本發(fā)明涉及平面研磨加工領(lǐng)域，更具體的說，尤其涉及一種基于經(jīng)緯線的研磨加工軌跡均勻性檢測方法。

背景技術(shù)：
平面研磨加工是獲取光學(xué)元件、藍(lán)寶石襯底、單晶硅襯底等高精度表面的重要手段之一，在電子、通信、計算機、激光、航空航天等技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。平面研磨加工須確保平面度、表面粗糙度、表層及亞表層位錯形態(tài)和殘余應(yīng)力等，高精度平面研磨加工是超光滑拋光加工的必備基礎(chǔ)。研磨加工軌跡均勻性檢測方法是制約平面研磨加工精度的主要因素之一。而以往的研究主要針對如何提高研磨加工的均勻性這個問題，而有關(guān)檢測研磨加工軌跡均勻性的方法卻少提及。現(xiàn)有技術(shù)中對圓形基片進(jìn)行研磨加工過程軌跡線分布的檢測方法主要有兩種，按芯片尺寸劃分區(qū)域、沿半徑和圓周方向的劃分區(qū)域的檢測方法。前者可以檢測研磨加工軌跡線通過芯片面積的次數(shù)，但不考慮邊緣無效芯片面積；后者以工件被加工表面的圓心為中心，徑向繪制一定間距的同心圓，沿直徑方向?qū)φ麄€被加工表面的同心圓進(jìn)行等分，可以實現(xiàn)全局指導(dǎo)研磨加工運動學(xué)設(shè)計。但這兩類檢測方法具有共性的缺陷，具體體現(xiàn)為：只是單一的統(tǒng)計了通過局部區(qū)域軌跡線的次數(shù)，而對局部區(qū)域軌跡線是否均勻分布沒有做出判別，容易產(chǎn)生失真問題，無法正確指導(dǎo)研磨加工運動學(xué)的設(shè)計。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有研磨加工過程中軌跡線密度分布在芯片內(nèi)和邊緣處度量值失真的問題，提出了一種基于經(jīng)緯線的研磨加工軌跡均勻性檢測方法，可以全覆蓋性地檢測圓形基片研磨加工軌跡的密度分布，為研磨加工軌跡的均勻性和研磨盤均勻磨損的運動學(xué)設(shè)計提供全局的技術(shù)支撐。本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)上述目的：一種基于經(jīng)緯線的研磨加工軌跡均勻性檢測方法，包括如下步驟：1)、首先在圓形基片上建立經(jīng)緯線模型，其中包括經(jīng)線(1、2、…、i、…、n)和緯線(1、2、…、j、…、m)；2)、依次計算研磨加工軌跡線通過經(jīng)線1、經(jīng)線2…、經(jīng)線i、…、經(jīng)線n的次數(shù)；3)、分別計算經(jīng)線1上研磨加工軌跡通過緯線(j-1)和緯線j之間的次數(shù)、經(jīng)線2上研磨加工軌跡通過緯線(j-1)和緯線j之間的次數(shù)、經(jīng)線i上研磨加工軌跡通過緯線(j-1)和緯線j之間的次數(shù)(1≤j≤m)，以此類推，直至得到經(jīng)線n上研磨加工軌跡通過緯線(j-1)和緯線j之間的次數(shù)；4)依次取j的不同值，得到不同經(jīng)緯段上局部線段區(qū)間上的研磨加工軌跡的分布密度，根據(jù)上述分布密度得出研磨加工軌跡均勻性。進(jìn)一步的，不同經(jīng)線段上局部線段區(qū)間上的研磨加工軌跡線的密度分布逐一進(jìn)行辨識。進(jìn)一步的，研磨加工軌跡的均勻性通過分布密度標(biāo)準(zhǔn)差Cd表示，Cd為不同經(jīng)緯段上局部線段區(qū)間上的研磨加工軌跡的分布密度與標(biāo)準(zhǔn)值之間的差值，Cd越小表示研磨加工軌跡越均勻。