技術(shù)特征：

1.一種離子束加工工件的誤差補(bǔ)償方法，其特征在于：

包括以下步驟；

1）選取加工工件樣本，測量加工工件樣本的面形圖，獲取加工工件樣本的第一面形數(shù)據(jù)；

2）將加工工件樣本在離子束加工設(shè)備中加工；

3）對加工后的加工工件樣本進(jìn)行測量，獲取加工后的加工工件樣本的第二面形數(shù)據(jù)；

4）將第二面形數(shù)據(jù)與第一面形數(shù)據(jù)相減獲得面形去除數(shù)據(jù)，將面形去除數(shù)據(jù)與離子束的掃描時間進(jìn)行數(shù)學(xué)關(guān)系擬合獲得加工工件樣本材料去除量誤差與掃描時間的去除誤差關(guān)系函數(shù)；

5）對加工工件進(jìn)行測量獲取加工工件的加工面形數(shù)據(jù)；

6）根據(jù)加工面形數(shù)據(jù)計算規(guī)劃離子束在掃描軌跡中的駐留時間數(shù)據(jù)；

7）通過去除量誤差關(guān)系函數(shù)對加工工件的駐留時間補(bǔ)償修正獲得補(bǔ)償后的加工駐留時間修正數(shù)據(jù)；

8）將加工駐留時間修正數(shù)據(jù)導(dǎo)入離子束加工設(shè)備中進(jìn)行加工工件的加工處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種離子束加工工件的誤差補(bǔ)償方法，其特征在于：所述加工工件樣本與加工工件的材質(zhì)相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種離子束加工工件的誤差補(bǔ)償方法，其特征在于：步驟1）、3）和5）中是采用激光干涉儀進(jìn)行面形圖的測量并獲得第一面形數(shù)據(jù)、第二面形數(shù)據(jù)和加工面形數(shù)據(jù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種離子束加工工件的誤差補(bǔ)償方法，其特征在于：步驟2）中包括以下過程：

2.1）對加工工件樣本規(guī)劃離子束掃描軌跡和掃描時間，在離子束加工設(shè)備中生成掃描代碼；

2.2）對加工工件樣本進(jìn)行離子束掃描；

2.3）離子束掃描完成后，從離子束加工設(shè)備中取出，恒溫、冷卻。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種離子束加工工件的誤差補(bǔ)償方法，其特征在于：步驟2.1）中按光柵軌跡掃描方式在加工工件樣本上規(guī)劃形成掃描軌跡，掃描軌跡包括多個掃描軌跡點(diǎn)，所述掃描代碼中包括掃描軌跡點(diǎn)的二維坐標(biāo)；

步驟2.2）中離子束掃描是按掃描軌跡對加工工件樣本進(jìn)行勻速遍歷掃描，離子束從掃描軌跡的首端的掃描軌跡點(diǎn)開始直至末端的掃描軌跡點(diǎn)結(jié)束。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種離子束加工工件的誤差補(bǔ)償方法，其特征在于：步驟4）中，面形去除數(shù)據(jù)包含掃描軌跡點(diǎn)的二維坐標(biāo)和掃描軌跡點(diǎn)的去除量誤差，掃描軌跡點(diǎn)的去除量誤差按掃描軌跡的順序形成去除量的一維矩陣R，

R=[r1,r2,…,rm]，

離子束的掃描時間按掃描軌跡的順序形成掃描時間一維矩陣T,

T=[t1,t2,…,tm]，

其中，t1=0，tm為掃描路徑的線性長度除以掃描速度，

對去除量誤差的一維矩陣R和描時間一維矩陣T 采用數(shù)學(xué)關(guān)系擬合的方式，獲得加工工件樣本材料去除誤差與掃描時間的去除誤差關(guān)系函數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種離子束加工工件的誤差補(bǔ)償方法，其特征在于：步驟6）中按照離子束的掃描軌跡點(diǎn)的二維坐標(biāo)形成駐留時間函數(shù)關(guān)系式為：

，

其中，（x,y）為掃描軌跡點(diǎn)的二維坐標(biāo)，D為駐留時間，Z為加工面形數(shù)據(jù)，Rel為去除函數(shù)矩陣。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種離子束加工工件的誤差補(bǔ)償方法，其特征在于：步驟7）中，根據(jù)離子束掃描軌跡點(diǎn)與駐留時間形成駐留時間的一維矩陣D，D=[1,2,…,i，…]，其中i為掃描軌跡中的第i點(diǎn)；

通過去除誤差關(guān)系函數(shù)形成的補(bǔ)償修正后的駐留時間的函數(shù)關(guān)系式為：

其中D_offset（i）為補(bǔ)償修正后的駐留時間，D（i）為規(guī)劃的駐留時間，為去除誤差關(guān)系函數(shù)。