ag合金膜、及用于形成該Ag合金膜的Ag合金膜形成用濺射靶，所述Ag合金模使用在顯示器或LED等的反射電極膜、觸控面板等的配線膜、及透明導(dǎo)電膜等中。本申請(qǐng)主張基于2014年4月9日于日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2014-080354號(hào)的優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援用于此。

背景技術(shù)：
在顯示器或LED等的反射電極膜、觸控面板等的配線膜、及透明導(dǎo)電膜等中，通常使用比電阻值較低的Ag膜。例如，專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)有作為半導(dǎo)體發(fā)光元件的電極的構(gòu)成材料，使用高效率且反光的Ag膜或Ag合金膜。并且，專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)有作為有機(jī)EL元件的反射電極的構(gòu)成材料，使用Ag合金。而且，專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)有作為觸控面板的引出配線使用Ag合金膜。這些Ag膜及Ag合金膜通過(guò)使用由Ag或Ag合金構(gòu)成的濺射靶來(lái)濺射成膜。近年來(lái)在制造有機(jī)EL元件、觸控面板用配線等時(shí)的玻璃基板的大型化(大面積化)正逐漸推進(jìn)。與此同時(shí)，對(duì)大面積基板進(jìn)行成膜時(shí)使用的濺射靶也逐漸大型化。在此，對(duì)大型濺射靶投入高功率來(lái)進(jìn)行濺射時(shí)，由于靶的異常放電，有可能產(chǎn)生所謂的“噴濺”現(xiàn)象。產(chǎn)生該噴濺現(xiàn)象時(shí)，熔融的微粒附著于基板而引起配線或電極間的短路，從而產(chǎn)生成品率大幅下降的問(wèn)題。為此，例如在專利文獻(xiàn)4中提出一種通過(guò)規(guī)定Ag合金的組成來(lái)實(shí)現(xiàn)抑制產(chǎn)生“噴濺”的大型濺射靶。然而，近年來(lái)顯示器、LED、觸控面板、及有機(jī)EL元件等中逐漸推進(jìn)電極圖形及配線圖形的微細(xì)化。其中，由于Ag膜中容易產(chǎn)生遷移現(xiàn)象，因此，經(jīng)微細(xì)化的電極圖形及配線圖形中有可能產(chǎn)生短路。因此，要求耐遷移性尤其優(yōu)異的Ag合金膜。并且，使用大型濺射靶在大面積基板中形成Ag合金膜時(shí)，要求Ag合金中所含的元素成分均勻分布，以避免Ag合金膜的特性在面內(nèi)產(chǎn)生偏差。另一方面，Ag容易與硫進(jìn)行反應(yīng)。在顯示面板等的制造工序，例如用于圖形化的光刻膠的涂布或剝離工序中所使用的化學(xué)藥品、制造工序或使用環(huán)境中的氣氛中，含有硫成分。Ag通過(guò)這些硫成分而硫化，有時(shí)產(chǎn)生特性劣化或成品率降低的現(xiàn)象。因此，用作電極及配線的Ag合金膜中要求耐硫化性。專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2006-245230號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2012-059576號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2009-031705號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2013-216976號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明是鑒于前述內(nèi)容而完成的，其目的在于提供一種耐遷移性及耐硫化性優(yōu)異的Ag合金膜、及即使在大面積基板中形成膜的情況下，也能夠形成面內(nèi)特性穩(wěn)定的Ag合金膜的Ag合金膜形成用濺射靶。為了解決上述課題，本發(fā)明的一方式所涉及的Ag合金膜具有如下組成：含有0.1質(zhì)量％以上且1.5質(zhì)量％以下的In、1質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的Cu，剩余部分由Ag及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成。這種構(gòu)成的本發(fā)明的一方式所涉及的Ag合金膜中，由于以1質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的范圍含有Cu，因此能夠抑制產(chǎn)生Ag的離子遷移現(xiàn)象，并能夠大幅提高耐遷移性。并且，以0.1質(zhì)量％以上且1.5質(zhì)量％以下的范圍含有In，因此能夠提高膜的耐硫化性。