1.一種制造沉積掩模的方法，所述方法包括：
在基構(gòu)件上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案具有多個(gè)倒錐形的光學(xué)圖案和由所述光學(xué)圖案限定的光學(xué)開(kāi)口；
在所述光學(xué)開(kāi)口中以及在所述光學(xué)圖案上形成掩模材料層；
移除所述光學(xué)圖案和形成在所述光學(xué)圖案上的所述掩模材料層，留下形成在所述光學(xué)開(kāi)口中的所述掩模材料層；以及
移除所述基構(gòu)件。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，
所述光學(xué)圖案中的每個(gè)具有接觸所述基構(gòu)件的第一表面和面對(duì)所述第一表面的第二表面；
所述光學(xué)圖案中的每個(gè)包括第一光學(xué)圖案和第二光學(xué)圖案，其中所述第一光學(xué)圖案從所述第二表面朝著所述第一表面變窄并具有彎曲側(cè)表面，以及所述第二光學(xué)圖案從所述第一光學(xué)圖案朝著所述第一表面變窄并具有從所述第一光學(xué)圖案的所述彎曲側(cè)表面延伸的彎曲側(cè)表面；以及
拐點(diǎn)位于所述第一光學(xué)圖案的所述彎曲側(cè)表面與所述第二光學(xué)圖案的所述彎曲側(cè)表面之間的邊界處。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，
所述光學(xué)圖案中的每個(gè)在所述第二表面處具有最大寬度并且在所述第一表面處具有最小寬度，以及
所述最大寬度與所述最小寬度之間的差值為3μm或大于3μm。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述掩模材料層具有1至20μm的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述掩模材料層的步驟 包括利用沉積方法將金屬材料或無(wú)機(jī)材料沉積在具有所述光刻膠圖案的所述基構(gòu)件上。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在形成所述掩模材料層的步驟中，形成在所述光學(xué)開(kāi)口中的所述掩模材料層與形成在所述光學(xué)圖案上的所述掩模材料層分離。
7.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述光學(xué)圖案中的每個(gè)還包括位于所述第一光學(xué)圖案的所述彎曲側(cè)表面中的分離槽，所述分離槽被定位成高于所述掩模材料層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，
所述第一光學(xué)圖案的所述彎曲側(cè)表面包括從所述光學(xué)圖案中的每個(gè)的所述第二表面連續(xù)的第一側(cè)表面、第二側(cè)表面、第三側(cè)表面和第四側(cè)表面；
拐點(diǎn)分別位于所述第一側(cè)表面與所述第二側(cè)表面之間的邊界處、所述第二側(cè)表面與所述第三側(cè)表面之間的邊界處、以及所述第三側(cè)表面與所述第四側(cè)表面之間的邊界處；以及
所述分離槽由所述第二側(cè)表面和所述第三側(cè)表面限定。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，
形成所述光刻膠圖案包括圖案化形成在所述基構(gòu)件上的光刻膠材料層，以及
所述光刻膠材料層包括負(fù)性光刻膠材料，所述負(fù)性光刻膠材料包含粘合劑、光敏劑、溶劑和添加劑，所述添加劑響應(yīng)于光的照射而捕捉由所述光敏劑產(chǎn)生的自由基。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述添加劑被添加的重量為所述光敏劑重量的5至30％。
11.一種制造沉積掩模的方法，所述方法包括：
在基構(gòu)件上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案具有多個(gè)倒錐形光學(xué)圖案和由所述光學(xué)圖案限定的光學(xué)開(kāi)口；
在所述光學(xué)開(kāi)口中形成掩模材料層；
移除所述光學(xué)圖案，留下形成在所述光學(xué)開(kāi)口中的所述掩模材料層；以及
移除所述基構(gòu)件，
所述光學(xué)圖案中的每個(gè)具有與所述基構(gòu)件接觸的第一表面和面對(duì)所述第一表面的第二表面，所述光學(xué)圖案中的每個(gè)包括第一光學(xué)圖案和第二光學(xué)圖案，所述第一光學(xué)圖案從所述第二表面朝著所述第一表面變窄并具有彎曲側(cè)表面，以及所述第二光學(xué)圖案從所述第一光學(xué)圖案朝著所述第一表面變窄并具有從所述第一光學(xué)圖案的所述彎曲側(cè)表面延伸的彎曲側(cè)表面，拐點(diǎn)位于所述第一光學(xué)圖案的所述彎曲側(cè)表面與所述第二光學(xué)圖案的所述彎曲側(cè)表面之間的邊界處。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中：
所述光學(xué)圖案中的每個(gè)在所述第二表面處具有最大寬度并且在所述第一表面處具有最小寬度，以及
所述最大寬度與所述最小寬度之間的差值是3μm或大于3μm。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中：
所述基構(gòu)件包括金屬襯底，以及
形成所述掩模材料層包括利用鍍層法將金屬材料鍍層到所述基構(gòu)件的表面上。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述掩模材料層具有1至20μm的厚度。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中：
形成所述光刻膠圖案包括圖案化形成在所述基構(gòu)件上的光刻膠材 料層，以及
所述光刻膠材料層包括負(fù)性光刻膠材料，所述負(fù)性光刻膠材料包含粘合劑、光敏劑、溶劑和添加劑，所述添加劑響應(yīng)于光的照射來(lái)捕捉由所述光敏劑產(chǎn)生的自由基。
16.一種沉積掩模，包括：
阻擋部，包括不平坦的第一表面和面對(duì)所述第一表面的平坦的第二表面；以及
多個(gè)圖案開(kāi)口，被所述阻擋部圍繞，所述多個(gè)圖案開(kāi)口中的每個(gè)包括位于所述阻擋部的所述第一表面與所述第二表面之間的、彼此連接的第一開(kāi)口和第二開(kāi)口，
所述第一開(kāi)口從所述阻擋部的所述第一表面朝著所述阻擋部的所述第二表面變窄，所述第一開(kāi)口具有彎曲側(cè)表面，以及所述第二開(kāi)口從所述阻擋部的所述第一開(kāi)口朝著所述阻擋部的所述第二表面變窄，所述第二開(kāi)口具有從所述第一開(kāi)口的所述彎曲側(cè)表面延伸的彎曲側(cè)表面，以及拐點(diǎn)位于所述第一開(kāi)口的所述彎曲側(cè)表面與所述第二開(kāi)口的所述彎曲側(cè)表面之間的邊界處。
17.如權(quán)利要求16所述的沉積掩模，其中：
所述多個(gè)圖案開(kāi)口中的每個(gè)在所述阻擋部的所述第一表面處具有最大寬度并在所述阻擋部的所述第二表面處具有最小寬度，
所述最大寬度與所述最小寬度之間的差值是3μm或大于3μm，以及
所述阻擋部具有1至20μm的厚度。
18.如權(quán)利要求16所述的沉積掩模，其中，所述阻擋部的所述第一表面是凸出的表面。
19.如權(quán)利要求16所述的沉積掩模，其中，所述阻擋部包含金屬材料或無(wú)機(jī)材料。
20.如權(quán)利要求16所述的沉積掩模，其中，由連接所述第一開(kāi)口的位于所述阻擋部的所述第一表面處的所述彎曲側(cè)表面和所述第二開(kāi)口的位于所述阻擋部的所述第二表面處的所述彎曲側(cè)表面的虛擬平面，與平行于所述阻擋部的所述第一表面的虛擬平面所形成的錐角是45度或小于45度。