技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種金屬導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：形成金屬粉末層于基底上；對金屬粉末層的第一部分進(jìn)行第一激光燒結(jié)，以形成金屬層；及在氧氣的存在下，對金屬粉末層的第二部分進(jìn)行第二激光燒結(jié)，以形成金屬氧化物層，金屬氧化物層作為第一介電層。本實施例通過選擇性激光燒結(jié)技術(shù)可在封裝體各個表面的任意位置上燒結(jié)出金屬結(jié)構(gòu)及/或介電結(jié)構(gòu)，并可得到各種不同的電路圖案，進(jìn)而完成晶片等級的封裝，更具有工藝簡單及成本低等優(yōu)點。另外，由于激光燒結(jié)所形成的金屬結(jié)構(gòu)具有極強(qiáng)的結(jié)構(gòu)特性，故可提高封裝的穩(wěn)定性；且通過激光燒結(jié)所形成的金屬氧化物結(jié)構(gòu)，其導(dǎo)熱效果較一般塑膠或高分子物質(zhì)更佳，故可改善元件過熱的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：何羽軒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.16
技術(shù)公布日：2017.09.26