因此，能夠抑制在制造工序中或使用環(huán)境下的特性劣化。在此，優(yōu)選本發(fā)明的一方式所涉及的Ag合金膜進(jìn)一步含有0.01質(zhì)量％以上且1.0質(zhì)量％以下的Sb。在上述顯示器或LED的制造過(guò)程中有可能進(jìn)行高溫的熱處理，因此用作顯示器或LED的電極及配線的Ag合金膜中要求即使在熱處理之后也不產(chǎn)生其特性劣化的耐熱性。因此，本發(fā)明的一方式所涉及的Ag合金膜通過(guò)進(jìn)一步含有0.01質(zhì)量％以上且1.0質(zhì)量％以下的Sb，能夠提高膜的耐熱性，并能夠抑制熱處理之后的特性劣化。因此，尤其適于用作顯示器或LED的電極及配線的Ag合金膜。并且，優(yōu)選本發(fā)明的一方式所涉及的Ag合金膜進(jìn)一步含有0.5質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的Ca。此時(shí)，由于含有0.5質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的Ca，因此通過(guò)與Cu的相互作用，能夠可靠地抑制Ag的離子遷移現(xiàn)象的產(chǎn)生，并能夠大幅提高耐遷移性。本發(fā)明的一方式所涉及的Ag合金膜形成用濺射靶，其特征在于，具有如下組成：含有0.1質(zhì)量％以上且1.5質(zhì)量％以下的In、1質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的Cu，剩余部分由Ag及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，且氧濃度小于50質(zhì)量ppm，濺射面的面積為0.25m2以上，并且，根據(jù)以下式(1)定義的Cu的面內(nèi)濃度分布DCu為40％以下，DCu＝(σCu/μCu)×100〔％〕(1)其中，式(1)中的μCu為在所述濺射面的多個(gè)部位，對(duì)Cu濃度進(jìn)行分析而得到的Cu濃度分析值的平均值，且σCu為所述Cu濃度分析值的標(biāo)準(zhǔn)偏差。這種構(gòu)成的本發(fā)明的一方式所涉及的Ag合金膜形成用濺射靶中由于含有0.1質(zhì)量％以上且1.5質(zhì)量％以下的In、1質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的Cu，因此能夠形成耐遷移性及耐硫化性優(yōu)異的Ag合金膜。并且，濺射面的面積為0.25m2以上，且根據(jù)所述濺射面中的Cu濃度分析值的平均值μCu及Cu濃度分析值的標(biāo)準(zhǔn)偏差σCu定義的Cu的面內(nèi)濃度分布DCu(＝(σCu/μCu)×100〔％〕)為40％以下。因此，即使在大面積基板中形成Ag合金膜時(shí)，通過(guò)在Ag合金膜中使Cu濃度均勻化而能夠形成面內(nèi)特性穩(wěn)定的Ag合金膜。而且，通過(guò)氧濃度小于50質(zhì)量ppm，能夠抑制因氧化而引起的Cu的偏析，并能夠?qū)⑸鲜鯟u的面內(nèi)濃度分布DCu設(shè)為40％以下。在此，優(yōu)選本發(fā)明的一方式所涉及的Ag合金膜形成用濺射靶進(jìn)一步含有0.1質(zhì)量％以上且3.5質(zhì)量％以下的Sb。根據(jù)該構(gòu)成的Ag合金膜形成用濺射靶，由于含有0.1質(zhì)量％以上且3.5質(zhì)量％以下的Sb，因此能夠提高已形成的Ag合金膜的耐熱性。另外，已形成的Ag合金膜中的Sb含量隨濺射條件而變動(dòng)。因此，優(yōu)選與以形成Ag合金膜為目標(biāo)的Sb含量及濺射條件相應(yīng)地，將Ag合金膜形成用濺射靶中的Sb含量調(diào)整在上述范圍內(nèi)。并且，優(yōu)選本發(fā)明的一方式所涉及的Ag合金膜形成用濺射靶進(jìn)一步含有0.5質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的Ca，且根據(jù)以下式(2)定義的Ca的面內(nèi)濃度分布DCa為40％以下，DCa＝(σCa/μCa)×100〔％〕(2)其中，式(2)中的μCa為在所述濺射面的多個(gè)部位，對(duì)Ca濃度進(jìn)行分析而得到的Ca濃度分析值的平均值，且σCa為所述Ca濃度分析值的標(biāo)準(zhǔn)偏差。根據(jù)該構(gòu)成的Ag合金膜形成用濺射靶，即使在大面積基板中形成Ag合金膜時(shí)，通過(guò)在Ag合金膜中使Cu濃度及Ca濃度均勻化而能夠形成面內(nèi)特性穩(wěn)定的Ag合金膜。如上所述，根據(jù)本發(fā)明能夠提供一種即使形成耐遷移性、耐熱性、及耐硫化性優(yōu)異的Ag合金膜，以及在大面積基板中形成膜時(shí)，也能夠形成面內(nèi)特性穩(wěn)定的Ag合金膜的Ag合金膜形成用濺射靶。