本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明只需合理設(shè)計一定數(shù)量的經(jīng)線和緯線，便可逐一辨識出研磨加工軌跡線的密度分布；本發(fā)明能夠很好地解決極坐標(biāo)和笛卡爾坐標(biāo)評價均勻性方法在圓形基片邊緣處測量值失真的問題；本發(fā)明通過引入二次判別，可判斷任一研磨加工運動學(xué)參數(shù)下研磨加工軌跡的合理性，為合理優(yōu)化研磨加工運動學(xué)參數(shù)提供有力支撐。附圖說明圖1是地球表面的經(jīng)緯度示意圖。圖2是按照斜軸等面積圓錐投影經(jīng)緯線形狀示意圖。圖3是本發(fā)明圓形基片的經(jīng)線示意圖。圖4是本發(fā)明圓形基片的緯線示意圖。圖5是本發(fā)明經(jīng)線1和經(jīng)線i上研磨加工軌跡線密度分布示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明：如圖1、圖2、圖3、圖4和圖5所示，依據(jù)地球表面任意一點都可以用經(jīng)度和緯度來定位的原理，如圖1，將圖1按照斜軸等面積圓錐投影經(jīng)緯線形狀得到圖2，依據(jù)此思想可將其投影到赤道基圓上形成平面經(jīng)緯線，通過合理劃分的經(jīng)線和緯線段上研磨加工軌跡通過次數(shù)，可以全覆蓋地評價研磨加工軌跡的密度分布。為此可構(gòu)造圓形基片的經(jīng)線和緯線，定義基片內(nèi)以圓心為起點、外圓為重點的直徑方向線段為經(jīng)線，可以將圓一次劃分為經(jīng)線1、經(jīng)線2、經(jīng)線i...、經(jīng)線n。同理，以圓心為圓點，可以構(gòu)造出緯線1、緯線2、緯線j…、緯線m。圓形基片的經(jīng)線和緯線分別如圖3、4所示。為全覆蓋地評判研磨加工軌跡的密度分布只需要如下兩個步驟：第一，先依次計算研磨加工軌跡線通過經(jīng)線1、經(jīng)線2、經(jīng)線i...、經(jīng)線n的次數(shù)；第二，再分別計算經(jīng)線1上研磨加工軌跡通過次數(shù)位于緯線(j-1)和緯線j之間的次數(shù)、經(jīng)線2上研磨加工軌跡通過次數(shù)位于緯線(j-1)和緯線j之間的次數(shù)、經(jīng)線i上研磨加工軌跡通過次數(shù)位于緯線(j-1)和緯線j之間的次數(shù)(1≤j≤m)，以此類推，可以得到不同經(jīng)線段上局部線段區(qū)間上的研磨加工軌跡分布密度。本實施例中，以經(jīng)線1和經(jīng)線i為例進(jìn)行對比分析，如圖5所示，通過經(jīng)線1和經(jīng)線i的研磨加工軌跡線的數(shù)量N＝8，但其軌跡線的密度分布是截然不同的，通過引入另一判據(jù)，亦即緯線(j-1)和緯線j之間的軌跡線次數(shù)進(jìn)行二次判別，即可知實現(xiàn)經(jīng)線1的研磨加工軌跡的研磨加工運動學(xué)參數(shù)更為合理。因此，只需合理設(shè)計一定數(shù)量的經(jīng)線和緯線，便可逐一辨識出研磨加工軌跡線的密度分布，為合理優(yōu)化研磨加工運動學(xué)參數(shù)提供有力支撐。上述實施例只是本發(fā)明的較佳實施例，并不是對本發(fā)明技術(shù)方案的限制，只要是不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動即可在上述實施例的基礎(chǔ)上實現(xiàn)的技術(shù)方案，均應(yīng)視為落入本發(fā)明專利的權(quán)利保護(hù)范圍內(nèi)。