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的Ag合金膜形成用濺射靶(平板型靶)的示意圖，圖1的(a)為俯視圖，圖1的(b)為側(cè)視圖。圖2為本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的Ag合金膜形成用濺射靶(圓筒型靶)的示意圖，圖2的(a)為側(cè)視圖，圖2的(b)為圖2的(a)中的X-X剖視圖。圖3為制造本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的Ag合金膜形成用濺射靶中成為原材料的Ag合金鑄錠時(shí)所使用的單向凝固裝置的概略說(shuō)明圖。圖4為表示實(shí)施例中的遷移評(píng)價(jià)試驗(yàn)的試樣采集位置的圖。具體實(shí)施方式以下，對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式的Ag合金膜、及Ag合金膜形成用濺射靶進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的Ag合金膜為例如用作顯示器或LED等的反射電極膜、觸控面板等的配線膜、及透明導(dǎo)電膜等的Ag合金導(dǎo)電膜。＜Ag合金膜＞本實(shí)施方式的Ag合金膜具有含有0.1質(zhì)量％以上且1.5質(zhì)量％以下的In、1質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的Cu，剩余部分由Ag及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的組成。并且，本實(shí)施方式的Ag合金膜可進(jìn)一步含有0.01質(zhì)量％以上且1.0質(zhì)量％以下的Sb。而且，本實(shí)施方式的Ag合金膜可進(jìn)一步含有0.5質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的Ca。以下、對(duì)如上規(guī)定本實(shí)施方式的Ag合金膜的組成的理由進(jìn)行說(shuō)明。(In：0.1質(zhì)量％以上且1.5質(zhì)量％以下)In為具有提高Ag合金膜的耐硫化性的作用效果的元素。在此，In的含量小于0.1質(zhì)量％時(shí)，有可能無(wú)法得到提高耐硫化性效果。另一方面，In的含量大于1.5質(zhì)量％時(shí)，比電阻值上升，有可能無(wú)法確保作為導(dǎo)電膜的特性。并且，反射率也降低，因此有可能也無(wú)法確保作為反射導(dǎo)電膜的特性。根據(jù)這種理由，本實(shí)施方式中將Ag合金膜中的In的含量設(shè)定在0.1質(zhì)量％以上且1.5質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。另外，為了可靠地發(fā)揮上述作用效果，優(yōu)選將Ag合金膜中的In的含量設(shè)定在0.3質(zhì)量％以上且1.1質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。(Cu：1質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下)Cu為具有抑制Ag的離子遷移現(xiàn)象的作用效果的元素。在此，Cu的含量小于1質(zhì)量ppm時(shí)，有可能無(wú)法充分抑制Ag的離子遷移現(xiàn)象。另一方面，Cu的含量大于50質(zhì)量ppm，則對(duì)Ag合金膜進(jìn)行熱處理時(shí)，Cu凝聚在膜表面而形成微細(xì)的突起物(異物)，有可能產(chǎn)生電極及配線的短路。根據(jù)這種理由，本實(shí)施方式中將Ag合金膜中的Cu的含量設(shè)定在1質(zhì)量ppm以上且50質(zhì)量ppm以下的范圍內(nèi)。另外，為了可靠地發(fā)揮上述作用效果，優(yōu)選將Ag合金膜中的Cu的含量設(shè)定在2質(zhì)量ppm以上且20質(zhì)量ppm以下的范圍內(nèi)。(Sb：0.01質(zhì)量％以上且1.0質(zhì)量％以下)由于Sb為具有提高Ag合金膜的耐熱性的作用效果的元素，因此，優(yōu)選根據(jù)所要求的特性適當(dāng)添加Sb。在此，Ag合金膜中的Sb的含量小于0.01質(zhì)量％時(shí)，有可能無(wú)法得到進(jìn)一步提高耐熱性的作用效果。另一方面，Ag合金膜中的Sb的含量大于1.0質(zhì)量％時(shí)，比電阻值上升，有可能無(wú)法確保作為導(dǎo)電膜的特性。并且，反射率也下降，因此，有可能無(wú)法確保作為反射導(dǎo)電膜的特性。根據(jù)這種理由，本實(shí)施方式的Ag合金膜中含有Sb時(shí)，將Ag合金膜中的Sb的含量設(shè)定在0.01質(zhì)量％以上且1.0質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)。另外，為了可靠地...